專利名稱：適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法。
背景技術(shù)：
有源區(qū)只讀存儲器(ACTR0M)構(gòu)造簡單，存儲穩(wěn)定，集成度高，是邏輯 產(chǎn)品中常用的一種非揮發(fā)性只讀記憶體。 一般根據(jù)是否有溝道來判斷存儲的 邏輯代碼'0，和'r。有源區(qū)只讀存儲器(ACT ROM)的重摻雜區(qū)域(Plus)籠罩 整個ROM邏輯代碼區(qū)域，其代碼變更僅需改變有源區(qū)掩膜(如圖1)，這意味 著同樣一個邏輯產(chǎn)品會對應(yīng)很多塊有源區(qū)掩膜，但是所有掩膜都可以共享。LDD(lightly doped drain輕摻雜漏極)是通過版圖邏輯運算產(chǎn)生的。進 行LDD和Halo(暈環(huán))(又稱Pocket)兩道離子植入，部分LDD和絕大多數(shù) Halo離子植入時并非垂直，而是傾斜一定角度，這就有可能受晶片上臨近掩 蔽層的光阻影響，從而產(chǎn)生陰影效應(yīng)(如圖2)。 一般來說，版圖邏輯運算產(chǎn) 生的LDD沿著重注入層(Plus implant layer)的邊界(如圖3),這使得在 一些特殊版圖中需要更加嚴(yán)格的重注入層版圖設(shè)計規(guī)則，導(dǎo)致增大了邏輯區(qū) 域版圖的面積，而且在制程中，也需要盡量減薄LDD的光阻(PR)厚度，控 制CD(critical dimension關(guān)鍵性尺寸)和alig畫nt overlay (疊力口對準(zhǔn)) 已減少。但是上述版圖邏輯運算對有源區(qū)只讀存儲器(ACT ROM)的好處是顯 而易見的，每次ROM代碼變更，僅需改變ACT， LDD層無需變更(如圖4)。還有一種比較新型的LDD邏輯制程，首先找到柵極和ACT (有源區(qū))交 迭的M0S (金屬氧化物半導(dǎo)體)管溝道區(qū)域，然后將此區(qū)域每邊漲大a，其中 a可以根據(jù)具體的制程能力進行調(diào)整(如圖5)。上述制程的優(yōu)點是節(jié)省版圖 面積，但是由于LDD區(qū)域與MOS管溝道形狀有關(guān)， 一旦ACT形狀發(fā)生變化， LDD也會跟著變化，也就是說，如果ACT光罩改變，就必須重新再出一塊LDD
光罩，這樣這種比較新型的制程就無法應(yīng)用在有源區(qū)只讀存儲器(ACT ROM) 的產(chǎn)品上，因為一旦變更ACT光罩，而LDD不改變，就會造成如圖6—樣的 錯誤。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供的一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算 方法，每次代碼變更時，僅需改變有源區(qū)光罩，淺摻雜區(qū)域無需變更，同時 保持了較小的版圖面積。為了達到上述目的，本發(fā)明提供了 一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻 雜漏極版圖邏輯運算方法，包含以下步驟步驟l、確定重注入層(Plus implant layer)的邊界，得到區(qū)域A;步驟2、確定柵極與有緣區(qū)交迭的金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)管的溝道區(qū)域；步驟3、將步驟2確定的區(qū)域每邊漲大a,得到區(qū)域B，其中a可以根據(jù) 具體的制程能力進行調(diào)整；步驟4、將步驟1和步驟3分別得到的兩個區(qū)域A和B，取其合集，得到 區(qū)域C;步驟5、在步驟4確定的區(qū)域C內(nèi)，進行離子植入，生成LDD。 本發(fā)明提供的一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算 方法，每次代碼變更時，僅需改變ACT， LDD層無需變更，同時保持了較小的 版圖面積。通過本發(fā)明提供的版圖邏輯運算產(chǎn)生的N型或者P型LDD層 (NLDD/PLDD layer )會有一部分覆蓋相鄰的P+/N+ pick-up區(qū)域，由于在一 般邏輯制程中LDD無論從濃度還是深度都遠不如重摻雜區(qū)(Plus),所以對 pick-up不會產(chǎn)生任何影響。而LDD/Halo離子注入只有緊鄰MOS管溝道的部 分才會對MOS管特性產(chǎn)生影響，故而相比于傳統(tǒng)LDD版圖邏輯運算來說，本 邏輯運算減少的離子植入?yún)^(qū)域?qū)OS管特性不會產(chǎn)生任何作用。


圖i是背景技術(shù)中有源區(qū)只讀存儲器的布局；
圖2是背景技術(shù)中傾角離子植入陰影效應(yīng)的示意圖； 圖3是背景技術(shù)中傳統(tǒng)版圖邏輯運算在邏輯版圖區(qū)域產(chǎn)生的LDD的區(qū)域 邊界示意圖；圖4是背景技術(shù)中傳統(tǒng)版圖邏輯運算在有源區(qū)只讀存儲器區(qū)域產(chǎn)生的 LDD區(qū)域示意圖；圖5是背景技術(shù)中一種新型的淺摻雜漏極版圖邏輯運算在邏輯版圖區(qū)域 產(chǎn)生的LDD的區(qū)域示意圖；圖6是背景技術(shù)中一種新型的淺摻雜漏極版圖邏輯運算在有源區(qū)只讀存 儲器區(qū)域產(chǎn)生的LDD的區(qū)域示意圖；圖7是本發(fā)明提供的一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏 輯運算在邏輯版圖區(qū)域產(chǎn)生的LDD的區(qū)域示意圖。
具體實施方式
以下根據(jù)圖7具體說明本發(fā)明的較佳實施方式如圖7所示，本發(fā)明提供了一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極 版圖邏輯運算方法，包含以下步驟步驟l、確定重注入層的邊界，得到區(qū)域A;步驟2、確定柵極與有緣區(qū)交迭的金屬氧化物半導(dǎo)體(M0S)管的溝道區(qū)域；步驟3、將步驟2確定的區(qū)域每邊漲大a,得到區(qū)域B，其中a可以根據(jù) 具體的制程能力進行調(diào)整，在有些0. 15微米邏輯制程中，可選擇a值的范圍 為0. 3-0. 5um;步驟4、將步驟1和步驟3分別得到的兩個區(qū)域A和B,取其合集，得到 區(qū)域C;步驟5、在步驟4確定的區(qū)域C內(nèi)，進行離子植入，生成LDD。 通過本發(fā)明提供的邏輯制程產(chǎn)生的N型或者P型LDD層(NLDD/PLDD layer)會有一部分覆蓋相鄰的P+/N+重摻雜區(qū)(如圖7所示)，由于在一般 邏輯制程中LDD無論從濃度還是深度都遠不如重摻雜區(qū)(Plus )，所以對重摻 雜區(qū)不會產(chǎn)生任何影響。而LDD/Halo離子注入只有緊鄰M0S管溝道的部分 才會對MOS管特性產(chǎn)生影響，故而相比于傳統(tǒng)LDD版圖邏輯運算來說，本邏 輯運算減少的離子植入?yún)^(qū)域?qū)OS管特性不會產(chǎn)生任何作用。
權(quán)利要求
1.一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法，其特征在于，包含以下步驟步驟1、確定重注入層的邊界，得到區(qū)域A；步驟2、確定柵極與有源區(qū)交迭的金屬氧化物半導(dǎo)體管的溝道區(qū)域；步驟3、將步驟2確定的區(qū)域每邊漲大a，得到區(qū)域B，其中a可以根據(jù)具體的制程能力進行調(diào)整；步驟4、將步驟1和步驟3分別得到的兩個區(qū)域A和B，取其合集，得到區(qū)域C；步驟5、在步驟4確定的區(qū)域C內(nèi)，進行離子植入，生成淺摻雜漏極LDD。
2. 如權(quán)利要求1所述的適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運 算方法，其特征在于，所述步驟2中的a在邏輯制程中，范圍為0.3-0. 5um。
全文摘要
一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法，首先確定重注入層的邊界，得到區(qū)域A，然后確定柵極與有源區(qū)交迭的金屬氧化物半導(dǎo)體管的溝道區(qū)域，并將該區(qū)域每邊漲大a，得到區(qū)域B，取其合集，得到區(qū)域C，最后在區(qū)域C內(nèi)，進行離子植入，生成LDD。本發(fā)明提供的一種適用于有源區(qū)只讀存儲器的淺摻雜漏極版圖邏輯運算方法，每次代碼變更時，僅需改變ACT，LDD層無需變更，同時保持了較小的版圖面積。
文檔編號H01L21/8246GK101211855SQ20071017273
公開日2008年7月2日 申請日期2007年12月21日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月21日
發(fā)明者軍 何 申請人:上海宏力半導(dǎo)體制造有限公司