專利名稱：減少晶圓缺陷的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體器件制造工藝，具體地說，涉及一種在蝕刻工藝中 可減少晶圓缺陷的制造方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件制造過程中，蝕刻工藝是一個非常重要步驟。由于干法蝕刻即電漿蝕刻(plasma etching)采用電漿物理式撞擊，為非等向性蝕刻，可以獲得 良好的尺寸控制，可以實現(xiàn)細微圖形的轉(zhuǎn)換，所以目前電漿蝕刻被廣泛采用。在進行蝕刻時，將被處理對象晶圓(wafer)放置在的蝕刻機臺的反應(yīng)室 (chamber)內(nèi)。晶圓具有半導(dǎo)體村底如硅襯底及沉積于硅襯底上面的做為柵極 的氮化硅層和多晶硅層。在多數(shù)情況下，需要蝕刻的圖形密度是不均勻的，因 此在首先對氮化硅層進行蝕刻時，圖形密度低的區(qū)域就會受到很大的壓力，容 易造成氮化硅層的變形，嚴重時部分氮化硅層被擠壞。在蝕刻機臺的電場作用 下，擠壞的氮化硅層產(chǎn)生大量的懸浮的微粒物質(zhì)。當對氮化硅層的蝕刻完成后， 關(guān)閉蝕刻機臺電壓，反應(yīng)室的電場消失，懸浮的微粒物質(zhì)就會落在晶圓的表面， 污染晶圓造成晶圓的表面缺陷。完成對氮化硅層蝕刻步驟后，需要進一步對多 晶硅進行蝕刻步驟。前一步掉在晶圓表面的微粒物質(zhì)導(dǎo)致在多晶硅的蝕刻步驟 中發(fā)生蝕刻不完全的現(xiàn)象，嚴重影響了晶圓制造的合格率。鑒于上述原因，需要提供一種新的可減少晶圓缺陷的制造方法。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明解決的技術(shù)問題是提供一種可減少晶圓缺陷的制造方法。 為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明提供一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括 如下步驟a.提供蝕刻機臺，該蝕刻機臺具有反應(yīng)室，待處理的晶圓被放置在 反應(yīng)室內(nèi)；b.接通蝕刻機臺的電壓，反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；C.提供與反應(yīng)室相通的抽氣裝置，在蝕刻結(jié)束后，維持反應(yīng)室一定的電場，同 時通入不參與反應(yīng)的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制造方法在蝕刻步驟后增加抽氣步驟，減少了反 應(yīng)室內(nèi)的雜質(zhì)污染晶圓表面的可能性，提高了晶圓制造的合格率。


通過以下對本發(fā)明一實施例結(jié)合其附圖的描述，可以進一步理解其發(fā)明的目的、具體結(jié)構(gòu)特征和優(yōu)點。其中，附圖為圖1為本發(fā)明減少晶圓缺陷的制造方法的流程圖。
具體實施方式
請參閱圖1 ，本發(fā)明公開了 一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括如下步驟 a.提供蝕刻機臺，其具有反應(yīng)室，待處理的晶圓^皮^:置在反應(yīng)室內(nèi)；b.開通蝕 刻機臺的電壓，反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；c.提供與反應(yīng)室相 通的抽氣裝置，在蝕刻結(jié)束后，維持反應(yīng)室一定的電場，同時通入不參與反應(yīng) 的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。晶圓一般包括半導(dǎo)體襯底如硅襯底及在半導(dǎo)體襯底上沉積形成的柵極，柵-極包括上層的氮化硅層和下層的多晶硅層。上述步驟b所述的蝕刻步驟是針對 晶圓的柵極的氮化硅層進行蝕刻步驟，在此步驟中容易產(chǎn)生污染晶圓表面的雜 質(zhì)如微粒物質(zhì)，且在反應(yīng)室電場的作用下，懸浮在反應(yīng)室內(nèi)。經(jīng)過上述步驟c 將反應(yīng)室內(nèi)的雜質(zhì)抽走，避免反應(yīng)室的電場消失后，雜質(zhì)掉落在晶圓表面上， 污染晶圓表面。同時，也有效地減少了在接下來的蝕刻多晶硅層的步驟中出現(xiàn) 蝕刻不完全的現(xiàn)象。本發(fā)明公開的制造方法有效地減少了晶圓在蝕刻工藝中產(chǎn) 生的缺陷，提高了晶圓的合格率。
權(quán)利要求
1. 一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括如下步驟a.提供蝕刻機臺，該蝕刻機臺具有反應(yīng)室，待處理的晶圓被放置在反應(yīng)室內(nèi)；b.接通蝕刻機臺的電壓，反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；c.提供與反應(yīng)室相通的抽氣裝置，其特征在于在蝕刻結(jié)束后，維持反應(yīng)室一定的電場，同時通入不參與反應(yīng)的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。
2、 如權(quán)利要求1所述的制造方法，其特征在于所述晶圓包括作為柵極的氮化 硅層以及位于氮化硅層下面的多晶硅層，步驟b是對晶圓的氮化硅層進行蝕刻 步驟。
3、 如權(quán)利要求2所述的制造方法，其特征在于在抽氣步驟中，反應(yīng)室維持適 當?shù)碾妶?，蝕刻氮化硅層過程中所產(chǎn)生的微粒物質(zhì)被大流量不參與反應(yīng)的氣體 帶走。
全文摘要
本發(fā)明提供一種減少晶圓缺陷的制造方法，其包括如下步驟a.提供蝕刻機臺，該蝕刻機臺具有反應(yīng)室，待處理的晶圓被放置在反應(yīng)室內(nèi)；b.接通蝕刻機臺的電壓，反應(yīng)室內(nèi)產(chǎn)生電場，對晶圓進行蝕刻步驟；c.提供與反應(yīng)室相通的抽氣裝置，在蝕刻結(jié)束后，維持反應(yīng)室一定的電場，同時通入不參與反應(yīng)的大流量惰性氣體，進行抽氣步驟。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明制造方法在蝕刻步驟后增加抽氣步驟，減少了反應(yīng)室內(nèi)的雜質(zhì)污染晶圓表面的可能性，減少了晶圓缺陷的產(chǎn)生。
文檔編號H01L21/02GK101271843SQ20071003822
公開日2008年9月24日 申請日期2007年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月20日
發(fā)明者玉 王, 王亞檀 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司