專利名稱：：金屬氮化物的選擇性濕蝕刻的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種金屬氮化物的濕蝕刻，例如鈦、鎢、鉭、鉿以及鋯的氮化物及其混合物，對由例如玻璃、BPSG、BSG、二氧化硅、氮化硅以及光致抗蝕劑形成的周圍結(jié)構(gòu)有選沖奪性。
背景技術(shù)：
：平版印刷術(shù)通常由下面的步驟組成。首先，光致抗蝕劑(PR)材料通過例如旋涂的適當(dāng)方法涂覆到薄片的表面上。然后，PR層選擇地暴露于輻射例如紫外光、電子、或X射線，其中暴露區(qū)域由暴露工具、掩^^莫或計算機數(shù)據(jù)所限定暴露之后，PR層進(jìn)行顯影，所述顯影破壞PR層的不想要的區(qū)域，從而暴露下面層的相應(yīng)區(qū)域。根據(jù)抗蝕類型，顯影階段可能破壞暴露或未暴露的區(qū)域。然后，區(qū)域上沒有抗蝕物質(zhì)留下的區(qū)域經(jīng)歷添加或減除過程，使得在基底上選擇性沉淀或除去物質(zhì)。例如，可以去除如金屬氮化物的物質(zhì)。蝕刻是一種除去下面材料的區(qū)域的方法，下面材料的區(qū)域在顯影后不再受PR的保護(hù)。蝕刻工藝出現(xiàn)的速率通稱為蝕刻速率。如果在所有方向上以相同的速率進(jìn)行，蝕刻工藝被說成是各向同性的。如果僅在一個方向上進(jìn)行，則是各向異性的。濕蝕刻工藝通常是各向同性的。任何蝕刻工藝主要考慮蝕刻劑的"選擇性"。蝕刻劑不僅可以侵蝕被除去的材料，而且可以侵蝕掩模或PR和/或基底(在被蝕刻的材料下的表面)。蝕刻劑的"選才奪性"是指能夠僅去除試圖蝕刻的材料，同時使掩模和基底保持原樣。選擇性S被測定為不同材料的蝕刻劑的不同蝕刻速率之間的比率。因此，好的蝕刻劑需要具有相對于掩模(Sfm)和基底(Sfs)兩者的高選擇性值，也就是，它對被蝕刻薄膜的蝕刻速率必須高于對掩模和基底的蝕刻速率。蝕刻金屬氮化物，如氮化鈦(TiN)，可以進(jìn)行常規(guī)操作使用或被稱為APM或SC-1的氬氧化銨和過氧化氬的水性混合物、或?qū)Σ煌牧嫌胁煌奈g刻選擇性的被稱為SPM的硫酸和過氧化氫的混合物。通常APM溶液包括例如NH40H:H202:H20=1:1:5的比率。典型的SPM溶液包括例如H2S04:仏02=1:5的比率。這種配方蝕刻TiN和其它金屬氮化物，而且溶脹和/或蝕刻PR還能減少PR對薄膜表面的粘附，并還可以蝕刻其它周圍結(jié)構(gòu)。使用這些標(biāo)準(zhǔn)、常規(guī)的濕蝕刻劑帶來的長期存在的問題是它們?nèi)鄙龠x4奪性。這些濕蝕刻劑經(jīng)常侵蝕周圍結(jié)構(gòu)，導(dǎo)致蝕刻、或者特別在一些光致抗蝕劑的情況下，增加和/或損失光致抗蝕劑涂覆基底的粘附。因為臨界尺寸繼續(xù)被減少，這種選擇性缺乏變得越來越少的被接受。選擇性濕蝕刻溶液對于設(shè)備的設(shè)計和制造最先進(jìn)的半導(dǎo)體技術(shù)是很重要的。這樣的工藝化學(xué)是新設(shè)備建筑和臨界尺寸減小所需要。因此，特別在半導(dǎo)體工業(yè)中，存在一種更具選擇性的濕蝕刻劑和^^用其用于對如光致抗蝕劑材料、硅、玻璃、氧化硅、氮化硅以及其它材料的周圍結(jié)構(gòu)選擇性除去金屬氮化物的方法的需要。
發(fā)明內(nèi)容根據(jù)本發(fā)明的一實施方案，提供一種濕蝕刻組合物，該濕蝕刻組合物包括過氧化氫、有機鎗氫氧化物、以及酸。根據(jù)本發(fā)明的另一實施方案，提供一種對周圍結(jié)構(gòu)選擇性地濕蝕刻金屬氮化物的方法，該周圍結(jié)構(gòu)包含一種或多種硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化硅和碳氧化硅或其組合或混合和/或光致抗蝕劑材料，該方法包括步驟提供一種包含過氧化氬、有機鑰氫氧化物、以及酸濕蝕刻組合物；和暴露金屬氮化物以在一定溫度下用濕蝕刻組合物蝕刻一段時間，所述時間和溫度使得相對周圍結(jié)構(gòu)有效地選^^性蝕刻金屬氮化物。因此，本發(fā)明解決提供選擇性的濕蝕刻劑和使用其用于對如光致抗蝕劑材料、玻璃、多晶和單晶硅、氧化硅、氮化硅以及其它材料的周圍結(jié)構(gòu)選擇性除去金屬氮化物的方法的問題。圖1是根據(jù)本發(fā)明的實施方案說明濕蝕刻組合物的選擇性的示意圖。圖2是根據(jù)本發(fā)明實施方案的說明厚度變化作為濕蝕刻組合物溫度函數(shù)的示意圖。圖3是根據(jù)本發(fā)明的實施方案說明濕蝕刻組合物的壽命負(fù)載的示意圖。應(yīng)當(dāng)理解為在此所描述的方法步驟和結(jié)構(gòu)沒有形成用于進(jìn)行蝕刻方法的完整的體系或工藝流程，例如將用于制造半導(dǎo)體設(shè)備或其它設(shè)備。本發(fā)明可結(jié)合現(xiàn)有技術(shù)當(dāng)前使用的制造技術(shù)和設(shè)備去實踐，并且，只包括對于理解本發(fā)明所必需的那些普通實施材料、設(shè)備以及方法步驟。具體實施例方式如這里使用的"組合物"包括材料的混合物，所述材料包括組合物以及由反應(yīng)之間或包含組合物的材料的分解形成的產(chǎn)物。如本領(lǐng)域已知的，雖然沒有直接關(guān)系，但是通常在濕蝕刻中，隨著蝕刻速率增加，蝕刻選擇性降低。雖然獲得高蝕刻速率以維持生產(chǎn)率是很重要的，但是獲得高選擇性同等重要或更重要。這樣，需要平衡這兩種所需性質(zhì)。因此，本發(fā)明提供一種濕蝕刻組合物，其能在對相對于例如光致抗蝕劑、玻璃、多晶和單晶硅、氧化硅、氮化硅以及其它材料的周圍結(jié)構(gòu)的金屬氮化物的蝕刻速率和蝕刻選擇性之間保持很好的平衡。濕蝕刻組合物根據(jù)本發(fā)明的一實施方案，提供一種包括過氧化氫、有機鐵氫氧化物、以及酸的濕蝕刻組合物。過氧化氫過氧化氫商業(yè)上通常使用的體積濃度范圍為3%到98%,最經(jīng)常使用的體積濃度范圍為30%到50%的過氧化氬。本發(fā)明的組合物中的過氧化氬的濃度可以是在濕蝕刻組合物的0.1體積％到約20體積%的范圍內(nèi)?；谔峁┑臐舛群驮跐裎g刻組合物中使用的所需濃度，適當(dāng)?shù)南♂尶捎杀绢I(lǐng)域的技術(shù)人員來確定。在一實施方案中，過氧化氬的濃度在約3體積％到約15體積％的范圍內(nèi)，在另一實施方案中，過氧化氫的濃度在約5體積％到約12體積％的范圍內(nèi)，在另一實施方案中，過氧化氫的濃度在約7體積％到約10體積％的范圍內(nèi)，在一實施方案中，過氧化氫的濃度在約8體積％，所有濃度都基于濕蝕刻溶液的總體積。有機鎗化合物用于本發(fā)明的有用的有機鑰化合物包括有機鏺鹽和有機鎗氫氧化物，例如氫氧化季銨、氬氧化季鱗、氬氧化叔锍、氫氧化叔氧化锍、氫氧化咪唑鑰。如這里使用的，對任何鏺氬氧化物的公開內(nèi)容或參考文獻(xiàn)應(yīng)當(dāng)理解為包括相應(yīng)的鹽，例如卣化物、碳酸鹽、甲酸鹽、硫酸鹽等。如將被理解的，這些鹽可以是與氫氧化物可互換的，這取決于pH值。在一實施方案中，鐵氫氧化物可通常以式I來表征A(OH)x(I)其中，A是鑰基，x是等于A價的整數(shù)。鑰基的例子包括銨基、鱗基、锍、氧化锍以及咪唑鑰基。在一實施方案中，鐵氫氧化物應(yīng)當(dāng)在溶液如水、醇或其它有機液體、或其混合物中充分溶解以提供有用的濕蝕刻速率。在一實施方案中，氬氧化季銨和氫氧化季鱗可以用式II來表征<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中A是氮或磷原子，R1,R2,W和114各自獨立地為含有1至約20個碳原子或1至約10個碳原子的烷基、含有2至約20個碳原子或2至約10個碳原子的羥烷基或烷氧基烷基、芳基或羥芳基，或者R1和f與A—起可形成雜環(huán)基團(tuán)，如果雜環(huán)基團(tuán)含有C-A基團(tuán)，W是第二鍵。W至R'烷基可以是直鏈或支鏈，含有1至20個碳一原子的烷基的具體例子包括曱基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、庚基、辛基、異辛基、壬基、癸基、異癸基、十二烷基、十三烷基、異十三烷基、十六烷基以及十八烷基。R1,R2，f和R"也可以是含有2至5個碳原子的羥烷基，例如羥乙基以及羥丙基、羥丁基、羥戊基的各種異構(gòu)體、等等。在一實施方案中，R1,R2,W和114獨立地為1至約4或5個碳原子的烷基和/或羥烷基。烷氧基烷基的具體的例子包括乙氧基乙基、丁氧基曱基、丁氧基丁基等。各種芳基或羥芳基包括苯基、千基、以及等同基團(tuán)，其中苯環(huán)已被一個或多個羥基取代。在一實施方案中，根據(jù)本發(fā)明可使用的季鐵鹽以式in為特征<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中，A,R1，R2,W和R4如式II所定義的，X—是酸的陰離子，Y是等于X價的數(shù)。酸的陰離子的例子包括碳酸氫鹽、卣化物、硝酸鹽、曱酸鹽、醋酸鹽、硫酸鹽、碳酸鹽、磷酸鹽等。在一實施方案中，根據(jù)本發(fā)明的方法可使用的季銨化合物(氫氧化物和鹽)以式IV來表征<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage11</formula>其中，R1,R2,R3,R'以及y如式II所定義，X—是氬氧根陰離子或酸的陰離子。在一實施方案中，R^R"為l至約4或5個碳原子的烷基和/或羥烷基。銨氫氧化物的具體例子包括四甲基氬氧化銨(tmah)、四乙基氫氧化銨(teah)、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、四-正辛基氫氧化銨、曱基三乙基氬氧化銨、二乙基二甲基氫氧化銨、曱基三丙基氫氧化銨、甲基三丁基氬氧化銨、十六烷基三曱基氫氧化銨、三甲基羥乙基氫氧化銨、三甲基曱氧基乙基氫氧化銨、二曱基二羥乙基氫氧化銨、曱基三羥乙基氳氧化銨、苯基三曱基氬氧化銨、苯基三乙基氳氧化銨、千基三曱基氫氧化銨、千基三乙基氫氧化銨、二曱基氫氧化吡咯鎿、二曱基氫氧化哌啶鎗、二異丙基氫氧化咪唑鑰、n-烷基氫氧化吡啶鐵，等等。在一實施方案中，根據(jù)本發(fā)明所用的季銨堿為tmah和teah。如式iv所示季銨堿可以與上述季銨堿相似，除了氫氧化物陰離子可以被，例如硫酸鹽陰離子、氯化物陰離子、碳酸鹽陰離子、甲酸鹽陰離子、磷酸鹽陰離子等所取代。例如，鹽可以是氯化四甲基銨、硫酸四曱基銨(y-2)、四甲銨化溴、1-甲基_2丁基咪唑、六氟磷酸鹽、正丁基吡啶六氟磷酸鹽等。根據(jù)本發(fā)明所使用的a=p的式ni所表示的季鱗鹽的例子包含四曱基氫氧化轔、四乙基氫氧化鱗、四丙基氫氧化轔、四丁基氫氧化鱗、三曱基羥乙基氫氧化鱗、二甲基二羥乙基氫氧化鱗、四癸基三丁基氫氧化鱗、曱基三羥乙基氫氧化鱗、苯基三甲基氫氧化鱗、苯基三乙基氫氧化鱗、千基三甲基氫氧化轔、等等，和相應(yīng)的陰離子，包括，如，囟化物、硫酸鹽、碳酸鹽、磷酸鹽(包括如上所述的卣代磷酸鹽，和如這里所披露的其它陰離子)。在一實施方案中，較大的鑰陽離子，包括那些帶有較大量有機基團(tuán)的，提供與光致抗蝕劑材料更好的兼容性。在一實施方案中，較小的鎗陽離子提供更高的金屬氮化物蝕刻率。在一實施方案中，不對稱的鎗陽離子，如節(jié)基三曱基銨，在光致抗蝕劑兼容性與可接受的金屬氮化物蝕刻率之間提供很好的平衡。這樣，在一實施方案中，有機鑰氫氧化物包含不對稱鑰陽離子、其里面的一種或多種有機基團(tuán)包含平均至少約四個碳原子，在一實施方案中，至少約六個碳原子，在另一實施方案中，至少約8個碳原子。在另一實施方案中，根據(jù)本發(fā)明所用的氫氧化三烴基4i如式V所表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中R1,R2和R3，X—和y如式III所定義。如式V所表述的三烴基锍化合物的例子包含氫氧化三甲基锍、氫氧化三乙基锍、氫氧化三丙基锍等等，和其相應(yīng)的鹽，如卣化物、硫酸鹽、硝酸鹽、碳酸鹽等。在另一實施方案中，根據(jù)本發(fā)明所使用的氫氧化三烴基氧化锍及其鹽可以如式VI所表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>其中，R1、R2和R3,X—和y如式EI所定義。如式V所表示的三烴基氧化锍化合物的例子包含氫氧化三甲基氧化锍、氫氧化三乙基氧化锍、氫氧化三丙基氧化锍等和相應(yīng)的鹽如卣化物、硫酸鹽、硝酸鹽、碳酸鹽等。在另一實施方案中，根據(jù)本發(fā)明所使用的氬氧化咪唑鑰和鹽可以如式vn表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>(VH)其中W和R4口式II所定義，并X—為酸陰離子，可以這樣理解，在式(vn)和前述的式(i)-(vi)中，如果x—為二元酸離子，如so「2,化學(xué)劑量也將因此而進(jìn)行調(diào)整，例如對于二元酸陰離子，用2X—代替，這樣僅有一個X—,如果X—為三元酸陰離子，如P(V3,也將進(jìn)行相應(yīng)化學(xué)劑量的調(diào)整。鎿氫氧化物為商業(yè)上使用。另外，鑰氫氧化物也能用相應(yīng)的鐵鹽制備如相應(yīng)的鑰鹽酸鹽，碳酸鹽、甲酸鹽、硫酸鹽等等。不同的制備方法如美國專利US4,917，781(Sharifianetal)和US5,286,354(Bardetat),其作為參考文獻(xiàn)被引進(jìn)來。關(guān)于如何獲得或制備鎗氫氧化物并沒有特別的限制。在一實施方案中，有機鐵氬氧化物包含一種或多種的四甲基氫氧化銨、四乙基氬氧化銨、四丙基氬氧化銨、四丁基氫氧化銨、甲基三苯基氬氧化銨、苯基三甲基氬氧化銨、千基三曱基氫氧化銨、曱基三乙醇基氫氧化銨、四丁基氫氧化鱗、曱基三苯基氳氧化鱗、三己基四癸基氬氧化鱗、三丁基四癸基氫氧化鱗、[(CH3)3NCH2CH(OH)CH2N(CH3)3]2+2,1-丁基-3-曱基氫氧化咪唑鑰、三曱基氬氧化锍、三曱基氧化锍氫氧化物、氫氧化三曱基氧化锍、三曱基(2,3-二羥丙基)氫氧化銨、[(C6H5)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2(C6H5)]4+[OH—]4和[(CH3)3NCH2CH(OH)CH20H]+和二氫氧化六曱銨。在一實施方案中，鎿氬氧化物為千基三曱基氫氧化銨。本發(fā)明組合物中鑰氫氧化物的濃度可以在占濕蝕刻組合物0.1wty。到約20wt"/。的范圍內(nèi)變化?；诠?yīng)濃度和濕蝕刻組合物所使用的理想濃度，可以根據(jù)本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)決定進(jìn)行適當(dāng)?shù)南♂?。在一實施方案中，有機鎗氫氧化物的濃度在約o.5wty。到約15wty。的范圍內(nèi)，在另一實施方案中，有機鐵氬氧化物的濃度在約2w"/。到約10w"/。的范圍內(nèi)；在另一實施方案中，有機鐵氫化合物的濃度在約3wt。/。到約8wt%的范圍內(nèi)；在一實施方案中，有機鎿氫氧化物的濃度為約4wt°/。；所有的濃度都基于濕蝕刻溶液的總重。酸任何適宜的酸都可以使用。在一實施方案中，酸是有機酸。在另一實施方案中，酸是無才幾酸。酸可以包括這些酸中的兩種或更多種的混合或組合。在一實施方案中，酸不同于二齒或更高齒配位基的螯合劑。在一實施方案中，酸不同于乙烯二胺四乙酸(EDTA)或基于乙烯二胺、二乙烯三胺和更高多胺多乙酸化合物的相似螯合劑。有機酸酸的典型例子可以包括曱酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、戊酸、乙基甲基乙酸、三甲基乙酸、羥基乙酸、丁烷四羧酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、五倍子酸、二十二烷酸、二十烷酸、十八烷酸、十六烷酸、十二烷酸、水楊酸、苯曱酸和3，5二羥基苯甲酸或其類似物，也可以使用這些酸中的兩種或更多種的混合。在一實施方案中，有機酸包含檸檬酸。在一實施方案中，羥基羧酸，如檸檬酸，顯示能穩(wěn)定堿性過氧化氫組合物，延長浴壽命。無^L酸可以包括膦酸、次膦酸、^粦酸或亞^粦酸。酸可以包括如，次氮基三亞甲基膦酸、羥基亞乙基二膦酸、苯基膦酸、曱基膦酸、苯次膦酸和基于膦酸、次膦酸、磷酸或亞磷酸相似的酸。有機磺酸，包括烷基、芳基、芳烷基和烷芳基磺酸，其中烷基取代的范圍從d到約C2。，芳基取代(前取代)可以是苯基或萘基或更高，或它們兩種或更多種的混合可以適宜地用作酸成分。烷基磺酸包括，如曱基磺酸。芳香基磺酸包括，如苯磺酸。芳香烷基磺酸包括，如節(jié)基磺酸。烷芳基磺酸包括，如甲苯磺酸?？梢员话ㄔ诮M合物中的可效仿的無機和有才幾酸包括鹽酸、硝酸、石危酸、亞碌L酸、氬溴酸、高氯酸、氟硼酸、才直酸、亞石粦酸、羥基亞乙基二膦酸、次氮基三亞曱基膦酸、甲基膦酸、苯基膦酸、苯次膦酸、N-(2-羥乙基)-N'-(2-乙石黃酸)(HEPES),3-(N-嗎啉)丙烷磺酸(MOPS)、哌，秦-N,N'二(2-乙石黃酸)(PIPES)、甲石黃酸、乙二磺酸、曱基苯磺酸、次氮基三乙酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、乳酸、抗壞血酸、五倍子酸、磺基乙酸、2-磺基苯曱酸、對氨基苯石黃酸、苯乙酸、三曱銨乙內(nèi)酯、巴豆酸、乙酰丙酸、丙酮酸、三氟乙酸、氨基乙酸、環(huán)己烷羧酸、環(huán)己烷二羧酸、環(huán)戊烷二羧酸、己二酸和它們中的兩種或更多種混合。本發(fā)明組合物中酸的濃度范圍為濕蝕刻組合物重量的0.lwt。/。到約10wt%?；诠?yīng)濃度和濕蝕刻組合物所使用的理想濃度，可以通過本領(lǐng)域常規(guī)技術(shù)決定進(jìn)行適當(dāng)?shù)南♂?，在一實施方案中，酸濃度在從約0.2wt。/。到約5wt。/。的范圍內(nèi)，在另一實施方案中，酸濃度在在從約0.5wt。/。到約4wt。/。的范圍內(nèi)，在另一實施方案中，酸濃度在在從約lwty。到約3wt。/。的范圍內(nèi)，在一實施方案中，酸的濃度為約2wt°/。，所有濃度均基于濕蝕刻溶液的總重。酸的濃度可以基于如，酸的強度(或pKa)、溶解性、洛合力的因素進(jìn)行調(diào)整。濕蝕刻組合物pH根據(jù)本發(fā)明濕蝕刻組合物的pH值可以為約5到約10的范圍內(nèi)，而在一實施方案中，pH值的范圍乂人約6到約9.5,而在另一實施方案中，pH值的范圍為從約7到約9,在一實施方案中，pH值為約9。通過酸的選擇、酸的濃度、鎿氫氧化物濃度和加入適當(dāng)?shù)木彌_劑，pH值可以根據(jù)需要進(jìn)行調(diào)整，如果必需，其將被本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解。光致抗蝕劑本發(fā)明可以被用于多種不同的光致抗蝕劑材料，包括但不限于線型酚醛清漆(Novolacs)、甲基丙烯酸樹脂、丙烯酸樹脂、苯乙烯、砜、異戊二烯。可效仿的光致抗蝕劑材料包括陽性光致抗蝕劑、如那些包括酚醛清漆樹脂，偶氮萘醌和溶劑(如，正丁基醇或二曱苯)，陰性光致抗蝕劑材料，如那些包括環(huán)化合成橡膠樹脂、二芳基疊氮化合物和芳香族的溶劑。在一實施方案中，適合的光致蝕劑包括陰性光致^元々蟲劑，i口舉例，MacDermidAquamerCFI或MI、duPontRiston9000或duPontRiston4700或ShipleyUV5和TOKDP019。陽'性光至丈抗蝕劑包括AZ3312,AZ3330,Shipley1.2L和Shipley1.8M。陰性光致抗蝕劑包括nL0F2020和SU8。其它適宜的抗蝕劑的例子包括來自HoechstCelanese的AZ5218，AZ1370，AZ1375或AZP4400;來自O(shè)CG的CAMP6;來自HoechstCelanese的DX46;來自Shipley的XP8843;和來自日本JSR的JSR/NFR-016-D2。適宜的光致抗蝕劑也被美國專利US4，692，398、US4,835,086、US4,863，827和US4,892，081所描述。適宜的光致抗蝕劑也可以商業(yè)購買，如來自N.J.薩默維爾的Clariant公司的AZ-4620。其它適宜的光致抗蝕劑包括聚曱基丙烯酸甲酯(P畫A)的溶液，如作為496kP畫A來自O(shè)LINHUNT/0CG,WestPaterson,N.J.07424的液態(tài)光致抗蝕劑，包括溶于氯苯中(9wt%)的分子量為496,000的聚曱基丙烯酸曱酉旨；(曱基)丙烯酸共聚物如P(醒A-MAA)(聚甲基甲基丙烯酸鹽-甲基丙烯酸)；P畫A/P(薩A-MAA)聚甲基曱基丙烯酸鹽/(聚曱基曱基丙烯酸鹽-甲基丙烯酸)。任何適宜的光致抗蝕劑，或已經(jīng)存在或有待開發(fā)均為可預(yù)期的，不管其或含有陰性或陽性的光致抗蝕劑。濕蝕刻金屬氮化物的方法根據(jù)本發(fā)明另一實施方案，提供一種對周圍結(jié)構(gòu)選擇性地濕蝕刻金屬氮化物的方法，該周圍結(jié)構(gòu)包含一種或多種硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化硅和碳氧化硅或其組合或混合和/或光致抗蝕劑材料，包括步驟提供一種含有過氧化氫、有機鎗氫氧化物和有機酸的濕蝕刻組合物；和暴露金屬氮化物以在一定溫度下用濕蝕刻組合物蝕刻一段時間，所述時間和溫度使得相對周圍結(jié)構(gòu)有效地選擇性蝕刻金屬氮化物。以下描述實施該方法的實施方案的示例性條件。本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠確定其他細(xì)節(jié)及變化。工藝時間根據(jù)本發(fā)明具體實施方案，實施濕蝕刻金屬氮化物的方法所需要的時間可以基于本領(lǐng)域技術(shù)人員所知道的因素進(jìn)行適宜選擇，該因素包括被蝕刻金屬氮化物的一致性，被蝕刻金屬氮化物的厚度、金屬氮化物被沉淀的方法(其可能影響到屬性，如金屬氮化物的硬度、多孔性和構(gòu)造)，過氧化物、鑰氫氧化物和有機酸的濃度、溫度和濕蝕刻組合物攪拌或混合的速率，根據(jù)處理晶片或部件的數(shù)量和/或尺寸所用的濕蝕刻組合物的量，和在常規(guī)金屬氮化物蝕刻方法中影響蝕刻率的已知的相似因素。在一實施方案中，濕蝕刻組合物對金屬氮化物暴露的時間范圍從約1分鐘到約60分鐘，并在另一實施方案中，時間范圍從約2分鐘到約40分鐘，在另一實施方案中，時間范圍從約5分鐘到約20分鐘，然而在另一實施方案中，時間范圍為約7分鐘到約15分鐘。在一實施方案中，時間范圍從約30秒到約4分鐘。工藝溫度根據(jù)本發(fā)明實施方案中實施濕蝕刻金屬氮化物的方法所需的溶液或浴液的溫度可以在本領(lǐng)域#支術(shù)人員已知的因素的基礎(chǔ)上進(jìn)行適當(dāng)?shù)倪x擇，該因素包括被蝕劑金屬氮化物的一致性，被蝕刻金屬氮化物的厚度、金屬氮化物被沉淀的方法(其可能影響到性質(zhì)如金屬氮化物的硬度、多孔性和構(gòu)造)，過氧化物、鑰氫氧化物和有機酸的濃度、溫度和濕蝕刻組合物攪拌或混合的速率，根據(jù)處理晶片或部件的數(shù)量和/或尺寸所用的濕蝕刻組合物的用量，蝕刻所需的時間和在常規(guī)金屬氮化物蝕刻方法中影響蝕刻率的已知的相似因素。在一實施方案中，用于濕蝕刻金屬氮化物的濕蝕刻組合物的浴液或溶液的溫度范圍為從約20。C到約60°C,在另一實施方案中，浴液或溶液的溫度范圍從約30。C到約60°C,在另一實施方案中，浴液或溶液的溫度范圍從約35T到約50°C,然而在另一實施例中，浴液或溶液的溫度范圍從約4Q。C到約45°C。蝕刻率蝕刻率可以由本領(lǐng)域技術(shù)人員基于已知因素如有機酸、有機鎗氫氧化物和待蝕刻金屬氮化物的時間、溫度、一致性，和基于待蝕刻金屬氮化物周圍的具體材料所達(dá)到的選擇性，以及基于本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的或容易確定的其它因素而進(jìn)行適當(dāng)選擇。在一實施方案中，金屬氮化物的蝕刻率范圍從約5到約200埃(A)每分鐘(A/min)，并在另一實施方案中，金屬氮化物的蝕刻率范圍從約10到約100(A/min),在另一實施方案中，金屬氮化物的蝕刻率范圍從約20到約70(A/min),在另一實施方案中，金屬氮化物的蝕刻率范圍從約30到約50(A/min)。在一實施方案中，鈦氮化物(TiN)的蝕刻率范圍從約20到約70埃(A)每分鐘(A/min),并且在另一實施方案中，金屬氮化物的蝕刻率范圍從約30到約50(A/min)。在一實施方案中，鵠氮化物的蝕刻率范圍從約5到約50埃(A)每分鐘(A/min)，并且在另一實施方案中，從約10到約40(A/min)。在一實施方案中，鉭氮化物的蝕刻率范圍從約2到約30(A/min)，并且在另一實施方案中，從約5到約25A/min。在一實施方案中，鉿氮化物的蝕刻率范圍從約2到約30(A/min),并且在另一實施方案中，從約5到約25A/min。在一實施方案中，鋯氮化物的蝕刻率范圍從約2到30(A/min)，并且在另一實施方案中，從約5到約25(A/min)。選擇性在一實施方案中，根據(jù)本發(fā)明使用濕蝕刻組合物獲得的選擇性如此工藝中所描述，范圍從約2:l到約200:1。正如本領(lǐng)域所知，選擇性越高就越好。在一實施方案中，選擇性范圍從約10:1到約180:1，并在另一實施方案中，從約20:l到約65:1。正如所知，選擇性隨材料而發(fā)生變化，所以選擇性經(jīng)常關(guān)于被對比的兩種或更多種材料進(jìn)行表示。換句話說，金屬氮化物蝕刻劑的選擇性，如TiN相對于周圍材料，如光致抗蝕劑或其它材料，如二氧化硅，具有重要的選擇性標(biāo)準(zhǔn)。這樣，相對于一種或多種的光致抗蝕劑、玻璃、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅，或其它周圍材料，每一種上述選#^生都可以用于金屬氮化物。選擇性可以通過比較每種材料的相對蝕刻率，或通過將目標(biāo)材料的蝕刻率與其它量度如光致抗蝕劑的溶脹相比較而進(jìn)行測量。在一實施方案中，本發(fā)明提供一種相對于光致抗蝕劑溶脹去除鈦氮化物的選擇性，其中蝕刻率和溶脹率是通過如厚度(A/min)的變化來測量的，且可以變化的范圍從2:l到約200:1。在一實施方案中，相對于光致抗蝕劑溶脹去除鈦氮化物的選擇性范圍為從約10:1到約180:1,并且在另一實施方案中，相對于光致抗蝕劑溶脹去除鈦氮化物的選沖奪性范圍從約20:l到約65:1。在一實施方案中，在以約30-50A/min的蝕刻率蝕刻的金屬氮化物的厚度范圍達(dá)到約200-300A之后，光致抗蝕劑溶脹小于原始厚度約5%,在另一實施方案中，并在這些情況下，光致抗蝕劑溶脹小于原始厚度約4%，在另一實施方案中，在這些情況下，光致抗蝕劑溶脹小于原始厚度約3%，在另一實施方案中，在這些情況下，光致抗蝕劑溶脹度小于原始厚度約2%,在另一實施方案中，在這些情況下，光致抗蝕劑溶脹小于原始厚度約1%。示例性的試驗程序種示范，沒有限制的目的。膜的類型10000-15000ABPSG于石圭上；200-300ATiN于1000A的二氧化石圭上；10000-15000A軟烘烤的Novolac的光致抗蝕劑于硅上。TiN，BPSG和光致抗蝕劑晶片被切割成l"xl"方形小塊，將這些小塊于25-5(TC下浸泡在塑料大口杯中的蝕刻溶液中。晶片小塊處理1-4分鐘，然后用DI水清洗并用氮氣吹干。測定處理前后膜的厚度，采用反射法用NANOSPEC210測定光致抗蝕劑和BPSG晶片小塊，采用電阻法用TencorRS35c測定TiN。這些膜也可以通過光學(xué)顯樣吏4竟評價TiN蝕刻的均一性和抗蝕劑晶片小塊的附著力進(jìn)行檢測。浴壽命測試的情況如下45。C浴溫度，408g的樣品，敞口杯(容器的縱橫比例約9:7),緩慢攪拌并通風(fēng)。浴壽命樣品的TiN負(fù)載祐:完成是通過于408g的蝕刻劑中處理帶有已知表面區(qū)域的晶片小塊，并每兩個小時去除80ATiN(ca.3-4分鐘處理)共8個小時。關(guān)于TiN、BPSG和抗蝕劑的蝕刻測試可以在試驗過程定期的進(jìn)行。TiN負(fù)載因素如圖1,其中以ppm表示用于一種配方的TiN負(fù)載(溶解)的量，SFE-1022,假定TiN膜層的密度為5.2g/cm3。假定去除80ATiN,其中TiN覆蓋200mm晶片表面的25°/。，浴負(fù)載測試中(TiN被去除，卯m)的每一個負(fù)載循環(huán)相當(dāng)于25(200mm)晶片浸在8加侖的浸沉桶中被處理。結(jié)果TiN、BPSG和光致抗蝕劑對于各種配方的蝕刻率和選擇性的結(jié)果如表la及l(fā)b,表la:于50。C處理2-36分鐘<table>tableseeoriginaldocumentpage20</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage21</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table>*加號表明膜溶脹，負(fù)號表明膜蝕刻表2SFE-1022于45。C處理1-4分鐘<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>*加號表明膜溶脹，負(fù)號表明膜蝕刻討論如前述實施例所顯示，配方顯示了TiN蝕刻劑令人滿意的執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)，即TiN蝕刻率30-50A/min和高TiN:抗蝕劑選4奪性(通過TiN蝕刻抗蝕劑厚度的變化進(jìn)行測量)。對BPSG氧化物的高選擇性也是令人滿意的。SFE-1022是一種起化學(xué)作用的水性過氧化物，在一實施方案中，溫度在40-50°C圖l是包括TiN、BPSG和光致抗蝕劑的樣品的SFE-1022試馬全例在濕蝕刻組合物中的濕蝕曲線，顯示為抗蝕劑厚度變化與45。C下時間(min)的對比(負(fù)號表示蝕刻，正號表示溶脹)。SFE-1022如圖1所示，TiN厚度的變化隨浸泡的時間而增加。如果TiN的目標(biāo)去除量是80A,45'C下用SFE-1022浸泡的時間約為3-4分鐘。如圖1所示，光致抗蝕劑暴露于SFE-1022中開始的3分鐘內(nèi)，其溶脹不到開始厚度的約1%。作為對比，抗蝕劑當(dāng)浸泡在去離子水中時顯示與在SFE-1022的浸泡試驗中觀察到的相似的溶脹行為。暴露在SFE-1022溶液中之后，沒有例子顯示抗蝕劑外觀發(fā)生變化或分層(通過光學(xué)顯微鏡鏡觀察)。雖然沒有理論約束，但可以這樣認(rèn)為，在SFE-1022和水中浸泡1-10分鐘的短時間內(nèi)觀察到的輕微溶脹沒有顯示抗蝕劑中有主要化學(xué)變化，但通過和溶液接觸會有小的相互作用和表面溶解。這是和常規(guī)的銨氫氧化/過氧化(如，APM或SC-1)TiN蝕刻劑的比較，其顯示對抗蝕劑有更廣泛的化學(xué)侵蝕?？刮g劑和TiN的厚度變化作為SFE-1022例子中的組合物溫度的一個函數(shù)在圖2中予以說明。如圖2所示，隨著溫度的升高，TiN的去除量增加且抗蝕劑的溶脹也輕微增加。在40-5(TC反應(yīng)溫度范圍內(nèi)，抗蝕劑溶脹依然小于抗蝕劑厚度的1%。圖3說明的是樣品SFE-1022的TiN負(fù)載測試，顯示為厚度變化與時間(min)和TiN負(fù)載(ppm)的對比。圖3是在SFE-1022浴壽命測試基礎(chǔ)上評價浴穩(wěn)定性。條件是浴溫度45°C,樣品4G8g，敞口杯(容器縱橫比率大約9:7)帶緩慢攪拌并通風(fēng)。樣品浴壽命的TiN負(fù)載是通過于408g刻蝕劑中處理表面積為9.5el6f的晶片小塊以除去220ATiN的厚度而完成的(每循環(huán)負(fù)載0.27卯mTiN,假設(shè)TiN密度5.22g/cm3)。關(guān)于TiN、BPSG和抗蝕劑的蝕刻測試可以在試驗的過程中于45。C在3分鐘的條件下周期性的進(jìn)行。負(fù)載測試假設(shè)80ATiN被去除超過一個200腿晶片表面積的25%。結(jié)果，浴負(fù)載測試(去除TiN，ppm)中的每個負(fù)載循環(huán)粗略的相當(dāng)于25(200mm)晶片在8加侖的浸液槽中進(jìn)行處理。圖3的數(shù)據(jù)表明，依據(jù)TiN,BPSG和抗蝕劑厚度隨時間的變化，SFE-1022性能不受TiN負(fù)載或浴壽命的實質(zhì)影響。此處引用的任何數(shù)值包括以一個單位增加的從低值到高值的所有數(shù)值，條件是在任何低值和任何高值之間間隔有至少兩個單位。作為一個例子，如果它表明組分?jǐn)?shù)量或工藝參數(shù)數(shù)值，如舉例，溫度、壓力、時間等等，例如從1到90,在一個實施方案中從20到80、在另一個實施方案中從30到70,其意圖為如15到85,22到68,43到51，30到32等，可在說明書中清楚的列舉。對于小于l的凝:值，一個單元被認(rèn)為是0.0001，0.001,0.01,0.1為合適。這些是能詳細(xì)說明意圖的唯一例子，在列舉的最低值和最高值之間的數(shù)值的所有可能組合都被認(rèn)為是本申請中相似方式的表述。雖然通過某些示例性實施方案對本發(fā)明進(jìn)行了說明，但是應(yīng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員一經(jīng)閱讀說明書即明了其各種變化。因此，應(yīng)理解本發(fā)明的公開意欲覆蓋落入所附權(quán)利要求范圍內(nèi)的這些變化。權(quán)利要求1、一種濕蝕刻組合物包含過氧化氫、有機鎓氫氧化物和酸。2、根據(jù)權(quán)利要求1所述的組合物，其特征在于，酸為有機酸或無機酸，或其兩種或更多種的混合。3、根據(jù)權(quán)利要求l所述的組合物，其特征在于，有機鐵氫氧化物不同于TMAH。4、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，有機鎗氫氧化物包含一種或多種的銨、鱗、銃、氧化毓、氫氧化咪唑鐵。5、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，酸包含甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、戊酸、乙基曱基乙酸、三甲基乙酸、檸檬酸、羥基乙酸、丁烷四羧酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、五倍子酸、二十二烷酸、二十烷酸、十八烷酸、十六烷酸、十二烷酸、水楊酸、苯曱酸和3，5-二羥基苯甲酸，或其任意兩種或更多種組合。6、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，酸包含膦酸、次膦酸、磷酸或亞磷酸或其任意兩種或多種的混合。7、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，酸包含次氮基三亞曱基膦酸、羥基亞乙基二膦酸、苯基膦酸、曱基膦酸、苯基次膦酸，或其任意兩種或多種的混合。8、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，酸包含有機磺酸。9、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，酸包含鹽酸、硝酸、硫酸、亞硫酸、氬溴酸、高氯酸、氟硼酸、植酸、亞磷酸、羥基亞乙基二膦酸、次氮基三亞甲基膦酸、曱基膦酸、苯基膦酸、苯次膦酸、N-(2-羥乙基)-W-(2-乙磺酸)(HEPES)、3-(N-嗎啉)丙烷磺酸(MOPS)、哌嗪-N，If-二(2-乙磺酸)(PIPES)、曱磺酸、乙二磺酸、甲基苯磺酸、次氮基三乙酸、馬來酸、鄰苯二甲酸、乳酸、抗壞血酸、五倍子酸、磺基乙酸、2-磺基苯甲酸、對氨基苯磺酸、苯乙酸、三甲胺乙內(nèi)酯、巴豆酸、乙酰丙酸、丙酮酸、三氟乙酸、氨基乙酸、環(huán)己烷羧酸、環(huán)己烷二羧酸、環(huán)戊烷二羧酸、己二酸和其兩種或更多種的混合或組合。10、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，相對于一種或多種硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化石圭和碳氧化硅，該組合物選擇性蝕刻金屬氮化物。11、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，該組合物是選擇性蝕刻關(guān)于光致抗蝕劑材料溶脹的金屬氮化物。12、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，有機鎗氫氧化物包含一種或多種的四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、甲基三苯基氫氧化銨、苯基三曱基氫氧化銨、節(jié)基三甲基氫氧化銨、曱基三乙醇基氫氧化銨、四丁基氫氧化轔、甲基三苯基氫氧化轔、三己基四癸基氫氧化鱗、三丁基四癸基氫氧化鱗、[(CH3)3NCH2CH(OH)CH2N(CH3)3]2+[OH—]2，1-丁基-3曱基氫氧化咪唑鑰、三曱基氫氧化銃、氫氧化三曱基氧化銃、三甲基(2,3-二羥基丙基)氬氧化銨、[(C6H5)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2(C6H5)]4+4、和[(CH3)3NCH2CH(OH)CH20H]+[OH—]、二氫氧化六甲銨。13、根據(jù)任一上述權(quán)利要求所述的組合物，其特征在于，金屬氮化物包含鈦、鴒、鉭、鉿、鋯的氮化物或其混合物或其合金氮化物。14、一種相對周圍結(jié)構(gòu)選"^性地濕蝕刻金屬氮化物的方法，該周圍結(jié)構(gòu)包含一種或多種硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化^^、氮化硅和碳氧化硅或其組合或混合和/或光致抗蝕劑材料，包含提供一種含有過氧化氫、有機鑰氫氧化物和酸的濕蝕刻組合物；暴露金屬氮化物以在一定溫度下用濕蝕刻組合物蝕刻一段時間，所述時間和溫度4吏得相對周圍結(jié)構(gòu)有效地選擇性蝕刻金屬氮化物。15、根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，酸為有機酸或無機酸酸，或其兩種或更多種的混合。16、根據(jù)權(quán)利要求14的方法，其特征在于，有機鎗氫氧化物不同于TMAH。17、根據(jù)14-16任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，有機鐘氫氧化物包含一種或多種的銨、鱗、銃、氧化銃或氫氧化咪唑鎗。18、根據(jù)14-17任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，酸包含一種或多種的甲酸、乙酸、丙酸、丁酸、異丁酸、戊酸、乙基曱基乙酸、三曱基乙酸、檸檬酸、羥基乙酸、丁烷四羧酸、草酸、琥珀酸、丙二酸、檸檬酸、酒石酸、蘋果酸、五倍子酸、二十二烷酸、二十烷酸、十八烷酸、十六烷酸、十二烷酸、水楊酸、苯曱酸和3，5二羥基苯甲酸。19、根據(jù)14-18任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，酸包含膦酸、次膦酸、磷酸或亞磷酸或其任意兩種或多種的混合。20、根據(jù)14-19任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于酸包含次氮基三亞曱基膦酸、羥基亞曱基二膦酸、苯基膦酸、曱基膦酸、苯次膦酸或其任意兩種或更多種的混合。21、根據(jù)14-20任一所述的方法，其特征在于，酸包含有機曱磺酸。22、根據(jù)14-21任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于酸包含鹽酸、硝酸、硫酸、亞硫酸、氫溴酸、高氯酸、氟硼酸、植酸、亞磷酸、羥基亞曱基二膦酸、次氮基三亞甲基膦酸、曱基膦酸、苯基膦酸、苯次膦酸、N-(2-羥乙基)-『-(2-乙石黃酸)(HEPES)、3-(N-嗎啉)丙烷磺酸(MOPS)、哌嗪-N，N'-二(2_乙磺酸)(PIPES)、甲磺酸、乙二磺酸、甲基笨磺酸、次氮基三乙酸、馬來酸、鄰苯二曱酸、乳酸、抗壞血酸、沒食子酸、磺基乙酸、2-磺基苯甲酸、對氨基苯磺酸、苯乙酸、三曱胺乙內(nèi)酯、巴豆酸、乙酰丙酸、丙酮酸、三氟乙酸、氨基乙酸、環(huán)己烷羧酸、環(huán)己烷二羧酸、環(huán)戊烷二羧酸、己二酸和其兩種或多種混合或組合。23、根據(jù)14-22任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，該組合物是選擇性的蝕刻關(guān)于光致抗蝕劑材料溶脹的金屬氮化物。24、根據(jù)14-23任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，有機鑰氫氧化物包含一種或多種的四甲基氫氧化銨、四乙基氫氧化銨、四丙基氫氧化銨、四丁基氫氧化銨、甲基三苯基氫氧化銨、苯基三曱基氫氧化銨；芐基三甲基氫氧化銨、甲基三乙醇基氫氧化銨、四丁基氫氧化鱗、曱基三苯基氫氧化鱗、三己基四癸基氫氧化鱗、三丁基四癸基氫氧化鱗、[(CH3)風(fēng)CH(OH)CH2N(CH3)3廣2,1-丁基-3-曱基氫氧化咪唑鑰、三曱基氫氧化锍、氫氧化三甲基氧化锍、三甲基(2,3-二羥基丙基)氫氧化銨、[(C6H5)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2CH(OH)CH2N(CH3)2CH2(C6H5)]4+[OH—]4和[咖3NCH2CH(OH)CH20H]+[OH—]、二氬氧化六曱銨。25、根據(jù)14-24任一權(quán)利要求所述的方法，其特征在于，金屬氮化物包含鈦、鴒、鉭、鉿、鋯的氮化物或其混合物或其合金的氮化物。全文摘要在一實施方案中，本發(fā)明涉及一種濕蝕刻組合物，其包括過氧化氫、有機鎓氫氧化物和酸。在另一實施方案中，本發(fā)明涉及一種相對周圍結(jié)構(gòu)選擇性地濕蝕刻金屬氮化物的方法，該周圍結(jié)構(gòu)包含一種或多種硅、氧化硅、玻璃、PSG、BPSG、BSG、氮氧化硅、氮化硅和碳氧化硅或其組合或混合和/或光致抗蝕劑材料，該方法包括步驟提供一種含有過氧化氫、有機鎓氫氧化物和酸的濕蝕刻組合物；暴露金屬氮化物以在一定溫度下用濕蝕刻組合物蝕刻一段時間，所述時間和溫度使得相對周圍結(jié)構(gòu)有效地選擇性蝕刻金屬氮化物。文檔編號H01L21/3213GK101248516SQ200680019359公開日2008年8月20日申請日期2006年3月23日優(yōu)先權(quán)日2005年4月8日發(fā)明者威廉·A·沃伊特恰克,迪安·德維爾夫申請人:塞克姆公司