專利名稱：使用處理靶做為度量靶以相對于半導體集成電路來定位激光束點的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般是關(guān)于在一半導體集成電路制造期間使用激光來處理該半導 體集成電路，更明確地說是關(guān)于但不限于于一半導體集成電路之上或之內(nèi)定位 一激光束點。
背景技術(shù)：
于IC(集成電^各)的制程期間，通常會因該制程或半導體材料中少量的瑕瘋而導致缺陷?；谠摾碛桑琁C經(jīng)常會被設計成含有冗余電路組件，如半導體內(nèi)存裝置(例如DRAM(動態(tài)隨機存取內(nèi)存)、SRAM(靜態(tài)隨機存取內(nèi)存)、或是內(nèi)嵌內(nèi)存)中的備用記憶單元列與記憶單元行。此等裝置還會被設計成用以包含介于該等冗余電路組件的電接點之間的可激光燒切連接線。舉例來說，此等連接線可被移除以中斷一有缺陷記憶單元的連接，并且替換一置換冗余單元。類似的技術(shù)亦可用于燒切連接線，以便對邏輯產(chǎn)品(如閘極數(shù)組或是ASIC(特定應用集成電路))進行程序化或組態(tài)。制造一 IC之后，便會對其電路組件進行缺陷測試，并且可于一數(shù)據(jù)文件或缺陷映圖中記錄缺陷的位置?？蛇\用一激光式的連接線處理系統(tǒng)來移除選定的連接線，以便讓該IC可供使用，不過其前提是要非常精確地掌握和該IC的布局以及其電路組件位置有關(guān)的位置信 自發(fā)明內(nèi)容根據(jù)一實施例，本發(fā)明提供一種定位方法，用以相對于一半導體基板來定 位一激光束點，于該半導體基板之上或之內(nèi)具有要通過將一處理激光束傳遞至 一處理激光束點來進行選擇性處理的多個結(jié)構(gòu)。本方法會產(chǎn)生一度量激光束并 且沿著一傳播路徑將該度量激光束傳導至位于一要被選擇性處理的結(jié)構(gòu)之上7或附近的一度量激光束點。本方法會相對于該半導體基板來移動該激光束點， 俾使該半導體基板中心的角速度會小于該激光束點相對于該半導體基板的速 度除以該半導體基板中心與該激光束點間的距離所得商數(shù)。本方法會于進行該 移動時偵測度量激光束于該結(jié)構(gòu)的反射，從而產(chǎn)生一反射信號，并且依據(jù)該反 射信號測定該度量激光束點相對于該結(jié)構(gòu)的位置。根據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供一種用以從一處理激光處將激光束脈沖精確 地傳送至一半導體基板之上或之內(nèi)的多個選定處理靶結(jié)構(gòu)處的方法。該等處理 靶結(jié)構(gòu)中至少一子集會被排列在延伸于一縱長方向上的實質(zhì)筆直直線列之中。 本方法會產(chǎn)生一度量激光束并且沿著一傳播路徑將該度量激光束傳導至該半 導體基板之上或之內(nèi)的一度量激光束點。本方法主要會在該縱長方向上相對于 度量激光束點來移動該半導體基板。當該度量激光束點相對于該半導體基板移 動時，本方法會偵測反射自該等處理靶結(jié)構(gòu)的光能量，從而產(chǎn)生一和該縱長方 向上的距離呈函數(shù)關(guān)系的反射信號。本方法會產(chǎn)生該處理激光束的多個處理脈 沖并且沿著一傳播路徑將該等處理脈沖傳導至該半導體基板之上或之內(nèi)的一 處理激光束點。本方法會依據(jù)該反射信號來決定該處理激光束點相對于該半導 體基板的定位位置，以便將該等處理脈沖導向多個選定的處理靶結(jié)構(gòu)。根據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供一種系統(tǒng)，其會使用一脈沖激光來處理一半 導體基板之上或之內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)。該系統(tǒng)包括一激光源、 一度量激光傳播路徑、 一處理激光傳播路徑、 一運動平臺、 一傳感器、以及一被連接至該傳感器與該 運動平臺的控制器。該激光源會產(chǎn)生一度量激光束與一脈沖式處理激光束，用 于照射在該等結(jié)構(gòu)中多個選定結(jié)構(gòu)之上。該度量激光傳播路徑是從該激光源延 伸至該半導體基板之上或之內(nèi)的一度量激光束點。該處理激光傳播路徑是從該 激光源延伸至該半導體基板之上或之內(nèi)的一處理激光束點。該運動平臺會被配 置成用以于該半導體基板以及該度量激光束點與該處理激光束點兩者之間產(chǎn) 生相對運動，俾使該處理激光束點會與該等結(jié)構(gòu)中該些多個選定結(jié)構(gòu)相交。該 運動大體上是發(fā)生于一筆直方向上。該傳感器被定位用以于該度量激光束點相 對于該半導體基板移動時來偵測度量激光束點反射自該半導體基板的強度，從 而產(chǎn)生一反射信號。該控制器會被配置成用以依據(jù)該反射信號來決定要在何處 或何時產(chǎn)生一處理激光束脈沖，以便照射在該等結(jié)構(gòu)中該些多個選定結(jié)構(gòu)之上。根據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供一種方法，其會收集和一半導體基板之上或 之內(nèi)的一實質(zhì)直線第一列的第一部份中多個要被選擇性處理結(jié)構(gòu)的位置有關(guān) 的數(shù)據(jù)，其方式如下產(chǎn)生一度量激光束并且沿著一于一度量激光束點處相交該基板的傳播路徑來傳導該度量激光束；沿著該第一部份相對于該半導體基板 移動該度量激光束點；以及于該度量激光束點相對于該半導體基板移動時偵測 偏離該部份中結(jié)構(gòu)的反射度量激光束，從而產(chǎn)生一反射信號。本方法會依據(jù)所 收集到的數(shù)據(jù)來決定要將處理激光脈沖導向該半導體基板上的哪個位置，以便 照射在一半導體基板之上或之內(nèi)的實質(zhì)直線第二列的第二部份中多個選定結(jié) 構(gòu)之上，其中該第二列大體上會平行于該第一列。根據(jù)另一實施例，本發(fā)明提供一種定位方法，用以定位一激光束至一半導 體基板之上或之內(nèi)結(jié)構(gòu)的傳遞。本方法會產(chǎn)生一具有一與該基板相交的度量激 光束點的度量激光束，，且此方法會將該度量激光束沿著一傳播路徑傳導至位 于要被選擇性處理的結(jié)構(gòu)之上或附近的該度量激光束點。本方法會自該結(jié)構(gòu)偵 測度量激光束的反射，從而產(chǎn)生一反射信號，并且偵測該反射信號何時跨越一 臨界值。響應于該偵測步驟，本方法便會產(chǎn)生該處理激光束，并且將該處理激 光束傳導至該結(jié)構(gòu)中該度量光束的反射被偵測到的位置處。本文中所使用的"之上"一詞和物理關(guān)系有關(guān)，其不僅表示直接在其之上，還可能表示部份或完全位于其頂上、上方、上面、覆蓋于其上等任何類似意義； "大體上" 一詞為一廣泛詞語，其表示的為大約或近似之意，但并無非?？拷?；而"附近" 一詞則表示緊鄰或順序上為下一個(舉例來說，"F"為位于 "G"的旁邊而非位于"H"的旁邊)，但是并無實體接觸之意。下文中將參考附圖來說明和特殊實施例的構(gòu)造與運作有關(guān)的細節(jié)。


圖1所示的為一連接線處理系統(tǒng)的筒化示意圖； 圖2所示的為圖1的連接線處理系統(tǒng)的方塊圖； 圖3所示的為一半導體晶圓的俯視圖； 圖4所示的為圖3的半導體晶圓的側(cè)-現(xiàn)圖；圖5A與5B所示的為使用專屬對齊靶的對齊作業(yè)示意圖； 圖5C所示的為一變形的專屬對齊靶的示意圖； 圖6所示的為跨越一半導體晶粒的連接線作業(yè)示意圖； 圖7所示的為具有一處理激光束點，跨越數(shù)個連接線組的一連接線作業(yè)的 一區(qū)段的示意圖；圖8A所示的為具有一對齊激光束點，跨越數(shù)個連接線組的一連接線作業(yè) 的一區(qū)段的示意圖；圖8B所示的為跨越一區(qū)段的多個橫向分隔的度量連接線作業(yè)的示意圖， 該區(qū)段包含用于進行橫向度量的多個橫向偏移部份類連接線結(jié)構(gòu)；圖8C所示的為跨越一區(qū)段的一度量連接線作業(yè)的示意圖，該區(qū)段包含一 專門用來傳遞橫向度量信息的反射靶；圖9A所示的為同時具有一處理激光束點與一對齊激光束點，跨越數(shù)個連 接線組的一連接線作業(yè)的一區(qū)段的示意圖；圖9B所示的為具有多個處理激光束點與一對齊激光束點，跨越數(shù)個連接 線組的 一連接線作業(yè)的 一 區(qū)段的示意圖；圖9C與9D所示的為具有一處理激光束點，跨越一連接線列中的數(shù)個連 接線組的一連接線作業(yè)的一區(qū)段的示意圖，以及具有一對齊激光束點，跨越一 鄰近連接線列中的數(shù)個連接線組的一平行連接線作業(yè)的一區(qū)段的示意圖；圖9E與9F所示的為具有一處理激光束點與一對齊激光束點，跨越相同 連接線列中的數(shù)個連接線組的一連接線作業(yè)的一區(qū)段的示意圖；圖IO所示的為反射對齊激光能量與圖8或9中跨越中間連接線組的X位 置的函數(shù)關(guān)系圖；圖11所示的為反射對齊激光能量與一具有同步化圖案的連接線組的X位 置的函數(shù)關(guān)系圖；圖12A與12B所示的分別為反射對齊激光能量與跨越圖8或9的中間連 接線組的X位置與Z位置的函數(shù)關(guān)系圖；圖13所示的為反射對齊激光能量與連接線間距的函數(shù)關(guān)系圖； 圖14所示的為根據(jù)一實施例的方法流程圖； 圖15A所示的為根據(jù)一實施例的方法流程圖；圖15B所示的為圖IO的關(guān)系圖，圖中標示著一配合圖15的方法來使用 的臨界值；圖16A至16C所示的為根據(jù)各實施例的方法流程圖；以上圖式僅是為幫助了解本文所述的原理。因此該等圖式并未精確地描繪刻度或是相對尺寸。主要元部件符號說明100連接線處理系統(tǒng)105光學桌110激光120激光束130工作部件135激光束點135A激光束點135B激光束點135C激光束點135D激光束點140聲光調(diào)變器150面鏡160聚焦透鏡170運動平臺180位置傳感器190控制器195靶映圖196分光器198反射能量傳感器210晶粒220對齊區(qū)230對齊靶310對齊激光束點320X對齊^各徑330Y對齊路徑370 X方向連接線作業(yè)軌跡370A X方向連接線作業(yè)軌跡370B X方向連4妄線作業(yè)4九跡370C X方向連接線作業(yè)軌跡372連接線作業(yè)軌跡374連4妄線作業(yè)軌跡376連接線作業(yè)軌跡380 Y方向連沖妄線作業(yè)軌跡410連接線420A連接線組420B連接線組420C連接線組430A間隙430B間隙440橫向偏移部份類連接線結(jié)構(gòu)444對齊結(jié)構(gòu)535激光束點535A激光束點535B激光束點535C激光束點550A連接線列 550B連接線列具體實施方式
本節(jié)將參考后面所列圖式說明特殊實施例以及它們的詳細構(gòu)造與運作。本 文所述的實施例僅供解釋之用。熟習該項技術(shù)者依照本文的教示內(nèi)容便會了解 可對本文所述的實施例進行各種變更且亦可能會有其它實施例。本文并未試圖詳盡記載所有可能實施例以及文中所述實施例的所有可能變化例。為清晰與精簡起見，本文會提出特定實施例中各組件或步驟的特定細節(jié)， 但若熟習該項技術(shù)者依照本文的教示內(nèi)容便會了解的細節(jié)及/或此等細節(jié)會對 該等實施例的相關(guān)觀點的了解造成混淆的話，便不會對其作過度詳述。熟習該項技術(shù)者將會了解，本發(fā)明的特定實施例可達成優(yōu)于已知先前技術(shù)的特定優(yōu)點，該等優(yōu)點包含下面部份或全部(l)以更佳的位置精確度將激光 輻射傳遞至一選定的結(jié)構(gòu)；(2)對專屬對齊靶的依賴性較低；(3)更健全且較不 受影響的對齊效果；(4)同時決定聚焦深度對齊以及同軸對齊兩者；以及(5)更 高的總處理量。于閱讀下文之后便會明白各實施例的前述以及其它優(yōu)點。圖1所示的為一典型的連接線處理系統(tǒng)100。該系統(tǒng)100包括一激光110， 其會產(chǎn)生一激光束120。該激光束120會沿著一傳播路徑傳導，直到其抵達一 激光束點135處的一工作部件130(其通常為一半導體晶圓)為止。沿著該傳播 路徑可設置數(shù)個光學組件，其包含一面鏡150以及一聚焦透鏡160。工作部件 130上的激光束點135的位置可隨著在一靜止光學桌105下方的XY平面(該激 光束120會以Z方向入射于該工作件130上)上移動該工作部件130而改變， 該靜止光學桌105會支撐該激光110、該面鏡150、該聚焦透鏡160、以及其 它可能的光學硬件。該工作部件130可通過將其置放在一受到一運動平臺170 承載的夾盤(圖中未顯示)上而于下方在XY平面上移動。運動平臺170的特征為具有多個X-Y平移桌，其中，該工作部件130被 固定至一沿著第一軸移動的上平臺并且受到一沿著垂直于該第一軸的第二軸 移動的下平臺支撐。此等系統(tǒng)通常會相對于該激光束點135的一固定光束位置 來移動該工作部件130,并且可被稱為堆棧平臺定位系統(tǒng)，因為下平臺會支撐 用于支撐該工作部件130的上平臺的慣性質(zhì)量。此等定位系統(tǒng)可具有所希的定 位精確性，因為通常會沿著每一條軸使用干涉計來決定每一平臺的絕對位置。 此精確度有利于進行連接線處理，因為激光束點135的尺寸通常僅略大于一連 接線的寬度，所以即使該激光束點135的位置與該目標連接線之間僅有很小的 差距，仍可能會導致不完全的燒切效果。此外，半導體晶圓上非常高密度的特 征圖形所造成很小的定位誤差可能會對附近結(jié)構(gòu)造成激光破壞?；蛘撸谒^ 的分軸定位系統(tǒng)中，上平臺并未由下平臺來支撐，并為獨立地移動，而且該工作部件130為承載在第一軸或第一平臺之上，而光學組件(如面鏡150與聚焦 透鏡160)則為承載在第二軸或第二平臺之上。隨著工作部件的總尺寸與重量提 高，分軸定位系統(tǒng)會變得相當有利，其會運用較長且更龐大的工作平臺。就另 一替代例來說，該運動平臺170可能為一平面定位系統(tǒng)，其中，該工作部件 130承載于可由二或更多致動器來移動的單一工作平臺之上，而該等光學組件 與激光束點135則會維持在大體上固定的位置；反之亦然。此等系統(tǒng)會通過協(xié) 調(diào)該等致動器的作用而于兩個維度中平移該工作部件130。 一些平面定位系統(tǒng) 還能夠旋轉(zhuǎn)該工作部件，即使其可能非必要或所希。其它替代的運動則會利用 致動式光學組件(如電流計或移動透鏡)于一或更多方向上移動該激光束點135 及/或于一或更多方向上來移動該工作部件130,以i"更相對于該工作部件130 來定位該激光束點135。不論其形式為何，運動平臺170通常會于一大體上筆 直的路徑中每次僅沿單一軸(如某一連接線列)移動。圖2所示的系該連接線處理系統(tǒng)100的方塊圖。沿著激光110與工作部件 130之間的激光束120的傳播路徑可能有數(shù)個光學組件，其包含一聲光調(diào)變器 (AOM)140、面鏡150、以及聚焦透鏡160。 AOM 140會響應于一射頻(RF)輸 入，其會改變該激光束120離開該AOM140的方向。利用一具有適當振幅與 頻率的RF信號來選4奪性地驅(qū)動該AOM 140,該AOM 140便可被配置成用以 選擇性地阻隔激光束120或是讓激光束120通過抵達面鏡150,穿過透鏡160 而抵達工作部件130之上。換言之，AOM 140如同一位于該激光束傳播路徑 中的光開關(guān)或遮光器。此外還可利用低振幅的RF功率來驅(qū)動該AOM140,而 于部份透射的狀態(tài)中來使用該AOM 140。此模式可用于衰減沿著該激光束傳 播路徑傳導的激光發(fā)射，但并非完全阻隔。能夠充當光開關(guān)或遮光器的任何裝置均可用來取代AOM 140。 一電光調(diào) 變器(EOM)以及一液晶調(diào)變器便系此等替代裝置的范例。一位置傳感器180(其可能為一或多個干涉計、編碼器、或是用于感測位置 的其它構(gòu)件)會感測該運動平臺170的位置并且會向一控制器190(其可能為一 或多部計算機、處理器、電路、...等)報告該位置數(shù)據(jù)。該控制器190使用校 正lt據(jù)來測定該工作部件130相對于該激光束點135的位置。該控制器190 還會存取一靶映圖195，該靶映圖含有用于表示該工作部件130上應被照射的靶位置(例如以燒切該位置處的一連接線)的數(shù)據(jù)。該耙映圖195通常是由如下 的例子產(chǎn)生 一測試過程，該測試過程會測定該工作件130中哪些電路組件有 缺陷；邏輯組件，其會決定哪些連接線要被處理以中斷與缺陷組件的連接并且 切換至冗余組件；以及CAD(計算機輔助設計)數(shù)據(jù)或是其它表示要被處理的連 接線標稱或預期位置的數(shù)據(jù)。該控制器190通常會編排激光110的脈沖射出作 業(yè)、AOM 140的遮蔽作業(yè)、以及運動平臺170的移動作業(yè)，俾使該激光束點 135會穿越每一個目標靶并且于該等目標靶射出可抵達該工作部件130的激光 脈沖。該控制器190較佳而言會依據(jù)位置數(shù)據(jù)來控制系統(tǒng)100，因為該方式可 非常精確地放置激光脈沖。美國專利案第6,172,325號便說明用于定位的激光 脈沖技術(shù)，該案已授讓予本發(fā)明的授讓人且本文以引用的方式將其完整并入。 本文中所使用的"激光束點" 一詞實際上是一簡略表示法，其表示的系該 激光束的傳播路徑的軸線和該工作部件130相交的點。更精確言之， 一激光束 有時開啟有時則關(guān)閉。舉例來說，AOM 140可能會阻隔激光束120,使其無法 抵達該工作部件130。以另一范例來說， 一脈沖式激光束會周期性地開啟與關(guān) 閉。不過即使當該激光束關(guān)閉時，該激光束的傳播路徑的軸線和該工作部件 130相交的點仍會一直存在，并且會在該運動平臺170移動時沿著該工作部件 130的表面移動。圖2還描繪出一分光器196以及一反射能量傳感器198，其可于一對齊模 式期間收集反射自該工作部件130的能量并且量測該能量。于一典型的X或Y 對齊掃描中(有時候亦稱為光束至工作部件(BTW)掃描)，該激光束點135會掃 描跨越該工作部件130上的一對齊特征圖形。舉例來說，該反射能量傳感器 198可能為一光偵測器。反射偏離該工作部件130的光會通過該分光器196而 抵達該反射能量傳感器198，其會將它的讀數(shù)傳遞至該控制器190。該等反射 能量讀數(shù)對應于源自該位置傳感器180或是源自于被傳送至該運動平臺170 的位置命令的眾多位置坐標。該激光點落在該對齊特征圖形上時所收到的反射 功率以及落在該對齊特征圖形周圍區(qū)域上時所收到的反射功率的差異會由該 控制器190伴隨該等位置坐標來解譯，以便推論出該位置傳感器180或是該運 動平臺170的坐標系統(tǒng)中該對齊特征圖形的位置。 一般來說，該對齊特征圖形 的反射性會高于該對齊特征圖形周圍的區(qū)域，因此當該激光束點135重迭該對齊特征圖形時，該反射能量傳感器198所收到的光學功率便會提高。讓經(jīng)由該對齊掃描過程所決定的特征圖形位置和用于表示該靶位置的基準位置數(shù)據(jù)(例如靶映圖195或是CAD數(shù)據(jù))作比較可用以校正位置、刻度、旋轉(zhuǎn)、偏斜、傾 斜、翹曲、枕形失真、及/或和該工作部件130或是和該激光處理系統(tǒng)100的 坐標系統(tǒng)中目標耙有關(guān)的其它平面或是更高階(即三維)校正項。美國專利案第 4,941,082號便說明特定的高階校正技術(shù)，本文以引用的方式將其并入。本文 中所使用的"對齊" 一詞涵蓋X或Y對齊(或是兩者)、Z深度聚焦、以及其它 類型的位置或空間定向或校正。請注意，激光110及其相關(guān)的光學組件是否靜止而工作部件130是否移動 并不重要，反之亦然，或是兩者動作組合是否發(fā)生也不重要。唯一必要的是該 激光束點135與該工作部件130必須彼此相對移動。舉例來說，就圖1與2 中所示者的一替代例來說，當移動光學桌105上的光學硬件時，可通過讓工作 部件130保持靜止，改變激光束點135在該工作部件130上的位置。于此情況 中，可提供一類似運動平臺170的運動平臺以移動光學桌105上的該等相關(guān)光 學硬件，通常是在大體上筆直的X-Y方向上進行。以另一替代例來說，光學 硬件與該工作部件130兩者均可移動，以于該激光束點135與該工作部件130 間提供相對運動。以另一替代例來說，該光學桌105與該工作部件130可能為 靜止的，而是使用操控面鏡沿著該工作部件130移動該激光束點135。以另一 替代例來說，可以使用一運動平臺于一方向(如X方向)中移動光學桌105上的 該等相關(guān)光學組件，并且使用運動平臺170于另一方向(如Y方向)中移動工作 部件130，以于該激光束點135與該工作部件130之間^是供相對運動。還要注意的是，激光照射可供作任何目的使用，而不僅限于進行連接線吹 燒。進行照射的目的可能為進行鉆鑿、加工、切除、燒切、雕切、標記、劈裂、 制造、加熱、修改、擴散、退火、或是量測一結(jié)構(gòu)或其材料。舉例來說，激光 照射可導致一結(jié)構(gòu)的材料產(chǎn)生狀態(tài)改變、造成摻雜物遷移、或是磁性特性改變， 上述任一者均可用于連接、中斷連接、調(diào)整、修正、或是修補電氣電路系統(tǒng)或 是其它結(jié)構(gòu)。圖3所示的為一半導體晶圓的俯視圖，其為工作部件130最典型的型式。 此工作部件130含有數(shù)個晶粒210,該等晶粒通常是被布局成規(guī)律的幾何排列。位于一典型矩形圖案中的一群連續(xù)晶粒會構(gòu)成一對齊區(qū)220，該區(qū)的角落或角 落附近為專屬的對齊靶230。于每個晶粒之上或附近可能還會有額外的對齊耙 (圖中未顯示)。如上述，該等對齊靶230可用于讓該激光束點135對齊于該工 作部件130。收集自 一對齊區(qū)220每一角落的該等對齊靶230的對齊數(shù)據(jù)可用 于計算該對齊區(qū)中每一晶粒內(nèi)要被處理的連接線的位置。舉例來說，可將表面 擬合算法套用至已知的角落對齊靶數(shù)據(jù)，以便將一表面模型擬合至該對齊區(qū)。 此過程通常稱為位置幾何修正(position geometry correction, PGC)。雖然此等技 術(shù)相當有用，不過它們同樣遭遇下面的基本限制(l)該等專屬對齊靶的數(shù)量 很有限，(2)該等對齊靶至多僅能作為該對齊區(qū)220內(nèi)部該等連接線的位置的 間接指示。舉例來說，位于該對齊區(qū)220下方的灰塵顆?？赡軙斐稍摴ぷ鞑?件130偏斜而改變特定內(nèi)部結(jié)構(gòu)的Z高度，但卻不會改變該等對齊靶的高度。圖4所示的為同一工作部件130的側(cè)視圖。圖4顯示出，該等對齊耙230 與晶粒210中的連接線可能(且事實上通常)位于該工作部件130的不同層上， 因而與該等晶粒210中的連接線有不同的Z高度。此Z偏移可能會使得Z維 度中(即聚焦)的對齊變得較復雜。若不將該偏移納入考慮，便必須容忍Z方向 上的對齊誤差。于一些例子中，工作部件130各層的Z厚度變化是以橫向X-Y 位置為函數(shù)而變，便可能無法依據(jù)來自該等專屬對齊靶230的對齊與聚焦數(shù)據(jù) 來正確地將厚度變化納入考慮之中。圖5A與5B為使用一專屬對齊靶的對齊作業(yè)示意圖。于圖5A中， 一對 齊激光束點310會于一 X對齊路徑320中來回4黃越該對齊靶230。該光束點 310會以數(shù)個不同的聚焦高度在此路徑320中來回橫越，而產(chǎn)生最銳利邊緣變 化的聚焦高度則可用來標示該對齊靶230的邊緣位置。于圖5B中，則會沿著 Y對齊路徑330于Y方向上重復相同的過程。不過當該對齊靶230變形時， 如圖5C中的放大圖所示，那么由掃描該對齊靶230產(chǎn)生的位置數(shù)據(jù)則可能錯 誤。雖然該等對齊路徑320與330可能并非完全筆直，不過，較佳而言其為大 體上筆直，這是因該工作部件130及/或該對齊激光束點310基本上為直線運 動。于該等對齊作業(yè)期間，該工作部件130繞著其中心或近似中心所作的任何 旋轉(zhuǎn)運動或角運動較佳而言為可忽略，且以零最為理想。雖然通過組合繞著該工作部件130中心的旋轉(zhuǎn)以及該對齊激光束點310的徑向運動可達成該工作部 件130及/或該對齊激光束點310的相對直線運動，不過，這最好不是主要的 移動模式。于一對齊作業(yè)期間，該工作部件130繞著其中心所產(chǎn)生的任何旋轉(zhuǎn) 速度較佳的是小于該對齊激光束點310相對于該工作部件130的局部絕對速度 除以從該工作部件130中心至該對齊激光束點310的距離。圖6所示的為跨越一半導體晶粒210的連接線作業(yè)示意圖。圖中同時顯示 X方向連接線作業(yè)(沿著X方向軌跡370)以及Y方向連接線作業(yè)(沿著Y方向 軌跡380)。位于一給定晶粒(該等位于同 一給定晶圓上的晶粒通常皆相同)內(nèi)的 電路組件通常會被排列成一規(guī)律的幾何排列，該些組件之間的連接線也是如 此。該等連接線通常會成群位于多條規(guī)律列之中，稱之為"連接線組"，它們 會以一近似固定的中心至中心間距分隔且延伸在正交的X方向與Y方向上。 為移除一連接線組中被選定的連接線，當該激光IIO發(fā)射多個脈沖以選擇性地 移除多條連接線，該光束點135會以近似固定的速度沿著該連接線組連續(xù)前 進。該激光IIO會被觸發(fā)以射出一脈沖，從而于該激光束點落在一選定的靶位 置上時燒切該靶位置處的一連接線。因此，該等連接線中其中一部份并未被照 射且仍為未處理的連接線，而其它的連接線則會被照射而被燒切或是進行其它 的物理變更。于該工作部件130的一部份或全部之上進行處理以及利用激光照 射來處理選定連接線的過程便稱為一 "連接線作業(yè)"，更明確地說為一 "處理 連接線作業(yè)，，(或是筒稱"處理作業(yè)，，)，其通常是在X方向或在Y方向上進行。當一激光束點相對于該工作部件130移動時，該激光束點會于該工作部件 130之上或之內(nèi)的一激光束點掃描路徑上橫越。此掃描路徑可能具有眾多形 式。如圖5A與5B中所示，于光束至工作部件對齊掃描期間，該等掃描路徑 通常是來回跨越該專屬對齊靶230的多條短線段，它們通常具有不同的深度， 該等線段可被共同視為單一掃描路徑。如圖6中所示，連接線作業(yè)的掃描路徑 通常是在X或Y方向上跨越一或多個晶粒210,甚至為跨越該工作部件130 整個直徑的筆直線段。同樣地，每一條此類線段可被視為一掃描路徑，或者所 有此等連續(xù)線段中一部份或全部均可被視為單一掃描路徑，于此情況中，該掃 描路徑的速度曲線可被指明含有多個止動點。不過，常見的情況中， 一掃描路 徑的長度不會長過該工作部件130于止動點或是其它路徑變換點之間的直徑。還要注意的是， 一直線X-Y運動平臺所產(chǎn)生的該等典型掃描路徑不會圍繞該工作部件130的中心。 一掃描路徑還可能包含一 Z分量。為達成該等連接線作業(yè)的必要移動較佳而言為X或Y方向上的直線平移 移動，其僅具有微小而可忽略的旋轉(zhuǎn)分量。于一連接線作業(yè)期間該工作部件 130繞著其中心的任何旋轉(zhuǎn)以零最為理想，且較佳而言至少小于局部絕對X或 Y位移除以v(人該工作部件130中心至該激光束點的距離。圖7為一較詳細示意圖，其沿著一連接線作業(yè)軌跡370跨越數(shù)個連接線組 420的一連接線作業(yè)的一區(qū)段。每一個連接線組420是由數(shù)量不一、規(guī)律分隔 的連接線410所組成，它們的長度延伸于縱長方向上。該連接線作業(yè)軌跡370 較佳而言至少約正交于該等連接線的縱長方向，因而會平行于該連接線列。如 圖中所示，連接線組420之間可能存在間隙430。當該激光束點135于該連接 線作業(yè)期間沿著該連接線列移動時，該激光束會被選擇性地開啟以抵達該工作 部件130，從而會根據(jù)一處理計劃(舉例來說，內(nèi)存缺陷修補計劃，以中斷有缺 陷內(nèi)存單元的連接并連接或是保留已連接的冗余內(nèi)存單元)來燒切或改變被選 定的連接線。舉例來說，如圖7中所示，連接線組420B中的第二連接線與第 三連接線已經(jīng)被燒切，而第一連接線、第四連接線、以及第五連接線則保持完 整不變。該激光束點于一連接線作業(yè)期間橫越的最有效率的路徑為一筆直路徑，且 較佳而言平行于該連接線列的方向，如連接線作業(yè)軌跡370所示者。不過亦可 采用其它軌跡。舉例來說， 一有角度的連接線作業(yè)軌跡372并未完全平行該連 接線列的方向，而是偏移一小角度。以另一范例來說， 一彎曲連接線作業(yè)軌跡 374會在該X方向連接線作業(yè)過程期間于Y方向上振蕩、抖動、或是改變。 以又一范例來說，亦可能為一拱形的連接線作業(yè)軌跡376,當該工作部件130 于連接線作業(yè)期間出現(xiàn)小幅的旋轉(zhuǎn)運動便可能會出現(xiàn)此種軌跡。無論何種情 況，該連接線作業(yè)軌跡的方向主要都沿著該連接線列的長度(換言之，垂直于 該等連接線的縱長方向)。該等連接線410的精確處理會相依于當該激光110傳遞一激光脈沖時能否 在適當?shù)臅r間于該等連接線410上精確地定位該激光束點135。由于聚焦點尺 寸越來越小、連接線越來越小、以及連接線間距越來越緊縮的關(guān)系，半導體上的聚焦與定位的必要公差也不斷地縮小，因此定位與聚焦精確度便越來越重 要。本案發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，利用該等連接線410本身作為度量靶來取代或附加于該 等專屬的對齊靶230，便可改良定位效果。圖8A中所示的為本方式的其中一 種版本，圖中顯示出一度量激光束點535正沿著連接線作業(yè)軌跡370、 372、 374、或是376中其中一者于一連接線列中橫越。根據(jù)此形式，該連接線作業(yè) 軌跡可為任意軌跡，其主要組成是落在該連接線列的方向上；不過，為清楚起 見而非限制，下文中將僅闡述與討論連接線作業(yè)軌跡370。當該對齊激光束點 535于該等連接線410上方且于其之間橫移時，至少會于該連接線作業(yè)的X方 向及/或Z方向上量測其反射圖案并且利用該反射圖案來施行對齊。亦可沿著 一 Y方向連接線作業(yè)軌跡380來實施雷同的作業(yè)，以便同樣于該方向上施行 對齊。藉此方法，便可決定該等連接線410及/或該工作部件130相對于該度 量激光束點135的X位置、Y位置、以及Z位置。于其中一方向上來實施一 列連接線的對齊掃描，接著于相反方向?qū)υ摰认嗤B接線中 一部份或全部實施 一對齊作業(yè)亦相當實用。反向掃描能夠進一步于基本度量數(shù)據(jù)中或是數(shù)據(jù)收集 方法中精化校正效果或是確認方向的相依性。使用收集自該等連接線410的度量數(shù)據(jù)的一種方式便是更新用于對齊與 聚焦的數(shù)學模型。舉例來說，收集自對齊掃描的數(shù)據(jù)可用于更新對齊場域與聚 焦場域的PGC模型。各種數(shù)學模型均可使用。依據(jù)一些新數(shù)據(jù)以及舊數(shù)據(jù)來 對該等模型進行迭代或遞歸精化也是相當有用的技術(shù)。 一但模型產(chǎn)生之后，便 可利用該等模型來映對連接線坐標，以便正確地處理連接線坐標?；蛘?，倘若 于要被處理的連接線旁邊的連接線組來掃描聚焦與橫向校正數(shù)據(jù)的話，那么可 能便不需要數(shù)學模型，因為運用最近掃描的XY偏移或Z高度即可。通過掃描 每一條連接線與每一個連接線組來獲取校正信息，便可應用此項技術(shù)。通過掃 描某些連接線以及某些連接線組而使得每一條連接線附近皆有數(shù)據(jù)存在的話 (舉例來說，每一條連接線位置的橫向距離1至2mm內(nèi))亦同樣可應用此項技 術(shù)。或者，亦可不時地實施一度量作業(yè)，舉例來說，每隔30秒便實施一次。 介于度量作業(yè)之間的時間周期可依據(jù)系統(tǒng)參數(shù)(如熱漂移特性)來選擇。連接線處理系統(tǒng)(如連接線處理系統(tǒng)IOO(圖1與2))通常會隨著時間產(chǎn)生輕微的位置漂 移，這通常是歸因于物理組件的熱膨脹及/或收縮或是傳感器響應的熱漂移。 通過周期性地實施度量作業(yè)，該系統(tǒng)便能夠于該等位置漂移變大而會影響到處 理精確度之前便先精細化其校正效果。該度量激光束點535可能和處理激光束點135相同，因為可以使用相同的 激光進行度量與處理。達成此目的的其中一項技術(shù)是于一度量作業(yè)期間在連續(xù) 波(CW)模式中操作該激光110,并且于一處理作業(yè)期間在脈沖模式中操作該激 光110。根據(jù)該項技術(shù)，可視需要于各度量作業(yè)中穿插進行處理作業(yè)，以收集 度量數(shù)據(jù)。甚至也可于相同的連接線作業(yè)期間在度量模式與處理模式之間切換 激光模式?；蛘撸瑑傻啦煌募す馐捎邢嗤虼篌w上重迭的激光束點，其中 一道激光束可用于度量，而另一道激光束則可用于處理?；蛘撸承┬问降募す?10(例如光纖激光)可在操作于脈沖模式中以進行 處理的同時，漏出少量的CW能量以進行對齊。該低能CW光束可能具有一 或多項光學特性(例如偏振性或波長)而使其反射光束不同于該脈沖處理激光 束的該等光學特性。倘若該等度量激光束與處理激光束有不同波長，可于該反 射能量傳感器198之前運用一合宜的光學濾波器來衰減該處理光束的反射，同 時讓該度量光束的反射透過。于其它情況中，該等光學特性可能并不會改變， 其前提是該系統(tǒng)100要耐受因處理一連接線所導致的偶發(fā)性錯誤對齊讀數(shù)。通 過平均足夠數(shù)量的連接線，該些偶發(fā)性的錯誤度量讀數(shù)便不顯著?；蛘撸嗫?徑行省略已知的不良度量讀數(shù)。符合下面條件的度量讀數(shù)便可被視為不良的度 量讀數(shù)(l)遠高于一般反射的量測值(因從該連接線反射的處理激光束所造成) 或是(2)已知悉一特殊連接線為要被處理的目標耙。因為一特定半導體晶圓上 通常僅約有10%的連接線要被處理，因此根據(jù)本文所述的技術(shù)，幾乎于所有情 況中，會有足夠的未被處理連接線作為可靠的度量靶。美國專利案第6,593,542號中所述的激光亦可用來實施本文所述之處理以 及連接線式度量。該激光能夠制造用于進行處理的UV(紫外光)光束以及用于 進行度量的綠光或是IR(紅外光)光束。本文所述的技術(shù)可配合任何波長的激光 輻射來運用，舉例來說，其包含IR波長范圍、可見光波長范圍、以及UV波 長范圍，其特別包含約1.34(im(微公尺、微米、或10-6公尺)、約1.06化m、約1.047pm、約532nm(奈米或10-9公尺)、約355nm、以及約256nm。從用于連接線處理的相同激光中產(chǎn)生一對齊激光束的又一技術(shù)系美國專 利申請案第10/931,460號中所述的快速脈沖產(chǎn)生技術(shù)。根據(jù)該項技術(shù)，一Q 切換式激光中的Q開關(guān)會以極快的速率被交替地開啟與關(guān)閉，俾使該激光可 比正常的脈沖式模式操作發(fā)射更快而能量較低的脈沖。倘若該脈沖速率夠高， 便會有較少的激光能量抵達該工作部件130，因而能進行度量而不會明顯地破 壞該工作部件130。該AOM 140還可受控以衰減^氐達該工作部件130的激光 能量的振幅。脈沖式BTW度量通常涉及利用該等脈沖的產(chǎn)生來同步讀取反射 率數(shù)據(jù)。當使用一脈沖式激光來進行處理與度量時，該激光110與該AOM 140便 可運作以混合抵達該工作部件130供處理之用的高脈沖能量狀態(tài)以及抵達該 工作部件130供度量之用的較低能量狀態(tài)。如上所述，通過改變該激光110的 脈沖重復率以及AOM 140的衰減位準便可利用一連接線作業(yè)來達成此目的。于另一實施例中，該度量激光束點535與該處理激光束點135可能不同且 分離。倘若該度量激光束點535與該處理激光束點135(圖8A中未顯示)之間 的偏移已知，于定位該供運作之用的處理激光束點135時便可將該偏移納入考 慮。舉例來說，雖然兩道光束是由相同激光所產(chǎn)生，但是因光學處理差異(例 如偏振性或是波長)而具有不同或發(fā)散的傳播路徑時便會出現(xiàn)上述情況。上述 情況同樣可能出現(xiàn)于運用二或更多道激光來同時產(chǎn)生一或多道度量光束以及 一或多道處理光束時。于美國專利申請案第11/051,265號、第11/051,262號、 第11/052,014號、第11/051,500號、第11/052,000號、第11/051,263號、第 11/051，958號、以及第11/051,261號中便揭示用于產(chǎn)生多重激光束的方法與系 統(tǒng)，本文以引用方式其并入。前述申請案教示利用多個激光束點以各種平行配 置的方式來處理多條連接線，該等配置方式包含"同軸(on-axis)"(該等光束點 散布于該連接線作業(yè)的方向上)、"跨軸(cross-axis)"或"橫向(lateral)"(該等光束 點散布在垂直于該連接線作業(yè)軌軌跡的方向上)、以及綜合式。以該等光束點 中一或多者作為度量光束點可運用該等相同的光束點排列方式。于部份情況中，該度量光束能夠量測跨軸Y數(shù)據(jù)以及同軸X數(shù)據(jù)。舉例 來說，圖8B所示的為跨越一連接線區(qū)段沿著軌道370A、 370B、以及370C的多個橫向分隔的度量連接線作業(yè)的示意圖，該連接線區(qū)段包含多個橫向偏移部份類連接線結(jié)構(gòu)440。該等橫向偏移部份類連接線結(jié)構(gòu)440可擺放在圖中所示 的間隙430之中。3爭越該等結(jié)構(gòu)440來掃描橫向偏移度量光束點535A、 535B、 以及535C(可利用相同的光束來連續(xù)掃描，而每一次掃描均具有一遞增的橫向 偏移；或是如圖中所示用多道光束平行掃描)便可提供跨軸度量信息。舉例來 說，中間光束點535B會產(chǎn)生中間的結(jié)構(gòu)440的反射，最上方的光束點535A 僅會產(chǎn)生第一個(最左邊)結(jié)構(gòu)440的反射，而最下方的光束點535C則僅會產(chǎn) 生第三個(最右邊)結(jié)構(gòu)440的完全反射。端^L該等結(jié)構(gòu)440的排列而定，該等 結(jié)構(gòu)440的反射數(shù)量、次序、及/或時序會傳達和該度量激光束點535的橫向 位置有關(guān)的信息。亦可運用更多或較少的結(jié)構(gòu)440;圖8B中的結(jié)構(gòu)的440的 數(shù)量與排列方式均僅供解釋本概念之用。倘若可于Y(跨軸)方向上操控度量激 光束點535,于單一連接線作業(yè)期間抖動該光束點535的Y位置便還能產(chǎn)生Y 度量信息。亦可運用其它的多重度量激光束點排列方式，舉例來說，多重同軸光束點； 分離但通常平行的多條連接線作業(yè)上的多重跨軸光束點；與圖9B所示的一種 形式相同連接線作業(yè)內(nèi)的跨軸偏移；以及上述排列方式的部份或全部組合。運 用此等其它的多重度量激光束點排列方式可能是為了達到收集Y位置數(shù)據(jù)的 目的、達到同時收集不同連接線列的X位置數(shù)據(jù)的目的、或是達到其它目的。圖8C所示的為從靶連接線410以及對齊結(jié)構(gòu)444中收集數(shù)據(jù)的一度量連 接線作業(yè)的示意圖。于該度量連接線作業(yè)中被混合的該等對齊結(jié)構(gòu)444可能具 有任何形狀，其包含傳統(tǒng)的對齊靶。圖8C中所使用的特定對齊結(jié)構(gòu)可達成一 種在X方向上于一連接線作業(yè)期間來收集Y度量信息的替代方式。介于連接 線組420A與420B之間的間隙430A含有一對齊結(jié)構(gòu)444,其具有兩個三角形 反射部，該等反射部以一非反射的裂縫而彼此分隔，該裂縫會以一角度延伸跨 越該結(jié)構(gòu)444,俾使該裂縫的X位置會傳達和該度量激光束點535的Y位置 有關(guān)的信息。明確地說，當該度量激光束點535掃描if夸越該對齊結(jié)構(gòu)444時， 該反射信號將會由下面所組成第一持續(xù)期間的一第一大強度反射信號，接著 是該裂縫上的一小強度(以零最為理想)反射信號，接著是第二持續(xù)期間的一第 二大強度反射信號。該第 一持續(xù)期間及/或該第二持續(xù)期間會傳達和該度量激光束點535的Y位置有關(guān)的信息。視情況，該對齊結(jié)構(gòu)444亦可能僅由單一 三角形反射部所組成，因為單獨使用此單一三角形反射部便能夠提供所希的Y 位置信息；不過，圖8C中所示排列中的兩個此類三角形反射部則更能善用間 隙430A中的可用空間并且能夠透過冗余特性來4是供更可靠的Y位置信息。圖9A所示的為一種期望的同軸排列方式，其中前方光束點為度量光束點 535，而后方光束點則為處理光束點135。于處理此連接線列時，會從度量激 光束點535中收集度量量測值并且對所測得的數(shù)據(jù)進行處理，用以決定后面處 理激光束點135的精確位置，以便處理該連接線。如圖9B所示，亦可視情況 使用一或更多額外的后方處理光束點及/或度量光束點。雖然圖9B中所示的度 量激光束點535在前，而該(等)處理激光束點135在后為較佳的方式，不過， 該(等)處理激光束點亦可在前，而該(等)度量激光束點則在后。圖9C所示的為一度量光束點535與一處理光束點135的跨軸排列方式。 該度量光束點535會沿著第一連接線列550A橫移，而處理光束點會沿著第二 連接線列550B橫移，該第二連接線列550B通常會布局成平行于該第一連接 線列550A且較佳而言位于該第一連接線列550A旁邊(例如最靠近的下一列或 是隔壁列)。由于半導體IC布局的典型直線規(guī)律性的關(guān)系，列550A中的度量 光束點535所測得的該等連接線位置會與處理光束點135處理的該等旁邊列 550B中的連接線位置密切相關(guān)。任何已知的偏移(例如可能取決于CAD及/或 其它對齊數(shù)據(jù)者)均可于同軸方向、跨軸方向、以及垂直Z方向上被納入考慮。圖9D所示的為一度量光束點535與一處理光束點135的跨軸排列，其具 有一同軸偏移。如圖中所示，第一列550A中的度量光束點535于該同軸或X 方向上以某一數(shù)量大小領(lǐng)先第二列550B中的處理光束點135。圖9E所示的為位于相同列內(nèi)的一度量光束點535與一處理光束點135的 跨軸排列。當該度量光束點535與該處理光束點135分別沿著軌跡370A與 370B于X方向上移動時，它們會于Y方向上彼此以某一數(shù)量大小分隔。圖9F所示的為位于相同列內(nèi)一同軸偏移的一度量光束點535與一處理光 束點135的跨軸排列。當該度量光束點535與該處理光束點135分別沿著軌跡 370A與370B于X方向上移動時，它們會于Y方向上彼此以某一數(shù)量大小分 隔并且于X方向上彼此以某一數(shù)量大小分隔。相較于圖9E的純跨軸排列或是圖9A的純同軸排列，本排列的一項優(yōu)點是該處理光束點135與該度量光束點 535之間的空間分隔距離較大。提高空間分隔距離的一項優(yōu)點是該處理激光對 該度量過程的干擾會較低。使用該等連接線410來施行對齊的精確性會高于單獨運用該等專屬對齊 靶230，其理由如下(1)受到該等專屬對齊靶230中的瑕疵的影響程度較小； (2)在X方向、Y方向、及/或Z方向中，該等對齊耙與該等處理靶之間的空間 關(guān)聯(lián)性較密切；以及(3)能夠?qū)λ占降拇罅繉R量測值快速地進行平均。 下面段落將詳述前述優(yōu)點。首先，該等專屬對齊靶230為稀疏散布于該工作部件130之上。 一典型的 半導體DRAM晶粒的面積約為70mm2,含有約2,000至約20,000條連接線， 但通常僅含2至4個專屬對齊靶230。倘若某一專屬對齊靶230有缺陷(如圖 5C中所示)，便必須移動一段相當長的距離方能找到一符合要求的替代專屬對 齊靶。另外，對于需要被處理的連接線410,可能并非全部都有專屬對齊靶在 附近，因此便必須猜測XY對齊結(jié)果與Z聚焦高度。精細的特點(如因該晶圓 下方的一顆粒所造成的垂直位移)還可能因而喪失。不過，通過更多更靠近的 量測值，便可捕獲前述以及其它精細特點。本文所述的技術(shù)會取得該工作部件 130上各量測點處的量測值，其中此等量測點的密度較佳而言為落在該工作部 件130上的連接線密度大小的至少一或兩級之內(nèi)。事實上，于部份實例中，連 接線式對齊能夠消除對專屬對齊靶230的需求，從而可釋;^文出該工作部件130 上寶貴的空間并且減低該工作部件130的復雜度以及簡化其制程，如布局與光 罩創(chuàng)設。再者，連接線式對齊還能夠有助于在從一晶圓中切下個別晶粒210 之后對該等個別晶粒進行處理。接著，在一對齊區(qū)220的該等角落處基本上并無法利用數(shù)學模型來精確地 掃描，所以會干擾該對齊區(qū)220的內(nèi)部。取得要進行處理的位置處或其附近的 量測值會比較精確。該等連接線410為要被處理的連接線的位置處或旁邊的最 接近的光學靶。于一相關(guān)記載中，由于該等中間層的厚度變化的關(guān)系，相較于 讓一光束從該工作部件130的表面或是該等專屬對齊靶230彈開來決定聚焦高 度，聚焦于該等連接線410上同樣會比較精確。前述的厚度變化可能會均勻地 分布在該晶圓上，或者亦可能具有位置相依性。第三，掃描一列眾多連接線410允許對多個目標靶進行快速數(shù)據(jù)捕獲、對 眾多靶位置進行平均、且冗余特性可消弭因缺陷目標靶所造成的問題。大量的對齊數(shù)據(jù)可從一連續(xù)連接線列中被快速捕獲。因為當該運動平臺170于一個方 向上(主要為在X或Y方向其中 一者上)連續(xù)移動時可以記錄數(shù)據(jù)，所以便可進 行此快速數(shù)據(jù)捕獲作業(yè)。事實上，于部份情況中，當從該等連接線410中收集 度量數(shù)據(jù)時，該運動平臺170亦可以非常規(guī)律的處理速度來移動。換言之，度 量作業(yè)能夠以"行進中(onthefly)，，的方式來施行，并不會因為進行對齊而大幅 損及總處理量。于部份情況中，該運動平臺170于一處理作業(yè)期間的速度大小 會比掃描一專屬對齊靶230快了一級甚至更多級。目前而言， 一激光束點于專 屬對齊靶230上的典型的現(xiàn)有掃描速度約為5至20mm/s,相較之下，于一連 接線作業(yè)期間， 一激光束點相對于該工作部件130的典型移動速度的范圍則介 于約40mm/s至約200mm/s之間。再者，將眾多對齊靶放置在一晶粒內(nèi)部的一列中并不實際，因為它們會占 據(jù)非常寶貴的工作部件面積，但是，使用自然出現(xiàn)的連接線列作為對齊靶則能 夠促成大量的數(shù)據(jù)捕獲，且量測眾多連接線的位置使得可對數(shù)十個、數(shù)百個、 甚至數(shù)千個靶位置的位置進行平均，以獲得一位置估計值。更進一歩，利用該 等連接線410作為對齊靶，便可減緩有缺陷的專屬對齊靶230所造成的問題。 一有缺陷的專屬對齊靶230不論被掃描多少次，其皆可能無法提供一精確的參 考信號。相反地，倘若估算且平均眾多不同連接線410的位置，少量有缺陷目 標靶所造成的沖擊便會最小。圖10所示的為反射對齊激光能量與圖8或9中任一跨越中間連接線組 420B的X位置的函數(shù)關(guān)系圖。圖IO至13為通過^t擬產(chǎn)生，其前提假設為， 此連接線組420B中的連接線410具有0.75微米的均勻?qū)挾纫约?微米的均勻 間距，且該光束點的高斯空間分布為具有1.5微米的1&2直徑。該些數(shù)值雖然 為代表值，不過它們僅被選來作解釋之用。目前，連接線間距的范圍通常是介 于約1.8至約3微米之間。因此，本文所述的技術(shù)會于該工作部件130上各不 同量測點處實施度量量測，該等量測點的分隔間隔和該連接線間距相同或者至 少為相同等級。如先前提到的，將來該些數(shù)值將會縮減。在撰寫本文時，小光 束點UV激光處理預期有助于縮減連接線間距，其將會需要更高的系統(tǒng)精確性。該等必要的精確性改良主要是在同軸方向以及Z高度方向上，它們通過 度量連接線作業(yè)所確保的最容易方向。讓該對齊激光束點535沿著該連接線組420B單次掃過能夠快速且有效地 收集可用于進行對齊的一組空間密度位置與反射量測值。此反射數(shù)據(jù)可用于決 定該光腰與該等靶連接線410之間的同軸關(guān)系。圖10中顯示出，于該反射信 號中有11個最大值以及10個最小值。最大值可用來定位連接線；最小值則可 用來定位連接線間間隔的中心(兩條相鄰連接線的平均位置)。因此，對此反射 信號以及連接線坐標的CAD數(shù)據(jù)套用峰值找尋算法便能夠產(chǎn)生21個激光-連 接線對齊估計值。倘若對一反射模型進行曲線擬合而不運用峰值找尋算法的 話，則可提供更大的精確性。對多個已定位峰值的結(jié)果進行平均便可決定光束點-連接線對齊，其分辨 率優(yōu)于目前的單一耙量測值，其理由有二第一，相較于對單一耙進行傳統(tǒng)的 反復掃描，快速捕獲連續(xù)的反射信號可于相同的掃描次數(shù)捕獲更多的反射峰 值。第二，通過平均運算可減低一列眾多完美連接線之中一有缺陷連接線的影 響。該些方法可套用至任何長度的連接線組。該等連接線410可能具有均勻的 間隔與寬度，或者可能具有一不均勻間隔及/或一不均勻?qū)挾?。該些方法可?套用至多個連接線組，該等連接線組之間的間隙可能非常平均或是具有可變的 大小。于部份情況中，可能需要額外的信息來讓一連接線區(qū)段所產(chǎn)生的反射信號 和該等正確連接線的CAD位置產(chǎn)生關(guān)聯(lián)。舉例來說， 一具有相同間隔的超長 串相同連接線的中心的反射數(shù)據(jù)可能并未表示哪一條連接線產(chǎn)生哪一個反射。 因此，通過整數(shù)倍的連接線間隔便可中止校正作業(yè)。同步化技術(shù)或關(guān)聯(lián)技術(shù)可 用來決定性地重迭反射數(shù)據(jù)以及CAD模型。舉例來說，可于一晶粒210上或 是晶粒210之間提供一如巴克碼(Barker code)的已知圖案，以于該等連接線中 產(chǎn)生一特有且容易辨識的圖案。此可能包含具有一 已知間隔的已知數(shù)量的連接 線，并跟隨著已知數(shù)量的連接線?；蛘?，亦可使用該連接線間距及/或連接線 寬度中的一圖案來進行同步化。舉例來說，圖11所示的為反射對齊激光能量 與X位置的函數(shù)關(guān)系圖，其跨越一具有關(guān)聯(lián)圖案的連接線組。于此圖案中，有一寬連接線位于-2微米的位置處，于+4微米的位置處少了一條連接線，而 且有一較寬的連接線間隔位于+9微米的位置處。前述任一者或全部均可用來 確保正確的連接線410會關(guān)聯(lián)于正確的反射標記。于一些情況中，可能會需要一開始便在該晶粒周圍附近的該等專屬對齊靶 230上實施特定的對齊掃描，以決定一連接線位置的初步模型。使用機械視覺 技術(shù)于剛開始時來找尋對齊靶便可達成此目的，接著可對專屬對齊靶230進行 BTW掃描，以進一步精化該位置估計值。接著便可使用本文所述的方法來精 化此連接線位置的初步模型。倘若該連接線位置的初步模型精確到次連接線-間距公差的程度的話，那么便可不必施行上述的同步化步驟。當沿一連接線列移動時扭轉(zhuǎn)Z高度便可同時測定同軸位置與聚焦高度， 如圖12A與12B中所示，二圖所示的分別為反射對齊激光能量與X位置與Z 位置的函數(shù)關(guān)系圖，其跨越圖8或9之中間連接線組420B。估算焦距的一種 方式是于沿該連接線列移動且捕獲反射數(shù)據(jù)時改變Z高度。于圖12中，Z高 度是從-3微米移動至+3微米，而X則會同時從-15微米移動至+15微米。該等 連接線與光腰共平面于-0.4微米的Z高度處。圖12B顯示出最大反射能量是 出現(xiàn)在-0.4微米的Z高度處，對應于最緊密的光束點尺寸。檢查焦距附近的多 個峰值便能夠更精確地決定最佳的聚焦高度，尤其是當該聚焦高度落在兩個連 接線位置之間時。內(nèi)插法、平均法、信號處理技術(shù)、曲線擬合技術(shù)、以及參數(shù) 估計技術(shù)均可用于本情況中。圖12證實可同時決定峰值位置以及焦距。所以， 可同時實施同軸與聚焦校正。如此便可快速地校正兩項對齊變量。圖13所示的為反射對齊激光能量與連接線間距的函數(shù)關(guān)系圖。本關(guān)系圖 包含兩條曲線，用以顯示一連接線組上的最大反射能量與最小反射能量和連接 線間距的函數(shù)關(guān)系。如圖所示，倘若該連接線間距小于連接線寬度，最大與最 小反射能量間的對比便可能不足。良好的對比有助于峰值找尋過程。據(jù)此，光 束點尺寸、連接線間距、以及連接線寬度全部會影響反射對比，而度量激光束 的波長以及用于連接線與晶圓構(gòu)造的材料與層厚度亦同樣會影響反射對比。該 些參數(shù)均可經(jīng)最佳化取得高質(zhì)量的反射數(shù)據(jù)以進行優(yōu)越的校正作業(yè)。圖14所示的為才艮據(jù)一 實施例的方法600的流程圖。本方法600會產(chǎn)生(610) 一度量激光束并且將該激光束朝該工作部件130上的一連接線410傳播(620)。當該方法600將該度量激光束點535沿著該工作部件130上的一路徑相對于該 工作部件130移動(625)時，該度量激光束便會于該度量激光束點535處與該 工作部件130相交，其有時候會通過多條連接線410。本方法會偵測(630)并且 量測該度量激光束的反射，從而產(chǎn)生一反射能量信號，例如圖10中所示者。 本方法600會依據(jù)該反射信號來決定(640)該度量激光束點535相對于該度量 激光束點535所通過的該等特殊連接線410的相對位置。決定步驟640可利用 本文所述的任何技術(shù)來實施，舉例來說，其包含峰值(其可能為最小值或最大 值)找尋算法、表面擬合數(shù)學模型、由該等連接線410所構(gòu)成的同步化圖案、 及/或與標稱位置數(shù)據(jù)(如CAD數(shù)據(jù))作比較。接著，本方法600便會于必要時 調(diào)整(650)該處理激光束點135的位置，以便讓該(等)處理激光束會于該等X維 度、Y維度、以及Z維度中一或多為度上被更精確地傳遞至該等選定的連接在 線，以處理(660)該些被選定的連接線。該(等)處理激光束點135以及該度量激 光束點535大體上可能會重迭，或者它們亦可能彼此以一固定或可動態(tài)調(diào)整的 位移分隔。如先前所述的，本方法600中的步驟可依照順序或是同時實施，端 一見于一特殊情況中要如何施行本方法600而定。本方法600可利用各種不同的 硬件配置來實施，舉例來說，其包含圖1與2中所示者。圖15A所示的為根據(jù)另一實施例的"反射上脈沖(pulse-on-reflection)"方 法700的流程圖。本方法700會產(chǎn)生(610)—度量激光束并且于該方法700將 該度量激光束點535沿著該工作部件130上的一路徑相對于該工作件130移動 (625)時，將該激光束朝該工作部件130上一連接線410的一估計位置處傳播 (620)。如圖9A中所示，本方法700的較佳運用情況是該度量激光束點535于 一連接線作業(yè)期間領(lǐng)先該處理激光束點135。該等激光束點135與535的穿越 路徑較佳而言會與該等連接線中央相交，如同由一模型或初步校正數(shù)據(jù)所初步 測定。該度量激光束點535從該連接線410反射會產(chǎn)生一反射信號，其可能為 一光學信號或者可能會被轉(zhuǎn)換成電子形式。本方法700會偵測(730)該反射信 號中跨越該臨界值T的上升交叉點。除了會有一小額偏移量Ad之外，該交叉 點表示的便為該連接線的中心的位置。本方法700會產(chǎn)生(750)—處理激光束 并且將該激光束傳播(760)至由該臨界值交叉點所偵測到的發(fā)生反射的位置 處，也就是傳播至該連接線。29本方法700可于一連接線作業(yè)期間在某一列中的部份或所有連接線處反 復施行。于此情況中，該反射信號包括一連串的反射最大值以及不反射最小值， 如圖10中所示并于圖15B中再現(xiàn)者，它們會與該度量激光束點535沿著該連 接線列移動時的X距離具有函數(shù)關(guān)系。該反射信號中的每一個最大值代表一 連接線的中心，而每一個最小值代表的則為兩條相鄰連接線之間的中心點。圖 15B還顯示出略低于該偵測信號中的峰值的臨界值T以及相應的偏移量Ad。本方法700較佳的是于發(fā)出一激光觸發(fā)命令之后，會考慮到在產(chǎn)生該激光 脈沖且將其傳播至該工作部件130時的延遲。將該延遲納入考慮的其中一種方 法是讓該處理激光束點135落后該度量激光束點535。該等兩個光束點之間的 落后距離會造成一時間延遲，其在該度量激光束點535的反射跨越該臨界值T 的時間以及該處理激光束點135被正確定位于該連接線上方的時間之間。理想 的是，任何延遲的凈結(jié)果均會讓該處理激光束點135沿著該工作部件130移動 正確的距離，以便精確地傳遞其脈沖，使其集中于該靶連接線之上或是落在任 何所希的同軸公差之內(nèi)?；蛘?，可于該偵測步驟730以及該產(chǎn)生步驟750之間 加入零延遲。于部份情況中，該處理激光束點135可領(lǐng)先該度量激光束點535。若有的話，合宜臨界值T以及延遲時間的選擇為相依于各系統(tǒng)變量，如 該反射信號的形狀以及強度(其則會相依于該度量激光束的光學特性、該工作 部件130、以及該反射能量傳感器190的各項參數(shù))、連接線作業(yè)的實施速度、 以及該度量激光束點535與該處理激光束點135之間的間隔(若有的話)。熟習 本項技術(shù)者遵照本文的教示內(nèi)容便可針對一特定情況來選擇合宜的設定值。本方法700會于找到連接線處處理該等連接線，且本方法相當程度獨立于 用于精確標出該等連接線的任何定位模型。此項反射上脈沖技術(shù)的一項優(yōu)點是 對一目標耙的位置進行度量感測以及對其進行處理之間的立即性。此立即性能夠進一步增進處理精確度，因為在進行度量與進行處理之間發(fā)生位置漂移的機 會已經(jīng)降低。此項反射上脈沖技術(shù)的一項額外優(yōu)點是，其能夠補償校正模型中 的殘余誤差、CAD連接線位置數(shù)據(jù)庫中的誤差、或是會造成連接線發(fā)生輕微 錯誤定位的制造誤差。該反射上脈沖技術(shù)的另一項優(yōu)點是，大體上其并不會因 該工作部件130上該等激光束點的路徑而不同。舉例來說，搭配傾斜路徑、彎 曲路徑、以及旋轉(zhuǎn)路徑，該項技術(shù)仍可妥適地運作。事實上，于一雙光束實施例中，倘若該度量激光束點535與該處理激光束點135^皮鎖定在一固定的相對 偏移量中，該些光束點的路徑便無關(guān)緊要。圖16A至16C所示的為根據(jù)各實施例的其它方法的流程圖。雖然上面所 述的方法600與700是以單一連接線為基礎(chǔ)，不過，下文將會以單次作業(yè)為基 礎(chǔ)來說明圖16A至16C的方法。明確地說，圖16A所示的為用于周期性或偶 發(fā)性實施混在各處理作業(yè)之間的度量作業(yè)的方法800的流程圖。本方法800 始于視情況來實施(810)—或多項初始對齊作業(yè)，其可能包含機械視覺技術(shù)及/ 或掃描專屬對齊靶230。該等初始對齊技術(shù)還可能包括沿著一或多條X方向軌 跡370及/或Y方向軌跡380來實施的連接線式度量作業(yè)。舉例來說，沿著X 方向中少數(shù)約略等距分隔連接線列的度量作業(yè)以及沿著Y方向中少數(shù)約略等 距分隔連接線列的度量作業(yè)能夠產(chǎn)生一具充份代表性的連接線位置樣本，以達 初始對齊的目的。接著，本方法800便會沿著多條連接線列來實施(820)—或 多個處理作業(yè)，并且接著測試(830)是否需要進行再對齊作業(yè)。再對齊準則可 能為一特定時間數(shù)額的流逝、以及和前一次度量作業(yè)實施列的一特定空間分隔 距離、其它特定準則、或是一或多項準則的特定組合。倘若并不需要實施再對 齊的話，那么本方法800便會繼續(xù)實施(820)(多個)處理作業(yè)。倘若需要實施再 對齊，本方法800便會沿著某一列來實施(840)—度量作業(yè)，該列較佳而言為 接著要被處理的列。如此一來，本方法800便會收集該列中部份或所有連接線 的實際位置數(shù)據(jù)。于本方法800運用該工作部件130的位置模型來決定連接線 410的位置以及其它特點的情況中，本方法800便可運用從該度量作業(yè)中所獲 得的實際位置數(shù)據(jù)來更新(850)該模型。以下將說明該更新步驟850的細節(jié)。 于任何情況中，本方法800均會調(diào)整(860)該處理激光束點135相對于該工作 部件130的位置，接著重新開始實施(820)處理作業(yè)。該調(diào)整可由一實際硬件 的移動(舉例來說，運動平臺170的移動或是于該處理激光束135的傳播路徑 中來操控一光束操控光學組件)或是一軟件或數(shù)據(jù)的"移動"(即搡縱會影響處 理激光脈沖的時間及/或位置的數(shù)據(jù))或是兩者的組合來達成。倘若通過該運動 平臺170的移動來進行調(diào)整，便應該將該移動對該度量激光束點535所造成的 后續(xù)效應納入考慮。以最簡單的情況來說， 一用于工作部件特性的位置模型包含一用于一平面物體(如平面的盤片)的數(shù)學模型，其中各點代表連接線的中心。該模型可通過 X及/或Y平移來更新，以便以最佳的方式將該等仿真連接線位置擬合至由一 或多個度量量測值所決定的該等經(jīng)測得的連接線位置。先進的模型便可考慮到 該平面物體的傾斜或是該等連接線的形狀。更先進的模型則可考慮到一數(shù)學表或者，除了一表面模型之外， 一三維的物體模型本質(zhì)上亦可考慮Z維度中的 深度效應。采用一數(shù)學模型，不論其類型或復雜度為何，其特征為會有多個參數(shù)。該更新步驟850的其中一種版本便是調(diào)適或調(diào)整該些參數(shù)，以使依照該模型所獲得的該等連接線位置更符合該等實際測得的連接線位置。熟習本項技術(shù) 者依照本文的教示內(nèi)容便可了解該調(diào)適或調(diào)整算法可具有眾多形式。舉例來 說，倘若該工作部件模型的參數(shù)為線性(即使該模型本身非線性或非平面亦可 能有此情形)，便可施行最小平方算法來最小化每一個仿真位置與實際測得位 置間的差值的平方和。此項熟知的算法可以遞歸方式施行，俾使每一個新測得 的資料點均會更精化該模型。此算法的優(yōu)點包含淡化極端或是錯誤量測值。此 算法可于一度量作業(yè)期間，在進行每一次的連接線位置量測之后，以量測為基 礎(chǔ)反復施行，或是僅在一度量作業(yè)結(jié)束時才施行，以便聯(lián)合考慮該作業(yè)期間所 收集到的多個連接線位置量測值。該算法可以某種形式完成，以最佳適配于下面的系數(shù)，如該運動平臺170的速度以及該控制器190(其以實施該算法為宜) 的處理能力。根據(jù)方法800的作業(yè)順序可能是在全X方向作業(yè)，之后接著全Y方向作 業(yè)，或是反向施行?；蛘?，本方法800亦可交替地實施部份X方向作業(yè)，然 后實施部份Y方向作業(yè)?；旌蟈方向作業(yè)與Y方向作業(yè)可通過于每個方向中 周期性進行更新來保持X維度與Y維度中最新的校正結(jié)果。圖16B所示的為方法900的流程圖，其中會于相同的連接線作業(yè)期間交 替地實施度量與處理。本方法900會先實施(810)—非必要的初始對齊，如上 面配合方法800所述者。接著本方法900便會針對需要進行處理的每一連接線 列來假設該列被分為需要進行處理的多個區(qū)段以及不需要進行處理的多個區(qū) 段。后者于圖16B中稱為"不吹燒"區(qū)段，不過應該了解的是，處理的目的未 必是要破壞或"吹燒"該等連接線。可利用任何方式從處理計劃(舉例來說，連接線缺陷清單或是靶映圖195)的檢查中來達成分段的目的。最常見的情況是， 一不吹燒區(qū)段為未計劃要進行任何處理的某一列中的一連續(xù)區(qū)段。因為通常僅有約10%的連接線需要進行處理，可預期于大部份情況中將會有大量的不 吹燒區(qū)段。 一不吹燒區(qū)段可能包含或是可能不包含特殊用途的對齊結(jié)構(gòu)，如圖 8B與8C中所示者。不論如何辨識該等不吹燒區(qū)段，本方法900均會測試(920) 其是否位于或是接近一不吹燒區(qū)段。倘若不是的話，本方法900便會直接沿著 該區(qū)段實施(930)處理。倘若其為一不吹燒區(qū)段，本方法900便會沿著該區(qū)段 來實施(940)—度量掃描(必要時會將激光模式從處理模式切換至度量模式)，視 情況還會更新(850)該工作部件130的位置模型，并且依照該度量掃描調(diào)整(860) 該處理激光束點135相對于該工作部件130的位置。本方法900適用于一具有 重迭或相同的度量激光束點與處理激光束點的系統(tǒng)，該等光束點可能是由相同 的激光同時或不同時產(chǎn)生。倘若于規(guī)劃處理計劃時可選擇要啟動該等各個可能冗余組件中的哪些冗 余組件或是讓哪些冗余組件保持不變以置換一有缺陷組件的話，那么便可選擇不吹燒區(qū)段及/或處理連接線分布。舉例來說，可能會希望于X處理軸線以及 Y處理軸線兩者中分布特定連接線作業(yè)以及不吹燒區(qū)段，俾使可于兩個方向中 來施行度量連接線作業(yè)。亦可規(guī)劃一所希的分布方式，以便部份或完全最小化 對齊及/或處理該工作部件130所需要的時間。圖16C所示的為方法IOOO的流程圖，其中會于一連接線作業(yè)期間同時實 施度量與處理。本方法1000會先實施(810)—非必要的初始對齊，如上面配合 方法800所述者。接著，本方法1000便會沿著該列來實施(1020)處理，同時 沿著相同列或是另 一列來實施(1030)度量，(必要時)接著更新(850)該位置模型， 并且依照該等度量結(jié)果來調(diào)整(860)該處理激光束點135的位置。合宜的話， 可針對每一連接線列來重復施行該等步驟1020、 1030、 850、以及860。舉例 來說，本方法1000適用于圖9中所示的激光束點排列。本文所述的各種方法會決定一半導體基板之上或之內(nèi)各結(jié)構(gòu)相對于一激 光束點的位置。該些方法會產(chǎn)生一第一激光束并且將該第一激光束傳播至該半 導體基板之上或之內(nèi)的一激光束點；偵測該第一激光束從該半導體基板之上或33之內(nèi)的一第一結(jié)構(gòu)處的反射，從而產(chǎn)生第一反射數(shù)據(jù)；產(chǎn)生一第二激光束并且將該第二激光束傳播至該半導體基板之上或之內(nèi)的一激光束點；偵測該第二激光束從和該半導體基板之上或之內(nèi)的該第一結(jié)構(gòu)相隔一特定距離內(nèi)的一第二結(jié)構(gòu)處的反射，從而產(chǎn)生第二反射數(shù)據(jù)；以及處理該第一反射資料以及該第二 反射數(shù)據(jù)以決定該等第一結(jié)構(gòu)與第二結(jié)構(gòu)中一或多者的位置。舉例來說，該特 定距離可能小于一晶粒210的周邊維度，甚至更近，如約lmm、約100微米、 約IO微米、甚至和該連接線間距間隔的大小相同等級。本文所述的各種方法還會相對于一半導體基板對齊一激光束，于該半導體 基板之上或之內(nèi)具有數(shù)個結(jié)構(gòu)。該等結(jié)構(gòu)的數(shù)量會于該半導體基板之上或之內(nèi) 建立該等結(jié)構(gòu)的密度。該些方法會產(chǎn)生一或多道激光束；將該等一或多道激光 束傳播至該半導體基板之上或之內(nèi)；偵測反射自 一特定面積內(nèi)數(shù)個相對應反射 靶處的數(shù)道激光束反射，從而產(chǎn)生反射數(shù)據(jù)；以及處理該反射數(shù)據(jù)，以便相對 于該半導體基板對齊一激光束。激光束反射的數(shù)量除以該特定面積所得的商數(shù) 大小等級和該半導體基板之上或之內(nèi)的該等結(jié)構(gòu)的密度相同，或是落在該等結(jié) 構(gòu)的密度大小的一級、二級、甚至三級之內(nèi)。本文所述的各種方法還會相對于一半導體基板來定位一激光束點，該半導 體基板之上或之內(nèi)具有要通過傳遞一處理激光束至一處理激光束點來進行選 擇性處理的數(shù)個結(jié)構(gòu)。該些方法會產(chǎn)生一度量激光束；沿著一傳播路徑將該度 量激光束傳播至一要被選擇性處理的結(jié)構(gòu)之上或附近的一度量激光束點；以一 速度相對于該半導體基板來移動該激光束點；于進行該移動時，偵測該度量激 光束從該結(jié)構(gòu)的反射，從而產(chǎn)生一反射信號；以及依據(jù)該反射信號來測定該度 量激光束點相對于該結(jié)構(gòu)的位置。舉例來說，該速度可能為或接近一處理速度， 如從約40mm/s至約200mm/s，明確地說，快于約100mm/s、約50mm/s,或 是從約25mm/s至約30mm/s，不過亦可能低至約3mm/s。.用于操作本文所圖解或所述的方法與系統(tǒng)的算法可能為兼具主動與非主 動的各種形式。舉例來說，它們可能是由原始碼、對象碼、可執(zhí)行碼、或是其它格式中的程序指令所構(gòu)成的一或多個軟件或韌體程序。上述任一者均可具現(xiàn) 于一計算機可讀取的媒體上，該媒體包含儲存裝置以及壓縮或非壓縮形式的信號。示范的計算機可讀取儲存裝置包含習知的計算機系統(tǒng)RAM(隨機存取內(nèi)存)、ROM(只讀存儲器)、EPROM(可抹除程序化ROM)、 EEPROM(可電抹除 程序化ROM)、閃存、以及磁盤或磁帶、或是光盤或光帶。不論是否利用一載 波加以調(diào)變，示范的計算機可讀取信號為 一主控或執(zhí)行一計算機程序的計算機 系統(tǒng)可被配置成用以存取的信號，其包含經(jīng)由因特網(wǎng)或其它網(wǎng)絡下載的信號。 前述的具體范例包含于一 CD ROM上或是透過因特網(wǎng)下載來進行軟件散布。 就某種意義來說，于抽象實體上，因特網(wǎng)本身便是一計算機可讀取的媒體。計 算機網(wǎng)絡大體上也是。本文所使用的詞語以及說明僅供作解釋之用，并不具任何限制意義。熟習 本技術(shù)的人士將會了解，可對上述實施例的細節(jié)進行眾多變化，其并不會脫離 本發(fā)明的基本原理。所以，本發(fā)明的范疇應該僅由后面的申請專利范圍(以及 它們的等效范圍)來決定，應該了解的是，除非特別提及，否則其中所用到的 所有詞語均具有最廣泛的合理意義。
權(quán)利要求
1.一種使用一脈沖式激光來處理一半導體基板(130)之上或之內(nèi)的多個結(jié)構(gòu)(410)的系統(tǒng)(100)，該系統(tǒng)(100)包括一激光源(110)，其會產(chǎn)生一度量激光束與一脈沖式處理激光束，用于照射在該等結(jié)構(gòu)(410)中多個選定結(jié)構(gòu)之上；一度量激光傳播路徑，其是從該激光源(110)至該半導體基板(130)之上或之內(nèi)的一度量激光束點(535)；一處理激光傳播路徑，其是從該激光源(110)至該半導體基板(130)之上或之內(nèi)的一處理激光束點(135)；一運動平臺(170)，其會被配置成用以于該半導體基板(130)以及該度量激光束點(535)與該處理激光束點(135)兩者之間產(chǎn)生相對運動，以使該處理激光束點(135)會與該等結(jié)構(gòu)(410)中該等多個選定結(jié)構(gòu)相交，該運動大體上是發(fā)生于一筆直方向上；一傳感器(198)，其被定位用以于該度量激光束點(535)相對于該半導體基板(130)移動時偵測反射自一或多個該等結(jié)構(gòu)(410)的度量激光束點(535)的強度，從而產(chǎn)生一反射信號；一連接至該傳感器(198)的控制器(190)，其會被配置成用以依據(jù)該反射信號決定要在何時或何處產(chǎn)生一處理激光束脈沖，以照射在該等結(jié)構(gòu)(410)中該等多個選定結(jié)構(gòu)之上。
2. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)(IOO)，其特征在于，該激光源(110)包括 一第一激光，用于產(chǎn)生該度量激光束；一第二激光，用于產(chǎn)生該脈沖式處理激光束，其中該第一激光與該第二激 光不相同。
3. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)(IOO)，其特征在于，該激光源(110)包括單一 激光，用于產(chǎn)生該度量激光束以及該脈沖式處理激光束。
4. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)(IOO),其特征在于，該度量激光束點(535)以 及該處理激光束點(135)在該半導體基板(130)之上或之內(nèi)大體上重迭。
5. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)(IOO),其特征在于，該度量激光束點(535)會于該筆直方向中與該處理激光束點(135)間產(chǎn)生偏移。
6. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)(100)，其特征在于，該度量激光束點(535)會 在垂直于該筆直方向的方向上與該處理激光束點(135)間產(chǎn)生偏移。
7. 如權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)(100)，其特征在于，該運動是發(fā)生在正交于 該半導體基板(130)的平面的方向中。
8. —種用以從一處理激光處將激光束脈沖精確地傳送至一半導體基板 (130)之上或之內(nèi)的多個選定處理靶結(jié)構(gòu)(410)處的方法，其中，該等處理把結(jié) 構(gòu)(410)中至少一子集會被排列在延伸于一縱長方向上的大致筆直直線列之 中，該方法包括產(chǎn)生(610)—度量激光束并且沿著一傳播路徑將該度量激光束傳播(620)至 該半導體基板(130)之上或之內(nèi)的一度量激光束點(535);主要在該縱長方向中相對于度量激光束點(535)來移動(625)該半導體基板 (130);當該度量激光束點(535)相對于該半導體基板(130)移動時，偵測(630)反射 自該處理靶結(jié)構(gòu)(410)子集的光能量，從而產(chǎn)生一和縱長方向距離呈函數(shù)關(guān)系 的反射信號；產(chǎn)生(750)該處理激光束的多個處理脈沖并且沿著一傳播路徑將該等處理 脈沖傳播(760)至該半導體基板(130)之上或之內(nèi)的一處理激光束點(135);依據(jù)該反射信號來決定(640)該處理激光束點(135)相對于該半導體基板 (130)的定位位置，以1"更將該等處理脈沖導向多個選定的處理靶結(jié)構(gòu)(410)。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法(600)，其特征在于，進一步包括 與該移動步驟同一時間，在正交于該縱長方向的方向上相對于度量激光束點(535)來移動該半導體基板(130)。
10. 如權(quán)利要求8所述的方法(600)，其特征在于，決定該處理激光束點(135) 的定位位置包括修正一或多項校正參數(shù)。
11. 如權(quán)利要求8所述的方法(600),其特征在于，該子集包括多個處理靶 結(jié)構(gòu)(410),而該決定步驟包括對與該等處理靶結(jié)構(gòu)(410)中多個個別的處理靶 結(jié)構(gòu)(410)相關(guān)聯(lián)的位置數(shù)據(jù)進行平均。
12. 如權(quán)利要求8所述的方法(600)，其特征在于，該決定步驟(640)包括尋找反射信號中的峰值。
13. 如權(quán)利要求8所述的方法(600)，其特征在于，該決定步驟(640)包括 將一數(shù)學表面模型擬合至產(chǎn)自該反射信號的結(jié)構(gòu)位置數(shù)據(jù)。
14. 如權(quán)利要求8所述的方法(600),其特征在于，該決定步驟包括 將產(chǎn)生自該反射信號的數(shù)據(jù)與用于表示該等結(jié)構(gòu)的標稱位置的數(shù)據(jù)作比較。
15. 如權(quán)利要求8所述的方法(600),其特征在于，進一步包括 在與該方向相反的方向上相對于該半導體基板(130)來移動該度量激光束點(535);當該度量激光束點(535)于該相反方向中跨越該等列中其中 一列的連接線 (410)移動時，重復施行該等產(chǎn)生步驟(610)、傳播步驟(620)、以及偵測步驟 (630)。
16. 如權(quán)利要求8所述的方法(600)，其特征在于，進一步包括 于該度量激光束點(535)移動時來調(diào)整該度量激光束的聚焦深度； 其中該決定步驟(640)包括決定該半導體基板(130)中一結(jié)構(gòu)(410)的深度。
17. —種配合系統(tǒng)(100)來使用的計算機可讀取i某體，用以相對于一半導體 基板(130)來定位一激光束點，該計算機可讀取^f某體包括用于實施權(quán)利要求1 或8所述的方法(600)的軟件指令。
18. —種依照權(quán)利要求1或8所述的方法(600)來處理的半導體基板(130)。
19. 如權(quán)利要求22所述的半導體基板(130),其特征在于，該等結(jié)構(gòu)(410) 中至少 一部份會被排列成一預設的同步化圖案。
20. —種方法(600),其包括收集和一半導體基板(130)之上或之內(nèi)大致為直線的第一列結(jié)構(gòu)(410)的第 一部份中要被選擇性處理的多個結(jié)構(gòu)(410)的位置相關(guān)數(shù)據(jù)，其方式如下產(chǎn)生(610)—度量激光束并且沿著一交該基板(130)于度量激光束點(535)的 傳播路徑來傳播該度量激光束，沿著該第一部份相對于該半導體基板(130)移動(625)該度量激光束點 (535);于該度量激光束點(535)相對于該半導體基板(130)移動時偵測(630)自該部份中結(jié)構(gòu)反射的度量激光束，從而產(chǎn)生一反射信號；依據(jù)所收集到的數(shù)據(jù)來決定(640)要將處理激光脈沖導向該半導體基板 (130)上的哪個位置，以便照射在一半導體基板(130)之上或之內(nèi)大致為直線的 第二列結(jié)構(gòu)的第二部份的多個選定結(jié)構(gòu)(410)上，其中該第二列大體上會平行 于該第一列。
21. 如權(quán)利要求20所述的方法(600),其特征在于，該第一部份與該第二 部份相同。
22. 如權(quán)利要求20所述的方法(600),其特征在于，該第一列與該第二列 相同。
23. 如權(quán)利要求20所述的方法(600)，其特征在于，進一步包括 通過下面方式來處理(660)該第二列第二部份中的選定結(jié)構(gòu) 產(chǎn)生該等處理激光脈沖并且沿著交該基板(130)于處理激光束點(135)的傳播路徑來傳播該等脈沖；沿著該結(jié)構(gòu)列相對于該半導體基板(130)移動該處理激光束點(135);其中，產(chǎn)生該等處理激光脈沖步驟以及移動該處理激光束點(135)步驟是 根據(jù)該決定步驟(640)來實施，致使該等處理激光脈沖照射在選定結(jié)構(gòu)上。
24. 如權(quán)利要求23所述的方法(600),其特征在于，該等收集與處理(660) 步驟大體上為同時實施。
25. 如權(quán)利要求23所述的方法(600),其特征在于，該等收集與處理 (660，760)步驟為交替實施。
26. —種定位方法(600),用以相對于一半導體基板(130)來定位一激光束 點，于該半導體基板之上或之內(nèi)具有要被選擇性的通過將一處理激光束傳遞至 一處理激光束點(135)來處理的多個結(jié)構(gòu)(410)，該方法包括產(chǎn)生(610)—度量激光束；沿著一傳播路徑將該度量激光束傳播(620)至一要被選擇性處理的結(jié)構(gòu) (410)之上或附近的一度量激光束點(535);相對于該半導體基板(130)來移動(625)該激光束點，俾使該半導體基板 (130)相對于其中心的角速度會小于該激光束點(535)相對于該半導體基板(130) 的速度除以該半導體基板(130)中心與該激光束點(535)間距離所得的商數(shù)；于進行該移動時偵測(630)反射自該結(jié)構(gòu)(410)的度量激光束，從而產(chǎn)生一 反射信號；依據(jù)該反射信號來決定該度量激光束點(535)相對于該結(jié)構(gòu)的位置。
27. 如權(quán)利要求26所述的方法(600),其特征在于，該角速度非常微小而 可忽略。
28. —種定位方法(700),用以定位被傳遞至一半導體基板(130)之上或之內(nèi) 一結(jié)構(gòu)(410)的一激光束，該方法(700)包括產(chǎn)生(610)—具有一相交于該基板(130)的度量激光束點(535)的度量激光束；沿著一傳播路徑將該度量激光束傳播(620)至位于該要被選擇性處理的結(jié) 構(gòu)(410)之上或附近的該度量激光束點(535);偵觀'J(730)反射自該結(jié)構(gòu)的度量激光束，從而產(chǎn)生一反射信號； 偵觀'J(730)該反射信號何時跨越一臨界值；響應于該偵測步驟(730)來產(chǎn)生(750)該處理激光束，并且將該處理激光束 傳播(760)至該該度量光束(535)的反射被偵測到的結(jié)構(gòu)(410)中。
29. 如權(quán)利要求28所述的方法(700),其特征在于，該等結(jié)構(gòu)(410)會被排 列在延伸于一通常為縱長方向上的多條大致平行列之中，且該方法(700)包括在一大致上平行該等列的縱長方向的方向上相對于該半導體基板(130)移 動(625)該度量激光束點(535),沿著其中一列移動；當該度量激光束點(535)跨越該等列中一者的連接線移動時，重復施行該 等產(chǎn)生步驟(610)、傳播步驟(620)、以及偵測步驟(730);沿著和該度量激光束點(535)移動大致相同的路徑，于該度量激光束點(535) 后面移動該處理激光束點(135)。
30. 如權(quán)利要求28所述的方法(700),其特征在于，進一步包括 延遲產(chǎn)生該處理激光束，直到該處理激光束點(135)相對于該基板的位置會使得該處理激光束擊中該結(jié)構(gòu)(410)。
31. 如權(quán)利要求28所述的方法(700),其特征在于，進一步包括 僅在該結(jié)構(gòu)(410)已經(jīng)被確認為一要被處理的結(jié)構(gòu)時，才將該處理激光束傳播至該結(jié)構(gòu)(410)。
全文摘要
本發(fā)明公開了各種方法(600、700)以及系統(tǒng)(100)，用以相對于一半導體基板(130)來量測、決定、或是對齊一激光束點的位置，該半導體基板(130)之上或之內(nèi)具有要通過傳遞一處理激光束至一處理激光束點(135)來進行選擇性處理的多個結(jié)構(gòu)(410)。該等各種方法(600、700)以及系統(tǒng)(100)會運用該些結(jié)構(gòu)(410)本身來實施該量測、決定、或是對齊。
文檔編號H01L21/68GK101253615SQ200680031283
公開日2008年8月27日 申請日期2006年8月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月26日
發(fā)明者凱利·J.·布魯蘭 申請人:伊雷克托科學工業(yè)股份有限公司