芯片對數(shù)據(jù)庫的影像檢測方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種芯片檢測方法，且特別是有關(guān)于一種芯片對數(shù)據(jù)庫(D2DB)的影像檢測方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著IC工藝的線寬持續(xù)縮小，工藝的關(guān)鍵尺寸(CD)的控制與監(jiān)測也更加重要。以納米世代半導(dǎo)體技術(shù)來看，要精確檢測出芯片表面結(jié)構(gòu)的缺陷也更加不易。
[0003]一般有使用電子束檢測工具(E-beam inspect1n tool)來檢測晶圓表面結(jié)構(gòu)但都以少量百分比的檢查面積來判定其晶圓缺陷表現(xiàn)好壞，這種方法大部份為芯片比芯片(die to die)的檢測方法。隨著工藝微縮許多系統(tǒng)性缺陷(systematic defect)的發(fā)生,這是芯片比芯片檢測方法無法發(fā)現(xiàn)的缺陷。因此，這須要芯片對數(shù)據(jù)庫(die to database)的檢測方法，但是因單位芯片面積大，E-Beam檢測需要將整個芯片的影像都取得后才能一一進行檢查，所以單片芯片檢測時間往往長達數(shù)個月。因此，如何有效將檢測面積縮小是一重要課題，另外，因為半導(dǎo)體元件線寬小，所以有可能發(fā)生光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(OPC)的數(shù)據(jù)不準確，而導(dǎo)致芯片生產(chǎn)后才發(fā)現(xiàn)缺陷，這些一般都在已經(jīng)生產(chǎn)了很多產(chǎn)品后才被發(fā)現(xiàn)，所以嚴重影響納米世代半導(dǎo)體元件的良率。
[0004]因此目前亟需能有效的芯片對數(shù)據(jù)庫(die to database)的檢測方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明提供一種晶粒對數(shù)據(jù)庫(die to database,D2DB)的影像檢測方法,能實時取得精確的影像檢測結(jié)果也可在脫機(off-line)時取得精確的影像檢測結(jié)果。
[0006]本發(fā)明另提供一種芯片對數(shù)據(jù)庫(D2DB)的影像檢測方法，能快速取得整個芯片中各個檢查區(qū)域內(nèi)的檢測結(jié)果。
[0007]本發(fā)明的芯片對數(shù)據(jù)庫的影像檢測方法，包括選擇晶圓中欲檢查的芯片位置中的多個檢查區(qū)域，再取得所述檢查區(qū)域的實際影像，并對所述實際影像的位置進行譯碼。然后，對所述實際影像進行影像萃取，以得到多個影像輪廓，隨后比對所述影像輪廓與所述芯片圓的設(shè)計數(shù)據(jù)庫(design database)，以得到整個晶圓中欲檢查的芯片的缺陷檢測的結(jié)果O
[0008]在本發(fā)明的一實施例中，上述方法在取得所述實際影像之前還可重新設(shè)定所述檢查區(qū)域的坐標(biāo)，以使各區(qū)域?qū)嶋H影像重疊的部份降至最少。
[0009]本發(fā)明另一種芯片對數(shù)據(jù)庫的影像檢測方法，包括選擇一晶圓中欲檢查的芯片位置中的多個檢查區(qū)域，再取得所述檢查區(qū)域的實際影像，并對所述實際影像的位置進行譯碼。然后，根據(jù)所述實體坐標(biāo)使所述實際影像大小1:1直接顯示于所述芯片的設(shè)計數(shù)據(jù)庫上，再比對所述實際影像與所述設(shè)計數(shù)據(jù)庫，以進行缺陷分類。
[0010]在本發(fā)明的各個實施例中，選擇上述檢查區(qū)域的方法包括設(shè)定在所述設(shè)計數(shù)據(jù)庫中的關(guān)鍵尺寸(CD)在一預(yù)定值以下的區(qū)域為檢查區(qū)域。
[0011]在本發(fā)明的一實施例中，選擇上述檢查區(qū)域的方法包括根據(jù)設(shè)計法則(designrule)將超過一預(yù)定數(shù)值或低于一預(yù)定數(shù)值的區(qū)域設(shè)定為檢查區(qū)域。
[0012]在本發(fā)明的各個實施例中，選擇上述檢查區(qū)域的方法包括根據(jù)先前進行的晶圓從缺陷檢測結(jié)果選定檢查區(qū)域，其中檢測機臺為亮場檢測(bright field inspect1n)、暗場檢測(dark field inspect1n)、電子束檢測工具(E-beam inspect1n tool)或其他光學(xué)掃描儀器(optical scanning tool)。
[0013]在本發(fā)明的各個實施例中，取得上述實際影像的方法包括利用電子束檢測方式取得所述實際影像。
[0014]在本發(fā)明的各個實施例中，用來執(zhí)行上述電子束檢測方式的儀器包括電子束檢測工具(E-beam inspect1n tool)、搭配波長150nm?800nm光源的亮場檢測(brightfield inspect1n)設(shè)備、搭配激光光源的暗場檢測(laser light source with dark fieldinspect1n)設(shè)備、或掃描式電子顯微鏡(scanning electron microscope review tool)。
[0015]在本發(fā)明的各個實施例中，取得所述實際影像的方法還可進而包括對實際影像中的定義圖形元文件(metafile)進行譯碼并標(biāo)示所述芯片位置(die)及相對掃描芯片原點(die corner)的缺陷坐標(biāo)位置，以便將實際影像轉(zhuǎn)入芯片數(shù)據(jù)庫。
[0016]在本發(fā)明的各個實施例中，取得所述實際影像的方法進而包括譯碼實際影像的文件名并標(biāo)示出所述芯片位置及相對掃描芯片原點(die corner)的缺陷坐標(biāo)位置，以便將實際影像轉(zhuǎn)入芯片數(shù)據(jù)庫。
[0017]在本發(fā)明的各個實施例中，取得所述實際影像的方法包括根據(jù)已知所在芯片位置(die)及相對掃描芯片原點(die comer)的缺陷坐標(biāo)位置,僅作拍攝動作,進而將上述已知芯片位置及相對影像轉(zhuǎn)入芯片數(shù)據(jù)庫。
[0018]在本發(fā)明的各個實施例中，上述設(shè)計數(shù)據(jù)庫包括原始設(shè)計數(shù)據(jù)庫的GDS文件、仿真的后光學(xué)鄰近效應(yīng)校正(post-OPC)的⑶S文件、或由仿真器(simulated tool)所轉(zhuǎn)換得到設(shè)計數(shù)據(jù)庫。
[0019]在本發(fā)明的各個實施例中，選擇上述檢查區(qū)域的方法包括選擇整個晶圓中的所有芯片位置作為所述檢查區(qū)域。
[0020]在本發(fā)明的各個實施例中，在取得所述檢查區(qū)域的實際影像之前，為了使檢測設(shè)備在一晶圓能在每個芯片(die)都能準確對位,可先做芯片對位(die register, 1.e alignwith some posit1n in each die),即在每個芯片對準同樣位置(如原點);以及在不同芯片上置入相同易認位置(easy to identify posit1n)或芯片原點(virtual die corner)在欲拍攝位置上或欲拍照檢測的坐標(biāo)檔案(Klarf file)上增進其對準效果。
[0021]基于上述，本發(fā)明通過把實際影像顯示于設(shè)計數(shù)據(jù)庫上，所以能實時或脫機取得特定的檢查區(qū)域內(nèi)的缺陷信息。而且，本發(fā)明利用影像萃取的方式進行實際影像與設(shè)計數(shù)據(jù)庫的比較。能得到精確的結(jié)果。另外，本發(fā)明如根據(jù)實體坐標(biāo)直接比較實際影像與設(shè)計數(shù)據(jù)庫，則可更為快速地得到缺陷信息。
[0022]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉實施例，并配合所附圖式作詳細說明如下。
【附圖說明】
[0023]圖1是依照本發(fā)明的一實施例的一種芯片對數(shù)據(jù)庫的影像檢測流程圖。
[0024]圖2A是本發(fā)明的實施例中針對特定區(qū)域進行實際影像取得的示意圖。
[0025]圖2B是圖2A的一實際例子的示意圖。
[0026]圖3A顯示在一晶圓中有多個檢查區(qū)域的示意圖。
[0027]圖3B是將圖3A的檢查區(qū)域重新設(shè)定后的示意圖。
[0028]【符號說明】
[0029]100 ?160:步驟
[0030]200:特定區(qū)域
[0031]202、204-d、300a_e:區(qū)域
[0032]210:芯片
[0033]212a,212b:矩形區(qū)塊
【具體實施方式】
[0034]圖1是依照本發(fā)明的一實施例的一種芯片對數(shù)據(jù)庫的影像檢測流程圖。
[0035]在圖1中，先進行步驟100，選擇一晶圓中欲檢查的多個芯片位置中的多個檢查區(qū)域。選擇檢查區(qū)域的步驟能將整個檢測流程的時間大幅縮短，并且經(jīng)由本實施例的方式還可檢測出已知以及/或是未知的缺陷。在本實施例中減少受測的檢查區(qū)域的方式有很多種，例如根據(jù)風(fēng)險分析(riskanalysis)、圖案密度(pattern density)、設(shè)計法則(designrule)、最小關(guān)鍵尺寸(minimum⑶)、圖案均勻度(pattern uniformity)、或經(jīng)KLA亮場或暗場光學(xué)儀器檢測得到的結(jié)果，來挑選要進行以下各個步驟