專利名稱：元件基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種元件基斧反(element substrate )及其制造方法。
技術背景在基纟反上形成金屬配線等時，例如，可通過減除法(subtractive method)來形成。在減除法中，在基^反的整個面上形成金屬層，在 金屬層上涂布光致抗蝕劑并形成圖形，將該光致抗蝕劑作為掩模來 蝕刻金屬層。在這種方法中，在最后去除光致抗蝕劑的方面或去除 金屬層的一部分的方面上，存在有資源以及材料的消耗的問題。而 且，對1 jum以下的微細圖形的金屬層而言，難以精度良好地形成。發(fā)明內容本發(fā)明的目的在于提供一種形成有精度良好的微細圖形金屬 層的元件基板及其制造方法。本發(fā)明的元件基板包括在上表面具有孔部的無機基板、以及 嵌入在所述孔部內部的金屬層；所述孔部的寬度為40nm到1 ium， 深度為20 ■ ~ 300 ■。此外，本發(fā)明中，所謂"形成在A上的B"，包括以下兩種情 況，即以與A4妻觸的習犬態(tài)形成B的情況；和由于在A與B之間 夾有其它層而以不與A^妄觸的a犬態(tài)形成B的情況。 本發(fā)明的元件基一反中，可以在所述金屬層的上表面形成有凹部。如此，通過形成凹部而在刮才察(scratch)方面增強。與上表面 平坦的情況相比，表面積變大，因此，可以4是高》丈熱歲文果。本發(fā)明的元件基4反中，所述無才幾基板可以是透過光的透光性基板。本發(fā)明的元件基板的制造方法包括(a) 在第一支持基板上形成剝離層的工序；(b) 在所述剝離層上形成一定圖形的金屬層的工序；(c )將含有無機基板的原料的溶膠-凝力交溶液涂布在所述第 一支持基板上的工序；(d) 通過施加熱處理去除所述溶膠-凝膠溶液的溶劑、從而 形成無才幾基寺反的工序；以及(e) 通過分解所述剝離層，將所述金屬層從第一支持基板上 剝離，將所述金屬層從所述第一支持基板移動至所述無機基板上的 工序。本發(fā)明的元件基板的制造方法中，在所述工序(e)之后，還 可以包4舌對所述無才幾基^反的所述金屬層移動后的面進4亍研磨的工 序。本發(fā)明的元件基板的制造方法中，在所述工序(b)中可以使 用化學鍍法形成所述金屬層。 本發(fā)明的元件基板的制造方法中，在所述工序(a)中，可以 通過將所述第一支持基板浸漬在表面活性劑溶液中，形成表面活性 劑作為所述剝離層；所述步驟(b)可以包括通過將所述第一支 持基板浸漬在催化劑溶液中，在所述剝離層上形成催化劑層的工 序；以及通過將第一支持基板浸漬在化學鍍液中，在所述催化劑層 上析出金屬層的工序。本發(fā)明的元件基板的制造方法中，還可以在所述工序(a)之 前包括工序(g),即在所述第一支持基板上形成具有與所述金屬層 的一定圖形相同的一定圖形的樹脂成形體；在所述工序(a)中， 可以在所述樹脂成形體上形成所述剝離層。本發(fā)明的元件基板的制造方法中，所述工序(g)可以包括 在第一支持基板上涂布流動狀態(tài)的樹脂材料的工序；將具有一定圖 形的凹圖形納米壓模按壓在所述第 一支持基板上，將所述一定圖形 轉印至所述樹脂材料上的工序；以及固化所述樹脂材料的工序。本發(fā)明的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)與(a)之 間，通過灰化處理去除固化后的樹脂材4+的上部以及所述一定圖形 以外的區(qū)域的樹脂材料。本發(fā)明的元件基板的制造方法中，所述樹 脂成形體包括光致抗蝕劑，所述工序(g)中可使用干涉曝光法來 形成所述樹脂成形體。本發(fā)明的元件基板的制造方法中，在所述工序(g)與(a)之 間，還可以包括通過將所述第一支持基板浸漬在堿溶液中，去除所 述樹脂成形體的 一部分的工序。


圖1是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。
圖2是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖3是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖4是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖5是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖6是示出本實施方式的元件基^反的制造方法的圖。圖7是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖8是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖9是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖10是示出本實施方式的元件基4反的制造方法的圖。圖11是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖12是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖13是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖14是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖15是示出本實施方式的元件基板的制造方法的圖。圖16是示出本實施方式的元件基板的剖面圖。圖17是示出應用本實施方式的元件基板的電子裝置的一個實 施例的圖。
具體實施方式
以下，參照附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實施方式進行說明。 1 .元件基板及其制造方法圖1~圖15是示出第二元件基板300(參照圖16)的制造方法 的圖。本實施方式中，應用化學鍍來制造元件基板。(1)首先，準備第一支持基板10。優(yōu)選在第一支持基板10 的表面上沒有凹凸。例如，優(yōu)選凹凸的高度小于10nm。接著，在第一支持基板10上形成一定圖形的樹脂成形體22c。 作為形成^f脂成形體22c的方法，可4吏用眾所周知的方法，例如， 可^吏用干涉曝光法或者納米壓印4支術，本實施方式中，對-使用納米 壓印技術來形成樹脂成形體22c的情況加以說明。首先，如圖1所示，在基一反10上涂布流動狀態(tài)的樹脂材4牛22a。 作為樹脂材料22a,可使用熱固化性樹脂、熱塑性樹脂、光固化 性樹脂等。作為涂布方法，可使用旋涂法等眾所周知的方法。然后，通過將納米壓模12沿第一支持基板10的方向(圖2的 箭頭方向)按壓，將一定圖形轉印在樹脂材料上。在此，所謂一定 圖形，也可以是以一定間隔配置的多條線的周期性圖形。在杉于脂材 料22a為光固化性樹脂時，納米壓才莫12也可以4吏用具有透光性的。然后，固化樹脂成形體22b,將納米壓才莫12乂人樹脂成形體22b 剝離(參照圖3)。這樣可形成具有一定圖形的樹脂成形體22b，如 圖4所示。
也可以使用樹脂成形體22b進入到下述工序(2),也可以如圖 5所示i也通過回蝕(etch back)等去除一定圖形間隙的杉于脂成形體 22b的一部分。在樹脂成形體22b包括光致抗蝕劑時，也可以通過 灰化處理來去除一部分。此處，可以去除一定圖形間隙的樹脂成形 體22b的一部分，并且也可以去除一定圖形區(qū)域的樹脂成形體22b 的上部。通過進4于該去除工序，可以形成4對脂成形體22c。使用納米壓印技術形成樹脂成形體22c的方法如上所述，但是 即使如上所述地4吏用干涉曝光法，也可以形成樹脂成形體22c。在 使用干涉曝光法的情況下，優(yōu)選應用光致抗蝕劑作為樹脂材料22a, 并且預先將防反射膜設置在第一支持基板10上。(2 )然后，清洗第 一支持基板10以及樹脂成形體22c的表面。 第一支持基4反10以及初t脂成形體22c的表面的清洗可以用干式清 洗，也可以用濕式清洗，更優(yōu)選干式清洗?？梢酝ㄟ^干式清洗防止 剝離等對樹脂成形體22c造成的破壞。如圖6所示，干式清洗可以-使用真空紫外線燈18 (波長為172 nm，輸出功率為10 mW,試料間距離為1 mm),在氮氣氣體環(huán)境 下，照射真空紫外線20,進行30秒鐘~900秒鐘。通過清洗第一 支持基板10，可以去除附著在第一支持基板10的表面上的油脂等 污物。另外，可4吏第一支持基4反10以及杉于脂成形體22c的表面乂人 憎水性變?yōu)橛H水性。另外，如果第一支持基4反10的液中表面電位 為負電位，則通過第一支持基+反10的清洗可以形成均勻的負電位 面。濕式清洗，例如可通過在室溫狀態(tài)下將第一支持基斗反10浸漬 在臭氧水(臭氧濃度為10 ppm ~ 20 ppm )中，進行5分鐘~ 30分鐘左右。(3)然后，可在樹脂成形體22c上形成含有表面活性劑或硅 烷類偶聯(lián)劑的剝離層24。首先，如圖7所示，將第一支持基4反10浸漬在溶解有表面活 性劑或硅烷類偶聯(lián)劑的催化劑吸附溶液14中。在第一支持基板10 的表面的液中表面電位為負電位的情況下，優(yōu)選應用陽離子類表面 活性劑。這是因為陽離子類表面活性劑與其它的表面活性劑相比容 易吸附在第一支持基板10上。作為陽離子類表面活性劑，例如，可以使用含有氨基石圭烷類成 分的水溶性表面活性劑或烷基胺類的表面活性劑(例如，十六烷基 三曱基氯化銨、十六烷基三曱基溴化銨，十六烷基二曱基溴化銨等) 等。作為在催化劑吸附溶液14中所含有的硅烷類偶聯(lián)劑，例如可 使用六甲基二硅氮烷。浸漬時間例如可以是1分鐘~ 15分鐘左右。其次，可以從催化劑吸附溶液14中取出第一支持基板10,用 超純水進行清洗。然后，例如，將第一支持基板10在室溫下進行 自然干燥；或者吹入壓縮空氣來去除水滴后，在90°C ~ 12(TC的烘 箱內放置10分鐘~ 1小時左右，使之干燥。如圖8所示，可通過以 上工序將剝離層24設置在第一支持基板10上。此時，在應用陽離 子類表面活性劑作為表面活性劑的情況下，第一支持基板10的液 中表面電^立向p及附前的電4立的正電 <立側偏移。另外，可通過將第 一支持基板10浸漬在催化劑吸附溶液14中， 去除樹脂成形體22c的一部分，使其成為如圖8所示的形狀。具體 而言，以削去與催化劑吸附溶液14接觸的外側部分而去除樹脂成 形體22c的一部分。這是因為，在催化劑吸附溶液14為4^性溶液 的情況下，具體而言，在顯示為pHll ~pH12的情況下，4對脂成形 體22c的一部分〉容解，乂人而可纟皮部分去除。這才羊可以改變樹脂成形體22c的大小。因此，通過調整第一支持基才反10在催化劑吸附溶 液14中的浸漬時間或pHj直，可以控制樹脂成形體22c的大小。(4) 然后，在第一支持基板10上形成催化劑層31。首先，如 圖9所示，將第一支持基板10浸漬在催化劑溶液30中。催化劑溶 液30含有發(fā)揮化學鍍的催化劑作用的催化劑成分。例如可使用釔 作為催化劑成分。例如，可以通過以下順序配制催化劑溶液30。(4a)使純度99.99%的扭球溶解于鹽酸與過氧化氫溶液以及 水的混合溶液中，形成4巴濃度為0.1 g/1 ~ 0.5 g/1的氯化4巴溶液。(4b )通過用水和過氧化氫溶液進一步將上述氯化4巴溶液進行 牙希釋，^f吏4巴;農度為0.01 g/1 ~ 0.05 g/1。(4c)使用氫氧化鈉水溶液等，將氯化鈀溶液的pH值調整為 4.5-6.8。在浸漬在催化劑溶液30中后，也可以水洗第一支持基4反10。 可以用純水進行水洗。通過該水洗，可以防止催化劑殘渣混入下述 4匕學鏡液中?？梢酝ㄟ^以上工序，形成催化劑層31。如圖IO所示，催化劑 層31形成在第一支持基板10以及樹脂成形體22上的剝離層24的 上表面。(5) 然后，在基板上形成金屬層33。具體而言，金屬層33 形成在形成有催化劑層31的區(qū)域中。具體而言，如圖11所示，通 過將第一支持基板10浸漬在含有金屬的化學鍍液36中，可以析出 金屬層33。此處，化學鍍液36作為鍍覆粒子析出在第一支持基板IO上時，優(yōu)選鍍隻粒子的平均粒徑-故調整為20 nm~50 nm。這樣 的化學鍍液36可通過改變pH值、溫度、調整時間等來調整。另夕卜， 因為當?shù)?一支持基—反10在4匕學鍍液36中的浸漬時間達到一定時間 以上時，鍍覆粒子的平均粒徑會變得大于50 nm，所以浸漬時間優(yōu) 選為一定時間以內。金屬例如可以是鎳。作為化學鍍液36，有以酸性使用的類型和 以石咸性^吏用的類型，作為化學鍍液36的一個實施例應用的是以酸 性使用的類型。化學鍍液36包含上述金屬、還原劑以及配位劑等。 具體而言，可以使用主體是硫酸鎳六水合物或氯化鎳六水合物且含 有次亞磷酸酸鈉作為還原劑的混合物作為化學鍍液36。例如，可以 通過將第一支持基板10在含有硫酸鎳六水合物的化學鍍液(溫度 為70°C ~ 80°C )中浸漬10秒鐘~ 10分鐘左右，乂人而形成具有厚度 為20 nm ~ 100 nm的4臬層。這樣，如圖12所示，可以在第一支持基板10上的催化劑層31 的上表面形成金屬層33。在浸漬到化學鍍液中后，也可以水洗第一支持基才反10?？梢杂?純水進4亍水洗，也可以用7K蒸汽來進4亍水洗，也可以^吏用純水以及 水蒸汽兩者進4于水洗。另外，也可以在水洗后通過在第一支持基板 10上施加熱處理進行干燥。通過這種方式可以:提高金屬層33對第 一支持基板10的密合性。如圖12所示，通過以上工序，可以形成 鍍覆基板100。此處，對鍍覆基板100進行說明。鍍覆基板100的金屬層33 形成在樹脂成形體22上方以及側面。樹脂成形體22可以發(fā)揮作為 金屬層33的芯的作用。金屬層33也可以形成在樹脂成形體22的 間隙，即， 一定圖形以外的區(qū)域中。在上述鍍覆基板100的制造方
法，可以使樹脂成形體22的上方的金屬層33的膜厚大于一定圖形 以外的區(qū)域的金屬層33的膜厚。具體而言，如以下所作推斷。鍍覆基板100的制造方法中，通過將第一支持基板10浸潰在 化學鍍液36中，析出金屬層33。金屬層33通過化學鍍反應形成。 化學鍍反應是化學鍍液中的還原劑與金屬離子的還原反應，是金屬 離子通過從還原劑中獲得電子而析出鍍覆粒子的反應。該反應是通 過在催化劑層31中所含有的催化劑來促進的，所以主要在催化劑 層31的附近進行。在化學鍍液中，由于多個金屬離子形成聚集體 而存在，所以通過還原反應析出作為多個金屬原子的聚集體的鍍覆 粒子。此外，多個金屬離子的聚集體的大小可以通過化學鍍液的pH 值、溫度、時間等來控制。本實施方式中，通過化學鍍液36中的電鍍粒子進入樹脂成形 體22之間，可以在樹脂成形體22的間隙，即， 一定圖形以外的區(qū) 域上也析出金屬層33。在樹脂成形體22的上方存在的化學鍍液36 的流動性比進入樹脂成形體22之間的化學鍍液36的流動性更好。 因而，由于在樹脂成形體22上方附近的化學鍍液36即4吏;故用于了 金屬離子的析出，流動性也良好，所以金屬離子的濃度可以保持在 大致一定的狀態(tài)。相對于此，在樹脂成形體22之間的化學鍍液36, 由于金屬離子在作為金屬層33析出后，金屬離子濃度處于暫時降 低的狀態(tài)，所以金屬層33的析出速度降低。因此，根據(jù)本實施方 式的鍍覆基板100的制造方法，可以使樹脂成形體22的上方的金 屬層33的膜厚大于一定圖形以外的區(qū)域的金屬層33的膜厚。(6 )然后，在鍍覆基板100的上表面涂布溶膠-凝膠溶液114a。 4乍為f余布方法，例》o可以應用凝J余法。〗乍為溶"交-凝"交;容、液114a， 可以使用含有四乙氧基硅烷(TEOS )、三曱氧基硅烷(TMS )、四 異丙醇鈦等金屬醇鹽。(7 )然后，可以通過施加熱處理去除溶月交-凝月交溶液114a中 的溶劑獲得無機基板。此處，對通過加熱含有TEOS的溶膠-凝膠 溶液114a而獲得玻璃基板114 (無機基板)的工序進行說明?？梢?將熱處理分為兩個階段進行。首先，在150。C下加熱溶膠-凝膠溶 液114a (參照圖13)。(8) 其次，可以通過加熱到400。C以上來分解剝離層24，并 且進行溶膠-凝膠溶液的燒成而獲得玻璃基板114。此時，在玻璃 基板114上嵌入有金屬層33、催化劑層31、剝離層24、和樹脂成 形體22。如此，如圖14所示，可以通過分解剝離層24，,人第一支持基 板10上剝離金屬層33。此時，樹脂成形體22也可以乂人金屬層33 上剝離。這樣，可以形成在玻璃基板114上表面具有一定圖形的金 屬層33的第一元件基板200。此處，對第 一元件基板進行200說明。第 一元件基板200包括 玻璃基板114和金屬層33。金屬層33含有上述催化劑層31。玻璃 基板114具有多個孔部202。孔部202的平面形狀可以是線形，更 具體而言，可以是條紋形，孔部202的大小可以是例如寬度為40 nm-1.0jam,深度為20 nm ~ 300 nm。在孔部202的內部嵌入有金 屬層33。在金屬層33的上表面上還形成有凹部204。如圖15所示， 凹部204形成在所述^L部202的上部，其寬度和;罙度都小于3L部 202。另外，金屬層33也可以形成在沒有形成孔部202的區(qū)i或中。 孔部202的非形成區(qū)域的金屬層33的膜厚小于孔部202的形成領 域的金屬層33的膜厚。(9) 然后，也可以通過研磨第一元件基斧反200的上表面，而 去除金屬層33的一部分。此處，所謂金屬層33的一部分，是指金 屬層33的上部，例如在孔部202的外側所形成的金屬層33。研磨
可以通過例如CMP (化學機械研磨)來進行。如此，通過研磨第一 元件基板200的上表面，可以使金屬層34與相鄰的金屬層34形成斷路?？梢酝ㄟ^以上的工序形成第二元件基板300 (參照圖16)。第 二元件基板300包括玻璃基板114和金屬層34。從與相鄰的金屬層 34形成斷路的方面來看，金屬層34與金屬層33是不同的。即，金 屬層34僅形成在孔部202的內部，且成為嵌入的狀態(tài)，因此，當 第二元件基板300彎曲時，可以防止相鄰的金屬層34彼此之間接 觸。金屬層34具有一定的圖形。 一定的圖形可以是例如一維或者 二維的周期性圖形。第二元件基才反300通過在透光性基4反上具有一 定圖形，可以發(fā)揮作為偏光板等光學元件基板的作用。例如，第二 元件基一反300可以是反復"i殳置有一定間隔和一定寬度的直線形金屬 層的一維周期性圖形(條紋形狀)。周期方向上的寬度小于等于可 見光的波長，而且在玻璃基板114包括透光性基板的情況下，第二 元件基々反300可以發(fā)揮作為偏光板的作用。另外，在通過所述制造方法形成的元件基板中，孔部202可以 是寬度a為40 nm ~ 1 ju m，；罙度b為20 nm ~ 300 nm。即，嵌入在 該孔部202的金屬層34可以是寬度為40 nm~ 1 jum,深度為20 nm 300 nm。另外，在金屬層34的上表面，還形成有凹部204。 如圖16所示，凹部204形成在所述孔部202的上部，其寬度和深 度老卩小于^L部202。2.電子裝置圖17示出應用了通過本實施方式的元件基才反的制造方法制造 的第二元件基板300的電子裝置的一個實施例。因為J皮璃基板114
為絕緣性基板，所以第二元件基板300可以發(fā)揮作為配線基板的作 用。電子裝置1000包括作為配線基板的第二元件基板300、集成電 ^各芯片90和其它基4反92。形成在第二元件基才反300上的配線圖形也可以用于將電子部件 彼此進行電連接。第二元件基板300是通過上述制造方法而制造的。 在如圖17所示的實施例中，在第二元件基才反300中，集成電^各芯 片90被電連接，第二元件基板300的一個端部與其它基板92 (例 如顯示面板)進行電連接。電子裝置IOOO也可以是液晶顯示裝置、 等離子體顯示裝置、EL (Electro luminescence,電發(fā)光)顯示裝置 等顯示裝置。另外，作為光學元件基板的第二元件基板300,也可以發(fā)揮作 為液晶顯示裝置、投影機裝置等的偏光板的作用。本發(fā)明并不限于所述實施方式，可以進行各種變形。例如，所述工序(3)中，通過將第一支持基々反10浸漬在催化 劑吸附〉容液14中，可以改變樹脂成形體22c的形4犬乂人而形成一對脂 成形體22,也可以將此替換成在工序(3)之前，即在將第一支持 基板10浸漬在催化劑吸附溶液14中之前，將第一支持基板10浸 漬在另外的石威性溶液中。通過這樣，由于可以在形成預先期望的形 狀的樹脂成形體22之后形成剝離層24，因此，可以形成精度更加 良好的樣i細圖形。另外，在所述工序(5)中，在樹脂成形體22的上方形成有金 屬層33，也可以將此替換為在樹脂成形體22的非形成區(qū)域上形成 金屬層33。具體而言，在形成樹脂成形體22c后，通過上述方法i殳 置剝離層24以及催化劑層31，去除樹脂成形體22c。由此，形成 僅在樹脂成形體22c的非形成區(qū)域中形成催化劑層31的狀態(tài)。然
后，將第一支持基板10浸漬在化學鍍液中。通過所述工序可以在 催化劑層31的上表面形成金屬層33。其后的工序與上述情況相同， 因jt匕省略i兌明。另外，本發(fā)明包括與在實施方式中說明的結構基本上相同的結 構(例如，功能、方法以及結果相同的結構，或者目的以及結果相 同的結構)。另外，本發(fā)明包括置換了在實施方式中說明的非實質 性部分的結構。另外，本發(fā)明包括可以發(fā)揮與在實施方式中說明的 結構相同的作用效果的結構，或者可以達到相同目的的結構。另外， 本發(fā)明包括在實施方式中說明的結構上附加了公知技術的結構。符號說明10第一支持基板 14催4b劑p及附溶液 20光22a樹脂材料 30催化劑溶液 33、 34金屬層 90集成電i 各芯片 100鍍覆基板 114玻璃基板 300第二元件基板12納米壓才莫 18光源22、 22b、 22c樹脂成形體24、 26剝離層31催化劑層36化學鍍液92其它基才反114a溶膠-凝膠溶液200第一元件基板1000電子裝置
權利要求
1.一種元件基板，包括在上表面具有孔部的無機基板；以及嵌入在所述孔部內部的金屬層；所述孔部的寬度為40nm到1μm，深度為20nm～300nm。
2. 根據(jù)權利要求1所述的元件基板，其中，在所述金屬層的上表面形成有凹部。
3. 根據(jù)權利要求1或2所述的元件基板，其中，所述無才幾基板是可透過光的透光性基板。
4. 一種元件基板的制造方法，包括(a) 在第一支持基板上形成剝離層的工序；(b) 在所述剝離層上形成一定圖形的金屬層的工序；(c )將含有無機基板原料的溶膠-凝膠溶液涂布到所述 第一支持基板上的工序；(d )通過施加熱處理去除所述溶膠_凝膠溶液的溶劑而 形成無才幾基纟反的工序；以及(e)通過分解所述剝離層將所述金屬層從所述第一支持 基板上剝離，使所述金屬層從所述第一支持基板移動至所述無 機基板上的工序。
5. 根據(jù)權利要求4所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(e)之后，還包括對所述無才幾基板中的所述 金屬層移動后的面進行研磨的工序。
6. 根據(jù)權利要求4或5所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(b)中， -使用化學鍍法形成所述金屬層。
7. 根據(jù)權利要求6所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(a)中，通過將第一支持基板浸漬在表面活 性劑溶液中，形成表面活性劑層作為所述剝離層；在所述工序(b)中包括通過將所述第一支持基板浸漬在催化劑溶液中而在 所述剝離層上形成催化劑層的工序，以及通過將第一支持基板浸漬在化學鍍液中而使金屬層 析出在所述催化劑層上的工序。
8. 根據(jù)權利要求7所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工 序U)之前，還包括(g)在所述第一支持基板上形成具有與所述金屬層的一 定圖形相同的 一 定圖形的樹脂成形體的工序；在所述工序(a)中，在所述樹脂成形體上形成所述剝離層。
9. 根據(jù)權利要求8所述的元件基板的制造方法，其中，所述工序(g)包括在第 一 支持基板上涂布流動狀態(tài)的樹脂材料的工序；以及將具有 一定圖形的凹形圖形的納米壓^:莫按壓在所述第一 支持基板上從而將所述一定圖形轉印在所述樹脂材料上的工序。
10. 根據(jù)權利要求9所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(g)與(a)之間，通過灰化處理去除經(jīng)過固 化的樹脂材料的上部以及所述一定圖形以外的區(qū)域的樹脂材料。
11. 根據(jù)權利要求8所述的元件基板的制造方法，其中，所述樹脂成形體包括光致抗蝕劑，在所述工序(g)中， 使用干涉曝光法形成所述樹脂成形體。
12. 根據(jù)權利要求8所述的元件基板的制造方法，其中，在所述工序(g)與(a)之間，還包括通過將所述第一支 持基板浸漬在石成溶液中而去除所述樹脂成形體的 一部分的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種可形成精度良好的微細圖形金屬層的元件基板及其制造方法。所述制造方法包括在第一支持基板(10)上形成剝離層(24)的工序；在剝離層上形成一定圖形的金屬層(34)的工序；在第一支持基板上涂布含有無機基板原料的溶膠-凝膠溶液的工序；通過施加熱處理去除溶膠-凝膠溶液的溶劑而形成無機基板(114)的工序；以及通過分解剝離層而將金屬層(34)從所述第一支持基板上剝離，使所述金屬層從所述第一支持基板(10)上移動至無機基板上的工序。
文檔編號H01B5/14GK101159180SQ200710163830
公開日2008年4月9日 申請日期2007年9月30日 優(yōu)先權日2006年10月3日
發(fā)明者木島健, 木村里至, 金田敏彥, 降旗榮道 申請人:精工愛普生株式會社