專利名稱：帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及有機(jī)電致發(fā)光器件，更具體的說，本發(fā)明涉及包含靜電防護(hù)結(jié)構(gòu) 的有機(jī)電致發(fā)光器件。
背景技術(shù)：
有機(jī)發(fā)光顯示器件(OLED)具有自發(fā)光、高亮度、廣視角、高對比、低耗 電、響應(yīng)速度快、操作溫度范圍廣、發(fā)光效率高、工藝簡單等優(yōu)異特性，使得其 產(chǎn)品技術(shù)發(fā)展廣受全世界關(guān)注。目前OLED產(chǎn)品在制作和使用過程中容易產(chǎn)生不亮點(diǎn)甚至不亮線，引起不 亮點(diǎn)或不亮線的原因有多種，其中靜電擊穿是產(chǎn)品整個壽命中都存在的問題，籍 由信號線傳遞或人手接觸等原因容易使靜電傳遞至OLED器件內(nèi)部，從而造成 內(nèi)部OLED器件產(chǎn)生不亮點(diǎn)或不亮線，甚至器件的損壞，因此對有機(jī)電致發(fā)光 顯示器件外部周圍產(chǎn)生的靜電進(jìn)行隔離和防護(hù)，可以有效提高有機(jī)電致發(fā)光器件 產(chǎn)品良率和壽命。在有記載的現(xiàn)有技術(shù)中有在器件基板的里面?zhèn)仍O(shè)置防靜電干擾膜，或者使用 事先設(shè)置了防靜電干擾膜的基板，雖然對靜電防護(hù)都有一定的作用，但是在前者 的方法中，制備時必須考慮防止已經(jīng)設(shè)置的防靜電干擾膜產(chǎn)生破損，增加制造難 度，而后者的方法很容易因防靜電干擾膜成膜時的損傷等造成器件的破損或劣 化，從而降低成品率。另外業(yè)者也有通過在有機(jī)發(fā)光器件基板的外表面設(shè)置防靜 電部件來提高器件的防靜電能力，雖然具有較好的靜電防護(hù)效果，但是需要單獨(dú) 制備防靜電部件，使得制備工藝復(fù)雜，同時也增加了制造成本。技術(shù)內(nèi)容本發(fā)明的目的在于提供一種結(jié)構(gòu)簡單、制備方便的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī) 電致發(fā)光器件，以解決現(xiàn)有技術(shù)中由于靜電效應(yīng)對有機(jī)電致發(fā)光器件造成破壞而 影響產(chǎn)品良率和使用壽命的問題。
本發(fā)明的另一個目的在于提供一種上述帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光 器件的制備方法。本發(fā)明的上述目的是通過如下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)的一種帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、位于基板上的有機(jī) 電致發(fā)光組件及靜電防護(hù)部件，其特征在于，所述靜電防護(hù)部件為一設(shè)置在基板 邊緣，包圍所述有機(jī)電致發(fā)光組件的非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層，并且非封閉環(huán)狀 結(jié)構(gòu)的兩端分別終止在基板上引線邦定區(qū)域的兩端。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為具有一定寬度連續(xù) 設(shè)置的環(huán)狀金屬層或金屬氧化物層。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為一組連續(xù)設(shè)置的具 有一定間隔的環(huán)狀金屬線條或金屬氧化物線條。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件中，導(dǎo)電層為低電阻金屬層或低電阻金屬氧化物 層，例如金屬可以是Cr、 Mo、 MoAlMo、 Ag或Cu，金屬氧化物可以是氧化銦 錫(ITO)、氧化鋅錫等。上述帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于在基板 上制備陽極層或輔助電極層的同時，在基板的邊緣制備靜電防護(hù)部件，所述靜電 防護(hù)部件為非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層，并且非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的兩端分別終止在基 板上引線邦定區(qū)域的兩端。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，導(dǎo)電層為金屬層或金屬氧化物層。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，陽極層或輔助電極層和非封閉環(huán)狀 結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層均采用刻蝕的方法制備。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，可以在基板上采用刻蝕的方法制備 輔助電極層的同時，同樣采用刻蝕的方法制備非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬層，并且輔 助電極金屬層與非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬層為同一種金屬，例如可以為金屬Cr等。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，可以在基板上采用刻蝕的方法制備陽極層的同時，同樣采用刻蝕的方法制備非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬氧化物層，并且 陽極層與非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬氧化物層為同一種金屬氧化物，例如可以為氧化銦錫(ITO)。在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為具有一
定寬度連續(xù)設(shè)置的環(huán)狀金屬層或金屬氧化物層。
在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為一組連 續(xù)設(shè)置的具有一定間隔的環(huán)狀金屬線條或金屬氧化物線條。
在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法中，導(dǎo)電層為低電阻金屬層或低電阻金 屬氧化物層。


圖1本發(fā)明帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖 01基板，02發(fā)光區(qū)，03電極引線，04邦定區(qū)，05靜電防護(hù)部件(金屬層)
圖2本發(fā)明帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件另一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)圖01基板，02發(fā)光區(qū)，03電極引線，04邦定區(qū)，06靜電防護(hù)部件(金屬 線條組)具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明作進(jìn)一步的詳細(xì)說明。 如圖1所示是本發(fā)明帶有靜電防護(hù)部件的有機(jī)電致發(fā)光器件第一種實(shí)施方 式的結(jié)構(gòu)俯視圖，基板01上設(shè)有發(fā)光區(qū)02，電極引線區(qū)03，引線邦定區(qū)04及 靜電防護(hù)部件05，在本實(shí)施例中靜龜防護(hù)部件05為一非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬層， 由圖l可以看出，該金屬層具有一定的寬度連續(xù)設(shè)置，位于基板01邊緣，包圍 有機(jī)電致發(fā)光器件的發(fā)光組件，如圖所示發(fā)光區(qū)02及電極引線區(qū)03都位于環(huán)狀 金屬層的05的內(nèi)部，并且環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬層的兩端分別終止在基板01上引線邦 定區(qū)04的兩端，從而形成非封閉結(jié)構(gòu)。
在上述有機(jī)電致發(fā)光器件的制作中，使用的基板通常為玻璃單側(cè)表面濺射一 層透明電極，例如通常采用ITO電極，再濺射一層輔助電極，可以選擇Cr、 Mo、 MoAlMo， Ag、 Cu等金屬作為輔助電極，根據(jù)輔助電極圖形和靜電防護(hù)金屬層 圖形制備好所需的掩膜板，通過掩膜板刻蝕輔助電極圖形，同時刻蝕非封閉環(huán)狀 結(jié)構(gòu)的靜電防護(hù)金屬層圖形，如圖1中金屬層05所示，此情況下金屬層的金屬
與輔助電極金屬為同一種金屬，之后再通過透明電極所需的掩膜板刻蝕出透明電 極圖形，完成電極引線的制備。如果ITO電極上不設(shè)置輔助電極，則在刻蝕透 明電極圖形的同時，完成靜電防護(hù)金屬氧化物層圖形的刻蝕，只需進(jìn)行一次刻蝕， 此時金屬氧化物層材料與透明電極材料相同，均為ITO。之后在上述透明電極ITO上繼續(xù)蒸鍍有機(jī)功能層和陰極層，從而完成器件 制備。也可以在沒有輔助電極的情況下，直接根據(jù)ITO電極圖形和靜電防護(hù)層圖 形制備所需的掩膜板，通過掩膜板刻蝕ITO圖形，同時刻蝕靜電防護(hù)層圖形， 此情況下，靜電防護(hù)層與ITO電極為同一金屬氧化物。當(dāng)外界設(shè)備、人手或其他物體接觸屏體時，尤其是接觸到基板上的非引線區(qū) 域，即基板01的邊緣，如果有兩個或兩個以上的接觸點(diǎn)，并且接觸點(diǎn)之間存在 電勢差，電荷就會通過屏體瀉放。本實(shí)施例中在基板Ol邊緣發(fā)光區(qū)域及引線區(qū) 域外設(shè)置非封閉的環(huán)狀金屬層或金屬氧化物層作為靜電防護(hù)部件，由于金屬層或 金屬氧化物層為低電阻層，電荷一般會沿著電阻較小的電路轉(zhuǎn)移，所以可以強(qiáng)制 電荷不經(jīng)過發(fā)光像素區(qū)域，而是通過該金屬層或金屬氧化物層轉(zhuǎn)移并釋放掉，從 而避免發(fā)光像素被擊穿而形成不亮點(diǎn)或不亮線。同時由于基板Ol上引線邦定區(qū) 域04在完成邦定后被密封在器件內(nèi)部，不會受到外部靜電的干擾，所以作為靜 電防護(hù)部件的金屬層05為非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)，環(huán)狀結(jié)構(gòu)的兩端分別終止在基板01 上引線邦定區(qū)域04的兩端。*本發(fā)明中有機(jī)電致發(fā)光器件的靜電防護(hù)部件不需要單獨(dú)設(shè)置，直接設(shè)置在基 板上，在制備透明電極ITO或輔助電極的同時完成該部件的制備，在節(jié)省成本 的同時也使得制備更加簡單方便。參照圖2是本發(fā)明帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件另一種實(shí)施方式 的結(jié)構(gòu)俯視圖，其原理與制備方法同第一種實(shí)施方式，區(qū)別之處僅在于本實(shí)施方 式中作為靜電防護(hù)部件的金屬層的形狀不是具有一定寬度連續(xù)設(shè)置的環(huán)形層狀 結(jié)構(gòu)，而是由一組連續(xù)設(shè)置的具有一定間隔的環(huán)狀金屬線條06組成，環(huán)狀金屬 線條06也是非封閉結(jié)構(gòu)，其兩端分別終止在基板01上引線邦定區(qū)域04的兩端， 非封閉的環(huán)狀金屬線條的作用也是轉(zhuǎn)移電荷，釋放靜電，避免電荷擊穿像素點(diǎn)。 本實(shí)施方式的有機(jī)電致發(fā)光器件在制備時與第一種實(shí)施方式的區(qū)別僅在于制備防靜電金屬線條所需掩膜板的不同。本發(fā)明還可以有其它多種實(shí)施方式，例如所述靜電防護(hù)部件的金屬層還可以 是非封閉環(huán)形的網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)或其它有利于電荷傳輸?shù)慕Y(jié)構(gòu)，在不背離本發(fā)明精神及 其實(shí)質(zhì)的情況下，熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以根據(jù)本發(fā)明做出各種相應(yīng)的改變和 變形，這些相應(yīng)的改變和變形都應(yīng)屬于本發(fā)明所公開的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1、一種帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、位于基板上的有機(jī)電致發(fā)光組件及靜電防護(hù)部件，其特征在于，所述靜電防護(hù)部件為一設(shè)置在基板邊緣，包圍所述有機(jī)電致發(fā)光組件的非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層，并且非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的兩端分別終止在基板上引線邦定區(qū)域的兩端。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所述非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為具有一定寬度連續(xù)設(shè)置的環(huán)狀金屬層或金屬氧 化物層。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于，所 述非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為一組連續(xù)設(shè)置的具有一定間隔的環(huán)狀金屬線條 或金屬氧化物線條。
4、 根據(jù)權(quán)利要求2或3的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，其特征在于 所述導(dǎo)電層為低電阻金屬層或低電阻金屬氧化物層。
5、 一種帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特征在于在基板 上制備陽極層或輔助電極層的同時，在基板的邊緣制備靜電防護(hù)部件，所述 靜電防護(hù)部件為非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層，并且非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的兩端分別 終止在基板上引線邦定區(qū)域的兩端。
6、 根據(jù)權(quán)利要求5的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特 征在于所述導(dǎo)電層為金屬層或金屬氧化物層。
7、 根據(jù)權(quán)利要求6的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特 征在于所述陽極層或輔助電極層和非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層均采用刻蝕的方 法制備。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特 征在于采用刻蝕的方法在基板上制備輔助電極層的同時制備非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu) 的金屬層，并且所述輔助電極金屬層與非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬層為同一種金 屬。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法，其特 征在于采用刻蝕的方法在基板上制備陽極層的同時制備非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金 屬氧化物層，并且所述陽極層與非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的金屬氧化物層為同一種金 屬氧化物。
10、 根據(jù)權(quán)利要求6的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法， 其特征在于所述非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為具有一定寬度連續(xù)設(shè)置的環(huán)狀金 屬層或金屬氧化物層。
11、 根據(jù)權(quán)利要求6的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法， 其特征在于所述非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層為一組連續(xù)設(shè)置的具有一定間隔的 環(huán)狀金屬線條或金屬氧化物線條。
12、 根據(jù)權(quán)利要求6的帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法， 其特征在于所述導(dǎo)電層為低電阻金屬層或低電阻金屬氧化物層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件，包括基板、位于基板上的有機(jī)電致發(fā)光組件及靜電防護(hù)部件，其特征在于，所述靜電防護(hù)部件為一設(shè)置在基板邊緣，包圍所述有機(jī)電致發(fā)光組件的非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層，并且非封閉環(huán)狀結(jié)構(gòu)的兩端分別終止在基板上引線邦定區(qū)域的兩端。本發(fā)明還涉及上述帶有靜電防護(hù)結(jié)構(gòu)的有機(jī)電致發(fā)光器件的制備方法。本發(fā)明有機(jī)電致發(fā)光器件中的靜電防護(hù)部件在具有很好的防靜電效果的同時具有制備簡單方便，節(jié)省成本等特點(diǎn)。
文檔編號H01L51/56GK101127388SQ200710122039
公開日2008年2月20日 申請日期2007年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年9月20日
發(fā)明者張德強(qiáng), 粵 徐, 勇 邱 申請人:清華大學(xué);北京維信諾科技有限公司;昆山維信諾顯示技術(shù)有限公司