專(zhuān)利名稱(chēng)：：化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體和化學(xué)機(jī)械研磨方法、以及用于調(diào)制化學(xué)機(jī)械研磨用水系分...的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及化學(xué)^研磨用水系^t體和化學(xué)機(jī)械研磨方法、以及用于調(diào)制化學(xué)M研磨用水系分散體的試劑盒。
背景技術(shù)：
：隨著半導(dǎo)體裝置的集成度的提高和多層配線化等，存儲(chǔ)器件的存儲(chǔ)容量飛躍地增長(zhǎng)。這得到加工技術(shù)的微細(xì)化t艮的支持，雖然進(jìn)行了多層配線化等，但芯片尺寸增大，與微細(xì)化相伴、工序增加，導(dǎo)致芯片的成本高。在這樣的狀況下，將化學(xué)積械研磨技術(shù)引入加工膜等的研磨中，受到關(guān)注。通過(guò)采用該化學(xué)M研磨技術(shù)，平坦化等多種微細(xì)化技術(shù)得以具體化。作為這樣的微細(xì)化技術(shù)，已知例如微細(xì)化元件分離(ShallowTrenchIsolation)的所謂STI技術(shù)。在該STI技術(shù)中，為了將晶片基板上成膜的多余的絕緣層除去，使用化學(xué)機(jī)械研磨。在該化學(xué)M研磨工序中，被研磨面的平坦性是重要的，因此研究有各種研磨劑。例如，特開(kāi)平5-326469號(hào)公報(bào)和特開(kāi)平9-270402號(hào)公報(bào)中公開(kāi)了在STI的化學(xué);Wfe研磨工序中，通過(guò)使用水系*體，該水系^t體使用了二氧化鈰作為研磨磨粒，研磨速度增快，并且得到研磨損傷較少的祐:研磨面。近年來(lái)，隨著半導(dǎo)體元件的進(jìn)一步多層化、高精細(xì)化的m,日益要求半導(dǎo)體元件的收率、產(chǎn)量的進(jìn)一步提高。與此相伴，日益希望化學(xué)^研磨工序后的被研磨面基本上沒(méi)有產(chǎn)生研磨損傷并且高速的研磨。關(guān)于被研磨面的研磨損傷的減少，有報(bào)道指出脫乙酰殼多糖醋酸鹽、十二烷基胺、聚乙烯基他咯烷酮這樣的表面活性劑有效(例如，參照特開(kāi)2000-109809號(hào)/>才艮、特開(kāi)2001-7061號(hào)>^才艮和特開(kāi)2001-185514號(hào)/>才艮)。但是，雖然通過(guò)使用這些技術(shù)能夠減少研磨損傷，但是由于研磨速度降低,所以尚未實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量的提高。
發(fā)明內(nèi)容鑒于上述半導(dǎo)體裝置制造技術(shù)的狀況，本發(fā)明的目的在于提供能夠維持足夠的研磨速度，并且能夠大幅度降^^f磨損傷的化學(xué)M研磨用水系^t體，使用了上述化學(xué)M研磨用水系^:體的化學(xué)M研磨方法，以及用于調(diào)制化學(xué)M研磨用水系^t體的試劑盒。本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)^O^f磨用水系^t體，其含有(A)細(xì)孔容積為0.14ml/g以上的磨粒和(B)分lt介質(zhì)。在上述化學(xué),研磨用水系分散體中，上述(A)磨粒，由BET法算出的比表面積能夠?yàn)?5.0m7g以上，并且在使用了激光衍射法的粒度分布測(cè)定得到的體積粒徑分布中，從粒徑小的粒子開(kāi)始累計(jì)該粒子的體積比例而得到的合計(jì)體積比例達(dá)到99%時(shí)的粒徑(D99值)能夠?yàn)閘fim以下。在上述化學(xué),研磨用水系M體中，上述(A)磨粒能夠含有二氧化鈰。在上述化學(xué)^研磨用水系^L體中，能夠含有(C)水溶性高分子和(D)輔助粒子中的任一者或兩者。在上述化學(xué)機(jī)械研磨用水系^體中，能夠含有100質(zhì)量份的含二氧化鈰的無(wú)機(jī)粒子作為上述(A)磨粒，5~100質(zhì)量份的陰離子性水溶性高分子作為(C)水溶性高分子，5~100質(zhì)量份的陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子作為(D)輔助粒子。本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其包括在半導(dǎo)體裝置的制造中，使用上述化學(xué)^0^9f磨用水系^lt體，對(duì)導(dǎo)電層或絕緣層進(jìn)行研磨而使之平坦。本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨方法，其包括使用分散體，在半導(dǎo)體裝置的制造中對(duì)導(dǎo)電層或絕緣層進(jìn)行研磨而使之平坦；所述^t體通過(guò)將上述化學(xué)M研磨用水系^S:體與選自(B)M介質(zhì)、(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的至少1種成分混合而得到。本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的用于調(diào)制化學(xué)M研磨用水系^t體的試劑盒，其是用于將第1液體和第2液體混合，調(diào)制化學(xué)^研磨用水系^t體的試劑盒，其中，包含上述第1液體和上述第2液體，上述第1液體含有上述化學(xué)機(jī),磨用水系M體，上述第2液體含有選自(B)^L介質(zhì)、(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的1種以上的成分。采用上述化學(xué);W^研磨用水系^t體，在半導(dǎo)體裝置的制造中，通過(guò)用作對(duì)導(dǎo)電層或絕緣層進(jìn)行平坦化時(shí)的研磨材料，在不4吏研磨il;變大幅度降低的情況下，能夠?qū)?dǎo)電層或絕緣層平坦化，并且能夠大幅度減少研磨損傷，因此對(duì)于改善半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率和收率有效。更具體地說(shuō)，在上述化學(xué)M研磨用水系分散體中，由于U)磨粒的細(xì)孔容積為0.14ml/g以上，因此能夠利用(A)磨粒內(nèi)的微細(xì)的空間使(A)磨粒和被研磨材料接觸時(shí)產(chǎn)生的過(guò)剩的壓力逃逸，因此壓力不會(huì)集中在(A)磨粒的1點(diǎn)。因此，能夠大幅度減少研磨損傷。此外，在上述化學(xué)機(jī)^f磨用水系^t體中，通過(guò)使用(D)輔助粒子，在被研磨材料和研磨墊之間能夠產(chǎn)生均等的空間。因此，能夠使(A)磨粒和被研磨材料之間所加壓力在一定的范圍，因此能夠進(jìn)一步減少研磨損傷。此外，采用上述化學(xué);ia^研磨方法以及用于調(diào)制上述化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的試劑盒，通過(guò)使用上述化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體，在半導(dǎo)體裝置的制造中，在不使研磨速度大幅度降低的情況下，能夠?qū)?dǎo)電層或絕緣層平坦化，并且能夠大幅度減少研磨損傷，因此對(duì)于改善半導(dǎo)體裝置的生產(chǎn)率和收率有效。圖1是表示本發(fā)明的第2和第3實(shí)施方案的化學(xué);IM^研磨方法的一例的示意圖。圖2是示意地表示被研磨物(例如半導(dǎo)體晶片)的一例的截面圖。圖3是示意地表示研磨后的被研磨物的截面圖。具體實(shí)施方式1.化學(xué)M研磨用水系^:體本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)自磨用水系^t體含有(A)細(xì)孔容積為0.14ml/g以上的磨粒和(B)M介質(zhì)。以下對(duì)于本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體所含有的各成分進(jìn)行詳述。1.1.(A)磨粒作為(A)磨粒，能夠使用無(wú)機(jī)粒子。作為上述無(wú)機(jī)粒子，可以使用例如選自二氧化鈰、二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉻、二氧化錳、三氧化二錳、氧化鐵、氧化鋯、碳化硅、碳化硼、金剛石、碳酸鋇等中的l種或2種以上的成分。作為上述無(wú)機(jī)粒子，優(yōu)選含有二氧化鈰，更優(yōu)選還含有選自二氧化硅、氧化鋁、氧化鈦、氧化鉻、二氧化錳、三氧化二錳、氧化鐵、氧化鋯、碳化硅、碳化硼、金剛石、碳酸鋇等中的l種或2種以上的成分。更優(yōu)選使用二氧化鈰。二氧化鈰可以通過(guò)例如對(duì)鈰化合物進(jìn)行煅燒而制造。其中，作為原料使用的鈰化合物，可以列舉例如碳酸鈰、硝酸鈰、草酸鈰等，煅燒溫度優(yōu)選為3001C以上，更優(yōu)選為600~900匸左右。或者，可以4吏用上述無(wú)機(jī)粒子的表面的一部分或全部被其他成分M的磨粒。其中，作為其他成分，可以列舉例如上述的成分。作為上述二氧化硅，可以列舉例如熱解法二氧化硅、膠體二氧化硅等。上述熱解法二氧化硅可以通過(guò)例如在氫和氧的存在下使氯化硅反應(yīng)而得到。膠體二氧化硅可以通過(guò)例如使硅酸鹽化合物進(jìn)行離子交換的方法、將烷HJ^化合物水解并經(jīng)縮合反應(yīng)的方法等而得到。無(wú)機(jī)粒子為二氧化鈰與其他無(wú)機(jī)粒子的混合物時(shí)，二氧化鈰在全部無(wú)機(jī)粒子中所占的比例優(yōu)選為60質(zhì)量％以上，更優(yōu)選為90質(zhì)量％以上。此外，作為無(wú)機(jī)粒子，優(yōu)選是只由二氧化鈰形成的無(wú)機(jī)粒子或者是由二氧化鈰和二氧化硅形成的無(wú)機(jī)粒子，更優(yōu)選是只由二氧化鈰形成的無(wú)機(jī)粒子。(A)磨粒的細(xì)孔容積，優(yōu)選為0.14ml/g以上，更優(yōu)選為0.14~0.30ml/g，進(jìn)一步優(yōu)選為0.15~0.25ml/g。細(xì)孔容積小于0.14ml/g時(shí)，存在擦傷增多的傾向，有時(shí)作為化學(xué)^研磨用水系^t體的成分不理想。另一方面，當(dāng)超過(guò)0.30ml/g時(shí)，有時(shí)研磨速度不足。(A)磨粒的細(xì)孔容積，可以對(duì)干燥過(guò)的(A)磨粒，采用利用氣體吸附的BET多點(diǎn)法等公知的方法測(cè)定。作為氣體吸附中使用的氣體，只要是與(A)磨粒不具反應(yīng)性的氣體，則并無(wú)特別限定，但優(yōu)選使用例如氮、氦、氬、氪等惰性氣體。可以通過(guò)采用BET多點(diǎn)法測(cè)定吸附等溫線，采用B.J.H.(Barrett-Joyner-Halenda)法解析，求得細(xì)孔容積。(A)磨粒的細(xì)孔容積可以通過(guò)改變磨粒的制造條件而控制。例如，使用二氧化鈰作為(A)磨粒時(shí)，可以使用鈰化合物作為原料，對(duì)鋅化合物進(jìn)行煅燒而得到二氧化鈰。此時(shí)，通過(guò)改變作為原料的鈰化合物的煨燒溫度、煅燒品的粉碎條件和分級(jí)條件等，可以控制細(xì)孔容積。一般而言，如果提高通過(guò)媒燒制造(A)磨粒時(shí)的煅燒溫度，則得到的(A)磨粒的細(xì)孔容積變小，如果(A)磨粒的細(xì)孔容積變小，則研磨速度增高，但存在被>^磨材料產(chǎn)生的研磨損傷增多的傾向。另一方面，如果降低通過(guò)煅燒制造(A)磨粒時(shí)的煅燒溫度，得到的(A)磨粒的細(xì)孔容積變大，如果(A)磨粒的細(xì)孔容積變大，則存在研磨速度變得非常低的傾向。采用BET法算出的(A)磨粒的比表面積((A)磨粒的BET比表面積)優(yōu)選為15.0m7g以上，更優(yōu)選為15.0~50.0m7g，進(jìn)一步優(yōu)選為20.0~50.0m7g。通過(guò)使用具有該范圍的比表面積的(A)磨粒，能夠得到平坦性?xún)?yōu)異的磨粒。當(dāng)(A)磨粒的BET比表面積小于15.0m7g時(shí)，研磨速度提高，M在擦傷增多的傾向，因此作為化學(xué)M研磨用水系分散體的成分不理想。另一方面，(A)磨粒的BET比表面積大于50.0m7g時(shí)，研磨速度有時(shí)不足。(A)磨粒的平均粒徑優(yōu)選為0.01~ljim，更優(yōu)選為0.02~0.7jim,進(jìn)一步優(yōu)選0.04-0.3nm。該平均粒徑可以采用動(dòng)態(tài)光^:射法、激光散射衍射法、透射型電子顯微鏡觀察等測(cè)定。其中，由于釆用激光散射衍射法進(jìn)行測(cè)定簡(jiǎn)便而優(yōu)選。通過(guò)使用了激光衍射法的粒度分布測(cè)定得到的(A)磨粒的D99值優(yōu)選為lpm以下，更優(yōu)選為0.2jim~0.8nm，進(jìn)一步優(yōu)選0.2um~0.6nm。當(dāng)D99值小于0.2nm時(shí)，存在研磨速度降低的傾向，因此有時(shí)作為化學(xué)M研磨用水系分散體的成分不理想。另一方面，D99值大于lum時(shí)，存在擦傷增多的傾向，因此有時(shí)作為化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體的成分不理想。在采用激光衍射法的(A)磨粒的粒度分布測(cè)定中，可以使(A)磨粒M在水中進(jìn)行測(cè)定。此外，D99值，如上所述，是在使用了激光衍射法的粒度分布測(cè)定得到的體積粒徑分布中，從粒徑小的粒子開(kāi)始累計(jì)該粒子的體積比例，合計(jì)體積比例達(dá)到99%時(shí)的粒徑的值。通過(guò)使用具有上述范圍的平均粒徑和細(xì)孔容積的無(wú)機(jī)粒子，能夠得到研磨速度和在水系分散體中的M穩(wěn)定性的均衡性?xún)?yōu)異的研磨材料。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)M研磨用水系^lt體中的(A)磨粒的含量，以本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)^9f磨用水系^t體全體為100質(zhì)量％，優(yōu)選5質(zhì)量％以下，更優(yōu)選0.02~5質(zhì)量％，進(jìn)一步優(yōu)選0.05~3質(zhì)量％，特別優(yōu)選0.1~2質(zhì)量％。(A)磨粒的含量超過(guò)5質(zhì)量％時(shí)，化學(xué)機(jī)械研磨用水系^L體容易干燥，有時(shí)生成粗大的干燥粉并且擦傷增加，另一方面，如果小于0.02質(zhì)量％,則研磨速度降低，有時(shí)不能實(shí)現(xiàn)高效率的研磨。1.2.(B)錄介質(zhì)作為本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體中含有的(B)^t介質(zhì)，可以列舉例如水、水和醇的混合介質(zhì)、水和進(jìn)一步含有與M相容性的有機(jī)溶劑的混合介質(zhì)等。作為醇，可以列舉甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇等。作為與水具有相容性的有機(jī)溶劑，可以列舉丙酮、甲基乙基酮等。其中，優(yōu)選使用水、或水與醇的混合介質(zhì)。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)M研磨用水系分散體，含有上述的U)磨粒和(B)M介質(zhì)作為必要成分，但根據(jù)需要可以進(jìn)一步含有選自(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的至少l種成分。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)M研磨用水系M體，例如，優(yōu)選含有(C)水溶性高分子和(D)輔助粒子中的任一者或兩者。1.3.(C)水溶性高分子本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，優(yōu)選還含有(C)水溶性高分子。作為(C)水溶性高分子，可以列舉例如含有陽(yáng)離子性官能團(tuán)的陽(yáng)離子性水溶性高分子、具有陰離子性官能團(tuán)的陰離子性水溶性高分子、既不含陽(yáng)離子性也不含陰離子性官能團(tuán)的非離子性水溶性高分子。更具體地說(shuō)，(C)水溶性高分子，可以列舉例如(1)聚(甲基)丙烯酸、聚衣康酸、聚富馬酸、聚馬來(lái)酸等聚羧酸，聚(甲基)丙烯酸系共聚物和它們的銨鹽、烷基銨鹽(烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1~2)、鉀鹽，(2)聚苯乙烯磺酸、聚異戊二烯磺酸和它們的銨鹽、鉀鹽，(3)丙烯酸、甲基丙烯酸、苯乙烯磺酸(或其鹽)、萘璜酸(或其鹽)、異戊二烯磺酸(或其鹽)等乙烯基系單體與(甲基)丙烯酰胺系的親水性單體的共聚物，(4)丙烯酸、甲基丙烯酸、苯乙烯磺酸(或其鹽)、萘磺酸(或其鹽)、異戊二烯磺酸(或其鹽)等乙烯基系單體與(甲基)丙烯酸酯和疏水性芳香族單體的共聚物，(5)將谷氨酸縮聚而得到的聚谷氨酸，(6)聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、聚乙烯亞胺等含氮聚合物等。作為(C)水溶性高分子，優(yōu)選使用聚合物中具有氮原子這樣的陽(yáng)離子性水溶性高分子和在聚合物的重復(fù)單元中具有氣基、磺基這樣的陰離子性水溶性高分子。具體地，為聚(甲基)丙烯酸、聚衣康酸、聚富馬酸、聚馬來(lái)酸等聚羧酸，聚(甲基)丙烯酸系共聚物和它們的銨鹽、烷基銨鹽(烷基的碳原子數(shù)優(yōu)選為1~2)、鉀鹽，聚乙烯基吡咯烷酮、聚丙烯酰胺、聚乙烯亞胺等含氮聚合物等。它們可以單獨(dú)使用l種，或者將2種以上組^^吏用。作為(C)水溶性高分子，優(yōu)選陰離子性水溶性高分子。陰離子性水溶性高分子優(yōu)選是具有陰離子性官能團(tuán)的水溶性高分子。作為陰離子性水溶性高分子具有的陰離子性的官能團(tuán)，可以列舉例如羧基、>^基等。作為含有g(shù)作為陰離子性官能團(tuán)的陰離子性水溶性高分子，可以列舉例如不飽和羧酸的(共)聚合物、聚谷氨酸、聚馬來(lái)酸等。作為含有磺基作為陰離子性基團(tuán)的陰離子性水溶性高分子，可以列舉例如具有磺基的不飽和單體的(共)聚合物等。不飽和羧酸的(共)聚合物，是不飽和羧酸的均聚物或不飽和羧酸與其他單體的共聚物。作為不飽和羧酸，可以列舉例如(甲基)丙烯酸。作為其他單體，可以列舉例如(甲基)丙烯酰胺、(甲基)丙烯酸酯、苯乙烯、丁二烯、異戊二烯等。作為(曱基)丙烯酸酯，可以列舉例如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(曱基)丙烯酸芐酯等。具有磺基的不飽和單體的(共)聚合物，是具有磺基的不飽和單體的均聚物或具有磺基的不飽和單體與其他單體的共聚物。作為具有磺基的不飽和單體，可以列舉例如苯乙烯磺酸、萘磺酸、異戊二烯磺酸等。作為其他單體，可以使用與上述作為不飽和羧酸共聚物的原料例示的其他單體相同的單體。在這些陰離子性水溶性高分子中，可以?xún)?yōu)選使用不飽和羧酸(共)聚合物，特別優(yōu)選聚(甲基)丙烯酸。再者，這些具有陰離子性基團(tuán)的水溶性有機(jī)聚合物可以使用其含有的陰離子性基團(tuán)的全部或一部分為鹽的7jc溶性有機(jī)聚合物。作為此時(shí)的抗衡陽(yáng)離子，可以列舉例如銨離子、烷基銨離子、鉀離子等，其中優(yōu)選銨離子或烷基銨離子。(C)水溶性高分子，以水為溶劑、采用凝膠滲透色譜法(GPC)測(cè)定的換算為聚乙二醇的重均分子量?jī)?yōu)選為3，000~1000，000，更優(yōu)選為4，000~800，000，進(jìn)一步優(yōu)選為5，000~100，000，最優(yōu)選5，000~20，000。(C)水溶性高分子的重均分子量小于3,000時(shí)，存在磨粒的*性變差的傾向。通過(guò)使用重均分子量在該范圍的(C)水溶性高分子，有效地顯現(xiàn)進(jìn)一步降低被研磨面表面缺陷產(chǎn)生的效果。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)M研磨用水系分散體中(c)水溶性高分子的含量，相對(duì)于每100質(zhì)量的(A)磨粒，優(yōu)選為1~600質(zhì)量份，更優(yōu)選為10~500質(zhì)量份，進(jìn)一步優(yōu)選為20~400質(zhì)量份，特別優(yōu)選為5~100質(zhì)量份。相對(duì)于每100質(zhì)量份(A)磨粒，(C)水溶性高分子的含量小于1質(zhì)量份時(shí)，有時(shí)磨粒的M性變差，另一方面，相對(duì)于每100質(zhì)量份(A)磨粒，(C)水溶性高分子的含量大于600質(zhì)量份時(shí)，有時(shí)研磨速度降低。1.4.(D)輔助粒子本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，優(yōu)選還含有(D)輔助粒子。作為(D)輔助粒子，可以使用例如有機(jī)粒子和有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合粒子中的至少一者。作為構(gòu)成上述有機(jī)粒子的有機(jī)材料，可以列舉例如聚氯乙烯、聚苯乙烯、苯乙烯系共聚物、聚縮醛、飽和聚酯、聚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯、聚丙烯、聚-1-丁烯、聚-4-甲基-l-戊烯等聚烯烴、烯烴系共聚物、苯氧M脂、聚甲基丙烯酸甲酯等(曱基)丙烯酸系樹(shù)脂等熱塑性樹(shù)脂；使苯乙烯、甲基丙烯酸甲酯等與二乙烯基苯、乙二醇二曱基丙烯酸酯等共聚而得到的具有交聯(lián)結(jié)構(gòu)的共聚樹(shù)脂；酚醛樹(shù)脂、尿素樹(shù)脂、蜜胺樹(shù)脂、環(huán)氧樹(shù)脂、醇酸樹(shù)脂、不飽和聚酯樹(shù)脂等熱固性樹(shù)脂等。構(gòu)成上述有機(jī)粒子的上述材料可以單獨(dú)使用或者將2種以上組合使用。此外，上述有機(jī)粒子可以采用乳液聚合法、懸浮聚合法、乳化分軟法、粉碎法等各種方法制造。作為上述有機(jī)-無(wú)機(jī)復(fù)合粒子，可以列舉例如在無(wú)機(jī)粒子和有機(jī)粒子混合存在的狀態(tài)下使烷lLiJ^院縮聚、在有積4立子的至少表面上結(jié)合有聚硅氧烷等而成的粒子，由二氧化硅、二氧化鈰等形成的無(wú);||*子通過(guò)靜電力等與有機(jī)粒子結(jié)合而成的粒子等。其中，從能夠維持足夠的研磨速度，并且能夠大幅度降^9f磨損傷方面出發(fā)，優(yōu)選由二氧化鈰形成的無(wú)機(jī)粒子與有機(jī)粒子結(jié)合而成的粒子。上述聚硅氧烷等可以與有機(jī)粒子具有的陰離子基團(tuán)直接結(jié)合，或者也可以介由硅烷偶聯(lián)劑等間接地結(jié)合。(D)輔助粒子的平均分散粒徑優(yōu)選為0.01~ljim,更優(yōu)選為0.05~0.5um。(D)輔助粒子的平均粒徑超過(guò)Vm時(shí)，有時(shí)(D)輔助粒子沉淀或分離，不能得到穩(wěn)定的化學(xué)機(jī)械磨用水系分散體。再有，上述的(D)輔助粒子的平均粒徑，可以采用例如動(dòng)態(tài)光散射裝置、激光散射衍射裝置、或透射型電子顯微鏡測(cè)定。此外，也可以由干燥過(guò)的(D)輔助粒子的比表面積數(shù)據(jù)，算出(D)輔助粒子的平均粒徑。(D)輔助粒子優(yōu)選為陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子。陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子是指具有帶正電荷的表面的有機(jī)粒子。陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子在粒子中可以具有陽(yáng)離子性基團(tuán)，例如可以具有下述式(l)~(4)所示的基團(tuán)。此外，陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子可以通過(guò)例如使用具有陽(yáng)離子性基團(tuán)的單體進(jìn)行聚合而得到，或者使用具有陽(yáng)離子性基團(tuán)的引發(fā)劑進(jìn)行聚合而得到。[化學(xué)式1]——NR2(1)=NR(2)NR'NR2(3)其中，R各自獨(dú)立地為氫原子、碳原子數(shù)1~30的脂肪族烴基或碳原、子數(shù)6~30的芳基，優(yōu)選為氫原子或碳原子數(shù)1~4的烷基，更優(yōu)選為氫原子或甲基。此外，R，為氫原子、碳原子數(shù)1~30的脂肪族烴基或碳原子數(shù)6~30的芳基。上述陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子并無(wú)特別限制，可以是例如具有上述的陽(yáng)離子性殘基的聚合物粒子、附著了具有陽(yáng)離子性殘基的表面活性劑的聚合物粒子等。陽(yáng)離子性有機(jī)粒子為具有陽(yáng)離子性殘基的聚合物粒子時(shí)，上述陽(yáng)離子性殘基可以位于聚合物的側(cè)鏈中和末端中的至少一方。側(cè)鏈具有陽(yáng)離子性殘基的聚合物可以通過(guò)陽(yáng)離子性單體的均聚或兩種以上的陽(yáng)離子性單體的共聚或陽(yáng)離子性單體與除此之外的單體的共聚而得到。作為上述陽(yáng)離子性單體，可以列舉例如含有M烷基的(曱基)丙烯酸酯、含有M烷lL^烷基的(甲基)丙烯酸酯、含有N-^烷基的(甲基)丙烯酸酯等。作為含有M烷基的(甲基)丙烯酸酯，可以列舉例如(甲基)丙烯酸2-二曱基JL^乙酯、(曱基)丙烯酸2-二乙基JL^乙酯、(甲基)丙烯酸2-二甲基氨基丙酯、(甲基)丙烯酸3-二曱基氨基丙酯等；作為含有氨基烷lL&烷基的(甲基)丙烯酸酯，可以列舉例如(甲基)丙烯酸2-(二曱基絲乙IUO乙酯、(甲基)丙烯酸2-(二乙基絲乙緣)乙酯、(甲基)丙烯酸3-(二甲基氨基乙氡基)丙酯等；作為含有N-#Jj^的(甲基)丙烯酸酯，可以列舉例如N-(2-二甲基氨基乙基)(曱基)丙烯酰胺、N-(2-二乙基JL^乙基)(甲基)丙烯酰胺、N-(2-二甲基JtJ^丙基)(曱基)丙烯酰胺、N-(3-二甲基M丙基)(曱基)丙烯酰胺等。其中，優(yōu)選(甲基)丙烯酸2-二甲基狄乙酯、N-(2-二曱基絲乙基)(甲基)丙烯酰胺。再有，這些陽(yáng)離子性單體，可以是加成有曱基氯、硫酸二甲酯、硫酸二乙酯等而得的鹽的形式。陽(yáng)離子性單體為這些鹽時(shí)，優(yōu)選加成有甲基氯而得的鹽。作為除此之外的單體，可以列舉例如芳香族乙烯基化合物、不飽和腈化合物、(甲基)丙烯酸酯(但不包括與上述陽(yáng)離子單體相當(dāng)?shù)?甲基)丙烯酸酯)、共軛二烯化合物、羧酸的乙烯基酯、卣化乙烯等。作為芳香族乙烯基化合物，可以列舉例如苯乙烯、a-甲基苯乙烯、對(duì)甲基苯乙烯、卣代苯乙烯等；作為不飽和腈化合物，可以列舉例如丙烯腈等；作為(甲基)丙烯酸酯(但不包括與上述陽(yáng)離子性單體相當(dāng)?shù)?曱基)丙烯酸酯)，可以列舉例如(曱基)丙烯酸甲酯、(曱基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸環(huán)己酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(曱基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯等；作為共軛二烯化合物，可以列舉例如丁二烯、異戊二烯等；作為羧酸的乙烯基酯，可以列舉例如醋酸乙烯酯等；作為卣化乙烯，可以列舉例如氯乙烯、偏氯乙烯等。其中，優(yōu)選苯乙烯、a-甲基苯乙烯、丙烯腈、曱基丙烯酸甲酯、甲基丙烯酸丁酯、丙烯酸2-羥基乙酯和三羥甲基丙烷三甲基丙烯酸酯。此外，根據(jù)需要可以使具有兩個(gè)以上聚合性不飽和鍵的單體共聚。作為這樣的單體，可以列舉例如二乙烯基苯、二乙烯基聯(lián)苯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二甘醇二(甲基)丙烯酸酯、三甘醇二(甲基)丙烯酸酯、四甘醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、二丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、三丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1，6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、2，2，-雙[4-(甲基)丙烯酰氧基丙猛苯基]丙烷、2，2，-雙[4-(曱基)丙烯酰猛二乙猛二苯基]丙烷(2，2，一匕'7[4-(乂夕)7夕！J口^W才年〉^工卜年^7工二/W:/口八°乂)、甘油三(曱基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(曱基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯等。其中，優(yōu)選二乙烯基苯和乙二醇二甲基丙烯酸酯。陽(yáng)離子性有機(jī)粒子為陽(yáng)離子性單體與除此之外的單體的共聚物時(shí)，作為原料使用的陽(yáng)離子性單體，相對(duì)于全部單體，優(yōu)選為0.1~60質(zhì)量％,更優(yōu)選為0.1~20質(zhì)量％。如上述的聚合物可以使用自由基聚合引發(fā)劑并采用公知的方法制造。其中，作為自由基聚合引發(fā)劑，可以列舉例如過(guò)氧化苯甲酰、過(guò)疏酸鉀、過(guò)硫酸銨、2，2，-偶氮二異丁腈等。作為自由基聚合引發(fā)劑的使用量，相對(duì)于單體的總量100質(zhì)量份，優(yōu)選為0.05~3.0質(zhì)量份，更優(yōu)選為0.1~2.0質(zhì)量份。上述末端具有陽(yáng)離子性殘基的聚合物，可以在聚合上述那樣的單體時(shí)，使用具有殘存于聚合物的末端而成為陽(yáng)離子性殘基的殘基的聚合引發(fā)劑(以下有時(shí)稱(chēng)為"陽(yáng)離子性聚合引發(fā)劑，，)作為聚合引發(fā)劑而制造。此外，根據(jù)需要可以使具有兩個(gè)以上聚合性不飽和鍵的單體共聚。作為這種情況下的成為原料的單體，可以通過(guò)選自上述的陽(yáng)離子性單體和除此之外的單體中的至少l種單體的均聚或共聚而制造。其中，如果原料單體的一部分或全部使用陽(yáng)離子性單體，則能夠得到在聚合物的側(cè)鏈和末端兩者具有陽(yáng)離子性戎基的聚合物。作為上述陽(yáng)離子性聚合引發(fā)劑，可以列舉例如2，2，-偶氮雙(2-甲基-N-苯基丙酰脒)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(抹)以商品名"VA-545"出售)、2，2，-偶氮雙[N-(4-氯苯基)-2-甲基丙酰脒)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-546"出售)、2，2，-偶氮雙[N-(4-羥基苯基)-2-曱基丙酰脒)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-548"出售)、2，2，-偶氮雙[2-甲基-N-(苯基曱基)-丙酰脒)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-552，，出售)、2，2，-偶氮雙[2-曱基-N-(2-丙烯基)丙酰脒)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-553"出售)、2，2，-偶氮雙(2-曱基丙酰脒)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"V-50"出售)、2，2，-偶氮雙[N-(2-羥基乙基)-2-甲基丙酰脒]二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-558"出售)、2，2，-偶氮雙[N-(2-羧基乙基)-2-曱基丙酰脒]水合物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-057"出售)、2，2，-偶氮雙[2-曱基-(5-甲基-2-咪唑啉-2-基)丙烷)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-041"出售)、2，2，-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷)二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-044"出售)、2，2，-偶氮雙[2-(4，5，6，7-四氫-1H-1，3-二氮雜罩-2-基)丙烷]二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(株)以商品名"VA-054"出售)、2，2，-偶氮雙[2-(3，4，5，6-四氫嘧咬-2-基)丙烷]二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(株)以商品名"VA-058"出售)、2，2，-偶氮雙[2-(5-羥基-3，4，5，6-四氫嘧咬-2-基)丙烷]二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-059"出售)、2，2，-偶氮雙{2-[1-(2-羥基乙基)-2-咪唑啉-2-基]丙烷}二鹽酸化物(由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-060"出售)、2，2，-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷](由和光純藥工業(yè)(林)以商品名"VA-061"出售)等。其中，優(yōu)選使用2，2，-偶氮雙(2-甲基丙酰脒)二鹽酸化物(商品名"V-50")、2，2，-偶氮雙[N-(2-氣基乙基)-2-甲基丙酰脒]水合物(商品名"VA-057")和2，2，-偶氮雙[2-(2-咪唑啉-2-基)丙烷)二鹽酸化物(商品名"VA-044")。作為該陽(yáng)離子性聚合引發(fā)劑的使用量，相對(duì)于單體的總量100質(zhì)量份,優(yōu)選0.1~5.0質(zhì)量份，更優(yōu)選為0.5~3.0質(zhì)量份。陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子是附著了具有陽(yáng)離子性殘基的表面活性劑的聚合物粒子時(shí)，作為聚合物，優(yōu)選具有中性或陰離子性殘基的聚合物。這樣的聚合物可以使用上述的"其他單體，，或"其他單體"和"具有兩個(gè)以上聚合性不飽和鍵的單體"，使用上述的自由基聚合引發(fā)劑(不是上述陽(yáng)離子性聚合引發(fā)劑)，釆用7^的方法制造。作為具有陰離子性殘基的單體，可以使用例如上述的羧酸的乙烯基酯等。其中，作為具有陰離子性戎基的單體的使用量，相對(duì)于全部單體，優(yōu)選為1~60質(zhì)量％，更優(yōu)選為1~30質(zhì)量％。作為此時(shí)的自由基聚合引發(fā)劑的使用量，相對(duì)于單體的總量100質(zhì)量份，優(yōu)選為0.05~3.0質(zhì)量份，更優(yōu)選為0.1~2.0質(zhì)量份。作為上述具有陽(yáng)離子性殘基的表面活性劑，可以列舉烷基吡啶氯化物、烷基胺乙酸鹽、；^銨氯化物、；^胺等，以及特開(kāi)昭60-235631號(hào)公報(bào)中記載的二烯丙基銨卣化物等及^應(yīng)性陽(yáng)離子表面活性劑等。具有陽(yáng)離子性殘基的表面活性劑的使用量，相對(duì)于聚合物100質(zhì)量份,優(yōu)選為130質(zhì)量份，更優(yōu)選為110質(zhì)量份。為了使具有陽(yáng)離子殘基的表面活性劑附著于聚合物，可以使用適當(dāng)?shù)姆椒ǎ?，可以通過(guò)調(diào)制含有聚合物粒子的^t體，并向其加A^面活性劑的溶液，從而實(shí)施。上述共聚物可以釆用溶液聚合、乳液聚合、懸浮聚合等現(xiàn)有爿>知的聚合方法制造。聚合溫度、聚合時(shí)間等聚合條件可以根據(jù)共聚的單體的種類(lèi)、分子量等共聚物的特性而適當(dāng)設(shè)定。作為陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子的平均粒徑，優(yōu)選為l.Ojim以下，更優(yōu)選為0.02~0.6nm，特別優(yōu)選為0.04~0.3薩。此外，對(duì)于該平均粒徑，(D)陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子的平均粒徑與(A)磨粒的平均粒徑之比優(yōu)選為30%~200%,更優(yōu)選為50%~150%,進(jìn)一步優(yōu)選為60%~120%。上述平均粒徑可以采用動(dòng)態(tài)光散射法、激光散射衍射法、透射型電子顯微4^見(jiàn)察等進(jìn)行測(cè)定。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)^研磨用水系分散體中(D)輔助粒子的含量，以化學(xué)機(jī)械研磨用水系*體全體作為100質(zhì)量％,優(yōu)選為5質(zhì)量9S以下，更優(yōu)選為3質(zhì)量％以下，進(jìn)一步優(yōu)選為0.01~3質(zhì)量％。以化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體全體作為100質(zhì)量％，如果(D)輔助粒子的含量超過(guò)5質(zhì)量％，則有時(shí)研磨速度降低，不能實(shí)現(xiàn)高效率的研磨。此外，本實(shí)施方案所涉及的化學(xué),研磨用水系a體中(D)輔助粒子的含量，優(yōu)選每100質(zhì)量份(A)磨粒為1~200質(zhì)量份，更優(yōu)選為5~IOO質(zhì)量份。1.5.(E)pH調(diào)節(jié)劑本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體，能夠含有(E)pH調(diào)節(jié)劑。(E)pH調(diào)節(jié)劑可以為例如酸或堿。通過(guò)配合該(E)pH調(diào)節(jié)劑，通過(guò)根據(jù)使用的(A)磨粒的構(gòu)成材料而調(diào)節(jié)pH，能夠使化學(xué)機(jī)自磨用水系*體穩(wěn)定，使(A)磨粒的分散性、研磨速度和選擇性提高?？梢杂米?E)pH調(diào)節(jié)劑的酸并無(wú)特別限定，可以4吏用有機(jī)酸和無(wú)機(jī)酸中的任一種。作為有機(jī)酸，可以列舉例如對(duì)甲M酸、異戊二烯磺酸、葡萄糖酸、乳酸、檸檬酸、酒石酸、蘋(píng)果酸、乙醇酸、丙二酸、曱酸、草酸、琥珀酸、富馬酸、馬來(lái)酸和鄰苯二甲酸等。作為無(wú)機(jī)酸，可以列舉例如硝酸、鹽酸和硫酸等。這些有機(jī)酸和無(wú)機(jī)酸可以分別單獨(dú)使用或者將2種以上組合使用，此外，還可以將有機(jī)酸和無(wú)機(jī)酸并用。用作(E)pH調(diào)節(jié)劑的堿并無(wú)特別限定，可以使用有;M^和無(wú)M中的任一種。作為有機(jī)喊，可以列舉例如乙二胺、三曱胺、四甲基胺氫氧化物、乙醇胺等含氮有機(jī)化合物等。作為無(wú)機(jī)堿，可以列舉例如氨、氫氧化鉀、氫氧化鈉、氫氧化鋰等。用作(E)pH調(diào)節(jié)劑的堿可以分別單獨(dú)使用或者將2種以上組合使用，此外，還可以將有機(jī)喊和無(wú)機(jī)堿并用。(E)pH調(diào)節(jié)劑的配合量為將本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^i:體的pH調(diào)節(jié)為優(yōu)選313、更優(yōu)選4~10、最優(yōu)選59所需的量。1.6.(F)表面活性劑作為上W面活性劑，可以列舉陽(yáng)離子性表面活性劑、陰離子性表面活性劑、非離子性表面活性劑。作為上述陽(yáng)離子性表面活性劑，可以列舉例如脂肪族胺鹽、脂肪族銨鹽等。作為上述陰離子性表面活性劑，可以列舉例如羧酸鹽、磺酸鹽、石危酸酯鹽、磷酸酯鹽等。作為上述羧酸鹽，可以列舉脂肪酸皂、烷基醚羧酸鹽等；作為磺酸鹽，可以列舉烷基苯磺酸鹽、烷基萘磺酸鹽、a-烯烴磺酸鹽等；作為硫酸酯鹽，可以列舉例如高級(jí)醇硫酸酯鹽、烷基醚硫酸鹽等；作為磷酸酯，可以列舉例如烷基磷酸酯等。作為這些陰離子性表面活性劑的抗衡陽(yáng)離子，可以列舉例如銨離子、烷基銨離子、鉀離子等。其中，優(yōu)選十二烷基笨璜酸的鹽或烷基二苯基醚二磺酸的鹽，更優(yōu)選它們的銨鹽。作為上述非離子性表面活性劑，可以列舉例如醚型表面活性劑、醚酯型表面活性劑、酯型表面活性劑、炔系表面活性劑等。作為上述醚型表面活性劑，可以列舉例如聚氧乙烯烷基醚等；作為醚酯型表面活性劑，可以列舉例如甘油酯的聚氧乙烯醚等；作為酯型表面活性劑，可以列舉例如聚乙二醇脂肪酸酯、甘油酯、脫水山梨醇脂肪酸酯等；作為反應(yīng)性表面活性劑，可以列舉例如(林)ADEKA制"AdekaReasoapER-30"、"AdekaReasoapER-10"、花王(林)制"LATEMULPD-420"、"LATEMULPD-450"等。上^面活性劑可以單獨(dú)使用l種，或者將2種以上混合使用。1.7.(G)防腐劑本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體能夠含有(G)防腐劑。通過(guò)配合該(G)防腐劑，能夠防止化學(xué)機(jī)械研磨用水系M體的腐蝕，得到穩(wěn)定的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體。作為(G)防腐劑，可以使用溴硝基醇化合物和異噻唑酮(isothiazolone)化合物。作為溴硝基醇化合物，可以列舉例如2-溴-2-硝基-1，3-丙二醇、2-溴-2-硝基-1，3-丁二醇、2，2-二溴-2-硝基乙醇和2，2-二溴-3-次氮基丙跣胺。作為異噻唑酮化合物，可以列舉1，2-苯并異蓬唑酮-3-酮、5-氯-2-甲基-4-異漆唑酮-3-酮、2-甲基-4-異瘞唑酮-3-酮、5-氯-2-苯乙基-3-異噻唑酮、4-溴-2-正十二烷基-3-異漆唑酮、4,5-二氯-2-正辛基-3-異噻唑酮、4-甲基-5-氯-2-(4，-氯芐基)-3-異噻唑酮、4，5-二氯-2-(4，-氯芐基)-3-異漆唑酮、4，5-二氯-2-(4，-氯苯基)-3-異瘞唑酮、4，5-二氯-2-(2，-甲lL^-3，-氯苯基)-3-異噻唑酮、4，5-二溴-2-(4，-氯芐基)-3-異噻唑酮、4-甲基-5-氯-2-(4，-羥基苯基)-3-異噻唑酮、4，5-二氯-2-正己基-3-異噻唑酮和5-氯-2-(3，，4，-二氯苯基)-3-異噻唑酮等。其中，優(yōu)選2-溴-2-硝基-l，3-丙二醇、1，2-苯并異漆唑酮-3-酮、5-氯-2-甲基-4-異噻唑酮-3-酮和2-甲基-4-異漆唑酮-3-酮。這些防腐劑優(yōu)選在pH5-9的中性范圍中使用。(G)防腐劑的含量，以化學(xué)^研磨用水系*體的總量作為100質(zhì)量％時(shí)，優(yōu)選為0.0002~0.2質(zhì)量％，更優(yōu)選為0.001~0.17質(zhì)量％，特別優(yōu)選為0.002~0.15質(zhì)量％。通過(guò)i殳為該范圍的含量，能夠得到穩(wěn)定的防腐性能。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體還可以通過(guò)將選自(B)*介質(zhì)、(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的至少1種以上的成分與上述本實(shí)施方案所涉及的化學(xué);^研磨用水系^:體混合而制造。其中，(B)^t介質(zhì)、(C)7jc溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑可以分別使用與上述各成分相同的物質(zhì)。在這種情況下，可以通過(guò)使用用于將第1液體和第2液體混合、調(diào)制化學(xué)M研磨用水系^t體的試劑盒，調(diào)制本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體。該試劑盒能夠包含第1液體和第2液體。此外，在該試劑盒中，第1液體能夠含有至少包含(A)磨粒和(B)^介質(zhì)的化學(xué)^研磨用水系a體，第2液體能夠含有選自(B)M介質(zhì)、(C)7jc溶性高分子、(D)輔助粒子和(E)pH調(diào)節(jié)劑中的1種以上的成分。此外，第1液體可以進(jìn)一步有選自(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的l種以上的成分。此外，在此使用的選自(B)M介質(zhì)、(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的至少1種以上的成分優(yōu)選為流動(dòng)狀。在此，所謂流動(dòng)狀，是指液態(tài)、或液體中^t有固體的狀態(tài)。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，可以以上述含量含有上述各成分，或者，本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī),磨用水系分散體，能夠在濃縮的狀態(tài)下進(jìn)行保存或搬運(yùn)。濃縮的本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^L體，能夠通^用于化學(xué)^研磨工序時(shí)進(jìn)##釋?zhuān)瑢⒏鞒煞值暮空{(diào)節(jié)到上述范圍后使用。保存或搬運(yùn)本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^L體時(shí)，優(yōu)選制成(A)磨粒的含量不超過(guò)上述化學(xué);tM^研磨用水系^:體全體的40質(zhì)量％的狀態(tài)。通過(guò)調(diào)節(jié)本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體以使(A)磨粒的含量達(dá)到上述濃度范圍，能夠長(zhǎng)時(shí)間穩(wěn)定地保存本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)^^f磨用水系*體。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體，例如，在半導(dǎo)體裝置的制造中，能夠適合作為用于將導(dǎo)電層或絕緣層平坦化的化學(xué);Wfe研磨用水系M體使用。2.化學(xué)機(jī)^f磨用水系^L體的制造方法本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)W^研磨用水系^t體，通過(guò)使(B)M介質(zhì)中存在如上所述的(A)磨粒、(D)輔助粒子和(C)水溶性高分子，對(duì)其進(jìn)行攪拌而制造。它們的使用比例如下相對(duì)于(A)磨粒100質(zhì)量份，(D)輔助粒子的使用量為5~100質(zhì)量份(優(yōu)選10~80質(zhì)量份，更優(yōu)選15~60質(zhì)量份)；相對(duì)于(A)磨粒IOO質(zhì)量份，(C)水溶性高分子的使用量為5~100質(zhì)量份(優(yōu)選10~80質(zhì)量份，更優(yōu)選15~60質(zhì)量份)。在這種情況下，優(yōu)選(A)磨粒為含二氧化鈰的無(wú)機(jī)粒子，(D)輔助粒子為陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子，(C)水溶性高分子為陰離子性水溶性高分子。此外，在這種情況下，U)磨粒更優(yōu)選為二氧化鈰。為了使介質(zhì)中存在(A)磨粒乃至(C)水溶性高分子，可以通過(guò)按適當(dāng)?shù)捻樞蛳蚪橘|(zhì)中添加(A)磨粒乃至(C)水溶性高分子而實(shí)現(xiàn)，但優(yōu)選準(zhǔn)備將(A)磨粒調(diào)節(jié)到規(guī)定濃度的分散體，邊對(duì)其進(jìn)行攪拌邊按任意的順序依次添加(D)輔助粒子和(C)水溶性高分子。作為能夠在本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^:體的制造中使用的(B)*介質(zhì)，可以列舉上述的^介質(zhì)。此外，作為本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體制造時(shí)的液性，用pH值表示，優(yōu)選為3.0~10.0，更優(yōu)選為3.5~9.0。pH值的調(diào)節(jié)，可以通過(guò)作為本實(shí)施方案所涉及的化學(xué);M^研磨用水系^t體的任意添加成分的后述酸或堿進(jìn)行。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué),研磨用水系分散體的制造時(shí)(A)磨粒的分lt體中的無(wú)機(jī)粒子的含量，優(yōu)選為1~40質(zhì)量％，更優(yōu)選為3~20質(zhì)量％,進(jìn)一步優(yōu)選為5~15質(zhì)量％。陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子，優(yōu)選作為規(guī)定濃度的分散體進(jìn)行添加。作為(D)陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子的^L體中陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子的含量，優(yōu)選為5~25質(zhì)量％，更優(yōu)選為10~20質(zhì)量％。陰離子性水溶性高分子，優(yōu)選作為溶液進(jìn)行添加。該溶液的濃度優(yōu)選為5~40質(zhì)量％，更優(yōu)選為10~30質(zhì)量％。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體的制造時(shí)的攪拌，優(yōu)選盡可能以高速進(jìn)行攪拌。如果在制造中不進(jìn)行攪拌，無(wú)機(jī)粒子沉淀，(A)磨粒、(D)輔助粒子和(C)水溶性高分子變得不均勻，因此不優(yōu)選。攪拌速度只要使(A)磨粒不產(chǎn)生沉淀，就并無(wú)特別限定，攪拌葉片的最外周的周速度優(yōu)選lm/sec以上。如上所述制造的本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系M體，從后述的實(shí)施例可知，被研磨面上基本上沒(méi)有產(chǎn)生研磨損傷，并且可以進(jìn)行高速的研磨，特別是能夠極其適合用于微細(xì)元件分離工序(STI工序)中的絕緣層研磨、多層化配線基敗的層間絕緣層的研磨。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，通過(guò)電子顯^L鏡觀察，能夠確認(rèn)作為(A)磨粒的含有二氧化鈰的無(wú)機(jī)粒子和作為(D)輔助粒子的陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子介由作為(C)水溶性高分子的陰離子性水溶性高分子而集合，從而形成特異的集合體。為了形成這樣的集合體，優(yōu)選本分散體以上述的比率^^有各成分，優(yōu)選(D)陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子的平均粒徑與(A)磨粒的平均粒徑之比為30%~200%，更優(yōu)選為50%~150%，進(jìn)一步優(yōu)選為60%~120%。即，本實(shí)施方案所涉及的化學(xué);^研磨用水系分散體，通it^目對(duì)于(A)磨粒(含有二氧化鈰的無(wú)機(jī)粒子)，含有規(guī)定量的(C)水溶性高分子(陰離子性水溶性高分子)和(D)輔助粒子(陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子)，通過(guò)介由表面帶負(fù)電的陰離子性水溶性高分子，使表面帶正電的無(wú)機(jī)粒子和陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子粘合，從而形成特殊的集合體，推測(cè)因此被研磨面上基本上沒(méi)有產(chǎn)生研磨損傷，并且可以進(jìn)行高速的研磨。此時(shí)，優(yōu)選相對(duì)于(A)磨粒的添加量100質(zhì)量份，(C)水溶性高分子的添加量為5~100質(zhì)量份。相對(duì)于(A)磨粒的添加量100質(zhì)量份，如果(C)水溶性高分子的添加量小于5質(zhì)量份，則化學(xué);Wfe研磨用水系分散體的穩(wěn)定性差，不能使用。另一方面，相對(duì)于(A)磨粒的添加量100質(zhì)量份，如果(C)水溶性高分子的添加量超過(guò)100質(zhì)量份，則集合體變得過(guò)大，過(guò)濾時(shí)集合體的一部分被捕捉，因此無(wú)效。3.化學(xué)機(jī)械研磨方法本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨方法，包括在半導(dǎo)體裝置的制造中，使用本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)自磨用水系^t體，對(duì)導(dǎo)電層或絕緣層進(jìn)行研磨而使之平坦。此外，本發(fā)明的一種實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨方法，包括使用分散體，在半導(dǎo)體裝置的制造中對(duì)導(dǎo)電層或絕緣層進(jìn)行研磨而使之平坦，所述^t體通過(guò)將本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)M研磨用水系分散體與選自(B)分散介質(zhì)、(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的至少l種成分混合而得到。在此使用的本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體至少含有(A)細(xì)孔容積為0.14ml/g以上的磨粒和(B)^t介質(zhì)，根據(jù)需要可以含有選自(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的至少l種成分。此外，例如，可以含有IOO質(zhì)量份的含二氧化鈰的無(wú);^子作為U)磨粒，5~100質(zhì)量份的陰離子性7jc溶性高分子作為(C)水溶性高分子，5~100質(zhì)量份的陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子作為(D)輔助粒子。上述化學(xué)機(jī),磨方法中作為研磨對(duì)象的導(dǎo)電層，可以由例如Cu、Al、W、Sn、Mg、Mo、Ru、Ag、Au、Ti、Ta、TaN、TiAlN、TiN等配線用導(dǎo)電材料或防滲金屬(barriermetal)材料形成。上述化學(xué)機(jī)械研磨方法中作為研磨對(duì)象的絕緣層，可以列舉例如氧化珪膜(Si02膜)、在Si02中添加了少量的硼和磷的硼磷珪酸鹽膜(BPSG膜)、在Si02中摻雜了氟的被稱(chēng)為FSG(Fluorinedopedsilicateglass)的絕緣層、低介電常數(shù)的絕緣層、氮化硅膜(SiN膜)、氧化氮化硅膜(SiON膜)等。作為氧化硅膜，可以列舉例如熱氧化膜、PETEOS膜(Plas咖Enhanced-TEOS膜)、HDPTEOS膜(HighDensityPlasmaEnhanced-TEOS膜)、釆用熱CVD法得到的氧化硅膜等。上述硼磷珪酸鹽膜(BPSG膜)可以采用常壓CVD法(AP-CVD法)或減壓CVD法(LP-CVD法)制造。上述被稱(chēng)為FSG的絕緣層，例如可以利用高密度等離子體作為促進(jìn)條件，采用化學(xué)氣相生長(zhǎng)進(jìn)行制造。作為上述低介電常數(shù)的絕緣層，可以列舉氧化硅系的絕緣層以及由有機(jī)聚合物形成的絕緣層。作為低介電常數(shù)的氧化硅系的絕緣層，有采用例如旋轉(zhuǎn)涂布法將原料涂布在基體上后，在氧化性環(huán)境中進(jìn)行加熱而制得的方法，或者將原料供給到真空中進(jìn)行成膜的CVD法等。作為這樣得到的低介電常數(shù)的氧化硅系絕緣層，可以列舉以三乙lL^烷為原料的HSQ膜(氫倍半硅氧烷膜)、以四乙IL^烷和少量的甲基三甲liJj^烷為原料的MSQ膜(甲基倍半硅氧烷膜)、以其他硅烷化合物為原料的低介電常數(shù)的絕緣層。作為這些低介電常數(shù)的絕緣層，也可以使用通過(guò)將適當(dāng)?shù)挠袡C(jī)聚合物粒子等混合到原料中使用，該聚合物在加熱工序中燒掉而形成空孔，從而實(shí)現(xiàn)了進(jìn)一步低介電常數(shù)化的絕緣層。此外，還可以列舉以聚亞芳基系聚合物、聚亞烯丙基醚系聚合物、聚酰亞胺系聚合物、苯并環(huán)丁烯聚合物等有機(jī)聚合物為原料的低介電常數(shù)的絕緣層等。作為這些低介電常數(shù)的絕緣層的市售的制品，可以列舉JSR社制的JSR-LKD系列、AppliedMaterials社制的BlackDiamond、NovellusSystems社制的Coral、DowChemical社制SiLK等。上述熱氧化膜，可以通過(guò)將高溫的硅暴露于氧化性環(huán)境中，使硅和氧或者硅和水分發(fā)生化學(xué)反應(yīng)而制造。上述PETEOS膜，例如，可以通過(guò)使用原硅酸四乙酯(TE0S)作為原料，利用等離子體作為促進(jìn)條件，采用化學(xué)氣相生長(zhǎng)進(jìn)行制造。上述HDP膜，例如，可以通過(guò)使用原硅酸四乙酯(TE0S)作為原料，利用高密度等離子體作為促進(jìn)條件，采用化學(xué)氣相生長(zhǎng)進(jìn)行制造。上述采用熱CVD法得到的氧化珪膜，例如，可以釆用常壓CVD法(AP-CVD法)或減壓CVD法(LP-CVD法)制造。作為具有這樣的絕緣層的被研磨物，可以列舉例如后述的具有圖2所示結(jié)構(gòu)的晶片。本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)械研磨方法，例如，可以使用(林)荏原制作所制的型號(hào)"EP0-112"、"EP0-222"等化學(xué)^研磨裝置，東京精密(林)制的型號(hào)"A-FP-210A"等化學(xué);W^9f磨裝置，A卯liedMaterials社制的品名"Mirra，，等化學(xué)^W^f磨裝置，NovellusSystems社制、品名"XCEDA"等化學(xué)機(jī)械研磨裝置，(林)尼康社制的型號(hào)"NPS3301"等化學(xué);l^研磨裝置，在公知的研磨務(wù)fr下進(jìn)行。參照?qǐng)D1和圖2對(duì)本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)機(jī)自磨方法進(jìn)行具體說(shuō)明，但本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)W^研磨方法并不限于下述的方法。圖1是表示本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)^研磨方法的一例的示意圖，圖2是示意地表示被研磨物4(例如半導(dǎo)體晶片)的一例的截面圖，圖3是示意地表示研磨后的被研磨物4的截面圖。應(yīng)予說(shuō)明，圖2中，示出了被研磨物4的被研磨材料42為絕緣層的情況，如上所述，本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)^研磨方法中作為研磨對(duì)象的并不限于絕緣層，也可以是導(dǎo)電層。此外，圖2和圖3表示在半導(dǎo)體基板41上形成溝槽(trench)元件分離區(qū)域46(參照?qǐng)D3)的工序。即，對(duì)于圖2的^L研磨物(半導(dǎo)體晶片)4，在半導(dǎo)體基板41上層疊絕緣層43、塞(sto卯er)層44后，設(shè)置溝43，為了將該溝43埋進(jìn)去，在半導(dǎo)體基板41上形成了絕緣層42。使用圖l所示的裝置，對(duì)圖2所示的絕緣層42進(jìn)行研磨，如圖3所示，能夠在半導(dǎo)體基板41上形成溝槽元件分離區(qū)域46。以下對(duì)本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)W^研磨方法進(jìn)行具體說(shuō)明。首先，如圖l所示，在軸旋轉(zhuǎn)的定盤(pán)2上固定研磨墊1。另一方面，將被研磨物4安裝在加壓頭3的一端。加壓頭3將被研磨物4擠壓到研磨墊1的表面，同時(shí)加壓頭3自身旋轉(zhuǎn)和移動(dòng)，由此使被研磨物4在研磨墊1的表面上滑動(dòng)。在此，從研磨墊1的上方，向研磨墊1表面提供本實(shí)施方案所涉及的化學(xué),研磨用水系^體6，同時(shí)使被研磨物4在研磨墊1的表面上滑動(dòng)，由此將被研磨物4的被研磨材料(絕緣層)42(參照?qǐng)D2)除去。由此，如圖3所示，在半導(dǎo)體基板41上形成溝槽元件分離區(qū)域46。應(yīng)予說(shuō)明，如圖1所示，本實(shí)施方案所涉及的化學(xué)M研磨用水系M體6，例如，可以由配置在研磨墊1上方的水系^L體供給部5提供。作為上述研磨墊，可以使用公知的研磨墊，可以使用例如RodelNitta社制、商品名"IC1000/SUBA400"、"IC1010、SUBA系列""Polytex系列，，等。此外，研磨時(shí)可以在中途更換為種類(lèi)不同的研磨墊。3.實(shí)施例以下列舉實(shí)施例對(duì)本發(fā)明更具體地進(jìn)行說(shuō)明，但本發(fā)明不限于下述實(shí)施例。3-1.實(shí)施例13-1-1.二氧化鈰7jc^t體的調(diào)制在750"C下將碳酸鈰煅燒4小時(shí)，然后與離子交換水混合，使用氧化鋯珠用^^磨機(jī)進(jìn)行l(wèi)^碎，M72小時(shí)。將得到的二氧化鈰的7jc^t體靜置，分取上清液中相當(dāng)于90質(zhì)量°/4的部分，由此得到含有二氧化鈰35.8質(zhì)量M的二氧化鈰的7jc^a體。在得到的二氧化鈰含量為35.8質(zhì)量％的水分散體中添加離子交換水，將二氧化鈰含量調(diào)節(jié)到5質(zhì)量％，調(diào)制成5質(zhì)量nyi二氧化鈰水^t體。此時(shí)的pH為5.3。3-1-2.細(xì)孔容積、BET比表面積的測(cè)定使3-1-1.中得到的二氧化鈰水分散體干燥，釆取0.3g，使用Quantachrome社制全自動(dòng)氣體吸附量裝置Autosorb-l型號(hào)"AS1MP-LP"，通過(guò)采用氣體吸附法的BET多點(diǎn)法測(cè)定吸附等溫線。作為前處理?xiàng)l件，在真空度0.665xl(TPa以下、3001C下進(jìn)行1小時(shí)脫氣。然后，以Ar為吸附氣體，以He為凈化氣體，在相對(duì)壓力范圍0.00002-0.999、飽和蒸汽壓204mmHg、真空度0.665xlO—5Pa以下，在吸附側(cè)42點(diǎn)、脫離側(cè)10點(diǎn)的條件下進(jìn)行測(cè)定。釆用B.J.H.(Barrett-Joyner-Halenda)法對(duì)得到的數(shù)據(jù)進(jìn)行解析，結(jié)果細(xì)孔容積為0.16ml/g,由BET法算出的比表面積為34cm2/g。3-l-3.D99值的測(cè)定D99值使用采用激光衍射法的粒度分布測(cè)定裝置"LA-920"(堀場(chǎng)制作所(林)制)對(duì)3-1-1.中得到的二氧化鈰水分散體進(jìn)行測(cè)定。此時(shí)，平均粒徑為182nm,D99值為0.7^邁。3-1-4.化學(xué)機(jī);^f磨在以下的務(wù)降下進(jìn)行化學(xué)W^研磨。研磨糾研磨裝置(林)荏原制作所制、型號(hào)"EPO-112"研磨墊RodelNitta(林)制、"IC1000/SUBA400"定盤(pán)轉(zhuǎn)數(shù)100次/分鐘研磨頭轉(zhuǎn)數(shù)107次/分鐘研磨頭壓緊壓力350hPa研磨用水系^t體供^il度200ml/分鐘研磨時(shí)間l分鐘3-1-5.研磨速度的評(píng)價(jià)方法3-1-5-1.研磨速度評(píng)價(jià)用的化學(xué)機(jī)^9f磨用水系^tt體的調(diào)制向3-1-1.中得到的5質(zhì)量%二氧化鈰水^:體中添加離子交換水，得到含有0.5質(zhì)量％的二氧化鈰的化學(xué);^研磨用水系分散體。3-1-5-2.化學(xué)機(jī),磨速度的評(píng)價(jià)使用3-1-5-1.的化學(xué)^研磨用水系^t體，使用形成有熱氧化膜作為絕緣層的8英寸硅晶片，在3-l-4中記載的^Hf下進(jìn)行化學(xué)^研磨。4吏用光干涉式膜厚計(jì)"NanoSpec6100"(NanometricsJapan(林)制)測(cè)定被研磨材料的研磨處理前后的膜厚，由因化學(xué)機(jī),磨而減少的膜厚和研磨時(shí)間算出研磨速度。其結(jié)果，研磨速度為500nm/分鐘。此外，沒(méi)有發(fā)現(xiàn)產(chǎn)生擦傷。研磨速度超過(guò)400nm/分鐘，則研磨速度極其良好，為200400nm/分鐘時(shí)，研磨速度良好，小于200nm/分鐘時(shí)，研磨速度通?？梢耘卸椴涣肌?-1-6.擦傷的評(píng)價(jià)方法3-1-6-1.擦傷評(píng)價(jià)用的化學(xué)機(jī),磨用水系^L體的調(diào)制向3-1-1.中得到的5質(zhì)量94二氧化鈰7jc^t體中添加離子交換水，稀釋為液體中的二氧化鈰含量達(dá)到0.5質(zhì)量％，再添加陰離子性水溶性高分子(重均分子量為10,000的聚丙烯酸銨)的水溶液(濃度30質(zhì)量％)，即相對(duì)于化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體全體添加聚丙烯酸銨，采用上述3-1-5.的方法調(diào)節(jié)陰離子性水溶性高分子的量以使研磨速度達(dá)到18-20nm/min，調(diào)制得到化學(xué);tafe研磨用水系M體。3-l-6-2.擦傷的評(píng)價(jià)使用3-1-6-1.的化學(xué);W^研磨用水系^L體，使用形成有熱氧化膜作為絕緣層的8英寸硅晶片，在3-1-4.的研磨M下進(jìn)行研磨。采用KLATencor(林)制"KLA2351"對(duì)研磨后的熱氧化膜進(jìn)行缺陷檢查。首先，在像素尺寸0.39一、閾值(threshold)20的*下對(duì)晶片表面的全范圍，計(jì)測(cè)"KLA2351"作為"缺陷"計(jì)數(shù)的數(shù)目。然后，對(duì)這些"缺陷"是擦傷還是附著的灰塵進(jìn)行分類(lèi)，計(jì)測(cè)晶片整個(gè)面的擦傷數(shù)。應(yīng)予說(shuō)明，晶片缺陷檢查裝置作為缺陷計(jì)數(shù)的缺陷中，所謂不是擦傷的缺陷，可以列舉例如附著的灰塵、晶片制造時(shí)產(chǎn)生的污點(diǎn)等。此時(shí)，缺陷數(shù)為193個(gè)，擦^夷為19個(gè)。該值為50個(gè)/面以下時(shí)，擦傷數(shù)極其良好，為51~100個(gè)/面時(shí)，擦傷數(shù)為良好，為101個(gè)/面以上時(shí)，可以將擦傷數(shù)判定為不良。3-2.實(shí)施例2~8和比較例1~4除了使用具有表1所示細(xì)孔容積的二氧化鈰的水^t體以外，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)W價(jià)。將化學(xué)M研磨用水系^t體的調(diào)制4Hf、(A)磨粒的細(xì)孔容積、BET比表面積、D99值、研磨速度、缺陷數(shù)和擦傷數(shù)的結(jié)果與實(shí)施例1的結(jié)果一并示于表1。[表l]<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>X磨粒的沉淀劇烈，不能評(píng)價(jià)。xx化學(xué);WS^f磨用水系分散體的研磨速度顯著降低，不能評(píng)價(jià)。應(yīng)予說(shuō)明，表1中，"X"表示磨粒的沉淀劇烈，不能評(píng)價(jià)；"XX"表示化學(xué)研磨用水系^1:體的研磨速度顯著降低，不能評(píng)價(jià)。如表1所示，使用實(shí)施例1~8的化學(xué)M研磨用水系分散體對(duì)絕緣層進(jìn)行研磨時(shí)，研磨速度和擦傷數(shù)均良好。由此確認(rèn)，實(shí)施例1~8的化學(xué)M研磨用水系分散體，例如，作為在微細(xì)元件分離區(qū)域的形成工序中將多余的絕緣層除去時(shí)使用的化學(xué)M研磨用水系分散體，具有極其良好的性能。另一方面，由比較例1~4的結(jié)果可以理解，磨粒的細(xì)孔容積小于0.14ml/g時(shí)，研磨iUL良好，但擦傷數(shù)多，比較例1~4的水系分散體不適合作為化學(xué)^研磨用水系^t體。3-3.實(shí)施例9和比較例53-3-L(D)輔助粒子(有機(jī)聚合物粒子)的調(diào)制3-3-1-l.合成例1(陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子(a)的調(diào)制)將作為單體的甲基丙烯酸曱酯60質(zhì)量份和苯乙烯40質(zhì)量份、作為聚合引發(fā)劑的2，2，-偶氮雙(2-甲基-N-苯基丙酰脒)二鹽酸化物(商品名"V-545"、和光純藥工業(yè)(抹)制)1.0質(zhì)量份、作為表面活性劑的陽(yáng)離子性表面活性劑"QUARTAMIN24P"(花王(林)制)1重量份、作為非離子系表面活性劑的"EMULGEN147"(花王(林)制)1質(zhì)量份和離子交換水40Q質(zhì)量份混合，在氮?dú)猸h(huán)境下邊進(jìn)行攪拌邊升溫到70X:，在該溫度下聚合5小時(shí)，由此得到含有陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子(a)19.7質(zhì)量％的水錄體。對(duì)于所得到的有^4立子(a),采用激光衍射法測(cè)定得到的平均粒徑為167nm，此外，有機(jī)聚合物粒子(a)的^電位為+27mV。3-3-1-2.合成例2、3、4(陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子(b)、(c)的調(diào)制)和合成例5(陰離子性有機(jī)聚合物粒子(d)的調(diào)制)除了使用的單體、聚合引發(fā)劑和表面活性劑的種類(lèi)和量如表2所記載以外，與合成例l同樣地實(shí)施，得到分別含有陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子(b)、(c)和陰離子性有機(jī)聚合物(d)的7jc^t體。將W成例中有機(jī)聚合物粒子的平均粒徑和C電位示于表2。[表2]<table>tableseeoriginaldocumentpage31</column></row><table>應(yīng)予說(shuō)明，表2中的簡(jiǎn)稱(chēng)等分別表示以下內(nèi)容。聚合引發(fā)劑V-545:商品名、和光純藥工業(yè)(株)制，2，2，-偶氮雙(2-甲基-N-苯基丙SW)二鹽酸化物V-50:商品名、和光純藥工業(yè)(林)制，2，2，-偶氮雙(2-甲基丙酰二胺)二鹽酸化物表面活性劑QUARTAMIN24P:商品名，花王(林)制，月桂基三甲基氯化銨27%溶液(陽(yáng)離子性表面活性劑)EMULGEN147:商品名，花王(林)制，聚氧乙烯月桂醚(非離子性表面活性劑)ER-30:商品名"AdekaReasoapER-30"，(林)ADEKA制(非離子反應(yīng)性表面活性劑)PD-420:商品名"LATEMULPD-420",花王(林)制(非離子反應(yīng)性表面活性劑)DBSA:十二烷基^酸銨(陰離子性表面活性劑)表l中各成分所對(duì)應(yīng)的數(shù)字分別為聚合反應(yīng)時(shí)該成分的添加量(質(zhì)量份)。"-"表示沒(méi)有添加該欄所對(duì)應(yīng)的成分。3-3-2.化學(xué);WM9f磨用水系^t體X的調(diào)制在預(yù)先裝入容器中的離子交換水中，加入作為(A)磨粒的上述調(diào)制的二氧化鈰的水^t體，進(jìn)行稀釋以使化學(xué);W^研磨用水系^:體的濃縮物中的二氧化鈰含量達(dá)到5質(zhì)量％。在該濃縮物中加入含有陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子(a)作為(D)輔助粒子的水*體，4吏化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體的濃縮物中的該有機(jī)聚合物粒子(a)的含量達(dá)到1.0質(zhì)量％。對(duì)該混合物繼續(xù)攪拌30分鐘。然后，邊繼續(xù)攪拌邊加入>^有5質(zhì)量％陰離子性水溶性高分子(Mw為10，000的聚丙烯酸銨)作為(C)7jc溶性高分子的水溶液，使化學(xué)機(jī)械研磨用水系*體的濃縮物中該聚丙烯酸銨的含量達(dá)到2.0質(zhì)量％,再攪拌30分鐘。用孑L徑5jim的聚丙烯制深度過(guò)濾器對(duì)其進(jìn)行過(guò)濾，得到含有5質(zhì)量％(A)磨粒(二氧化鈰)的化學(xué)機(jī)^9f磨用水系分"^體X的濃縮物。將該濃縮物X與實(shí)施例1同樣地供給到3-1-6.記載的化學(xué)機(jī),磨試驗(yàn)中。此外，除了使用含有具有表1所示特性的二氧化鈰作為(A)磨粒的水分散體以外，在與實(shí)施例9同樣的M下，得到表3所示的比較例5的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^lt體的濃縮物，與實(shí)施例1同樣地供給到3-1-6.記載的化學(xué)^研磨試驗(yàn)中。3-4.實(shí)施例IO、11和比較例6、7在實(shí)施例9中，除了代替實(shí)施例1中使用的(A)磨粒而使用實(shí)施例2中使用的(A)磨粒，并且(D)輔助粒子和(C)水溶性高分子的種類(lèi)和量如表3所記載以外，與實(shí)施例9同樣地調(diào)制實(shí)施例10的化學(xué);W^磨用水系M體的濃縮物。此外，在實(shí)施例9中，除了(D)輔助粒子和(C)水溶性高分子的種類(lèi)和量如表3所記載以外，與實(shí)施例9同樣地調(diào)制實(shí)施例11的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^體的濃縮物。對(duì)于這些濃縮物，與實(shí)施例1同樣地進(jìn)行3-1-6.的化學(xué);W^研磨試驗(yàn)。將結(jié)果示于表2。此外，除了使用具有表l所示特性的二氧化鈰作為(A)磨粒以外，在與實(shí)施例IO、ll同樣的務(wù)ff下，得到比較例6、7的化學(xué);W^研磨用水系*體的濃縮物，供給到3-1-6.的化學(xué);MM9f磨試驗(yàn)中。如表1所示，使用實(shí)施例9~11的化學(xué)M研磨用水系分散體對(duì)絕緣層進(jìn)行研磨時(shí)，缺陷數(shù)、擦傷數(shù)均良好。由此確i人，實(shí)施例911的化學(xué)M研磨用水系分散體，例如，作為在微細(xì)元件分離區(qū)域的形成工序中將多余的絕緣層除去時(shí)使用的化學(xué);Wfe研磨用水系分散體，具有極其良好的性能。另一方面，由比較例6、7的結(jié)果可以理解，(A)磨粒的細(xì)孔容積小于0.14ml/g時(shí)，缺陷數(shù)和擦傷數(shù)多，比較例6、7的水系M體不適^ft為化學(xué)M研磨用水系^t體。3-5.參考例1在實(shí)施例9中，除了代替實(shí)施例1中使用的(A)磨粒而使用實(shí)施例3中使用的(A)磨粒，并且使(D)輔助粒子的種類(lèi)為陰離子性有機(jī)聚合物粒子(d)以外，與實(shí)施例9同樣地調(diào)制參考例1的化學(xué)^研磨用水系^t體的濃縮物，與實(shí)施例9同樣地供給到3-1-6.的化學(xué)機(jī)械研磨試驗(yàn)中。其結(jié)果，如表2所示，在使用了陰離子性有機(jī)聚合物(d)的情況下，與實(shí)施例9不同，缺陷數(shù)、擦傷數(shù)均增加?？梢岳斫鉃椴贿m合作為化學(xué)機(jī)械研磨用水系^lt體。3-6.參考例2、3在實(shí)施例9的化學(xué)M研磨用水系分散體X中，除了使(C)陰離子性水溶性高分子的含量分別為0.1質(zhì)量％和10質(zhì)量％以外，與實(shí)施例9同樣地調(diào)制參考例2和3的化學(xué)機(jī)^f磨用水系^t體。M2所示的參考例2的結(jié)果可知，如果(C)7jc溶性高分子的添加量為0.1質(zhì)量％，則化學(xué)M研磨用水系分散體的穩(wěn)定性非常差，化學(xué)機(jī)械研磨用水系M體的平均粒徑超過(guò)l一，最大粒徑超過(guò)5pm,過(guò)濾時(shí)水系*體的一部分被捕捉。另一方面，從參考例3的結(jié)果可知，如果(C)水溶性高分子的添加量為10質(zhì)量％，則化學(xué)^研磨用水系^t體的研磨速度顯著降低到5nm/min,不能使用。如上所述，由參考例2的結(jié)果確認(rèn)，由于(C)水溶性高分子的使用量相對(duì)于(A)磨粒的使用量(IOO質(zhì)量份)小于5質(zhì)量份，因此化學(xué);iafe水系^L體的穩(wěn)定性非常差，不能供給化學(xué)M研磨用，另一方面，從參考例3的結(jié)果確認(rèn)，由于(C)水溶性高分子的使用量相對(duì)于(A)磨粒的使用量(IOO質(zhì)量份)超過(guò)100質(zhì)量份，因而化學(xué);Wfe研磨用水系^t體的^f磨速度顯著降低，不能作為化學(xué)^O^f磨用水系^t體使用。[表3]<table>tableseeoriginaldocumentpage34</column></row><table>采用本發(fā)明的化學(xué)*1*^磨方法，能夠以良好的研磨速度將多余的絕緣層或?qū)щ妼映?，并且能夠得到擦傷?shù)少的絕緣層或?qū)щ妼?。本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體和化學(xué)機(jī)械研磨方法，例如，適合用于半導(dǎo)體裝置的制造中使用的導(dǎo)電層或絕緣層的平坦化。更具體地說(shuō)，本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械研磨用水系^t體，例如，適合用于半導(dǎo)體裝置的微細(xì)化元件分離(溝槽分離)工序中的絕緣層的平坦化。權(quán)利要求1.化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其含有(A)細(xì)孔容積為0.14ml/g以上的磨粒和(B)分散介質(zhì)。2.如權(quán)利要求1所述的化學(xué)^研磨用水系分散體，其中，上述(A)磨粒，由BET法算出的比表面積為15.0m7g以上，并且在使用了激光衍射法的粒度分布測(cè)定得到的體積粒徑分布中，從粒徑小的粒子開(kāi)始累計(jì)該粒子的體積比例而得到的合計(jì)體積比例達(dá)到99%時(shí)的粒徑，即D99值為l一以下。3.如權(quán)利要求1或2所述的化學(xué);W^研磨用水系分散體，其中，上述(A)磨粒含有二氧化鈰。4.如權(quán)利要求1~3中任一項(xiàng)所述的化學(xué)M研磨用水系分散體，其含有(C)水溶性高分子和(D)輔助粒子中的任一者或兩者。5.如權(quán)利要求l所述的化學(xué)^研磨用水系^t體，其含有IOO質(zhì)量份的含二氧化鈰的無(wú)機(jī)粒子作為上述(A)磨粒，5-100質(zhì)量份的陰離子性水溶性高分子作為(C)水溶性高分子，5~100質(zhì)量份的陽(yáng)離子性有機(jī)聚合物粒子作為(D)輔助粒子。6.化學(xué)M研磨方法，其包括在半導(dǎo)體裝置的制造中，使用權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的化學(xué)^研磨用水系^t體，對(duì)導(dǎo)電層或絕緣層進(jìn)行研磨而使之平坦。7.化學(xué)^^9f磨方法，其包括使用分散體，在半導(dǎo)體裝置的制造中對(duì)導(dǎo)電層或絕緣層進(jìn)行研磨而使之平坦；所述*體通過(guò)將權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的化學(xué)^研磨用水系*體與選自(B)M介質(zhì)、(C)7jc溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的至少l種成分混合而得到。8.用于調(diào)制化學(xué)機(jī)械研磨用水系^體的試劑盒，其是用于將第1液體和第2液體混合，調(diào)制化學(xué)機(jī)^9f磨用水系^:體的試劑盒，其中，含有上述第1液體和上述第2液體；上述第1液體含有權(quán)利要求1~5中任一項(xiàng)所述的化學(xué)^研磨用水系棘體；上述第2液體含有選自(B)*介質(zhì)、(C)水溶性高分子、(D)輔助粒子、(E)pH調(diào)節(jié)劑、(F)表面活性劑和(G)防腐劑中的l種以上的成全文摘要化學(xué)機(jī)械研磨用水系分散體，其含有(A)細(xì)孔容積為0.14ml/g以上的磨粒和(B)分散介質(zhì)。文檔編號(hào)H01L21/304GK101331593SQ20068004718公開(kāi)日2008年12月24日申請(qǐng)日期2006年12月4日優(yōu)先權(quán)日2005年12月16日發(fā)明者植野富和,池田憲彥申請(qǐng)人:Jsr株式會(huì)社