專利名稱：半導(dǎo)體設(shè)備及其清潔單元的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種清潔單元，特別是有關(guān)于一種用于清潔半導(dǎo)體設(shè)備的流體供應(yīng)單元的清潔單元。
背景技術(shù)：
圖1a是顯示已知的半導(dǎo)體設(shè)備1，包括一旋轉(zhuǎn)盤13、一管路17以及一噴嘴16。該噴嘴16連接該管路17。一晶圓W置于該旋轉(zhuǎn)盤13之上，且該噴嘴16以及該管路17對(duì)該晶圓W提供一化學(xué)流體。參照?qǐng)D1b，當(dāng)該化學(xué)流體18施加于該晶圓W之上時(shí)，該旋轉(zhuǎn)盤13旋轉(zhuǎn)該晶圓W，該晶圓W表面的化學(xué)流體18受到離心力而飛濺。飛濺的化學(xué)流體18附著于該管路17的表面。參照?qǐng)D1c，隨著該化學(xué)流體18在該管路17的表面累積，該化學(xué)流體(污染物)18會(huì)滴在晶圓W之上。且由于累積于管路17表面的化學(xué)流體18一般會(huì)老化變質(zhì)或是含有微粒，因此當(dāng)該化學(xué)流體18從管路17的表面滴在晶圓W之上時(shí)，會(huì)污染該晶圓W。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明即為了欲解決已知技術(shù)的問(wèn)題而提供的一種半導(dǎo)體設(shè)備，用以處理一晶圓，包括一平臺(tái)、一流體供應(yīng)單元以及一清潔單元。平臺(tái)支撐該晶圓。流體供應(yīng)單元提供一第一流體，其中，該流體供應(yīng)單元可以于一第一位置以及一第二位置之間移動(dòng)。清潔單元提供一第二流體。其中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第一位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元朝該晶圓提供該第一流體，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該清潔單元朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送該第二流體，以清潔該流體供應(yīng)單元的表面。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元包括一腔體，一進(jìn)氣口以及一排氣口，該進(jìn)氣口以及該排氣口均設(shè)于該腔體之中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，該第二流體從該進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該第二流體并從該排氣口離開(kāi)該腔體。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元更包括一負(fù)壓管路，連接該排氣口。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該腔體包括一入口，該流體供應(yīng)單元通過(guò)該入口而于該第一位置以及該第二位置之間移動(dòng)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該排氣口設(shè)于該腔體的上部。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元更包括一排液口以及一排液管，該排液口設(shè)于該腔體之中，該排液管連通該排液口，該腔體中的污染物是經(jīng)過(guò)該排液口以及該排液管排出于腔體。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該排液口設(shè)于該腔體的底部。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該排液口為長(zhǎng)條形。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該腔體包括一防靜電材料。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該清潔單元包括一腔體，多個(gè)進(jìn)氣口以及一排氣口，所述進(jìn)氣口以及該排氣口均設(shè)于該腔體之中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，該第二流體從所述進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該第二流體并從該排氣口離開(kāi)該腔體。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，所述進(jìn)氣口是以矩陣的形式排列于該腔體的底部。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該半導(dǎo)體設(shè)備清潔該晶圓。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其中，該半導(dǎo)體設(shè)備在該晶圓上涂布一光致抗蝕劑層。
本發(fā)明另提供一種清潔單元，用以清潔一半導(dǎo)體設(shè)備的一流體供應(yīng)單元，該清潔單元包括一腔體；至少一進(jìn)氣口，設(shè)于該腔體之中；以及一排氣口，設(shè)于該腔體之中，其中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于一第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，一第二流體從該進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該第二流體并從該排氣口排出該腔體。
本發(fā)明所述的清潔單元，其中，該清潔單元更包括一排液口以及一排液管，該排液口設(shè)于該腔體之中，該排液管連通該排液口，該腔體中的污染物是經(jīng)過(guò)該排液口以及該排液管排出于腔體。
本發(fā)明周期性的從該流體供應(yīng)單元的表面移除污染物，借此，可避免晶圓遭受污染，提高產(chǎn)品的良率。


圖1a是顯示已知的半導(dǎo)體設(shè)備；圖1b是顯示污染物累積于已知半導(dǎo)體設(shè)備的表面的情形；圖1c是顯示污染物污染晶圓的情形；圖2a是顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例，其中一第一管路、一第二管路以及一第三管路位于一第一位置；
圖2b是顯示本發(fā)明的第一實(shí)施例，其中第一管路、第二管路以及第三管路位于一第二位置；圖2c是顯示一清潔單元清潔該第一管路、第二管路以及第三管路；圖3是顯示本發(fā)明的第二實(shí)施例；圖4是顯示本發(fā)明的第三實(shí)施例；圖5是顯示本發(fā)明的第四實(shí)施例；圖6a是顯示本發(fā)明的第五實(shí)施例，其中一第四管路位于一第一位置；圖6b是顯示本發(fā)明的第五實(shí)施例，其中該第四管路位于一第二位置。
具體實(shí)施例方式
圖2a是顯示本發(fā)明第一實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備100，其包括一平臺(tái)102、一流體供應(yīng)單元110以及一清潔單元120。一晶圓101由該平臺(tái)102支撐以及旋轉(zhuǎn)。該流體供應(yīng)單元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一樞轉(zhuǎn)元件114。該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113連接于該樞轉(zhuǎn)元件114。該清潔單元120包括一腔體121、一進(jìn)氣口122、一排氣口123以及一排液口125。該排氣口123連接于一負(fù)壓管路124，該排液口125連接一排液管126。該腔體包括一入口127。
當(dāng)該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113位于一第一方位A1時(shí)，該第一管路111朝該晶圓101提供干燥氮?dú)?111，該第二管路112朝該晶圓101提供去離子水1121，該第三管路113朝該晶圓101提供蝕刻劑1131，借以處理該晶圓101。
在該第一實(shí)施例中，該半導(dǎo)體設(shè)備100濕蝕刻該晶圓，借以在干蝕刻制程之后，移除該晶圓表面的聚合物。
如圖2b所顯示的，在處理完該晶圓之后，該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113移動(dòng)(或旋轉(zhuǎn))通過(guò)入口127到達(dá)一第二位置A2，該第二位置A2位于該腔體121之中，此時(shí)，該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113的表面附著有污染物103。
參照?qǐng)D2c，該進(jìn)氣口122朝該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113吹送干燥空氣以移除污染物103。接著，腔體121中的空氣經(jīng)過(guò)該排氣口123以及該負(fù)壓管路124而排出。該污染物103從該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113被移至該腔體121的底部，并經(jīng)過(guò)該排液口125被排出于該腔體121之外。
該清潔單元120是由防靜電材料所構(gòu)成。
本發(fā)明周期性的從該流體供應(yīng)單元的表面移除污染物，借此，可避免晶圓遭受污染，提高產(chǎn)品的良率。
圖3是顯示本發(fā)明第二實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備100’，其包括一平臺(tái)102、一流體供應(yīng)單元110以及一清潔單元120。晶圓由該平臺(tái)102支撐以及旋轉(zhuǎn)。該流體供應(yīng)單元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一樞轉(zhuǎn)元件114。該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113連接于該樞轉(zhuǎn)元件114。該清潔單元120包括一腔體121、多個(gè)進(jìn)氣口122’、一排氣口123以及一排液口125。該排氣口123連接于一負(fù)壓管路124，該排液口125連接一排液管126。該腔體包括一入口127。
在本發(fā)明的第二實(shí)施例中，所述進(jìn)氣口122’是以矩陣排列的方式設(shè)于該腔體121的底部，以提供一均勻的流場(chǎng)。
圖4是顯示本發(fā)明第三實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備100”，其包括一平臺(tái)102、一流體供應(yīng)單元110以及一清潔單元120。晶圓由該平臺(tái)102支撐以及旋轉(zhuǎn)。該流體供應(yīng)單元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一樞轉(zhuǎn)元件114。該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113連接于該樞轉(zhuǎn)元件114。該清潔單元120包括一腔體121、多個(gè)進(jìn)氣口122’、一排氣口123以及一排液口125’。該排氣口123連接于一負(fù)壓管路124，該排液口125’連接一排液管126。該腔體包括一入口127。在該第三實(shí)施例中，該排液口125’呈長(zhǎng)條形以收集并排出該污染物。
圖5是顯示本發(fā)明第四實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備100，其包括一平臺(tái)102、一流體供應(yīng)單元110以及一清潔單元120。晶圓由該平臺(tái)102支撐以及旋轉(zhuǎn)。該流體供應(yīng)單元110包括一第一管路111、一第二管路112、一第三管路113以及一樞轉(zhuǎn)元件114。該第一管路111、該第二管路112以及該第三管路113連接于該樞轉(zhuǎn)元件114。該清潔單元120包括一腔體121、多個(gè)進(jìn)氣口122’、一排氣口123’以及一排液口125’。該排氣口123’連接于一負(fù)壓管路124，該排液口125’連接一排液管126。該腔體包括一入口127。
在該第四實(shí)施例中，該排氣口123’位于該腔體121的頂部以提供一均勻的流場(chǎng)。
圖6a是顯示本發(fā)明第五實(shí)施例的半導(dǎo)體設(shè)備200，其包括一平臺(tái)102、一流體供應(yīng)單元210以及一清潔單元120。一晶圓101由該平臺(tái)102支撐以及旋轉(zhuǎn)。該流體供應(yīng)單元210包括一第四管路211以及一樞轉(zhuǎn)元件214。該第四管路211連接于該樞轉(zhuǎn)元件214。該清潔單元120包括一腔體121、一進(jìn)氣口122、一排氣口123以及一排液口125。該排氣口123連接于一負(fù)壓管路124，該排液口125連接一排液管126。該腔體包括一入口127。
當(dāng)該第四管路211位于一第一位置A1時(shí)，該第四管路211朝該晶圓101提供光致抗蝕劑2111，以在該晶圓101上涂布一光致抗蝕劑層。
在該第五實(shí)施例中，該半導(dǎo)體設(shè)備200在該晶圓上涂布一光致抗蝕劑層。
參照?qǐng)D6b，當(dāng)該第四管路211位于腔體121中的一第二位置A2時(shí)，該進(jìn)氣口122朝該第四管路211吹送一干燥空氣，以從該第四管路211的表面移除污染物103。該腔體121中的空氣接著從該排氣口123以及該負(fù)壓管路124排出。該污染物103被移至該腔體121的底部，并經(jīng)過(guò)該排液口125排出。
以上所述僅為本發(fā)明較佳實(shí)施例，然其并非用以限定本發(fā)明的范圍，任何熟悉本項(xiàng)技術(shù)的人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可在此基礎(chǔ)上做進(jìn)一步的改進(jìn)和變化，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)以本申請(qǐng)的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號(hào)的簡(jiǎn)單說(shuō)明如下1半導(dǎo)體設(shè)備13旋轉(zhuǎn)盤16噴嘴17管路18化學(xué)流體100、100’、100”、100、200半導(dǎo)體設(shè)備101晶圓102平臺(tái)103污染物110流體供應(yīng)單元111第一管路1111氮?dú)?12第二管路1121去離子水113第三管路
1131蝕刻劑114樞轉(zhuǎn)元件120清潔單元121腔體122、122’進(jìn)氣口123、123’排氣口124負(fù)壓管路125、125’排液口126排液管127入口210流體供應(yīng)單元211第四管路214樞轉(zhuǎn)元件。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，用以處理一晶圓，該半導(dǎo)體設(shè)備包括一平臺(tái)，支撐該晶圓；一流體供應(yīng)單元，提供一第一流體，其中，該流體供應(yīng)單元可以于一第一位置以及一第二位置之間移動(dòng)；以及一清潔單元，提供一第二流體，其中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第一位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元朝該晶圓提供該第一流體，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該清潔單元朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送該第二流體，以清潔該流體供應(yīng)單元的表面。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該清潔單元包括一腔體，一進(jìn)氣口以及一排氣口，該進(jìn)氣口以及該排氣口均設(shè)于該腔體之中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，該第二流體從該進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該第二流體并從該排氣口離開(kāi)該腔體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該清潔單元更包括一負(fù)壓管路，連接該排氣口。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該腔體包括一入口，該流體供應(yīng)單元通過(guò)該入口而于該第一位置以及該第二位置之間移動(dòng)。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該排氣口設(shè)于該腔體的上部。
6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該清潔單元更包括一排液口以及一排液管，該排液口設(shè)于該腔體之中，該排液管連通該排液口，該腔體中的污染物是經(jīng)過(guò)該排液口以及該排液管排出于腔體。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該排液口設(shè)于該腔體的底部。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該排液口為長(zhǎng)條形。
9.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該腔體包括一防靜電材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該清潔單元包括一腔體，多個(gè)進(jìn)氣口以及一排氣口，所述進(jìn)氣口以及該排氣口均設(shè)于該腔體之中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，該第二流體從所述進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該第二流體并從該排氣口離開(kāi)該腔體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，所述進(jìn)氣口是以矩陣的形式排列于該腔體的底部。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該半導(dǎo)體設(shè)備清潔該晶圓。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體設(shè)備，其特征在于，該半導(dǎo)體設(shè)備在該晶圓上涂布一光致抗蝕劑層。
14.一種清潔單元，其特征在于，用以清潔一半導(dǎo)體設(shè)備的一流體供應(yīng)單元，該清潔單元包括一腔體；至少一進(jìn)氣口，設(shè)于該腔體之中；以及一排氣口，設(shè)于該腔體之中，其中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于一第二位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元位于該腔體之中，一第二流體從該進(jìn)氣口朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送，以移除該流體供應(yīng)單元表面的污染物，該第二流體并從該排氣口排出該腔體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的清潔單元，其特征在于，該清潔單元更包括一排液口以及一排液管，該排液口設(shè)于該腔體之中，該排液管連通該排液口，該腔體中的污染物是經(jīng)過(guò)該排液口以及該排液管排出于腔體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體設(shè)備及其清潔單元，特別涉及一種半導(dǎo)體設(shè)備，用以處理一晶圓，包括一平臺(tái)、一流體供應(yīng)單元以及一清潔單元。平臺(tái)支撐該晶圓。流體供應(yīng)單元提供一第一流體，其中，該流體供應(yīng)單元可以于一第一位置以及一第二位置之間移動(dòng)。清潔單元提供一第二流體。其中，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第一位置時(shí)，該流體供應(yīng)單元朝該晶圓提供該第一流體，當(dāng)該流體供應(yīng)單元位于該第二位置時(shí)，該清潔單元朝該流體供應(yīng)單元的表面吹送該第二流體，以清潔該流體供應(yīng)單元的表面。本發(fā)明所述的半導(dǎo)體設(shè)備及其清潔單元，周期性的從該流體供應(yīng)單元的表面移除污染物，借此，可避免晶圓遭受污染，提高產(chǎn)品的良率。
文檔編號(hào)H01L21/67GK101067998SQ20071008959
公開(kāi)日2007年11月7日 申請(qǐng)日期2007年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月5日
發(fā)明者林建坊, 呂仁智 申請(qǐng)人:臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司