專利名稱：具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封裝方法及其封裝結(jié)構的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管的封裝方法及其封裝結(jié)構，尤其涉及
一種具高效率發(fā)光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的
發(fā)光二極管的封裝方法及其封裝結(jié)構。
背景技術：
請參閱圖1所示，為已知的發(fā)光二極管的第一種封裝方法的流程 圖。由流程圖中可知，已知發(fā)光二極管的第一種封裝方法，其步驟包 括首先，提供多個封裝完成的發(fā)光二極管(packaged LED) (S800); 接著，提供一條狀基板本體(stripped substrate body)，其上具有一正 極導電軌跡(positive electrode trace)與一負極導電軌跡(negative electrode trace) (S802);最后，依序?qū)⒚恳粋€封裝完成的發(fā)光二極 管(packaged LED)設置在該條狀基板本體上，并將每一個封裝完成 的發(fā)光二極管(packaged LED)的正、負極端分別電性連接于該條狀 基板本體的正、負極導電軌跡(S804)。
請參閱圖2所示，為已知的發(fā)光二極管的第二種封裝方法的流程 圖。由流程圖中可知，已知發(fā)光二極管的第二種封裝方法，其步驟包 括首先，提供一條狀基板本體(stripped substrate body)，其上具有 一正極導電軌跡(positive electrode trace)與一負極導電軌跡(negative electrode trace) (S900);接著，依序?qū)⒍鄠€發(fā)光二極管芯片(LED chip) 設置于該條狀基板本體上，并且將每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極 端分別電性連接于該條狀基板本體的正、負極導電軌跡(S902);最 后，將一條狀封裝膠體(stripped package colloid)覆蓋于該條狀基板本 體及這些發(fā)光二極管芯片上，以形成一帶有條狀發(fā)光區(qū)域(stripped light-emitting area)的光棒(light bar) (S904)。然而，關于上述己知發(fā)光二極管的第一種封裝方法，由于每一顆
封裝完成的發(fā)光二極管(packaged LED)必須先從一整塊發(fā)光二極管 封裝切割下來，然后再以表面粘著技術(SMT)制程，將每一顆封裝 完成的發(fā)光二極管(packaged LED)設置于該條狀基板本體上，因此 無法有效縮短其制程時間，再者，發(fā)光時，這些封裝完成的發(fā)光二極 管(packaged LED)之間會有暗帶(dark band)現(xiàn)象存在，對于使用 者視線仍然產(chǎn)生不佳效果。
另外，關于上述已知發(fā)光二極管的第二種封裝方法，由于所完成 的光棒帶有條狀發(fā)光區(qū)域，因此第二種封裝方法將不會產(chǎn)生暗帶(dark band)的問題。然而，因為該條狀封裝膠體(stripped package colloid) 被激發(fā)的區(qū)域不均，因而使得光棒的光效率不佳(亦即，靠近發(fā)光二 極管芯片的封裝膠體區(qū)域會產(chǎn)生較強的激發(fā)光源，而遠離發(fā)光二極管 芯片的封裝膠體區(qū)域則產(chǎn)生較弱的激發(fā)光源)。
請參閱圖3所示，為已知的發(fā)光二極管應用于側(cè)向發(fā)光的示意圖。 由圖中可知，當已知的發(fā)光二極管芯片D應用于側(cè)向發(fā)光時(例如 使用于筆記本電腦屏幕的導光板M的側(cè)向光源)，由于筆記本電腦屏 幕的導光板M非常薄的關系，該發(fā)光二極管芯片D的基座S l的長度 11則必須相對的縮短。換言之，由于該基座S l的長度ll太短的關系， 已知的發(fā)光二極管芯片D將無法得到有效的散熱效果，進而產(chǎn)生發(fā)光 二極管芯片D因過熱而燒壞的情形。
由上可知，目前已知的發(fā)光二極管的封裝方法及封裝結(jié)構，顯然 具有不便與缺陷存在，而待加以改善。
因此，本發(fā)明有感上述缺陷的可改善，且依據(jù)多年來從事此方面 的相關經(jīng)驗，而提出一種設計合理且有效改善上述缺陷的發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術問題，在于提供一種具高效率發(fā)光效果
(high-efficiency lateral light-emitting effect)的發(fā)光二極管的封裝方法
及其封裝結(jié)構。本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構于發(fā)光時，形成一連續(xù)的發(fā) 光區(qū)域，而無暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生，并且 本發(fā)明通過芯片直接封裝(Chip On Board, COB)制程并利用壓模(die mold)的方式，以使得本發(fā)明可有效地縮短其制程時間，而能進行大 量生產(chǎn)。再者，本發(fā)明的結(jié)構設計更適用于各種光源，諸如背光模塊、 裝飾燈條、照明用燈、或是掃描儀光源等應用，皆為本發(fā)明所應用的 范圍與產(chǎn)品。
另外，本發(fā)明的封裝膠體通過特殊模具的壓模過程，以使得本發(fā) 明的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構于直立的情況下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的 效果，因此本發(fā)明不會有散熱不足的情況發(fā)生。換言之，本發(fā)明不僅 可產(chǎn)生側(cè)向投光的功能，更能顧及到應用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。
為了解決上述技術問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種 具高效率發(fā)光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的發(fā)光 二極管的封裝方法，其包括下列步驟首先，提供一基板單元(substrate unit)，其具有一基板本體(substrate body)、及分別形成于該基板本 體上的一正極導電軌跡(positive electrode trace)與一負極導電軌跡 (negative electrode trace)。
接著，通過矩陣(matrix)的方式，分別設置多個發(fā)光二極管芯片 (LED chip)于該基板本體上，以形成多排縱向發(fā)光二極管芯片排 (longitudinal LED chip row)，其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電
性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的 一正極端(positive electrode
side)與一負極端(negative electrode side)。
然后，通過一第一模具單元(first mold unit)，將多條條狀封裝膠體(stripped package colloid)縱向地(longitudinally)分別覆蓋在每 一排縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row)上，其中每一 條條狀封裝膠體的上表面具有多個相對應這些發(fā)光二極管芯片的膠體 弧面(colloid cambered surface)。
最后，本發(fā)明具有二種后續(xù)的實施形態(tài)
第一種形態(tài)首先，沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向 地(transversely)切割這些條狀封裝膠體(stripped package colloid)， 以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體 (package colloid)，其中每 一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面 (colloid cambered surface)，并且每一個封裝膠體具有一形成于該膠 體弧面前端的膠體出光面(colloid light-exiting surface);接著，通過 一第二模具單元(second mold unit)，將一框架單元(frame unit)覆 蓋于該基板本體及這些封裝膠體上并且填充于這些封裝膠體之間；最 后，沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地(transversely)切割 該框架單元及該基板本體，以形成多條光棒(light bar)，并且使得該 框架單元被切割成多個只讓每一條光棒上的所有封裝膠體的這些膠體 出光面(colloid light-exiting surface)露出的框架層。
第二種形態(tài)首先，沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向 地(transversely)切害'j這些條狀封裝膠體(stripped package colloid)， 以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體
(package colloid)，其中每 一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面
(colloid cambered surface)，并且每一個封裝膠體具有一形成于該膠 體弧面前端的膠體出光面(colloid light-exiting surface);接著，通過 一第三模具單元(third mold unit)，將多條條狀框架層(stripped frame layer)覆蓋于該基板本體及這些封裝膠體上，并且縱向地
(longitudinally)填充于每一個封裝膠體之間；最后，沿著每兩個縱向 發(fā)光二極管芯片之間，橫向地(transversely)切割這些條狀框架層
(stripped frame layer)及該基板本體，以形成多條光棒(light bar)，并且使得這些條狀框架層(stripped frame layer)被切割成多個只讓每 一個封裝膠體的膠體出光面(colloid light-exiting surface)露出的框體 (frame body)。
為了解決上述技術問題，根據(jù)本發(fā)明的其中一種方案，提供一種
具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封裝結(jié)構，其包括 一基板單元、一 發(fā)光單元、及一封裝膠體單元。
其中，該基板單元具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上 的一正極導電軌跡與一負極導電軌跡。該發(fā)光單元具有多個設置于該 基板本體上的發(fā)光二極管芯片，其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別 電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的一正極端與一負極端。 該封裝膠體單元具有多個分別覆蓋于這些發(fā)光二極管芯片上的封裝膠 體，其中每一個封裝膠體的上表面及前表面分別具有一膠體弧面及一
膠體出光面。
另外，本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構，可更進一步包括下例 兩種結(jié)構
第一種 一框架單元，為一層覆蓋于該基板本體上并包覆每一個 封裝膠體而只露出這些膠體出光面的框架層。
第二種 一框架單元，具有多個分別覆蓋這些封裝膠體而只露出 每一個封裝膠體的膠體出光面的框體，其中這些框體彼此分離地設置 于該基板本體上。
因此，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構于發(fā)光時，形成一連續(xù)的發(fā)光區(qū) 域，而無暗帶及光衰減的情況發(fā)生。并且，本發(fā)明通過芯片直接封裝 制程并利用壓模的方式，以使得本發(fā)明可有效地縮短其制程時間，而 能進行大量生產(chǎn)。再者，由于本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構于直 立的情況下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果。因此，本發(fā)明不僅可產(chǎn)生側(cè) 向投光的功能，更能顧及到應用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。為了能更進一步了解本發(fā)明為達成預定目的所采取的技術、手段 及功效，請參閱以下有關本發(fā)明的詳細說明與附圖，相信本發(fā)明的目 的、特征與特點，當可由此得一深入且具體的了解，然而所示附圖僅 提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。


圖l為已知發(fā)光二極管的第一種封裝方法的流程圖； 圖2為已知發(fā)光二極管的第二種封裝方法的流程圖； 圖3為已知發(fā)光二極管應用于側(cè)向發(fā)光的示意圖； 圖4為本發(fā)明封裝方法的第一實施例的流程圖； 圖4a至圖4f分別為本發(fā)明封裝結(jié)構的第一實施例的封裝流程立 體示意圖4A至圖4F分別為本發(fā)明封裝結(jié)構的第一實施例的封裝流程剖 面示意圖5為本發(fā)明發(fā)光二極管芯片通過倒裝(flip-chip)的方式達成 電性連接的示意圖6為本發(fā)明圖4C未灌入封裝膠體前的示意圖7為本發(fā)明封裝方法的第二實施例的流程圖7 a至圖7 b分別為本發(fā)明封裝結(jié)構的第二實施例的部分封裝流 程立體示意圖7A至圖7B分別為本發(fā)明封裝結(jié)構的第二實施例的部分封裝流 程剖面示意圖8a為本發(fā)明封裝結(jié)構的第三實施例的部分封裝流程立體示意
圖8A為本發(fā)明封裝結(jié)構的第三實施例的部分封裝流程剖面示意
圖9為本發(fā)明發(fā)光二極管的封裝結(jié)構應用于側(cè)向發(fā)光的示意圖。 圖中符號說明已知技術標號
發(fā)光二極管D
導光板M
基座S 1
長度11
本發(fā)明標號
基板單元1基板本體10
正極導電軌跡11
負極導電軌跡12
基板單元1 ,正極導電軌跡11
負極導電軌跡12'
縱向發(fā)光二極管芯片排2發(fā)光二極管芯片20
正極端201
負極端202
發(fā)光二極管芯片2 0
正極端201/
負極端202/
條狀封裝膠體3封裝膠體30
膠體弧面300
膠體前端面301
膠體出光面302
條條狀封裝膠體3 ,模具弧面30
模具出光面302
框架單元4框架層40
條狀框架層4 ,框體40
導線W
錫球B
第一模具單元M 1第一上模具M1
第一通道M110
第一下模具M12凹槽 G
模具弧面 G10
模具前端面 G101
第二模具單元 M2第二上模具 M2 1
第二通道 M 2 1 0
第二下模具 M 2 2
第三模具單元 M3第三上模具 M3 1
第三通道 M 3 1 0
第三下模具 M 3 2
第三模具單元 M4第三上模具 M4 1
第三通道 M410
第三下模具 M4 2
光棒 L 1
光棒 L 2
發(fā)光二極管 D
導光板 M
基座 S 2
長度 1具體實施例方式
請參閱圖4、圖4a至圖4d 、及圖1A至圖4D所示。圖4為本發(fā) 明封裝方法的第一實施例的流程圖，圖4 a至圖4 d分別為本發(fā)明封裝 結(jié)構的第一實施例的封裝流程示意圖，圖4A至圖4D分別為本發(fā)明封 裝結(jié)構的第一實施例的封裝流程剖面示意圖。由圖4的流程圖可知， 本發(fā)明的第 一 實施例提供 一 種具高效率發(fā)光效果(high-efficiency lateral light-emitting effect)的發(fā)光二極管的封裝方法，其包括下列步驟 首先，請配合圖4a及圖4A所示，提供一基板單元(substrate unit) 1 ，其具有一基板本體(substrate body) 1 0、及分別形成于該基板本 體1 0上的多個正極導電軌跡(positive electrode trace) 1 1與多個負 極導電軌跡(negative electrode trace) 1 2 (S100)。其中，依不同的設計需求，該基板單元l O可為一印刷電路板(PCB)、 一軟基板(flexible substrate)、 一鋁基板(aluminum substrate)、 一陶瓷基板 (ceramic substrate)、 或——銅基板(copper substrate)。 此夕卜，該正、 負極導電軌跡l 1、 1 2可采用鋁線路(aluminum circuit)或銀線路 (silver circuit)，并且該正、負極導電軌跡l 1 、 1 2的布局(layout)可隨著不同的需要而有所改變。接著，請配合圖4b圖及圖4B所示，通過矩陣(matrix)的方式， 分別設置多個發(fā)光二極管芯片(LED chip) 2 0于該基板本體1 O上， 以形成多排縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row) 2，其 中每一個發(fā)光二極管芯片2 0具有分別電性連接于該基板單元的正、 負極導電軌跡1 1 、 1 2的一正極端(positive electrode side) 2 0 1 與一負極端(negative electrode side) 2 0 2 (SI02)。此外，以本發(fā)明的第一實施例而言，每一個發(fā)光二極管芯片2 0 的正、負極端2 0 1 、 2 0 2通過兩相對應的導線W并以打線 (wire-bounding)的方式，以與該基板單元1的正、負極導電軌跡1 1 、 1 2產(chǎn)生電性連接。再者，每一排縱向發(fā)光二極管芯片排(longitudinal LED chip row) 2以一直線的排列方式設置于該基板單元1的基板本 體l 0上，并且每一個發(fā)光二極管芯片2 0可為一藍色發(fā)光二極管芯 片(blue LED)。當然，上述這些發(fā)光二極管芯片2 0的電性連接方式并非用以限 定本發(fā)明，例如請參閱圖5所示(本發(fā)明發(fā)光二極管芯片通過倒裝 的方式達成電性連接的示意圖)，每一個發(fā)光二極管芯片2 0'的正、 負極端2 0 1 ' 、 2 0 2 ' 通過多個相對應的錫球B并以倒裝 (flip-chip)的方式，以與該基板單元l '的正、負極導電軌跡l 1 '、 1 2'產(chǎn)生電性連接。另外，依據(jù)不同的設計需求，這些發(fā)光二極管 芯片(圖未示)的正、負極端可以串聯(lián)(parallel)、并聯(lián)(serial)、 或串聯(lián)加并聯(lián)(parallel/serial)的方式，以與該基板單元(圖未示)的正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
然后，請配合圖4c 、圖4C及圖6所示，通過一第一模具單元(first mold unit) M 1 ，將多條條狀封裝膠體(stripped package colloid) 3縱 向地(longitudinally)分別覆蓋在每 一 排縱向發(fā)光二極管芯片排 (longitudinal LED chip row) 2上，其中每一條條狀封裝膠體3的上表 面具有多個相對應這些發(fā)光二極管芯片2 0的膠體弧面(colloid cambered surface) 3 0 0，并且每一條條狀封裝膠體3具有多個設置 于這些相對應膠體弧面(colloid cambered surface) 3 0 0前端的膠體 前端面(colloid lateral surface) 3 。 1 (S104)。
其中，該第一模具單元M1由一第一上模具(first upper mold) M 1 1及一用于承載該基板本體1 0的第一下模具(first lower mold) M 1 2所組成，并且該第一上模具M1 1具有多條相對應這些縱向發(fā)光 二極管芯片排(longitudinal LED chip row) 2的第一通道(first channel) M 1 1 0 。其中每一個第一通道M 1 1 0具有多個凹槽(concave groove) G，而每一個凹槽G的上表面及前表面分別具有一個相對應該 膠體弧面(colloid cambered surface) 3 0 0的模具弧面(mold cambered surface) G 1 0 0及一個相對應該膠體前端面(colloid lateral surface) 3 0 1的模具前端面(mold lateral surface) G 1 0 1 。
此外，這些第一通道M1 1 0的尺寸與這些條狀封裝膠體(stripped package colloid) 3的尺寸相同。再者，每一條條狀封裝膠體(stripped package colloid) 3可依據(jù)不同的使用需求，而選擇為由一硅膠 (silicon)與一螢光粉(fluorescent powder)所混合形成的螢光膠體 (fluorescent resin)、或由一環(huán)氧樹月旨(epoxy)與一螢光教、(fluorescent powder)所混合形成的螢光膠體(fluorescent resin)。
緊接著，請配合圖4d及圖4D所示，沿著每兩個縱向發(fā)光二極管 芯片2 0之間，橫向地(transversely)切割這些條狀封裝膠體(strippedpackage colloid) 3 ，以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管 芯片2 O上的封裝膠體(package colloid) 3 0，其中每一個封裝膠體3 0的上表面為該膠體弧面(colloid cambered surface) 3 0 0，并且 每一個封裝膠體3 0具有一形成于該膠體弧面3 0 0前端的膠體出光 面(colloid light-exiting surface) 3 0 2 (S106)。然后，請配合圖4e及圖4E所示，通過一第二模具單元(second mold unit) M 2 ，將一框架單元(frame unit) 4覆蓋于該基板本體1 0及這些封裝膠體3 0上并且填充于這些封裝膠體3 O之間(S108)。 其中，該第二模具單元M2由一第二上模具(second upper mold) M 2 1及一用于承載該基板本體1 O的第二下模具(second lower mold) M2 2所組成，并且該第二上模具M2 1具有一條相對應該框架單元 4的第二通道(second channel) M 2 1 0 ，此外該第二通道M 2 1 0 的高度與這些封裝膠體(package colloid) 3 0的高度相同，而該第二 通道M210的寬度與該框架單元4的寬度相同。最后，請再參閱圖4e，并配合圖4f及圖4F所示，沿著每兩個 縱向發(fā)光二極管芯片2 0之間，橫向地(transversely)切割該框架單元 4及該基板本體1 0，以形成多條光棒(light bar) L 1，并且使得該 框架單元4被切割成多個只讓每一條光棒Ll上的所有封裝膠體3 的這些膠體出光面(colloid light-exiting surface) 3 0 2露出的框架層4 0 (S110)。其中，這些框架層4 0可為不透光框架層(op叫ue frame layer)，例如白色框架層(white frame layer)。請參閱圖7、圖7a至圖7b 、及圖7A至圖7B所示。圖7為本發(fā) 明封裝方法的第二實施例的流程圖，圖7a至圖7b分別為本發(fā)明封裝 結(jié)構的第二實施例的部分封裝流程示意圖，圖7A至圖7B分別為本發(fā)明封裝結(jié)構的第二實施例的部分封裝流程剖面示意圖。由圖7的流程 圖可知，第二實施例的步驟S200至S206分別與第一實施例的步驟S100 至S106相同。亦即，步驟S200等同于第一實施例的圖4a及圖4A的示意圖說明；步驟S202等同于第一實施例的圖4b及圖4B的示意圖 說明；步驟S204等同于第一實施例的圖4c及圖4C的示意圖說明； 步驟S206等同于第一實施例的圖4d及圖4D的示意圖說明。
再者，于步驟S206之后，本發(fā)明的第二實施例更進一步包括首 先，請參閱圖7a及圖7A所示，通過一第三模具單元(third mold unit) M 3 ，將多條條狀框架層(stripped frame layer) 4 '覆蓋于該基板本 體l 0及這些封裝膠體3 O上并且縱向地(longitudinally)填充于每一 個封裝膠體3 0之間(S208)。
其中，該第三模具單元M3由一第三上模具(third upper mold) M3 1及一用于承載該基板本體1 0的第三下模具(third lower mold) M3 2所組成，并且該第三上模具M3 1具有多條相對應這些縱向發(fā) 光二極管芯片排(longitudinal LED chip row) 2的第三通道(third channel) M 3 1 0 ，并且該第三通道M 3 1 0的高度與這些封裝膠體 (package colloid) 3 0的高度相同，而該第三通道M 3 1 的寬度大 于每一個封裝膠體3 0的寬度。
最后，請再參閱圖7a，并配合圖7b及圖7B所示，沿著每兩個 縱向發(fā)光二極管芯片2 0之間，橫向地(transversely)切割這些條狀框 架層(stripped frame layer) 4'及該基板本體1 0，以形成多條光棒 (light bar) L2，并且使得這些條狀框架層(stripped frame layer) 4 '被切割成多個只讓每一個封裝膠體3 O的膠體出光面(colloid light-exiting surface) 3 0 2露出的框體(frame body) 4 0' (S210)。 其中，這些框體4 Q ' 可為不透光框體(opaque frame body)，例如 白色框體(white frame body)。
請參閱圖8a及圖8A所示。圖8a為本發(fā)明封裝結(jié)構的第三實施 例的部分封裝流程示意圖，圖8A為本發(fā)明封裝結(jié)構的第三實施例的部 分封裝流程剖面示意圖。由圖8的流程圖可知，第三實施例與第一、二實施例的差異在于第一實施例的步驟S104與第二實施例的步驟
S204于第三實施例中皆更改為沿著每兩個橫向(transverse)發(fā)光二 極管芯片2 0之間，縱向地(longitudinally)切割這些條狀封裝膠體 (stripped package colloid) 3 '。
再者， 一第四模具單元M4由一第四上模具(fourth uppermold) M 4 1及一用于承載該基板本體1 0的第一下模具(fourth lower mold) M4 2所組成。此外，該第四模具單元M4與該第一模具單元M 1最 大的不同在于每一個第一通道M4 1 0的上表面及前表面分別具有 一模具弧面(mold cambered surface) 3 0 0'及一模具出光面(mold light-exiting surface) 3 0 2 '。所以，多條條狀封裝膠體(stripped package colloid ) 3 ' 橫向地(transversely )分別覆蓋在橫向的 (longitudinal)發(fā)光二極管芯片2上。
請參閱圖9所示，為本發(fā)明發(fā)光二極管的封裝結(jié)構應用于側(cè)向發(fā) 光的示意圖。由圖中可知，當本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片D應用于側(cè)向 發(fā)光時(例如使用于筆記本電腦屏幕的導光板M的側(cè)向光源)，該 發(fā)光二極管芯片D的基座S 2的長度12可依散熱的需要而加長(不像 已知一樣受導光板M厚度的限制)。換言之，由于該基座S 2的長度 12可依散熱的需要而加長，因此本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片D將可得到 有效的散熱效果，進而可避免發(fā)光二極管芯片D因過熱而燒壞的情形。
綜上所述，本發(fā)明的發(fā)光二極管結(jié)構于發(fā)光時，形成一連續(xù)的發(fā) 光區(qū)域，而無暗帶(dark band)及光衰減(decay)的情況發(fā)生，并且 本發(fā)明通過芯片直接封裝(Chip On Board, COB)制程并利用壓模(die mold)的方式，以使得本發(fā)明可有效地縮短其制程時間，而能進行大 量生產(chǎn)。再者，由于本發(fā)明的發(fā)光二極管芯片封裝結(jié)構于直立的情況 下，即可產(chǎn)生側(cè)向發(fā)光的效果。因此，本發(fā)明不僅可產(chǎn)生側(cè)向投光的 功能，更能顧及到應用于薄型殼體內(nèi)的散熱效果。以上所述，僅為本發(fā)明最佳的一的具體實施例的詳細說明與附圖， 惟本發(fā)明的特征并不局限于此，并非用以限制本發(fā)明，本發(fā)明的所有 范圍應以所述的申請專利范圍為準，凡合于本發(fā)明申請專利范圍的精 神與其類似變化的實施例，皆應包含于本發(fā)明的范疇中，任何熟悉該
項技藝者在本發(fā)明的領域內(nèi)，可輕易思及的變化或修飾皆可涵蓋在本 案的專利范圍內(nèi)。
權利要求
1、一種具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝方法，其特征在于，包括下列步驟提供一基板單元，其具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的一正極導電軌跡與一負極導電軌跡；通過矩陣的方式，分別設置多個發(fā)光二極管芯片于該基板本體上，以形成多排縱向發(fā)光二極管芯片排，其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的一正極端與一負極端；以及通過一第一模具單元，將多條條狀封裝膠體縱向地分別覆蓋在每一排縱向發(fā)光二極管芯片排上，其中每一條條狀封裝膠體的上表面具有多個相對應這些發(fā)光二極管芯片的膠體弧面。
2 、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝 方法，其特征在于該基板單元為一印刷電路板、 一軟基板、 一鋁基 板、 一陶瓷基板、或一銅基板。
3 、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝 方法，其特征在于該正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
4 、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝 方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對 應的導線并以打線的方式，以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn)生 電性連接。
5 、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝 方法，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相 對應的錫球并以倒裝的方式，以與該基板單元的正、負極導電軌跡產(chǎn) 生電性連接。
6 、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝 方法，其特征在于每一排縱向發(fā)光二極管芯片排以一直線的排列方 式設置于該基板單元的基板本體上。
7 、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果發(fā)光二極管的封裝方 法，其特征在于每一條條狀封裝膠體具有多個設置于這些相對應膠 體弧面前端的膠體前端面。
8 、如權利要求7所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝 方法，其特征在于該第一模具單元由一第一上模具及一用于承載該 基板本體的第一下模具所組成，并且該第一上模具有多條相對應這些縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道，其中每一個第一通道具有多個凹 槽，而每一個凹槽的上表面及前表面分別具有一個相對應該膠體弧面的模具弧面及一個相對應該膠體前端面的模具前端面，此外這些第一 通道的尺寸與這些條狀封裝膠體的尺寸。
9 、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封裝 方法，其特征在于每一條條狀封裝膠體為由一硅膠與一螢光粉所混 合形成的螢光膠體。
10、如權利要求l所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封 裝方法，其特征在于每一條條狀封裝膠體為由一環(huán)氧樹脂與一螢光粉所混合形成的螢光膠體。
11、如權利要求l所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封 裝方法，其特征在于，更進一步包括沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割這些條狀封裝 膠體，以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝 膠體，其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面，并且每一個封裝膠體具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面；通過一第二模具單元，將一框架單元覆蓋于該基板本體及這些封 裝膠體上并且填充于這些封裝膠體之間；以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割該框架單元及 該基板本體，以形成多條光棒，并且使得該框架單元被切割成多個只 讓每一條光棒上的所有封裝膠體的這些膠體出光面露出的框架層。
12、如權利要求l l所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于該第二模具單元由一第二上模具及一用于承 載該基板本體的第二下模具所組成，并且該第二上模具具有一條相對 應該框架單元的第二通道，此外該第二通道的高度與這些封裝膠體的高度相同，而該第二通道的寬度與該框架層的寬度相同。
13、如權利要求l l所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于該框架層為不透光框架層。
14、如權利要求l 3所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于該不透光框架層為白色框架層。
15、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封 裝方法，其特征在于，更進一步包括沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割這些條狀封裝 膠體，以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝 膠體，其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面，并且每一個封裝膠體具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面；通過一第三模具單元，將多條條狀框架層覆蓋于該基板本體及這 些封裝膠體上并且縱向地填充于每一個封裝膠體之間；以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割這些條狀框架 層及該基板本體，以形成多條光棒，并且使得這些條狀框架層被切割 成多個只讓每一個封裝膠體的膠體出光面露出的框體。
16、如權利要求l 5所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于該第三模具單元由一第三上模具及一用于承 載該基板本體的第三下模具所組成，并且該第三上模具具有多條相對 應這些縱向發(fā)光二極管芯片排的第三通道，并且該第三通道的高度與 這些封裝膠體的高度相同，而該第三通道的寬度大于每一個封裝膠體 的寬度。
17、如權利要求l 5所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于這些框體為不透光框體。
18、如權利要求l 7所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于這些不透光框體為白色框體。
19、如權利要求1所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的封 裝方法，其特征在于該第一模具單元由一第一上模具及一用于承載 該基板本體的第一下模具所組成，并且該第一上模具具有多條相對應 這些縱向發(fā)光二極管芯片排的第一通道，其中每一個第一通道的上表 面及前表面分別具有一模具弧面及一模具前端面，此外這些第一通道 的高度及寬度與這些條狀封裝膠體的高度及寬度相同。
20、如權利要求l 9所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于，更進一步包括沿著每兩個橫向發(fā)光二極管芯片之間，縱向地切割這些條狀封裝 膠體，以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝 膠體，其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面，并且每一個封裝 膠體具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面；通過一第二模具單元，將一框架單元覆蓋于該基板本體及這些封 裝膠體上并且填充于這些封裝膠體之間；以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割該框架單元及該基板本體，以形成多條光棒，并且使得該框架單元被切割成多個只 讓每一條光棒上的所有封裝膠體的這些膠體出光面露出的框架層。
21、如權利要求2 O所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于該第二模具單元由一第二上模具及一用于承 載該基板本體的第二下模具所組成，并且該第二上模具具有一條相對 應該框架單元的第二通道，此外該第二通道的高度與這些封裝膠體的高度相同，而該第二通道的寬度與該框架層的寬度相同。
22、如權利要求l 9所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于，更進一步包括沿著每兩個橫向發(fā)光二極管芯片之間，縱向地切割這些條狀封裝 膠體，以形成多個彼此分開地覆蓋于每一個發(fā)光二極管芯片上的封裝 膠體，其中每一個封裝膠體的上表面為該膠體弧面，并且每一個封裝 膠體具有一形成于該膠體弧面前端的膠體出光面；通過一第三模具單元，將多條條狀框架層覆蓋于該基板本體及這 些封裝膠體上并且縱向地填充于每一個封裝膠體之間；以及沿著每兩個縱向發(fā)光二極管芯片之間，橫向地切割這些條狀框架 層及該基板本體，以形成多條光棒，并且使得這些條狀框架層被切割 成多個只讓每一個封裝膠體的膠體出光面露出的框體。
23、如權利要求2 2所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管的 封裝方法，其特征在于該第三模具單元由一第三上模具及一用于承載該基板本體的第三下模具所組成，并且該第三上模具具有多條相對 應這些縱向發(fā)光二極管芯片排的第三通道，并且該第三通道的高度與 這些封裝膠體的高度相同，而該第三通道的寬度大于每一個封裝膠體的寬度。
24、 一種具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封裝結(jié)構，其特征在 于，包括一基板單元，其具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的 一正極導電軌跡與一負極導電軌跡；一發(fā)光單元，其具有多個設置于該基板本體上的發(fā)光二極管芯片， 其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負 極導電軌跡的一正極端與一負極端；以及一封裝膠體單元，其具有多個分別覆蓋于這些發(fā)光二極管芯片上 的封裝膠體，其中每一個封裝膠體的上表面及前表面分別具有一膠體 弧面及一膠體出光面。
25、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于該基板單元為一印刷電路板、 一軟基板、 一鋁基板、 一陶瓷基板、或一銅基板。
26、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于該正、負極導電軌跡為鋁線路或銀線路。
27、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過兩相對應的導線并以打線的方式，以與該正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連接。
28、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于每一個發(fā)光二極管芯片的正、負極端通過多個相對應的錫球并以倒裝的方式，以與該正、負極導電軌跡產(chǎn)生電性連 接。
29、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于這些發(fā)光二極管芯片以一直線的排列方式設置于該基板單元的基板本體上。
30、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封裝結(jié)構，其特征在于這些發(fā)光二極管芯片以多條直線的排列方式設 置于該基板單元的基板本體上。
31 、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于每一個封裝膠體為由一硅膠與一螢光粉所混合 形成的螢光膠體。
32、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于每一個封裝膠體為由一環(huán)氧樹脂與一螢光粉所 混合形成的螢光膠體。
33、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于，更進一步包括 一框架單元，其為一層覆蓋于該基板本體上并包覆每一個封裝膠體而只露出這些膠體出光面的框架 層。
34、如權利要求3 3所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于該框架層為不透光框架層。
35、如權利要求3 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于該不透光框架層為白色框架層。
36、如權利要求2 4所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于，更進一步包括 一框架單元，其具有多個分別 覆蓋這些封裝膠體而只露出每一個封裝膠體的膠體出光面的框體，其 中這些框體彼此分離地設置于該基板本體上。
37、如權利要求3 6所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于這些框體為不透光框體。
38、如權利要求3 7所述的具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封 裝結(jié)構，其特征在于這些不透光框體為白色框體。
全文摘要
一種具高效率發(fā)光效果的發(fā)光二極管封裝結(jié)構，其包括一基板單元、一發(fā)光單元、及一封裝膠體單元。其中，該基板單元具有一基板本體、及分別形成于該基板本體上的一正極導電軌跡與一負極導電軌跡。該發(fā)光單元具有多個設置于該基板本體上的發(fā)光二極管芯片，其中每一個發(fā)光二極管芯片具有分別電性連接于該基板單元的正、負極導電軌跡的一正極端與一負極端。該封裝膠體單元具有多個分別覆蓋于這些發(fā)光二極管芯片上的封裝膠體，其中每一個封裝膠體的上表面及前表面分別具有一膠體弧面及一膠體出光面。
文檔編號H01L25/075GK101315900SQ20071010649
公開日2008年12月3日 申請日期2007年6月1日 優(yōu)先權日2007年6月1日
發(fā)明者吳文逵, 莊峰輝, 汪秉龍 申請人:宏齊科技股份有限公司