專利名稱：溝槽式功率金氧半晶體管及其制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明為一種溝槽式功率金氧半晶體管及其制作方法，尤指具有 汲極與源極皆位于基板之上之結(jié)構(gòu)，并且閘極位于汲極與源極之間溝 槽內(nèi)之溝槽式功率金氧半晶體管及其制作方法。
背景技術(shù)：
第一圖為習(xí)用的溝槽式功率晶體管結(jié)構(gòu)剖面圖，其中包含了源極
11、閘極12、 N型重?fù)诫s半導(dǎo)體13、 P型摻雜半導(dǎo)體14、 N型淡摻 雜半導(dǎo)體15、 N型重?fù)诫s半導(dǎo)體16、汲極17及溝槽18。
習(xí)用的高壓組件，例如雙重擴(kuò)散汲極金氧半晶體管(Double Diffusion Drain Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, DDDMOSFET)及橫向擴(kuò)散金氧半晶體管(Lateral Diffusion
具有較大的結(jié)構(gòu)并不適合應(yīng)用于功率晶體管(Power MOS)。因此，習(xí) 用功率晶體管(Power MOS)的制作方法，主要采用具有較小結(jié)構(gòu)的溝 槽式功率晶體管(TrenchPowerMOSFET)。在習(xí)用的溝槽式功率晶體管 結(jié)構(gòu)當(dāng)中，源極11是位于結(jié)構(gòu)的上方。結(jié)構(gòu)本體具有一個溝槽18， 閘極12即位于溝槽18當(dāng)中。另外，在溝槽18的二側(cè)具有N型重?fù)?雜半導(dǎo)體13; N型重?fù)诫s半導(dǎo)體13的下方為P型摻雜半導(dǎo)體14。 于P型摻雜半導(dǎo)體14及溝槽18下方的部份為N型淡摻雜半導(dǎo)體15，
N型淡摻雜半導(dǎo)體15主要用來提升晶體管的崩潰電壓。最下方的部
份為N型重?fù)诫s半導(dǎo)體16,汲極17即位于芯片的底部。
習(xí)用的溝槽式功率晶體管由于本體結(jié)構(gòu)較為特殊，必須使用成本 較高的磊晶來制作。另一方面，習(xí)用的溝槽式功率晶體管結(jié)構(gòu)，受限 于本身結(jié)構(gòu)的影響，溝槽必須具有較深的深度，使得通道長度提高， 造成每個組件的電流減少，致使可靠度降低。
習(xí)用的溝槽式功率晶體管，具有以下缺點(diǎn)
1. 習(xí)用的溝槽式功率晶體管，必須使用成本較高的磊晶來進(jìn)行 制作，增加制作所需的成本。
2. 習(xí)用的溝槽式功率晶體管，具有較長的通道長度，使得每個 組件的電流減少，造成可靠度降低。
因此，如何改進(jìn)上述習(xí)用的缺點(diǎn)，有效降低制作所需的成本并且 提升功率晶體管的可靠度，系為本發(fā)明所關(guān)注者。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提出一新穎且進(jìn)步的溝槽式功率金氧半晶體 管及其制作方法，利用將汲極與源極置于基板上，且于汲極與源極之 間采用溝槽式結(jié)構(gòu)，并將閘極設(shè)計于溝槽當(dāng)中，使其具有較佳的可靠 度，并能以一般晶圓材料進(jìn)行制作，有效降低制作所需的成本。
為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種溝槽式功率金氧半晶體管，具有 一閘極、 一汲極、 一源極及一基板，其剖面結(jié)構(gòu)包含
一第一摻雜型半導(dǎo)體，系形成該基板，并具一溝槽；
二第二摻雜型半導(dǎo)體，系位于該基板上，并于該溝槽之一側(cè)形成
該汲極；于該溝槽之另一側(cè)形成該源極；該溝漕系由該汲極及該源極 之間向下延伸至該基板之中；
一氧化層，系位于該溝槽內(nèi)壁表面，并沿著該溝槽內(nèi)壁表面由該 汲極及該源極之間向下延伸至該基板；
一多晶硅層，系位于該溝槽內(nèi)，包覆于該氧化層之中，并形成該 閘極。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該第一摻雜型半導(dǎo)體系 為一P型摻雜半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體 系為N型摻雜半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體 之一系為一淡摻雜型半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體 之一系為一重?fù)诫s型半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中介于該汲極與該閘極間 之該氧化層系與介于該源極與該閘極間之該氧化層具有相同之厚度。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中介于該汲極與該閘極間 之該氧化層系厚于介于該源極與該閘極間之該氧化層。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該汲極系與該源極具有 相同之深度。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該汲極之深度系深于該 源極之深度。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中更包含一淺溝槽絕緣
(STI)，該淺溝槽絕緣系位于該汲極與該閘極之間。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其系為一平面溝槽式功率晶
體管(Ha認(rèn)r Trench MOS)。
一種溝槽式功率金氧半晶體管，具有一閘極、 一汲極、 一源極及 一基板，其俯視結(jié)構(gòu)包含
一溝槽區(qū)，系包含一氧化層，該氧化層系將一多晶硅層包覆于其 中，該多晶硅層系形成該閘極；該氧化層更覆蓋一第一摻雜型半導(dǎo)體 區(qū)，該第一摻雜型半導(dǎo)體區(qū)系形成該基板；
二第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)，系于該溝槽區(qū)之二側(cè)，并于一側(cè)形成該汲極； 于另一側(cè)形成該源極，并覆蓋該基板。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該第一摻雜型半導(dǎo)體區(qū) 系包含一P型摻雜半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體 區(qū)系包含N型摻雜半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體 區(qū)之一系包含一淡摻雜型半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體 區(qū)之一系包含一重?fù)诫s型半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其中更包含一淺溝槽絕緣
(STI)區(qū)，該淺溝槽絕緣區(qū)系位于該汲極與該閘極之間，并覆蓋于該 氧化層之內(nèi)。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其系為一平面溝槽式功率晶
體管(Planner Trench M〇S)
一種溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，包含下列步驟 提供一第一摻雜型半導(dǎo)體，并形成一基板； 于該基板上形成一第一氧化層；
于該基板上定義一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并形成一汲極；
于該第一氧化層上形成一硬光罩；
于該硬光罩上定義一溝槽區(qū)域；
于該基板上形成一溝槽；
于該溝槽內(nèi)壁表面形成一第二氧化層；
于該溝槽內(nèi)形成一多晶硅層，藉以形成一閘極；
覆蓋一第三氧化層于該溝槽內(nèi)之該多晶硅層上；
定義一另一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并形成一源極。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中該第一摻雜型 半導(dǎo)體系為一 P型摻雜半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中該第二摻雜型 半導(dǎo)體系為N型摻雜半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中該另一第二摻 雜型半導(dǎo)體系為N型摻雜半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中該第二摻雜型 半導(dǎo)體系為一淡摻雜型半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中該另一第二摻
雜型半導(dǎo)體系為一重?fù)诫s型半導(dǎo)體。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中更包含一步驟
:于該多晶硅層定義一淺溝槽絕緣(STI)區(qū)域，并形成該淺溝槽絕緣。 如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中定義該第二摻
雜型半導(dǎo)體區(qū)域系利用一光罩定義之。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中該硬光罩系包
含一氮化層、 一摻硼玻璃層及一第二多晶硅層。
如所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其中定義該溝槽區(qū)
域系于該硬光罩上利用一光罩定義之。
本發(fā)明具有下列優(yōu)點(diǎn)
1. 本發(fā)明所提出的溝槽式功率金氧半晶體管，其體積大小與習(xí) 用的溝槽式功率金氧半晶體管相似。
2. 本發(fā)明所提出的溝槽式功率金氧半晶體管，具有較佳的可靠 度。
3. 本發(fā)明所提出的溝槽式功率金氧半晶體管，各個組件能具有 較高的電流。
4. 本發(fā)明所提出的溝槽式功率金氧半晶體管，具有淺溝槽絕緣 結(jié)構(gòu)，能產(chǎn)生較高的崩潰電壓。
5. 本發(fā)明所提出的溝槽式功率金氧半晶體管，可用一般的晶圓 材料進(jìn)行制作，有效降低制作所需的成本。
具體實(shí)施例方式
第二圖(A)(B)(C)為本發(fā)明較佳實(shí)施例之溝槽式功率金氧半晶體 管結(jié)構(gòu)剖面圖，其中包含了汲極接點(diǎn)孔21、汲極22、淺溝槽絕緣23、 基板24、溝槽25、氧化層26、閘極27、源極接點(diǎn)孔28及源極29。
不同于習(xí)用的溝槽式功率金氧半晶體管，在本發(fā)明所提出的溝槽 式功率金氧半晶體管的剖面結(jié)構(gòu)當(dāng)中，汲極22與源極29皆位于P型 摻雜半導(dǎo)體所形成的基板24之上方，而溝槽25是位于汲極22與源 極29之間。汲極22與源極29之結(jié)構(gòu)是采用雙重擴(kuò)散之方式，汲極 22是由N型淡摻雜半導(dǎo)體所構(gòu)成，采用淡摻雜可用來增加接面崩潰 電壓；而源極29則是由N型重?fù)诫s半導(dǎo)體所構(gòu)成，采用重?fù)诫s可用 以減低源極的阻值。在溝槽25當(dāng)中，溝槽25的內(nèi)壁表面覆蓋了一層 氧化層26，氧化層26之中包覆了一層多晶硅層，閘極27就是由此多 晶硅層所構(gòu)成。在閘極27與汲極22之間的氧化層26，具有較寬的厚 度，形成一淺溝槽絕緣23(STI)。淺溝槽絕緣23的用途最主要是用來 避免高壓區(qū)的汲極22對閘極27周圍的氧化層26造成崩潰現(xiàn)象。
第三圖為本發(fā)明較佳實(shí)施例之溝槽式功率金氧半晶體管結(jié)構(gòu)俯 視圖，其中包含了第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)31、第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)32 及溝槽區(qū)33。
在本發(fā)明所提出的溝槽式功率金氧半晶體管的俯視結(jié)構(gòu)中，源極 系位于第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)31;汲極系位于第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)32， 源極與汲極皆覆蓋在一基板之上，并且彼此之間存在一溝槽區(qū)33。 溝槽區(qū)33中系包含一氧化層，并且在氧化層底下覆蓋一多晶硅層， 該多晶硅層系形成一閘極。多晶硅層同樣覆蓋在該基板之上。
第四圖為本發(fā)明較佳實(shí)施例之溝槽式功率金氧半晶體管制作流
程圖，其中包含了下列步驟
步驟41 :提供一第一摻雜型半導(dǎo)體，并形成一基板；
步驟42 :于該基板上形成一第一氧化層；
步驟43 :于該基板上定義一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并形成一 汲極；
步驟44 :于該第一氧化層上形成一硬光罩；
步驟45 :于該硬光罩上定義一溝槽區(qū)域；
步驟46 :于該基板上形成一溝槽；
步驟47 :于該溝槽內(nèi)壁表面形成一第二氧化層；
步驟48 :于該溝槽內(nèi)形成一多晶硅層，藉以形成一閘極；
步驟49 :于該多晶硅層定義一淺溝槽絕緣區(qū)域，并形成該淺溝
步驟410 :覆蓋一第三氧化層于該溝槽內(nèi)之該多晶硅層上； 步驟411 :定義一另一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并形成一源極。
第五圖為本發(fā)明較佳實(shí)施例之溝槽式功率金氧半晶體管制作流 程分解示意圖，其中包含了基板51、第一氧化層52、汲極53、硬光 罩54、氮化層541、摻硼玻璃層542、第二多晶硅層543、溝槽55、 第二氧化層56、閘極57、淺溝槽絕緣58、源極59及金屬層510。
本發(fā)明所提出的溝槽式功率金氧半晶體管，其制作方法首先于步 驟41提供一第一摻雜型半導(dǎo)體，該第一摻雜型半導(dǎo)體系為一 P型摻雜半導(dǎo)體，并形成一基板51。接著，在步驟42于該基板上形成一第 一氧化層52。當(dāng)?shù)谝谎趸瘜?2產(chǎn)生后，在步驟43中，于該基板上， 利用光罩定義一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并藉由高溫雙重擴(kuò)散摻雜方 式在該區(qū)域形成一汲極53。其中，該第二摻雜型半導(dǎo)體系為N型淡 摻雜半導(dǎo)體。在N型淡慘雜半導(dǎo)體于基板上形成后，接著在步驟44 當(dāng)中，于該第一氧化層上形成一硬光罩54。硬光罩系由一氮化層541、 一摻硼玻璃層542及一第二多晶硅層543所構(gòu)成。第一氧化層之上為 氮化層541，氮化層541之上為摻硼玻璃層542，最上方為第二多晶 硅層543。在步驟45當(dāng)中，先于該硬光罩54上定義一溝槽55區(qū)域； 再于步驟46于該基板上形成一溝槽55。當(dāng)溝槽55形成后，在步驟 47中，于該溝槽內(nèi)壁表面形成一第二氧化層56。接著，在步驟48中 于該溝槽內(nèi)形成一多晶硅層，且在步驟49于該多晶硅層利用摻硼玻 璃定義一淺溝槽絕緣58區(qū)域。而后于步驟410覆蓋一第三氧化層于 該溝槽內(nèi)之該多晶硅層上，并形成該淺溝槽絕緣58。再于步驟411 定義一另一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并形成該源極59。其中，該另 一第二摻雜型半導(dǎo)體系為一 N型重?fù)诫s型半導(dǎo)體。最后于上層表面 形成一金屬層510，再從第二摻雜型半導(dǎo)體拉出一汲極接點(diǎn)、從多晶 硅層拉出一閘極接點(diǎn)以及從另一第二摻雜型半導(dǎo)體拉出一源極接點(diǎn)。
綜上所述，本發(fā)明所提的溝槽式功率金氧半晶體管，利用將汲極 與源極置于基板上，且于汲極與源極之間，采用溝槽式結(jié)構(gòu)，并將閘 極設(shè)計于該溝槽當(dāng)中，不僅具有較佳的可靠度，更能有效降低制作成 本，進(jìn)步新穎且實(shí)用，如其變更設(shè)計，例如不具淺溝槽絕緣(STI)結(jié)構(gòu)、
利用其它流程制作本發(fā)明所提之晶體管結(jié)構(gòu)或利用不同材料進(jìn)行制 作等，只要是具有汲極與源極皆位于基板之上，并于汲極與源極之間 具有溝槽結(jié)構(gòu)，且閘極位于溝槽內(nèi)的，都為本發(fā)明所保護(hù)的范圍。
權(quán)利要求
1.一種溝槽式功率金氧半晶體管，具有一閘極、一汲極、一源極及一基板，其特征為其剖面結(jié)構(gòu)包含一第一摻雜型半導(dǎo)體，形成該基板，并具一溝槽；二第二摻雜型半導(dǎo)體，位于該基板上，并于該溝槽之一側(cè)形成該汲極；于該溝槽之另一側(cè)形成該源極；該溝漕系由該汲極及該源極之間向下延伸至該基板之中；一氧化層，位于該溝槽內(nèi)壁表面，并沿著該溝槽內(nèi)壁表面由該汲極及該源極之間向下延伸至該基板；一多晶硅層，系位于該溝槽內(nèi)，包覆于該氧化層之中，并形成該閘極。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為 其中該第一摻雜型半導(dǎo)體為一 P型摻雜半導(dǎo)體。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為 其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體為一 N型摻雜半導(dǎo)體。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為-其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體之一為一淡摻雜型半導(dǎo)體。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為 其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體之一為一重?fù)诫s型半導(dǎo)體。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為 其中介于該汲極與該閘極間之該氧化層與介于該源極與該閘極間的 該氧化層具有相同的厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為:其中介于該汲極與該閘極間的該氧化層厚于介于該源極與該閘極間 的該氧化層。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為: 其中該汲極與該源極具有相同的深度。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為-其中該汲極的深度深于該源極之深度。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為-其中更包含一淺溝槽絕緣，該淺溝槽絕緣位于該汲極與該閘極之間。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為 其為一平面溝槽式功率晶體管。
12. —種溝槽式功率金氧半晶體管，具有一閘極、 一汲極、 一源極及一基板，其特征為其俯視結(jié)構(gòu)包含一溝槽區(qū)，系包含一氧化層，該氧化層系將一多晶硅層包覆于其中，該多晶硅層系形成該閘極；該氧化層更覆蓋一第一摻雜型半導(dǎo)體 區(qū)，該第一摻雜型半導(dǎo)體區(qū)系形成該基板；二第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)，位于該溝槽區(qū)的二側(cè)，并于一側(cè)形成該 汲極；于另一側(cè)形成該源極，并覆蓋該基板。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征 為其中該第一摻雜型半導(dǎo)體區(qū)包含一P型摻雜半導(dǎo)體。
14. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)包含N型摻雜半導(dǎo)體。
15. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)之一包含一淡摻雜型半導(dǎo)體。
16. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征 為其中該二第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)之一包含一重?fù)诫s型半導(dǎo)體。
17. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為其中更包含一淺溝槽絕緣區(qū)，該淺溝槽絕緣區(qū)位于該汲極與該閘極之間，并覆蓋于該氧化層之內(nèi)。
18. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的溝槽式功率金氧半晶體管，其特征為其為一平面溝槽式功率晶體管。
19. 一種溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為包含下列步驟提供一第一摻雜型半導(dǎo)體，并形成一基板； 于該基板上形成一第一氧化層；于該基板上定義一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并形成一汲極；于該第一氧化層上形成一硬光罩；于該硬光罩上定義一溝槽區(qū)域；于該基板上形成一溝槽；于該溝槽內(nèi)壁表面形成一第二氧化層；于該溝槽內(nèi)形成一多晶硅層，藉以形成一閘極；覆蓋一第三氧化層于該溝槽內(nèi)之該多晶硅層上；定義一另一第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域，并形成一源極。
20. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中該第一摻雜型半導(dǎo)體為一P型摻雜半導(dǎo)體。
21. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法， 其特征為其中該第二摻雜型半導(dǎo)體為一N型摻雜半導(dǎo)體。
22. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中該另一第二摻雜型半導(dǎo)體為一N型摻雜半導(dǎo)體。
23. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中該第二摻雜型半導(dǎo)體為一淡摻雜型半導(dǎo)體。
24. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中該另一第二摻雜型半導(dǎo)體為一重?fù)诫s型半導(dǎo)體。
25. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中更包含一步驟于該多晶硅層定義一淺溝槽絕緣區(qū)域，并形成該淺溝槽絕緣。
26. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中定義該第二摻雜型半導(dǎo)體區(qū)域?yàn)槔靡还庹侄x之。
27. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中該硬光罩包含一氮化層、 一摻硼玻璃層及一第二多晶硅層。
28. 根據(jù)權(quán)利要求19所述的溝槽式功率金氧半晶體管制作方法，其特征為其中定義該溝槽區(qū)域?yàn)橛谠撚补庹稚侠靡还庹侄x之。
全文摘要
本發(fā)明為一種溝槽式功率金氧半晶體管，具有一閘極、一汲極、一源極及一基板，其剖面結(jié)構(gòu)包含一第一摻雜型半導(dǎo)體，系形成該基板，并具一溝槽；二第二摻雜型半導(dǎo)體，系位于該基板上，并于該溝槽之一側(cè)形成該汲極；于該溝槽之另一側(cè)形成該源極；該溝漕系由該汲極及該源極之間向下延伸至該基板之中；一氧化層，系位于該溝槽內(nèi)壁表面，并沿著該溝槽內(nèi)壁表面由該汲極及該源極之間向下延伸至該基板；一多晶硅層，系位于該溝槽內(nèi)，包覆于該氧化層之中，并形成該閘極。
文檔編號H01L21/336GK101364610SQ20071014043
公開日2009年2月11日 申請日期2007年8月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年8月10日
發(fā)明者銘 湯, 焦世平 申請人:力芯科技股份有限公司