專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法，尤指一種通過于 預先彎折成型的導電支架上注塑塑料形成基座，并完成后續(xù)芯片封裝 的步驟，使其具有縮短制程、節(jié)省成本、提高良率及延長使用壽命等 效果，而適于應用在表面黏著型(Surface-Mount Device ， SMD)發(fā)光 二極管或類似結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有的表面黏著型(Surface-Mount Device ， SMD)發(fā)光二極管 封裝結(jié)構(gòu)(請參圖11所示)將導電支架A1由該基座A2的外側(cè)彎折 到基座A2的底部，其制法于一原本未經(jīng)過彎折的導電支架A1上注塑 塑料形成一具凹杯的基座A2，以使該部分的導電支架A1顯露于該基 座A2的凹杯內(nèi)，又將芯片A3固設于該基座A2凹杯中的一導電支架 Al上，之后于芯片A3上以連結(jié)打線A5而電性連接至另一導電支架 Al，再行封膠以膠體A4包覆芯片A3，最后將該凸出基座A2側(cè)邊的 平的導電支架A1彎折到基座A2的底部。
另外，也有第二種制法是于封膠步驟之前，先將該平行嵌合于基 座A2的導電支架A1彎折于該基座A2的底部。
然而，前述的二種現(xiàn)有的制法為，將原本平行結(jié)合于塑料注塑的 基座A2的導電支架A1彎折到該基座A2的底部的位置，以當作極性 接點，但是，當施力彎折導電支架A1時，會產(chǎn)生以下兩項缺陷第一， 該基座A2與導電支架A1之間會因施力彎折而產(chǎn)生內(nèi)應力，導致使導 電支架A1產(chǎn)生位置偏移，以及使導電支架A1與塑料基座A2之間產(chǎn) 生間隙；故，當進行封膠時，就可能因該基座A2與導電支架A1間的間隙過大，而使膠體A4從該間隙流出的問題；再者，當該前述的發(fā)光
二極管利用表面黏著技術(shù)(Surface Mount Technology, SMT)結(jié)合于電路 板上，而置入回焊爐中高溫烘烤，也會因該彎折導電支架A1時產(chǎn)生的 內(nèi)應力，而提高發(fā)生該連結(jié)打線A5斷裂的不良率的問題。第二，該基 座A2形成后再將導電支架A1彎折至該基座A2底部時，因該導電支 架A1與基座A2底部之間不平貼，造成發(fā)光二極管底部不平整，使該 發(fā)光二極管所發(fā)出的光線的指向性會改變，以及導致與電路板結(jié)合時 易產(chǎn)生空焊等問題，而連帶提高了元件的不良率及制作的成本。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足與缺陷，提出一種發(fā) 光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法，通過預先彎折成型的導電支架上注塑塑 料形成基座，并完成后續(xù)芯片封裝的設計，以避免于該基座形成后， 再將導電支架彎折所產(chǎn)生的內(nèi)應力，使得該發(fā)光二極管與電路板結(jié)合 后而過回焊爐時，導致該連結(jié)打線易斷裂的問題，進而可提高制作發(fā) 光二極管的良率，使具有縮減制程、節(jié)省成本及延長使用壽命，以增 加其實用性及便利性等效果。
本發(fā)明的另一目的在于，提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法， 通過預先彎折成型的導電支架上注塑塑料形成基座，并完成后續(xù)芯片 封裝的設計，以避免于該基座形成后，再將導電支架彎折所產(chǎn)生的內(nèi) 應力，造成導電支架位移與基座之間產(chǎn)生間隙，進而于封膠時導致使 膠體流出的問題，以達改善制作發(fā)光二極管的良率，以增進其實用性。
本發(fā)明的再一目的在于，提出一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法， 通過預先彎折成型的導電支架上注塑塑料形成基座，并完成后續(xù)芯片 封裝的設計，以避免于該基座形成后，再將導電支架彎折至基座底部 時產(chǎn)生該發(fā)光二極管底部的不平整，而造成該發(fā)光二極管所發(fā)出的光 線的指向性改變，以及該發(fā)光二極管與電路板結(jié)合時易產(chǎn)生空焊等不 良率的問題，故，本發(fā)明可提高制作發(fā)光二極管的良率及降低制作成本，以增進整體的實用性。
為達上述目的，本發(fā)明提供一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其 包括下列步驟 一、彎折導電支架將料片中的至少二導電支架彎折 成相對的J"型，而該各導電支架的一端與料片側(cè)邊連接；二、注塑基 座于彎折成相對的J"型的導電支架上注塑塑料以形成基座，且將相 對的丄型的導電支架包覆于基座中，各導電支架由該基座底部往該基 座側(cè)邊延伸出，而于基座中形成有一凹杯；三、固晶將芯片固設于 凹杯中的一導電支架上，且該且該芯片與各導電支架電性連接；四、 封膠于基座的凹杯上覆蓋膠體，以封裝芯片及至少二導電支架；以 及五、裁切導電支架裁切由該基座底部往該基座側(cè)邊延伸出的各導 電支架，并使各導電支架與料片側(cè)邊分離；由此，以完成該發(fā)光二極 管的封裝結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明具有以下有益技術(shù)效果本發(fā)明提供的發(fā)光二極管封裝結(jié) 構(gòu)的制法將料片中的導電支架彎折成型后，于該預先彎折成型的導電 支架上注塑塑料形成基座，并完成后續(xù)芯片封裝，適用于表面黏著型 發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，使具有縮短制程、節(jié)省成本、提高良率及延 長使用壽命的實用性及便利性。
本發(fā)明的其它特點及具體實施例可于以下配合附圖的詳細說明 中，進一步了解。
圖1為本發(fā)明的制造流程圖2為本發(fā)明的制法的彎折導電支架的示意圖3為本發(fā)明的制法的注塑基座的示意圖4為本發(fā)明的制法的固晶、封膠的剖示圖5為本發(fā)明的制法的裁切導電支架的動作示意圖6為本發(fā)明的制法的裁切導電支架后的剖示圖；圖7為依本發(fā)明的立體外觀圖8為依本發(fā)明的另一實施例的立體外觀圖9為依本發(fā)明的再一實施例的剖示圖IO為依本發(fā)明的再一實施例的立體外觀圖;
圖11為現(xiàn)有的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖示圖。
圖中符號說明10彎折導電支架
11注塑基座
12固晶
13封膠
14裁切導電支架
20基座
21凹杯
30導電支架
31A山 i而
40心片
50連結(jié)打線
60膠體
70墊靠件
71刀具
Al導電支架
A2基座
A3心片
A4膠體
A5連結(jié)打線
具體實施例方式
請參閱圖1 7所示，本發(fā)明的制程包括以下步驟
一、彎折導電支架10:將料片中的至少二導電支架30彎折成相對的J"型，而該各導電支架30的一端與料片側(cè)邊連接。
二、 注塑基座11:于彎折成相對的J"型的導電支架30上注塑塑
料以形成基座20，且將相對的J"型的導電支架30包覆于基座20中， 各導電支架30由該基座20底部往該基座20側(cè)邊延伸出，而于基座20 中形成有一凹杯21。
三、 固晶12:將芯片40固設于凹杯21中的一導電支架30上，且 該芯片40與各導電支架30電性連接。
四、 封膠13:于基座20的凹杯21上覆蓋膠體60，以封裝芯片40 及至少二導電支架30。
五、 裁切導電支架14:裁切由該基座20底部往該基座20側(cè)邊延 伸出的各導電支架30，并使各導電支架30與料片側(cè)邊分離。
由此，以完成該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
其中，該導電支架30采用導電的金屬材料；該膠體60為環(huán)氧樹 月旨(Epoxy，簡稱EP)、聚肽酰胺(Polyphthalamide，簡稱PPA)、硅膠 (Silicone)其中的任一種。該芯片40的固晶12步驟可采用打線方式與 導電支架30電性連接，亦或可采采用覆晶方式與導電支架30連接。 裁切導電支架14步驟(請參閱圖5)為以一墊靠件70置于該基座20 的底部，而該墊靠件70大于該基座20底部面積，該基座20二側(cè)邊的 上方分別對應該墊靠件70的位置而配設刀具71，以裁切各導電支架 30，而令該導電支架30延伸出該基座20底部外的一端，于該基座20 的側(cè)邊外，留下部分的導電支架30，以作為極性接點。其中，該導電 支架30的數(shù)量對應芯片40所設置的數(shù)量而配設。本實施例中以設置 一芯片40為例，令該導電支架30對應所設置的一芯片40而配設為二 支；但于實際使用時，該芯片40的數(shù)量可視使用需求而可設為多個，而該導電支架30對應該芯片40的數(shù)量可配設為多支。另外，該由該 基座20底部往該基座20側(cè)邊延伸出的各導電支架30可進一步向上彎 折而平貼于該基座20的側(cè)邊，以供增加極性接點的接觸面積。
請再參圖6 7，依本發(fā)明步驟所制出的發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，
包括
一基座20，該基座20中形成有一凹杯21;該基座20采塑料材料。
二導電支架30，該二導電支架30包覆于基座20中，而各導電支 架30彎折形成丁型，并采取相對配置，而呈J" 1_型，該二導電支架 30的一端顯露于該基座20的凹杯21中，另一端由該基座20的底部延 伸出該基座20的側(cè)邊外，于該基座20的二側(cè)分別形成二極性接點； 該各導電支架30采導電的金屬材料。
一芯片40，該芯片40結(jié)合于該基座20的凹杯21中的一導電支架 30上，且該芯片40與各導電支架30電性連接(于本實施例中，該芯 片40借助一連結(jié)打線50，而與凹杯21中的另一導電支架30電性連結(jié))。
膠體60，該膠體60覆蓋于該基座20的凹杯21上，以包覆該至少 一芯片40及各導電支架30;該膠體60為環(huán)氧樹脂(Epoxy，簡稱EP)、 聚肽酰胺(Polyphthalamide，簡稱PPA)、硅膠(Silicone)其中的任一種。
其中，該導電支架30對應該基座20凹杯21內(nèi)的芯片40數(shù)量而 配設，以供電性連接。本實施例中以設有一芯片40為例，對應配設二 導電支架30，但于實際使用時，該芯片40的數(shù)量視使用之需求而可設 有多個，而該彎折的導電支架30對應配設為多支。故，本發(fā)明的發(fā)光 二極管封裝結(jié)構(gòu)包括有一基座20、至少二導電30、至少一芯片40及 膠體60。另外，該芯片40可采用連結(jié)打線50方式，或可采用借助錫 球或金球以覆晶結(jié)合方式，而與該各導電支架30電性連接。承上結(jié)構(gòu)，以完成依本發(fā)明的制法而制成的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，
其特點在于通過一基座20、至少二導電30、至少一芯片40及膠體60 的組合設計，而于該預先彎折成型的導電支架30上注塑塑料形成該基 座20后，以完成后續(xù)芯片40的封裝步驟的設計，以避免于該基座20 形成后，再將導電支架30彎折至基座20底部所產(chǎn)生的內(nèi)應力，使得 該發(fā)光二極管與電路板結(jié)合后而于過回焊爐時，導致該連結(jié)打線50易 斷裂的問題；以及避免因該塑料注塑的基座20與導電支架30之間產(chǎn) 生的內(nèi)應力，造成導電支架30位移，而與基座20之間產(chǎn)生間隙，導 致進行封膠時，使該膠體60流出的問題；又通過該各彎折的導電支架 30的一端延伸出該基座20的底部，而于該基座20的側(cè)邊外留下一部 分的導電支架30，作為極性接點，以避免將該各導電支架30彎折至該 基座20底部時，所產(chǎn)生的該基座20底部與該各導電支架30之間不平 貼，而導致該發(fā)光二極管底部的不平整，進而造成發(fā)光二極管所發(fā)出 的光的指向性改變，以及該發(fā)光二極管與電路板結(jié)合時的易發(fā)生空焊 的不良率的問題；綜上所述，本發(fā)明可提高制作發(fā)光二極管的良率， 具縮減制程、節(jié)省成本及延長使用壽命等效果，以增進整體的實用性 及便利性。
請參閱圖8，本發(fā)明的另一實施例，其中該基座20中有三個芯片 40，且對應該芯片40的數(shù)量而配設有六支彎折的導電支架30，以供電 性連接。其制作時，于預先彎折成型的六支導電支架30上注塑塑料形 成一基座20，而后進行固晶、封膠及裁切導電支架等封裝步驟，以完 成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，使具高良率、縮減制程、節(jié)省成本及可延長使 用壽命等效果。
請參閱圖9 10，本發(fā)明的再一實施例，其中，該導電支架30由 該基座20的底部延伸出該基座20的側(cè)邊外的一端31向上彎折而平貼 于該基座20的側(cè)邊，以供增加導電支架30延伸出基座20底部外而當 作極性接點的接觸面積，使本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的側(cè)面及底面均 可作為極性接點。以上所述，僅為本發(fā)明的較佳實施例，舉凡依本發(fā)明權(quán)利要求范 圍所做的均等設計變化，均應為本發(fā)明的技術(shù)所涵蓋。
權(quán)利要求
1. 一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其特征在于，包括下列步驟一、彎折導電支架將料片中的至少二導電支架彎折成相對的型，而該各導電支架的一端與料片側(cè)邊連接；二、注塑基座于彎折成相對的型的導電支架上注塑塑料以形成基座，且將相對的型的導電支架包覆于基座中，各導電支架由該基座底部往該基座側(cè)邊延伸出，而于基座中形成有一凹杯；三、固晶將芯片固設于凹杯中的一導電支架上，且該芯片與各導電支架電性連接；四、封膠于基座的凹杯上覆蓋膠體，以封裝芯片及至少二導電支架；以及五、裁切導電支架裁切由該基座底部往該基座側(cè)邊延伸出的各導電支架，并使各導電支架與料片側(cè)邊分離；由此，以完成該發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
2. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中，該膠 體為環(huán)氧樹脂、聚肽酰胺、硅膠其中的任一種。
3. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中，該導 電支架采用導電的金屬材料。
4. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中，裁切 導電支架步驟為以一墊靠件置于該基座的底部，該墊靠件大于該基座 底部面積，該基座二側(cè)邊的上方分別對應該墊靠件的位置而配設刀具， 以裁切各導電支架，令該導電支架延伸出該基座底部外的一端，于該 基座的側(cè)邊外，留下部分的導電支架，以作為極性接點。
5. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中，該芯 片的固晶步驟采用打線方式與導電支架電性連接。
6. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中，該芯 片的固晶步驟采用覆晶方式與導電支架電性連接。
7. 如權(quán)利要求l所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制法，其中，由該 基座底部往該基座側(cè)邊延伸出的各導電支架向上彎折平貼于基座的側(cè) 邊，以供增加極性接點的接觸面積。
8. —種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，該發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括.-一基座，該基座中形成有一凹杯；至少二導電支架，該至少二導電支架包覆于基座中，而各導電支 架彎折形成J"型，并采相對配置，而呈J" "L型，該至少二導電支架 的一端顯露于該基座的凹杯中，而另一端由該基座的底部延伸出該基 座的側(cè)邊外；至少一芯片，該至少一芯片結(jié)合于該基座凹杯中的一導電支架上， 且該芯片與各導電支架電性連接；以及膠體，該膠體覆蓋于該基座的凹杯上，以包覆該至少一芯片及各導電支架；由此，以形成一發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)。
9. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該膠體為環(huán) 氧樹脂、聚肽酰胺、硅膠其中的任一種。
10. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該芯片采 用連結(jié)打線方式而與導電支架電性連接。
11. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該芯片采用 覆晶方式而與導電支架電性連接。
12. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該導電支 架采用導電的金屬材料。
13. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該基座采 用塑料材料。
14. 如權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中，該導電支 架由該基座的底部延伸出該基座的側(cè)邊外的一端向上彎折而平貼于該 基座的側(cè)邊，以供增加極性接點的接觸面積。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)及其制法，其制法是將料片中的導電支架彎折成型后，于該預先彎折成型的導電支架上注塑塑料形成基座，并完成后續(xù)芯片封裝，適用于表面黏著型發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)，使具有縮短制程、節(jié)省成本、提高良率及延長使用壽命等有益技術(shù)效果。
文檔編號H01L25/075GK101420002SQ20071016782
公開日2009年4月29日 申請日期2007年10月26日 優(yōu)先權(quán)日2007年10月26日
發(fā)明者宋文恭 申請人:宋文恭