專利名稱：像素結(jié)構(gòu)及具有此像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素結(jié)構(gòu)及具有此像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板的制造方法，且特別是涉及一種可使液晶分子呈現(xiàn)多域配向(multi-domain alignment) 排列的像素結(jié)構(gòu)及具有此像素結(jié)構(gòu)的液晶顯示面板的制造方法。
背景技術(shù)：
市場(chǎng)對(duì)于液晶顯示面板的性能要求是朝向高對(duì)比(high contrast ratio)、無 灰階反轉(zhuǎn)(no gray scale inversion)、色偏小(little color shift)、亮度高(high luminance)、高色彩豐富度、高色彩飽和度、快速反應(yīng)與廣視角等特性而發(fā) 展。目前，能夠?qū)崿F(xiàn)廣視角要求的技術(shù)有扭轉(zhuǎn)向列型(twistnematic，TN)液晶 加上廣視角膜(wide viewing film)、共平面切換型(in-plane switching, IPS)液晶 顯示面板、邊際場(chǎng)切換型(fringe field switching)液晶顯示面板、多域垂直配向 型(multi-domain vertically alignment, MVA)液晶顯示面板等方式。公知的多域垂直配向式液晶顯示面板是利用配向結(jié)構(gòu)(alignment structure)的配置以令不同區(qū)域內(nèi)的液晶分子以不同角度傾倒，而達(dá)到廣視角 的功效。配向結(jié)構(gòu)包括有配向凸塊(alignment protrusion)以及設(shè)置于電極上的 配向狹縫(alignmentslit)。然而，配向凸塊與配向狹縫周邊液晶分子的傾倒方 向往往不明確(disclination)，而造成漏光的情形，進(jìn)一步使得液晶顯示面板的 顯示對(duì)比降低。若為了遮蔽漏光的情形而配置對(duì)應(yīng)于配向凸塊或配向狹縫的 遮光層，又會(huì)使顯示開口率受到限制。因此， 一種聚合物穩(wěn)定配向 (Polymer-stablized alignment, PSA)以形成多領(lǐng)域配向的配向方式被提出，以 改善多域垂直配向式液晶顯示面板顯示對(duì)比不佳的問題。聚合物穩(wěn)定配向工藝須先將反應(yīng)性單體摻雜于液晶層中，并施與液晶層 特定的電壓。在此電壓下以光線或熱源照射液晶層，則反應(yīng)性單體會(huì)聚合并 固化，以在液晶層兩側(cè)的基板上同時(shí)形成穩(wěn)定層(stabilizinglayer)。其中，穩(wěn)定層的分子會(huì)呈現(xiàn)特定的排列方式，有助于使液晶分子以不同的方向傾倒與排列，而達(dá)到廣視角顯示效果。由于，穩(wěn)定層的配置不會(huì)使液晶顯示面板發(fā) 生漏光的現(xiàn)象，因而有助于提高液晶顯示面板的顯示對(duì)比?？上У氖?，聚合 物穩(wěn)定配向的工藝過程中往往會(huì)產(chǎn)生一些缺陷，而使部分液晶分子的倒向不 符合理想，因此仍有進(jìn)一步改善的需要。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是提供一種像素結(jié)構(gòu)，以解決公知的聚合物穩(wěn)定配向式像素結(jié)構(gòu) 的液晶分子排列不符合理想的問題。本發(fā)明另提供一種液晶顯示面板的制造方法，以制造液晶分子排列方向 符合理想的多域配向式液晶顯示面板。本發(fā)明提出 一種電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線的像素結(jié)構(gòu)，其包括第一有 源元件、第二有源元件、電性連接第一有源元件的第一像素電極、電性連接 第二有源元件的第二像素電極及第一電容下電極。第一有源元件與第二有源 元件皆電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線。第一像素電極具有第一交叉圖案以及與 第一交叉圖案連接的多組第一條紋圖案。第二像素電極具有第二交叉圖案以 及與第二交叉圖案連接的多組第二條紋圖案。第一電容下電極位于第一交叉 圖案下方并包括第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域。第一像素電極大體遮蔽第一區(qū) 域且不遮蔽多個(gè)第二區(qū)域。第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域的面積比約為10:1 300:1，較佳約為40:1-50:1 。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述至少一第二區(qū)域不與數(shù)據(jù)線重疊。在本發(fā)明的實(shí)施例中，在垂直第一電容下電極的延伸方向上，上述第一 區(qū)域的寬度與第二區(qū)域的寬度的比例約為1.01:1-50:1。在本發(fā)明的實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括第一電容上電極以及絕緣層。第 一電容上電極位于第一像素電極與第一電容下電極之間，而絕緣層位于第一 電容下電極以及第一電容上電極之間。此外，第一電容上電極例如具有第一 開口。第一開口可以是位于第一交叉圖案的中心，以暴露出位于第一電容下 電極上方的部分絕緣層。進(jìn)一步而言，像素結(jié)構(gòu)還包括位于第一像素電極以 及第一電容上電極之間的介電層，其中第一像素電極還具有第二開口，而第 二開口的位置至少重疊于第一開口。另外，第二開口例如是大于第一開口。在本發(fā)明的實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括介電層，位于第一像素電極以及 第一電容下電極之間，第一像素電極還具有第二開口以暴露出位于第一區(qū)域 上方的部分介電層。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述第一像素電極還具有多個(gè)細(xì)狹縫，位于第一 交叉圖案以及第一條紋圖案之間，且細(xì)狹縫的一端連接第一交叉圖案，而細(xì) 狹縫的另 一端遠(yuǎn)離第 一交叉圖案。在本發(fā)明的實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括第二電容下電極，位于第二交叉 圖案下方。另外，像素結(jié)構(gòu)可以還包括第二電容上電極，位于第二像素電極 以及第二電容下電極之間。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述第二像素電極具有多個(gè)細(xì)狹縫，位于第二交 叉圖案以及第二條紋圖案之間，且細(xì)狹縫的一端連接第二交叉圖案，而細(xì)狹 縫的另一端遠(yuǎn)離第二交叉圖案。本發(fā)明再提出一種像素結(jié)構(gòu)，其電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線。此像素結(jié) 構(gòu)包括第一有源元件、第二有源元件、電性連接第一有源元件的第一像素電 極、電性連接第二有源元件的第二像素電極、第一電容下電極、絕緣層以及 介電層。第一有源元件與第二有源元件皆電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線。第一 像素電極具有第一交叉圖案以及與第一交叉圖案連接的多組第一條紋圖案， 而第二像素電極具有第二交叉圖案以及與第二交叉圖案連接的多組第二條 紋圖案。第一電容下電極位于第一交叉圖案下方。第一電容上電極位于第一 像素電極以及第一電容下電極之間。絕緣層位于第一電容下電極以及第一電 容上電極之間。介電層位于第一電容上電極以及第一像素電極之間，其中第 一電容上電極具有第一開口，位于第一交叉圖案的中心以暴露出位于第一電 容下電極上方的部分絕緣層。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述第一像素電極還具有第二開口，第二開口的 位置至少重疊于第一開口。此外，第二開口例如是大于第一開口。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述第一像素電極還具有多個(gè)細(xì)狹縫，位于第一 交叉圖案以及第一條紋圖案之間。細(xì)狹縫的一端連接第一交叉圖案，而細(xì)狹 縫的另一端遠(yuǎn)離第一交叉圖案。在本發(fā)明的實(shí)施例中，像素結(jié)構(gòu)還包括位于第二交叉圖案下方的第二電 容下電極。此外，像素結(jié)構(gòu)還可包括第二電容上電極，位于第二電容下電極 以及第二像素電極之間。
在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述第二像素電極具有多個(gè)細(xì)狹縫，位于第二交 叉圖案以及第二條紋圖案之間，且細(xì)狹縫的一端連接第二交叉圖案，而細(xì)狹 縫的另一端遠(yuǎn)離第二交叉圖案。本發(fā)明又提出一種像素結(jié)構(gòu)，其電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線。像素結(jié)構(gòu) 包括第一有源元件、第二有源元件、電性連接第一有源元件的第一像素電極、 電性連接第二有源元件的第二像素電極、第一電容下電極以及絕緣層。第一 有源元件與第二有源元件皆電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線，第一像素電極具有 第一交叉圖案以及與第一交叉圖案連接的多組第一條紋圖案。第二像素電極 具有第二交叉圖案以及與第二交叉圖案連接的多組第二條紋圖案。第一電容 下電極位于第一交叉圖案下方。絕緣層位于第一電容下電極以及第一像素電 極之間，其中第一像素電極還具有開口，以暴露出位于第一電容下電極上方 的部分絕緣層。本發(fā)明還提出一種液晶顯示面板的制造方法。首先，提供液晶顯示面板 半成品。此液晶顯示面板半成品包括陣列基板、對(duì)向基板以及液晶層。陣列 基板中包括多個(gè)如以上實(shí)施例所述的任意一種像素結(jié)構(gòu)，對(duì)向基板與陣列基 板對(duì)向設(shè)置。液晶層則位于陣列基板以及對(duì)向基板之間，且液晶層具有多個(gè) 單體。接著，在陣列基板以及對(duì)向基板之間產(chǎn)生壓差。之后，聚合單體。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述在陣列基板以及對(duì)向基板之間產(chǎn)生壓差的步 驟包括提供接地電位于對(duì)向基板，以及提供第一電壓于第一電容下電極。上 述第一電壓具有正半周信號(hào)以及負(fù)半周信號(hào)，而正半周信號(hào)的峰值與負(fù)半周信號(hào)的峰值相差10伏特至100伏特。另外，壓差約為5伏特至50伏特。在本發(fā)明的實(shí)施例中，上述聚合單體的步驟包括光聚合單體、熱聚合單 體或上述組合。本發(fā)明借著改變像素結(jié)構(gòu)中電容下電極的圖案，使得電容下電極未被其 他導(dǎo)體層覆蓋的區(qū)域面積比例減小。因此，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于聚合物 穩(wěn)定配向式液晶顯示面板時(shí)，有助于改善液晶分子傾倒方向不明確的情形。 另外，本發(fā)明還可在電容下電極上方的導(dǎo)體層中形成對(duì)應(yīng)于像素電極中央的 開口，以在穩(wěn)定聚合物配向工藝中使液晶分子朝向正確的方向排列。為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較 佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。


圖1A與圖1B示出為一種聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的配向工藝。 圖2示出為一種應(yīng)用于聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的比 較例。圖3A為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。圖3B示出為本發(fā)明第一實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)中另一種第一電容下電極的設(shè)計(jì)。圖4A示出為本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。 圖4B為沿圖4A的剖線A-A'所示出的剖面圖。 圖4C示出為本發(fā)明又一種第一電容下電極的設(shè)計(jì)。 其中，附圖標(biāo)記說明如下 IOA、 10B:液晶顯示面板20:陣列基板22:像素陣列30:對(duì)向基板32:對(duì)向電極40:液晶層42:液晶分子44:單體46:50:能量100、,200、 300:像素結(jié)構(gòu)102、,202:掃描線104、,204:數(shù)據(jù)線106、,206:第一有源元件雨、,208:第二有源元件110、,210、 310:第一像素電極120、,220:第二像素電極130、,230、 330:第一電容下電極132、232:第一區(qū)域134、234:第二區(qū)域140、240:第二電容下電極212:第一交叉電極214:第一條紋電極216、316:第二開口222:第二交叉電極224:第二條紋電極242:第二電容上電極250、350:第一電容上電極252、352:第一開口360:絕緣層370:介電層A-A':剖線S:細(xì)狹縫Wl、W2:寬度具體實(shí)施方式
圖1A與圖1B示出為一種聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的配向工藝。 首先，請(qǐng)參照?qǐng)D1A，提供液晶顯示面板半成品IOA。液晶顯示面板半成品 10A包括陣列基板20、對(duì)向基板30以及液晶層40。陣列基板20包括多個(gè) 像素22。對(duì)向基板30上則配置有對(duì)向電極32。此外，液晶層40包括多個(gè) 液晶分子42以及多個(gè)單體44，其中單體44可以是光聚合單體也可以是熱聚 合單體或是上述的組合。接著，請(qǐng)參照?qǐng)D1B，在陣列基板20以及對(duì)向基板30之間產(chǎn)生壓差。 詳細(xì)來說，產(chǎn)生此壓差的方法是先提供接地電位于對(duì)向基板30的對(duì)向電極 32，并且提供第一電壓于像素陣列22的電極層上。第一電壓舉例來說具有 正半周信號(hào)以及負(fù)半周信號(hào)，而正半周信號(hào)的峰值與負(fù)半周信號(hào)的峰值相差 IO伏特至IOO伏特。換言之，第一電壓是交流電壓，而此交流電壓的正向峰 值與反向峰值間的差異為IO伏特至IOO伏特。另外，在此步驟中，陣列基 板20以及對(duì)向基板30之間的壓差約為5伏特至50伏特。此壓差與第一電 壓的比例會(huì)受到液晶顯示面板10B中儲(chǔ)存電容與液晶電容的設(shè)計(jì)而有不同 的變化。 一般而言，應(yīng)用于本配向工藝的壓差大小約為第一電壓的40 70%。 請(qǐng)繼續(xù)參照?qǐng)D1B，陣列基板20以及對(duì)向基板30之間的壓差在液晶層 40中產(chǎn)生電場(chǎng)。液晶分子42將沿著此電場(chǎng)方向而傾倒排列。此時(shí)，進(jìn)行固 化工藝(curing process)使單體44固化，則單體44會(huì)在液晶層40上下兩側(cè)形 成穩(wěn)定層46。在此，固化工藝?yán)缡翘峁┠芰?0照射于液晶層40中的單體 44，以形成穩(wěn)定層46，其中能量50可以是光能或是熱能。換言之，固化工 藝可以依照單體44分子的特性，而選擇為光固化工藝、熱固化工藝或是上 述的組合。穩(wěn)定層46形成的過程當(dāng)中，液晶分子42已經(jīng)受到電場(chǎng)方向影響 而依照特定的方式排列，因此穩(wěn)定層46也會(huì)依特定排列方式被形成。所以， 完成聚合物穩(wěn)定配向工藝之后，液晶分子42的排列可受到穩(wěn)定層46的影響 而符合設(shè)計(jì)者的需求。也就是說，經(jīng)過上述的配向工藝后，液晶分子42可 以呈現(xiàn)多領(lǐng)域配向的排列方式，而有助于提升液晶顯示面板10B的顯示顯示 效果。圖2示出為一種應(yīng)用于聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板的像素結(jié)構(gòu)的比 較例。請(qǐng)參照?qǐng)D2，像素結(jié)構(gòu)100連接于掃描線102與數(shù)據(jù)線104，且像素 結(jié)構(gòu)IOO包括第一有源元件106、第二有源元件108、第一像素電極110、第 二像素電極120、第一電容下電極130以及第二電容下電極140。第一像素 電極no與第二像素電極120分別電性連接第一有源元件106與第二有源元 件108。第一電容下電極130以及第二電容下電極140分別通過第一像素電 極110與第二像素電極120的中心。第一電容下電極130可區(qū)分為被第一像 素電極110遮蔽的第一區(qū)域132以及未被第一像素電極遮蔽的多個(gè)第二區(qū)域 134。此外，第一像素電極110與第二像素電極120分別具有多個(gè)細(xì)狹縫S。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D1B與圖2，將像素結(jié)構(gòu)100配置于陣列基板20上并進(jìn)行 聚合物穩(wěn)定配向工藝。在此步驟中，第一電壓例如是輸入于第一電容下電極 130以及第二電容下電極140。第一像素電極110與第二像素電極12則分別 與第一電容下電極130以及第二電容下電極140間耦合而具有耦合電壓。此 時(shí)，細(xì)狹縫S會(huì)影響液晶層40中的電場(chǎng)，所以液晶分子42會(huì)沿著細(xì)狹縫S 的方向排列，以達(dá)到最佳的配向效果。
然而，在這樣的配向工藝中，第一電容下電極130未被第一像素電極110 遮蔽的這些第二區(qū)域134會(huì)與對(duì)向電極32間產(chǎn)生另一不同大小的電場(chǎng)，而 也可能使液晶分子以其為中心排列。如此一來，穩(wěn)定層46形成的過程中， 鄰近第一電容下電極130的液晶分子42無法確實(shí)的沿著理想的方向排列， 而使得像素結(jié)構(gòu)100的配向效果受到影響。特別是第二區(qū)域132的面積越大， 將使得像素結(jié)構(gòu)100的配向效果受到影響的程度更加顯著。為了避免上述的 問題產(chǎn)生，本發(fā)明提出以下幾種像素結(jié)構(gòu)，然而以下實(shí)施范例僅為舉例說明 并非用以限定本發(fā)明。第一實(shí)施例圖3A為本發(fā)明第一實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，像素結(jié)構(gòu)200包 括第一有源元件206、第二有源元件208、電性連接第一有源元件206的第 一像素電極210、電性連接第二有源元件208的第二像素電極220及第一電 容下電極230。第一有源元件206與第二有源元件208皆電性連接掃描線202 以及數(shù)據(jù)線204。像素結(jié)構(gòu)200應(yīng)用于圖1B的液晶顯示面板10B時(shí)，可以 是將多個(gè)像素結(jié)構(gòu)200陣列排列于陣列基板20上而形成像素陣列22。另外，第一像素電極210具有第一交叉圖案212以及與第一交叉圖案212 連接的多組第一條紋圖案214。第二像素電極220具有第二交叉圖案222以 及與第二交叉圖案222連接的多組第二條紋圖案224。第一電容下電極230 位于第一交叉圖案212下方并包括第一區(qū)域232以及多個(gè)第二區(qū)域234，在 本實(shí)施例中以兩個(gè)第二區(qū)域234為例，可視工藝需求或設(shè)計(jì)者需要而形成更 多個(gè)第二區(qū)域234，并不局限于本發(fā)明。第一像素電極210遮蔽第一區(qū)域232 且未遮蔽第二區(qū)域234。具體而言，第一像素電極210還具有多個(gè)細(xì)狹縫S位于第一交叉圖案212 以及第一條紋圖案214之間，且細(xì)狹縫S的一端連接第一交叉圖案212，而 細(xì)狹縫S的另一端遠(yuǎn)離第一交叉圖案212。同樣地，第二像素電極220也具 有多個(gè)細(xì)狹縫S，位于第二交叉圖案222以及第二條紋圖案224之間，且細(xì) 狹縫S的一端連接第二交叉圖案222，而細(xì)狹縫S的另一端遠(yuǎn)離第二交叉圖 案222。在本實(shí)施例中，數(shù)據(jù)線204與部分的第一電容下電極230重疊，所以第 一電容下電極230大部分的面積都被其他導(dǎo)體層遮蔽。未被其他導(dǎo)體層遮蔽
的部分第一電容下電極230則構(gòu)成第二區(qū)域234，也就是說，第二區(qū)域234 不與數(shù)據(jù)線204重疊。像素結(jié)構(gòu)200中，第一區(qū)域232與第二區(qū)域234的面 積比約為10:1 300:1，較佳約為40:1 50:1 ，后者所述比例的第二區(qū)域234的 面積表示像素結(jié)構(gòu)200中所有第二區(qū)域234的面積總計(jì)。另外，垂直第一電 容下電極230的延伸方向上，第一區(qū)域232的最大寬度wl與第二區(qū)域234 的最大寬度w2的比例約可以為大于1:1且小于50:1，較佳的是1.01:1 ~ 50:1 。請(qǐng)同時(shí)參照?qǐng)D2與圖3A，圖2的像素結(jié)構(gòu)100中，第一區(qū)域132與多 個(gè)第二區(qū)域134的面積比約略小于10:1。相較于圖2的像素結(jié)構(gòu)100而言， 本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)200中，第二區(qū)域234的面積比例較小。因此，若像素 結(jié)構(gòu)200與像素結(jié)構(gòu)100以相同尺寸設(shè)計(jì)而應(yīng)用于圖1B的聚合物穩(wěn)定配向 工藝時(shí)，第二區(qū)域234與對(duì)向電極32之間所產(chǎn)生的電場(chǎng)對(duì)液晶分子42的影 響較不顯著。液晶分子42不容易以第二區(qū)域234為中心排列，而不會(huì)在第 二區(qū)域234處產(chǎn)生節(jié)點(diǎn)。也就是說，液晶分子42可以朝向理想的方向，亦 即細(xì)狹縫S的延伸方向傾倒排列，而達(dá)到良好的配向效果。換言之，本實(shí)施 例的像素結(jié)構(gòu)200有助于提高聚合物穩(wěn)定配向工藝的工藝合格率，以更進(jìn)一 步提升液晶顯示面板10B的顯示品質(zhì)。簡言之，欲提高穩(wěn)定聚合物配向工藝的工藝合格率，可以改變第一電容 下電極230的圖案以使第二區(qū)域234的面積比例縮小或是使第一像素電極 210遮蔽第一電容下電極230更多的面積。當(dāng)?shù)谝浑娙菹码姌O230未被其他 導(dǎo)體層遮蔽的面積越小，則在穩(wěn)定聚合物配向工藝中，穩(wěn)定層46越能夠在 理想的條件之下被固化。此時(shí)，液晶顯示面板10B的品質(zhì)將更為提升。像素結(jié)構(gòu)200還可包括第一電容上電極250,其位于第一像素電極210 與第一電容下電極230之間，第一電容上電極250舉例而言可為盾形、矩形 或其他不規(guī)則形狀。另外，像素結(jié)構(gòu)200還可包括位于第二交叉圖案222下 方的第二電容下電極240以及位于第二像素電極220以及第二電容下電極 240之間的第二電容上電極242。第一電容下電極230與第一電容上電極250 間的電容作用以及第二電容下電極240與第二電容上電極242間的電容作用 有助于調(diào)整第一像素電極210與第二像素電極220的顯示電壓。當(dāng)像素結(jié)構(gòu) 200應(yīng)用于液晶顯示面板10B時(shí)，像素結(jié)構(gòu)200可使液晶顯示面板10B的顯 示效果提升。 當(dāng)然，像素結(jié)構(gòu)200的電容設(shè)計(jì)并非限定于圖3A所示出的結(jié)構(gòu)。圖3B 示出為本發(fā)明第一實(shí)施例像素結(jié)構(gòu)中另一種第一電容下電極的設(shè)計(jì)。請(qǐng)參照 圖3B，第一區(qū)域232圖案面積可以向第一像素電極210中央集中而形成接 近盾形的圖案。當(dāng)然，像素結(jié)構(gòu)200中第一電容下電極230的設(shè)計(jì)也可以依 照其他的設(shè)計(jì)需求而有不同的圖案。其中，第一區(qū)域232與多個(gè)第二區(qū)域234 的面積比在10:1-300:1和/或垂直第一電容下電極230的延伸方向上，第一 區(qū)域232的最大寬度wl與第二區(qū)域234的最大寬度w2的比例在1.01:l 50:l 都有助于避免液晶分子倒向不符合理想狀態(tài)的情形。第一區(qū)域232與多個(gè)第 二區(qū)域234的面積比較佳約為40:1-50:1。第二實(shí)施例圖4A示出為本發(fā)明的第二實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)，而圖4B為沿圖4A的剖 線A-A'所示出的剖面圖。請(qǐng)參照?qǐng)D4A與圖4B，像素結(jié)構(gòu)300的設(shè)計(jì)與像 素結(jié)構(gòu)200的設(shè)計(jì)相似，所以相同的元件在此不另作說明。兩者差異之處在 于，像素結(jié)構(gòu)300中，第一電容上電極350具有第一開口 352且第一像素電 極310具有第二開口 316。此外，第一電容下電極330的圖案設(shè)計(jì)與像素結(jié) 構(gòu)200略有不同。從剖面圖來看，像素結(jié)構(gòu)300還包括絕緣層360以及介電層370。絕緣 層360位于第一電容下電極330以及第一電容上電極350之間。介電層370 則位于第一像素電極310以及第一電容上電極350之間。第一開口 352是位 于第一交叉圖案212的中心以暴露出位于第一電容下電極330上方的部分絕 緣層360。第二開口 316的位置則至少重疊于第一開口 352，并暴露出位于 第一電容下電極330上方的部分介電層370。另外，第二開口316例如是大 于第一開口 352，第一開口 352以及第二開口 316的大小或形狀視工藝需求 或使用者設(shè)計(jì)上需求而定，并不用以限定本發(fā)明。在本實(shí)施例的電容設(shè)計(jì)中，第一開口 352與第二開口 316使得位于第一 像素電極310中央的部分第一電容下電極330未被其他導(dǎo)體層遮蔽。所以， 在聚合物穩(wěn)定配向工藝中，未被導(dǎo)體層遮蔽的第一電容下電極330與對(duì)向電 極之間的電場(chǎng)作用有助于使液晶分子以第一像素電極310的中心為節(jié)點(diǎn)而向 外分布排列。換言之，像素結(jié)構(gòu)300的設(shè)計(jì)有助于輔助液晶分子朝向理想的 方向傾倒。 另外，當(dāng)像素結(jié)構(gòu)300中未配置有第一電容上電極350時(shí)，像素結(jié)構(gòu)300 也可配置有介電層370，位于第一像素電極310以及第一電容下電極330之 間。同時(shí)，第一像素電極310仍可具有位于第一像素電極310中心的第二開 口 316。如此，進(jìn)行聚合物穩(wěn)定配向工藝時(shí)，液晶分子也可以以第一像素電 極310中心為節(jié)點(diǎn)排列，而呈現(xiàn)理想的配向情形。也就是說，無論第一電容 上電極350的配置與否，本發(fā)明皆可以通過在第一電容下電極330上方的導(dǎo) 電層中形成開口以使部分第一電容下電極330不被遮蔽，而提高穩(wěn)定聚合物 配向工藝的合格率以及應(yīng)用像素結(jié)構(gòu)300的液晶顯示面板的品質(zhì)。當(dāng)然，在 其他實(shí)施例中，第二電容下電極240、第二電容上電極242與第二像素電極 220也可以具有如圖4A的設(shè)計(jì)。另外，第一實(shí)施例所描述的第一電容上電 極250及第一像素電極210也可以如圖4C所示而分別具有第一開口 252以 及第二開口 216的設(shè)計(jì)，以輔助液晶顯示面板中液晶分子的排列配向。綜上所述，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)中通過電容下電極的圖案改變使電容電極 未被其他導(dǎo)體層遮蔽的區(qū)域面積縮小。所以，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于液晶 顯示面板的聚合物穩(wěn)定配向工藝時(shí)，有助于使液晶分子朝向理想的方向排 列。另外，本發(fā)明還提出在像素結(jié)構(gòu)的第一電容下電極上方導(dǎo)體層中形成位 于第一像素電極中央的開口。此時(shí)，位于第一像素電極中央處，第一電容下 電極未被其他導(dǎo)體層遮蔽，而有助于在聚合物穩(wěn)定配向工藝中使液晶分子沿 著理想的方向傾倒。整體而言，本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)可使液晶顯示面板的配向 工藝合格率提高，以進(jìn)一步提升液晶顯示面板的顯示效果。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何 所屬技術(shù)領(lǐng)域中的普通技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作 些許的更動(dòng)與潤飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視隨附的權(quán)利要求所界定的范 圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種像素結(jié)構(gòu)，電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線，該像素結(jié)構(gòu)包括 第一有源元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據(jù)線； 第二有源元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據(jù)線；第一像素電極，電性連接該第一有源元件，該第一像素電極具有第一交 叉圖案以及與該第一交叉圖案連接的多組第一條紋圖案；第二像素電極，電性連接該第二有源元件，該第二像素電極具有第二交 叉圖案以及與該第二交叉圖案連接的多組第二條紋圖案；以及第一電容下電極，位于該第一交叉圖案下方，且該第一電容下電極包括 第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域，該第一像素電極遮蔽該第一區(qū)域且不遮蔽該多 個(gè)第二區(qū)域，其中該第一區(qū)域的面積與該多個(gè)第二區(qū)域的面積比約為 10:1 300:1。
2. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該多個(gè)第二區(qū)域不與該數(shù)據(jù)線重疊。
3. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中在垂直該第一電容下電極的延伸 方向上，該第一區(qū)域的寬度與各該第二區(qū)域的寬度的比例為大于1:1且小于 50:1。
4. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括第一電容上電極，位于該第一像素電極與該第一電容下電極之間；以及 絕緣層，位于該第一電容下電極以及該第一電容上電極之間。
5. 如權(quán)利要求4所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一電容上電極具有第一開 口，位于該第一交叉圖案的中心，以暴露出位于該第一電容下電極上方的部 分該絕緣層。
6 如權(quán)利要求5所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括介電層，位于該第一像素電極 以及該第一電容上電極之間，其中該第一像素電極還具有第二開口，該第二 開口的位置至少重疊于該第一開口 。
7. 如權(quán)利要求6所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二開口大于該第一開口。
8. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括介電層，位于該第一像素電極 以及該第一電容下電極之間，該第一像素電極還具有第二開口，以暴露出位 于該第一區(qū)域上方的部分該介電層。
9. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括第二電容下電極，位于該第二 交叉圖案下方；以及第二電容上電極，位于該第二像素電極以及該第二電容 下電極之間。
10. 如權(quán)利要求1所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一區(qū)域的面積與該多個(gè)第 二區(qū)域的總面積比約為40:1-50:1。
11. 一種像素結(jié)構(gòu)，電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線，該像素結(jié)構(gòu)包括 第一有源元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據(jù)線； 第二有源元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據(jù)線；第一像素電極，電性連接該第一有源元件，該第一像素電極具有第一交 叉圖案以及與該第一交叉圖案連接的多組第一條紋圖案；第二像素電極，電性連接該第二有源元件，該第二像素電極具有第二交 叉圖案以及與該第二交叉圖案連接的多組第二條紋圖案；第一電容下電極，位于該第一交叉圖案下方；第一電容上電極，位于該第一像素電極以及該第一電容下電極之間； 絕緣層，位于該第一電容下電極以及該第一電容上電極之間；以及 介電層，位于該第一電容上電極以及該第一像素電極之間，其中該第一電容上電極具有第一開口，位于該第一交叉圖案的中心，以暴露出位于該第一電容下電極上方的部分該絕緣層。
12. 如權(quán)利要求11所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第一像素電極還具有第二開 口，該第二開口的位置至少重疊于該第一開口。
13. 如權(quán)利要求12所述的像素結(jié)構(gòu)，其中該第二開口大于該第一開口。
14. 如權(quán)利要求ll所述的像素結(jié)構(gòu)，還包括第二電容下電極，位于該第 二交叉圖案下方；以及第二電容上電極，位于該第二電容下電極以及該第二 像素電極之間。
15. —種像素結(jié)構(gòu)，電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線，該像素結(jié)構(gòu)包括 第一有源元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據(jù)線； 第二有源元件，電性連接該掃描線以及該數(shù)據(jù)線；第一像素電極，電性連接該第一有源元件，該第一像素電極具有第一交 叉圖案以及與該第一交叉圖案連接的多組第一條紋圖案；第二像素電極，電性連接該第二有源元件，該第二像素電極具有第二交叉圖案以及與該第二交叉圖案連接的多組第二條紋圖案； 第一電容下電極，位于該第一交叉圖案下方；以及絕緣層，位于該第一電容下電極以及該第一像素電極之間，其中該第一 像素電極還具有開口，以暴露出位于該第一電容下電極上方的部分該絕緣層。
16. —種液晶顯示面板的制造方法，包括 提供液晶顯示面板半成品，該液晶顯示面板半成品包括陣列基板，包括多個(gè)如權(quán)利要求1至15中任一項(xiàng)權(quán)利要求所述的 像素結(jié)構(gòu)；對(duì)向基板，與該陣列基板對(duì)向設(shè)置；以及液晶層，位于該陣列基板以及該對(duì)向基板之間，該液晶層具有多個(gè)單體；在該陣列基板以及該對(duì)向基板之間產(chǎn)生壓差；以及 聚合該多個(gè)單體。
17. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中在該陣列基板以及該對(duì)向基板之間 產(chǎn)生該壓差的步驟包括提供接地電位于該對(duì)向基板；以及 提供第一電壓于該第一電容下電極。
18. 如權(quán)利要求17所述的方法，其中該第一電壓具有正半周信號(hào)以及負(fù) 半周信號(hào)，而該正半周信號(hào)的峰值與該負(fù)半周信號(hào)的峰值相差I(lǐng)O伏特至100 伏特。
19. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中該壓差約為5伏特至50伏特。
20. 如權(quán)利要求16所述的方法，其中該聚合該多個(gè)單體的步驟包括光 聚合該多個(gè)單體、熱聚合該多個(gè)單體或上述組合。
全文摘要
一種像素結(jié)構(gòu)包括第一有源元件、第二有源元件、電性連接第一有源元件的第一像素電極、電性連接第二有源元件的第二像素電極及第一電容下電極。第一有源元件與第二有源元件皆電性連接掃描線以及數(shù)據(jù)線。第一像素電極具有第一交叉圖案以及與第一交叉圖案連接的多組第一條紋圖案。第二像素電極具有第二交叉圖案以及與第二交叉圖案連接的多組第二條紋圖案。第一電容下電極位于第一交叉圖案下方并包括第一區(qū)域以及多個(gè)第二區(qū)域。第一像素電極大體遮蔽第一區(qū)域且不遮蔽多個(gè)第二區(qū)域。第一區(qū)域與多個(gè)第二區(qū)域的面積比約為10∶1至300∶1。本發(fā)明的像素結(jié)構(gòu)應(yīng)用于聚合物穩(wěn)定配向式液晶顯示面板時(shí)，有助于改善液晶分子傾倒方向不明確的情形。
文檔編號(hào)H01L27/12GK101145568SQ20071016784
公開日2008年3月19日 申請(qǐng)日期2007年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月26日
發(fā)明者曹正翰, 蘇振嘉, 陳介偉 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司