專利名稱：半導(dǎo)體裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體裝置。
技術(shù)背景通常，使用有引線架的半導(dǎo)體裝置配置有島區(qū)域、 一端設(shè)置在島區(qū)域 周圍的多根引線，并且在島區(qū)域之上設(shè)置有半導(dǎo)體芯片，由金屬細(xì)線將所 述半導(dǎo)體芯片的接合焊盤與所述引線的一端連接(例如，專利文獻(xiàn)l)。另外，以使所述多根引線的另一端露出的方式，由絕緣性樹脂將所述島區(qū)域、 所述多根引線、半導(dǎo)體芯片以及多根金屬細(xì)線密封。在此，在多根引線中， 將被所述絕緣性樹脂密封的部分稱為內(nèi)引線，將從絕緣性樹脂露出的部分 稱為外引線，根據(jù)需要而將該外引線折曲，通過(guò)焊接等將所述引線的另一 端安裝在印刷電路板等上。另外，也實(shí)現(xiàn)了在島區(qū)域上層積多個(gè)芯片而構(gòu)成的疊層型半導(dǎo)體裝置。 其是在主芯片上層積尺寸比主芯片尺寸小的副芯片的結(jié)構(gòu)，由金屬細(xì)線也 將主芯片與副芯片電連接。專利文獻(xiàn)1:(日本)特開2007 _ 5569號(hào)公報(bào)上述那樣的半導(dǎo)體裝置可利用目前的輕薄短小的技術(shù)而實(shí)現(xiàn)小型化。 但是，由于副芯片表面與主芯片的表面相比，配置在距離島區(qū)域表面更高 的位置上，因此若由金屬細(xì)線與副芯片表面之上連接，則金屬細(xì)線的頂部 變得更高，具有半導(dǎo)體裝置的厚度、即封裝的厚度增加的問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容因此，本發(fā)明的目的在于提供一種半導(dǎo)體裝置，不增大封裝的厚度即 可安裝多個(gè)芯片。本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置，內(nèi)設(shè)有層積配置的第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo) 體芯片，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體芯片固定在第一島區(qū)域的上表面，所述第二半導(dǎo)體芯片固定在第二島區(qū)域的下表面，所述第一島區(qū)域和所述第二島區(qū)域位于所述第 一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片之間，并且二 者分開配置。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)將第 一 島區(qū)域的背面與第二島區(qū)域的表面至少局部 重疊而配置，使第一島區(qū)域上的第一半導(dǎo)體芯片與所述第二島區(qū)域背面的 第二半導(dǎo)體芯片重疊。因此，能夠?qū)⑵矫娴恼加忻娣e減少到小于兩芯片的平面面積。而且， 由于第二半導(dǎo)體芯片的金屬細(xì)線向背面?zhèn)妊由?，故也可以減小半導(dǎo)體裝置的厚度。


圖1是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的剖面圖。圖2是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖3是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用的第 一 引線架的圖。 圖4是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用的第二引線架的圖。 圖5是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的平面圖。 圖6是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用的第 一 引線架的圖。 圖7是說(shuō)明本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置所采用的第二引線架的圖。 圖8是表示本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置的圖，圖8A是剖面圖，圖8B是平面 圖，圖8C是剖面圖。 附圖標(biāo)記說(shuō)明10:第一引線架；11:第二引線架；12:第一島區(qū)域；13:第二島區(qū) 域；14:第一引線；15:第二引線；16:引線；17:第一半導(dǎo)體芯片；18: 金屬細(xì)線；19:引線；20:第二半導(dǎo)體芯片；21:第一接合部；22:第二 接合部；31:連接部；33:第二連接部；35:連接部；37:連接部；40: 絕緣性樹脂；50:半導(dǎo)體裝置；52:連接部；54:引線；55:吊線；56: 金屬細(xì)線；57:吊線；58:金屬細(xì)線；60:電極；62:電極具體實(shí)施方式
參照

本發(fā)明的實(shí)施方式。圖1是半導(dǎo)體裝置的剖面圖，圖2 是半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖3、圖4是半導(dǎo)體裝置的分解圖。首先，在說(shuō)明圖1及圖2所示的本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置之前，參照?qǐng)D3及圖4進(jìn)行說(shuō)明。簡(jiǎn)單地說(shuō)明，本發(fā)明是將圖3的第一引線架IO和圖4的 第二引線架11重疊的結(jié)構(gòu)，例如，第一引線架10的第一島區(qū)域12和第二 引線架ll的第二島區(qū)域13至少局部重疊。另外，若形成其他的表現(xiàn)方式， 則第一引線架10的第一引線14和第二引線架11的第二引線15至少局部重疊。具體地，參照?qǐng)D3說(shuō)明第一引線架10。首先，該第一引線架10由第一 島區(qū)域12、 一端與該第一島區(qū)域12成為一體且另一端向左側(cè)延伸的至少一 根(在此為兩根)引線16、位于第一島區(qū)域12附近且一端位于島區(qū)域的右 側(cè)邊、另一端向右側(cè)延伸的至少一根第一引線14(在此為兩根)構(gòu)成。在 此，向第一島區(qū)域12的左右各延伸有兩根引線。另外，第一引線14的一 端被加工成矩形，將該一端活用作第一接合部21。另外，在第一島區(qū)域12的表面設(shè)置有第一半導(dǎo)體芯片17,將第一半導(dǎo) 體芯片17上面形成的電極(在紙面上在圓中描畫斜線的部分)與第一引線 14的第一接合部21電連接。在此，采用了金屬細(xì)線18,但也可以由金屬 板等進(jìn)行連接。另一方面，參照?qǐng)D4說(shuō)明第二引線架11。該第二引線架11的基本形狀 與第一引線架10相同，由第二島區(qū)域13、 一端與該第二島區(qū)域13成為一 體且另一端向左側(cè)延伸的至少一根引線19、位于第二島區(qū)域13附近且一端 位于該島區(qū)域的右側(cè)邊、另一端向右側(cè)延伸的至少一根第二引線15構(gòu)成。 在此，向第二島區(qū)域13的左右各延伸有兩根引線。另外，在第二島區(qū)域13 的背面設(shè)置有第二半導(dǎo)體芯片20,將第二半導(dǎo)體芯片20上的電極(紙面上 在圓中描畫斜線的部分)與第二引線15的第二接合部22電連接。在此， 采用了金屬細(xì)線18，但也可以由金屬板等進(jìn)行連接。另外，第二引線15的 一端纟皮加工成矩形，將該一端活用作第二^妻合部22。 (第一實(shí)施方式)參照?qǐng)D1、圖2具體說(shuō)明第一實(shí)施方式。該半導(dǎo)體裝置是使參照?qǐng)D3 及圖4說(shuō)明的第一引線架IO和第二引線架11局部重疊的結(jié)構(gòu)。即，位于 圖1上側(cè)的島區(qū)域相當(dāng)于圖3的第一島區(qū)域12,位于圖1下側(cè)的島區(qū)域相 當(dāng)于圖4的第二島區(qū)域13。在此，為了將第一島區(qū)域12與第二島區(qū)域13 電絕緣，需要使二者分離距離L。該分離距離L至少需要為50)Lim?，F(xiàn)有的半導(dǎo)體裝置是將圖3和圖4所示的引線架直接橫向配置的結(jié)構(gòu)。為了進(jìn)行安裝，而需要有將第一島區(qū)域12和第二島區(qū)域13直接相加的面積。但是，本發(fā)明如圖2所示，由于 將第一島區(qū)域12的背面與第二島區(qū)域13的表面至少局部重疊，能夠?qū)⑵?面上看到的島區(qū)域的占有面積也縮小。另一方面，第一引線14的背面和第二引線15的表面，與島區(qū)域同樣 地至少分離約50pm。參照?qǐng)D1及圖2，第一引線14、第二引線15的結(jié)構(gòu) 如下。即，從第一接合部21向下傾斜而設(shè)有第一傾斜部30,在該傾斜部 30的端部水平地設(shè)有第一連接部31。另外，從第二接合部22向下傾斜而 設(shè)有第二傾斜部32，在該傾斜部32的端部水平地設(shè)有第二連接部33。另外，引線16、 19也同樣地，與第一島區(qū)域12—體構(gòu)成的引線設(shè)有 自此向下傾香斗的傾斜部34,在該傾斜部34的端部設(shè)有連4妻部35。另外， 與第二島區(qū)域13 —體構(gòu)成的引線37設(shè)有自此向下傾斜的傾斜部36，在該 傾斜部36的端部設(shè)有連接部37。如前所述，在本發(fā)明中，第一島區(qū)域12與第二島區(qū)域13以距離L分 離開來(lái)，還設(shè)有以該分離距離或與該分離距離接近的距離分離開的第一接 合部21、第二接合部22。另外，只要使自此延伸的傾斜部和連接部、從第 一島區(qū)域12、第二島區(qū)域13向左延伸的傾斜部和連接部相互不接觸而配置 即可。另外，由絕緣性樹脂40將第一引線架10、第二引線架ll密封。并且 在該絕緣性樹脂40的背面使連接部31、 33、 35、 37的背面露出。如以上說(shuō)明，第一島區(qū)域12的背面和第二島區(qū)域13的表面在縱向上 離開距離L，并且第一島區(qū)域12和第二島區(qū)域13至少局部重疊，因此，能 夠?qū)⑵矫嫔峡吹降膷u區(qū)域的占有面積減少。位于第二島區(qū)域13的傾斜部向 斜下方延伸，在該延伸部分可配置第二半導(dǎo)體芯片20、金屬細(xì)線，因而無(wú) 需另外設(shè)置相應(yīng)的厚度，具有半導(dǎo)體裝置的厚度也可減薄的特點(diǎn)。參照?qǐng)Dl,第一半導(dǎo)體芯片17的下表面與第二半導(dǎo)體芯片20的上表面 的距離Lll被設(shè)定為，比第一島區(qū)域12的厚度與第二島區(qū)域13的厚度相 加后的長(zhǎng)度要長(zhǎng)。具體地，第一島區(qū)域12的厚度(L12)和第二島區(qū)域13的厚度(L13) 相加后的長(zhǎng)度例如為lmm左右，第一半導(dǎo)體芯片17的下表面與第二半導(dǎo) 體芯片20的上表面的距離Lll設(shè)定為比1.05mm長(zhǎng)。由此，在半導(dǎo)體裝置的狹小空間中，即使內(nèi)設(shè)有安裝于島區(qū)域上的多個(gè)半導(dǎo)體芯片，也能夠防 止半導(dǎo)體芯片經(jīng)由島區(qū)域而彼此短路。(第二實(shí)施方式)接著，說(shuō)明第二實(shí)施方式。第一實(shí)施方式中僅對(duì)島區(qū)域的重疊進(jìn)行了說(shuō)明，在本實(shí)施方式中，也包含第一接合部21與第二接合部22重疊的情 況。通常，接合部(接合端子)由于利用金屬細(xì)線進(jìn)行連接，故接合工具 的頭部必須與接合部抵接。因此，相鄰的兩個(gè)接合部的間隔需要至少為規(guī) 定的距離。但是，在本發(fā)明的半導(dǎo)體裝置中，例如第一接合部21和相鄰的 第二接合部22為表面與背面的關(guān)系，故而能夠使其之間的距離比所述規(guī)定 的距離還小。因此，第一接合部21和第二接合部22可至少使局部重疊。 在本實(shí)施方式中，在第一引線14彼此之間的中央部附近配置有第二引線15。具體地，使用圖3進(jìn)行說(shuō)明。第一引線14的寬度約O.lmm，第一接合 部21的尺寸(寬度)為0.2 ~ 0.25mm。因此，若例如第一接合部21的一邊 寬度為0.25mm，則第 一接合部21的端部從第一引線14的中心突出 0.125mm、即從第一引線14的上下側(cè)邊突出0.025mm。并且，第一引線14 彼此分離的距離為0.25mm，第一4妻合部21的下側(cè)邊與相鄰的接合部的上 側(cè)邊之間的3巨離為O.lmm。該情況與圖4所示的相同。因此，返回圖1進(jìn)行說(shuō)明，圖3和圖4的引線架正好為以下的結(jié)構(gòu)。 即，在兩根第一引線14之間配置第二引線15。因此，第一接合部21和第 二接合部22局部重疊而配置。以上，與第一實(shí)施方式不同之處僅為接合部重疊這一方面，其他與第 一實(shí)施方式相同，因此省略其說(shuō)明。 (第三實(shí)施方式)以下，參照?qǐng)D5、圖6及圖7說(shuō)明本實(shí)施方式。圖5是表示本實(shí)施方式 的半導(dǎo)體裝置的平面圖，圖6是取出第一引線架而表示的平面圖，圖7是 取出第二引線架而表示的平面圖。在上述實(shí)施方式中，內(nèi)置的元件為分立型的晶體管，在本實(shí)施方式中， 在半導(dǎo)體裝置中內(nèi)設(shè)有形成多個(gè)電極的IC。因此，在本實(shí)施方式中，所使 用的引線架為IC規(guī)格的引線架。即，圖6及圖7所示的引線架中，由于載 置有上表面設(shè)有多個(gè)接合焊盤的半導(dǎo)體芯片，故引線架中也包含與接合焊盤的個(gè)數(shù)對(duì)應(yīng)的多個(gè)引線。參照?qǐng)D5，具有多個(gè)引線的引線架重合。與上述實(shí)施方式相同，在第一島區(qū)域12的表面安裝有第一半導(dǎo)體芯片17，經(jīng)由金屬細(xì)線與各自的第一引 線14連接。另外，在第二島區(qū)域13的背面安裝有第二半導(dǎo)體芯片20，經(jīng) 由金屬細(xì)線與第二引線15電連接。并且，在第一引線14、 14之間配置第 二引線15而構(gòu)成。另外，附圖標(biāo)記55、 57所示的部位是與上述的各島區(qū) 域連接并導(dǎo)出外部的吊線，具有在制造工序的中途階段機(jī)械地支承各島區(qū) 域的功能。另外，在此，附圖中省略了設(shè)有的絕緣性樹脂40。如圖5可知，第一島區(qū)域12的表面與第二島區(qū)域13的背面至少局部 重疊，因此可減小平面上島區(qū)域的占有面積。另外，由于引線也將與金屬細(xì)線的連接點(diǎn)表背面交替地設(shè)置，故與上 述實(shí)施方式相同，能夠?qū)⒁€彼此重疊一部分。在附圖中雖然省略了圖示，但各引線使傾斜部、接合部向斜下方延伸， 故在其空間中設(shè)有第二半導(dǎo)體芯片20以及與其連接的金屬細(xì)線，故而能夠 相應(yīng)地抑制厚度。在此，圖5中從兩島區(qū)域一體導(dǎo)出的兩根吊線從一個(gè)側(cè)邊(紙面上的 左側(cè)側(cè)邊)向外部導(dǎo)出。在此，也可以將從一個(gè)島區(qū)域?qū)С鐾獠康牡蹙€設(shè) 置在左側(cè)，將從另一個(gè)島區(qū)域?qū)С鐾獠康牡蹙€設(shè)置在右側(cè)。 (第四實(shí)施方式)參照?qǐng)D8說(shuō)明本實(shí)施方式的半導(dǎo)體裝置50的結(jié)構(gòu)。圖8 (A)是半導(dǎo) 體裝置50的剖面圖，圖8 (B)是從上方看到的圖8 (A)所示的半導(dǎo)體裝 置50的平面圖，圖8 (C)是圖8 (B)的C-C'線剖面圖。在本實(shí)施方式 中，與上述的其他實(shí)施方式重復(fù)的部分標(biāo)注相同的附圖標(biāo)記并省略其說(shuō)明。半導(dǎo)體裝置50的結(jié)構(gòu)與圖1所示的半導(dǎo)體裝置基本相同，不同點(diǎn)在于 第 一 島區(qū)域12和第二島區(qū)域13配置在平面上不同的位置(參照?qǐng)D8 ( B ))。 換句話說(shuō)，第一島區(qū)域12和第二島區(qū)域13在平面上不重疊配置。而且， 參照?qǐng)D8(C)，第一島區(qū)域12和第二島區(qū)域13在厚度方向上錯(cuò)開而使二者 至少局部重疊配置。在此，島區(qū)域位于平面上的不同位置是指在圖8(B) 所示的配置中，島區(qū)域彼此在平面上不重合。另外，在厚度方向上重疊， 參照?qǐng)D8 (C)，是指島區(qū)域彼此在紙面的縱向上重疊。另外，說(shuō)明第一島區(qū)域12和第二島區(qū)域13在厚度方向上的位置關(guān)系， 二者不配置在同一平面上。因此，參照?qǐng)D8(C)，第一島區(qū)域12的上表面 及第二島區(qū)域13的下表面在厚度方向上突出。參照?qǐng)D8 ( A )說(shuō)明半導(dǎo)體裝置50的結(jié)構(gòu)。半導(dǎo)體裝置50將多個(gè)半導(dǎo) 體芯片樹脂密封而構(gòu)成。在外觀上，半導(dǎo)體裝置50具有大致立方體形狀或 大致長(zhǎng)方體形狀，上表面和下表面是相互平行的平坦面，側(cè)面成為上部比 下部更向內(nèi)側(cè)傾斜的傾斜面。并且，由與內(nèi)置的半導(dǎo)體芯片電連接的引線 的端部構(gòu)成的連接部31,從將整體一體地密封的絕緣性樹脂40的側(cè)面下部 導(dǎo)出外部。另外，連接部31的下表面與絕緣性樹脂40的下表面位于同一 平面上。半導(dǎo)體裝置50的安裝可通過(guò)將連接部31上附著的焊錫膏加熱融 化的回流工序而進(jìn)4亍。半導(dǎo)體裝置50的具體結(jié)構(gòu)為首先將多個(gè)半導(dǎo)體元件(第一半導(dǎo)體芯 片17以及第二半導(dǎo)體芯片20)重疊而內(nèi)置。參照?qǐng)D8 (A)及圖8 (B)， 第一半導(dǎo)體芯片17固定在第一島區(qū)域12的上表面上，第二半導(dǎo)體芯片20 固定在第二島區(qū)域13的下表面上。因此，第一半導(dǎo)體芯片17和第二半導(dǎo) 體芯片20在半導(dǎo)體裝置50的厚度方向上，其載置方向相反。參照?qǐng)D8(A)，固定在第一島區(qū)域12上表面的第一半導(dǎo)體芯片17經(jīng) 由金屬細(xì)線58與第一引線14的接合部14A的上表面連接。另外，固定在 第二島區(qū)域13下表面的第二半導(dǎo)體芯片20經(jīng)由金屬細(xì)線56與第二引線15 的接合部的下表面連接。在此，關(guān)于第一引線14和第二引線15,可以將二 者局部重疊而配置。由此，能夠縮小半導(dǎo)體裝置50的平面面積。參照?qǐng)D8 (B)，配置在第一島區(qū)域12上表面的第一半導(dǎo)體芯片不僅跨 越第一島區(qū)域12的上方，而且跨越至相鄰的第二島區(qū)域13的上方而重疊 配置。由此，能夠不限制第一島區(qū)域12的大小而配置大型的第一半導(dǎo)體芯 片17。在此，第一半導(dǎo)體芯片17的形狀呈橫向(島區(qū)域排列的方向)上具 有長(zhǎng)邊的長(zhǎng)方形。另外，第二半導(dǎo)體芯片20也同樣，固定在第二島區(qū)域13 下表面的第二半導(dǎo)體芯片20與第二島區(qū)域13及第一島區(qū)域12重疊而配置。 在此，無(wú)需使兩半導(dǎo)體芯片都跨越兩個(gè)島區(qū)域而配置，僅使某一個(gè)半導(dǎo)體 芯片跨越兩個(gè)島區(qū)域配置即可。另外，參照?qǐng)D8 (A)，第一引線14由上表面與金屬細(xì)線58連接的接 合部14A、與該接合部14A連接并朝向外側(cè)向下方傾斜的連接部52、從絕緣性樹脂40向外部露出且下表面位于絕緣性樹脂40下表面的同一平面上 的連接部31構(gòu)成。該結(jié)構(gòu)對(duì)于第二引線15也同樣，但在第二引線15中， 接合部的下表面與金屬細(xì)線連接。參照?qǐng)D8(B),設(shè)有從第一島區(qū)域12向外部導(dǎo)出的兩根引線54,并且 設(shè)有也從第二島區(qū)域13向外部導(dǎo)出的兩根引線54。在紙面上，從絕緣性樹 脂40的上側(cè)側(cè)邊導(dǎo)出的引線54、從下側(cè)側(cè)邊導(dǎo)出外部的第一引線14及第 二引線15上下對(duì)稱地配置。由此，能夠提高回流工序中半導(dǎo)體裝置50的 安裝性。參照?qǐng)D8 (C),第一島區(qū)域12和第二島區(qū)域13在厚度方向上錯(cuò)開而 配置，并且相對(duì)于厚度方向局部重疊。在此，第一島區(qū)域12在絕緣性樹脂 40的內(nèi)部稍稍靠上方配置。第二島區(qū)域13比第一島區(qū)域12更靠下方配置。 在此，二者可以部分重疊，也可以完全不重疊。在此，作為一例，第一島區(qū)域12及第二島區(qū)域13的厚度例如為0.5mm 左右。二者重疊的厚度L1比該厚度小、例如為0.2mm左右。第一島區(qū)域 12的下表面與第二半導(dǎo)體芯片20的上表面分離開的距離L2為0.3mm左右。 另外，第一半導(dǎo)體芯片17的下表面與第二島區(qū)域13的上表面分離開的距 離L3為0.3mm左右。通過(guò)使第一島區(qū)域12和第二島區(qū)域13在厚度方向上部分重疊，而能 夠在將半導(dǎo)體裝置50的厚度減薄的同時(shí)，確保島區(qū)域與半導(dǎo)體芯片的絕緣。半導(dǎo)體裝置50減薄島區(qū)域彼此在厚度方向上重疊的長(zhǎng)度量(Ll )。另外，在第一島區(qū)域12的上表面配置有第一半導(dǎo)體芯片17，背面及側(cè) 面通過(guò)將整體密封的絕緣性樹脂40覆蓋。另外，在第二島區(qū)域13的下表 面固定第二半導(dǎo)體芯片20，上表面以及側(cè)面由絕緣性樹脂40覆蓋。另夕卜， 通過(guò)將第一島區(qū)域12及第二島區(qū)域13錯(cuò)開配置，第一島區(qū)域12與第二島 區(qū)域20分離開，第二島區(qū)域13與第一半導(dǎo)體芯片17分離開。因此，即使 在小型的半導(dǎo)體裝置50中層積內(nèi)置比較大型的半導(dǎo)體芯片，也能夠防止半 導(dǎo)體芯片與島區(qū)域的短路。在本實(shí)施方式中，在第一島區(qū)域12的下表面與第二島區(qū)域20的上表 面的間隙、第二島區(qū)域13的上表面與第一半導(dǎo)體芯片17的下表面的間隙 中填充有絕緣性樹脂40。在此，若難以將含有填充劑的絕緣性樹脂40填充到該間隙中，則在樹脂密封工序之前，在該間隙中填充流動(dòng)性優(yōu)良的樹脂 材料(例如填充劑混入量較少的樹脂)即可。另外，也可以在上述間隙中 填充由環(huán)氧樹脂等構(gòu)成的粘接劑。參照?qǐng)D8(A),第一半導(dǎo)體芯片17例如是MOSFET,在上表面設(shè)有柵 極以及源極，背面構(gòu)成漏極。并且，上表面的電極(柵極和源極各自)經(jīng) 由金屬細(xì)線58分別與第一引線14連接，背面固定在第一島區(qū)域12的上表 面。另一方面，第二半導(dǎo)體芯片20例如是MOSFET,在紙面上，上表面的 漏極固定在第二島區(qū)域13的下表面。另外，第二半導(dǎo)體芯片20下表面的 電極經(jīng)由金屬細(xì)線56與第二引線15接合部的下表面連接。這些半導(dǎo)體芯 片若為背面流通過(guò)電流的結(jié)構(gòu)，則通過(guò)導(dǎo)電性粘接材料或共晶接合而固定 在各自要安裝的島區(qū)域的主表面上。另外，若這些半導(dǎo)體芯片的背面無(wú)需 導(dǎo)通，則也可以使用絕緣性的粘接劑將半導(dǎo)體芯片安裝在島區(qū)域上。參照?qǐng)D8(B),在本實(shí)施方式中，將半導(dǎo)體芯片的接合焊盤(電極) 與載置半導(dǎo)體芯片的島區(qū)域重疊設(shè)置。具體地，第一半導(dǎo)體芯片17的電極 60 (連接金屬細(xì)線58的位置)在平面上位于第一島區(qū)域12的內(nèi)部。由此， 在形成金屬細(xì)線58時(shí)，即使由接合工具對(duì)電極60施加接合能量(按壓力、 振動(dòng)力、加熱)，該部分的第一半導(dǎo)體芯片17也被第一島區(qū)域12牢固地支 承。因此，通過(guò)由接合工具施加的接合能量，能夠抑制第一半導(dǎo)體芯片17 被破壞的問(wèn)題。該情況在第二半導(dǎo)體芯片20也同樣，設(shè)于第二半導(dǎo)體芯片 20上的電極62與第二島區(qū)域13重疊而設(shè)置。作為在半導(dǎo)體裝置的內(nèi)部層積多個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法，有在一塊島區(qū) 域的上表面及下表面兩面上背靠背地層積兩個(gè)半導(dǎo)體芯片的方法。但是， 若為該方法，則層積的半導(dǎo)體芯片在需要將背面導(dǎo)通的情況下，二者會(huì)經(jīng) 由島區(qū)域而短路。在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D8(C),設(shè)置相互分離開的兩個(gè) 島區(qū)域，二者在厚度方向上錯(cuò)開而配置。由此，流過(guò)電流的一個(gè)島區(qū)域的 背面可與安裝在另一個(gè)島區(qū)域上的半導(dǎo)體芯片絕緣。通常，在半導(dǎo)體裝置中內(nèi)設(shè)兩個(gè)半導(dǎo)體芯片時(shí)，將各自的半導(dǎo)體芯片 載置在獨(dú)立的島區(qū)域上而將其層積。因此，兩個(gè)島區(qū)域以及半導(dǎo)體芯片在 厚度方向上層積，故不能夠避免層積所導(dǎo)致的厚度增加。在本實(shí)施方式中， 參照?qǐng)D8 (C),將固定各個(gè)半導(dǎo)體芯片的第一島區(qū)域12及第二島區(qū)域13 在厚度方向上重疊。由此，能夠抑制半導(dǎo)體芯片層積所導(dǎo)致的厚度增加， 將封裝的厚度減薄。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體裝置，其內(nèi)設(shè)有層積配置的第一半導(dǎo)體芯片及第二半導(dǎo)體芯片，其特征在于，所述第一半導(dǎo)體芯片固定在第一島區(qū)域的上表面，所述第二半導(dǎo)體芯片固定在第二島區(qū)域的下表面，所述第一島區(qū)域和所述第二島區(qū)域位于所述第一半導(dǎo)體芯片與所述第二半導(dǎo)體芯片之間且二者分開配置。
2. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一島區(qū)域和 所述第二島區(qū)域俯視看重疊配置，并且所述第一島區(qū)域的厚度與所述第二 島區(qū)域的厚度相加之后的長(zhǎng)度，比所述第 一半導(dǎo)體芯片的下表面與所述第 二半導(dǎo)體芯片的上表面分開的距離短。
3. 如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體裝置，其特征在于，所述第一島區(qū)域及 所述第二島區(qū)域俯視看配置在不同的位置，并且所述第一半導(dǎo)體芯片的下 表面與所述第二半導(dǎo)體芯片的上表面分開的距離，比所述第一島區(qū)域的厚 度與所述第二島區(qū)域的厚度相加之后的長(zhǎng)度短。
全文摘要
本發(fā)明在將多個(gè)半導(dǎo)體芯片安裝到引線架上的半導(dǎo)體裝置中，減小其平面尺寸及厚度而實(shí)現(xiàn)小型化。通過(guò)將第一島區(qū)域(12)的背面與第二島區(qū)域(13)的表面至少局部重疊而配置，使第一島區(qū)域上的第一半導(dǎo)體芯片與所述第二島區(qū)域背面的第二半導(dǎo)體芯片重疊。因此，能夠?qū)⑵矫娴恼加忻娣e減小到比兩芯片的平面面積小。另外，與第二半導(dǎo)體芯片(20)連接的金屬細(xì)線由于向背側(cè)延伸，故能夠?qū)雽?dǎo)體裝置的厚度也減薄。
文檔編號(hào)H01L25/07GK101257008SQ200710161810
公開日2008年9月3日 申請(qǐng)日期2007年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2007年2月28日
發(fā)明者豬爪秀行, 福田浩和 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社