專利名稱：半導(dǎo)體集成電路設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及對(duì)于半導(dǎo)體集成電路設(shè)備的過(guò)熱保護(hù)能力的精確性的改 進(jìn)。
背景技術(shù)：
常規(guī)上，諸如電源設(shè)備和電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備等很多對(duì)功率晶體管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備(以下"IC (集成電路)")結(jié)合有過(guò)熱保 護(hù)電路(所謂的熱關(guān)閉電路)，用于防止由于IC溫度的異常上升而導(dǎo) 致的IC (具體的是其功率晶體管)損壞(見(jiàn)本發(fā)明的申請(qǐng)人曾經(jīng)提交 的專利文獻(xiàn)1和2)。前述過(guò)熱保護(hù)電路配置為通過(guò)利用雙極性晶體管 的Vf (基極-發(fā)射極正向電壓降) 一般根據(jù)周圍溫度而變化的特性， 產(chǎn)生過(guò)熱保護(hù)信號(hào)。專利文獻(xiàn)l: JP-A-2004-253936專利文獻(xiàn)2: JP-B-H06-16540發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明要解決的問(wèn)題的確，專利文獻(xiàn)1和2中公開(kāi)的IC可以通過(guò)檢測(cè)由于故障或過(guò)載 而導(dǎo)致的IC溫度異常上升并斷開(kāi)對(duì)負(fù)載的供能，來(lái)防止IC的損壞。但是，因?yàn)樯鲜龀Ｒ?guī)IC不需要執(zhí)行非?？焖俚倪^(guò)熱保護(hù)操作，所 以沒(méi)有采取任何特別措施來(lái)防止由于電源電壓變化(噪聲疊加)而引 起的過(guò)熱保護(hù)電路的故障。 因此，出現(xiàn)如下問(wèn)題。當(dāng)受到過(guò)熱監(jiān)視的對(duì)象也是噪聲源時(shí)，不 利地將噪聲疊加到設(shè)置在受到過(guò)熱監(jiān)視的對(duì)象近旁的過(guò)熱保護(hù)電路的 電源電壓上，從而導(dǎo)致錯(cuò)誤地產(chǎn)生過(guò)熱保護(hù)信號(hào)。特別地，近年來(lái)，越來(lái)越多的開(kāi)關(guān)電源設(shè)備和電極驅(qū)動(dòng)設(shè)備將作 為噪聲源的功率晶體管結(jié)合到IC中。因?yàn)橛晒β示w管的導(dǎo)通/截止 引起的脈沖噪聲容易疊加在過(guò)熱保護(hù)電路的電源電壓上，所以這種IC 易于受到上述問(wèn)題的影響。這樣難以將過(guò)熱保護(hù)電路放置在也作為過(guò) 熱監(jiān)視對(duì)象的功率晶體管近旁?？紤]到上述常規(guī)技術(shù)中遇到的問(wèn)題，本發(fā)明的目的是提供一種半 導(dǎo)體集成電路設(shè)備，無(wú)論電源電壓(脈沖疊加)變化如何，該半導(dǎo)體 集成電路設(shè)備可以執(zhí)行高精度的過(guò)熱保護(hù)操作。解決問(wèn)題的手段為了實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面， 一種半導(dǎo)體集成電 路裝置，包括功率晶體管，用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)控制；以及過(guò)熱保護(hù)電路， 用于檢測(cè)所述功率晶體管溫度的異常上升，并向被保護(hù)的電路通知溫 度的異常上升，其中，所述過(guò)熱保護(hù)電路包括濾波器部分，用于從所 述過(guò)熱保護(hù)電路的電源電壓中去除比預(yù)定截止頻率高的頻率分量(第 一配置)。更具體地，在具有上述第一配置的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備中，所述 過(guò)熱保護(hù)電路設(shè)置有基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部分，用于產(chǎn)生預(yù)定基準(zhǔn)電壓； 雙極性晶體管，用于溫度檢測(cè)，設(shè)置在所述功率晶體管旁，并根據(jù)隨 周圍溫度而變化的基極-發(fā)射極正向電壓降是高于還是低于所述基準(zhǔn) 電壓而導(dǎo)通/截止；控制電壓信號(hào)產(chǎn)生部分，用于從電源電壓中產(chǎn)生控 制電壓信號(hào)，所述控制電壓信號(hào)具有根據(jù)所述雙極性晶體管的導(dǎo)通/ 截止?fàn)顟B(tài)的邏輯；開(kāi)關(guān)部分，所述開(kāi)關(guān)部分根據(jù)所述控制電壓信號(hào)的 邏輯而導(dǎo)通/截止；以及過(guò)熱保護(hù)信號(hào)產(chǎn)生部分，用于產(chǎn)生過(guò)熱保護(hù)信 號(hào)，所述過(guò)熱保護(hù)信號(hào)具有根據(jù)所述開(kāi)關(guān)部分的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的邏 輯，其中，作為所述濾波器部分，所述過(guò)熱保護(hù)電路還包括電阻器， 插入在所述開(kāi)關(guān)部分的一端與被施加有所述電源電壓的點(diǎn)之間；禾口/ 或電容器，插入在所述開(kāi)關(guān)部分的另一端與地電位之間。(第二配置)。
優(yōu)選的是，在具有上述第二配置的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備中，所述 基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部分設(shè)置有帶隙電源部分，用于產(chǎn)生與周圍溫度無(wú)關(guān) 的帶隙電壓；以及電阻劃分部分，用于從所述帶隙電壓中產(chǎn)生所述基 準(zhǔn)電壓(第三配置)。優(yōu)選的是，在具有上述第三配置的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備中，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部分設(shè)置有電流緩沖部分，在所述帶隙電源部分與所述電阻劃分部分之間，用于改善電流能力(第四配置)。在具有第一到第四配置之一的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備中，所述功率晶體管形成開(kāi)關(guān)電源電路或電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。 本發(fā)明的有益效果采用根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備，即使當(dāng)將過(guò)熱保護(hù)電路 放置在作為噪聲源的過(guò)熱監(jiān)視對(duì)象近旁，無(wú)論電源電壓變化(脈沖疊 加)如何，均可以執(zhí)行高精度的過(guò)熱保護(hù)操作。


圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電源IC的概略框圖。圖2示出了過(guò)熱保護(hù)電路1的實(shí)施例的電路圖。圖3示出了減小開(kāi)關(guān)噪聲的有效性的示意圖。圖4示出了過(guò)熱保護(hù)電路1的另一實(shí)施例的電路圖。附圖標(biāo)記列表 1過(guò)熱保護(hù)電路 2開(kāi)關(guān)電源電路 10開(kāi)關(guān)電源IC Tl電源端子 BG帶隙電源部分 Rl到R7電阻器 Cl電容器Nl到N3 NPN雙極性晶體管 P1和P2 PNP雙極性晶體管 PFET1 P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管 II恒定電流源 IBUP 電流緩沖部分具體實(shí)施方式
下面，以開(kāi)關(guān)電源IC為例，具體描述本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備。圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的開(kāi)關(guān)電源IC的概略框圖。如圖所示，開(kāi) 關(guān)電壓IC IO包括過(guò)熱保護(hù)電路1和開(kāi)關(guān)電源電路2。過(guò)熱保護(hù)電路1在經(jīng)由外部端子Tl提供的電源電壓Vcc上進(jìn)行 操作，并配置為通過(guò)利用雙極性晶體管的Vf (基極-發(fā)射極正向電壓 降)隨周圍環(huán)境而變化的特性，產(chǎn)生過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd。過(guò)熱保護(hù)信 號(hào)Stsd是用于向待保護(hù)電路(未示出的內(nèi)部電路和開(kāi)關(guān)電源電路2) 通知異常芯片溫度的信號(hào)，并用于在IC溫度異常上升時(shí)進(jìn)行關(guān)閉控 制。此外，過(guò)熱保護(hù)電路l設(shè)置在作為過(guò)熱監(jiān)視對(duì)象的開(kāi)關(guān)電源電路 2 (具體地將，開(kāi)關(guān)電源電路2的功率晶體管)的近旁。采用這種配置， 可以直接檢測(cè)產(chǎn)生熱的功率晶體管的結(jié)溫度，從而實(shí)現(xiàn)高精度的過(guò)熱 保護(hù)操作。后面將詳細(xì)描述過(guò)熱保護(hù)電路l的內(nèi)部配置和操作。開(kāi)關(guān)電源電路2是直流轉(zhuǎn)換器，用于將經(jīng)由外部端子Tl提供的 電源電壓Vcc轉(zhuǎn)換為所需的輸出電壓Vo，然后將其饋送至未示出的內(nèi) 部電路。此外，本實(shí)施例的開(kāi)關(guān)電源電路2提升電壓，使得從1.8V的 電源電壓Vcc中產(chǎn)生9V的輸出電壓Vo。這里，形成開(kāi)關(guān)電源電路2的功率晶體管是由功率晶體管的導(dǎo)通/ 截止產(chǎn)生的開(kāi)關(guān)噪聲(脈沖噪聲)的噪聲源。如上所述，這使開(kāi)關(guān)噪 聲容易疊加到設(shè)置在開(kāi)關(guān)電源電路2近旁的過(guò)熱保護(hù)電路1的電源電 壓Vcc上。因此，本實(shí)施例的過(guò)熱保護(hù)電路l包括濾波器裝置，用于從電源 電壓Vcc中去除比預(yù)定截止頻率高的頻率分量，從而無(wú)論由于開(kāi)關(guān)噪 聲的侵入而引起的電源電壓變化(脈沖疊加)如何，均可以執(zhí)行高精
度的過(guò)熱保護(hù)操作。下面，參照?qǐng)D2，詳細(xì)描述過(guò)熱保護(hù)電路1的電路配置和操作。 圖2示出了過(guò)熱保護(hù)電路1的實(shí)施例的電路圖(具體地講，在過(guò)熱保護(hù)電路1的熱檢測(cè)部分近旁)。如圖所示，過(guò)熱保護(hù)電路1包括NPN雙極性晶體管Nl和N2、 PNP雙極性晶體管Pl、帶隙電源部分 BG、電阻器R1到R7和電容器C1。帶隙電源部分BG的輸出節(jié)點(diǎn)經(jīng)由電阻器Rl和R2接地。將電阻 器Rl和R2連接在一起的節(jié)點(diǎn)與晶體管Nl的基極連接。晶體管Nl 的集電極經(jīng)由電阻器R4和R3與被施加有電源電壓Vcc的點(diǎn)連接。晶 體管N1的發(fā)射極接地。將電阻器R3和R4連接在一起的節(jié)點(diǎn)與晶體 管P1的基極連接。晶體管P1的發(fā)射極經(jīng)由電阻器R7與被施加有電 源電壓Vcc的點(diǎn)連接。晶體管P1的集電極經(jīng)由電阻器R5接地，并經(jīng) 由電容器C1接地。晶體管P1的集電極與晶體管N2的基極連接。晶 體管N2的集電極經(jīng)由電阻器R6與被施加有電源電壓Vcc的點(diǎn)連接。 晶體管N2的集電極也用作過(guò)熱保護(hù)電路1的輸出節(jié)點(diǎn)，并與未示出 的內(nèi)部電路和開(kāi)關(guān)電源電路2的控制節(jié)點(diǎn)連接。就是說(shuō)，本實(shí)施例的過(guò)熱保護(hù)電路1包括基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生裝置(產(chǎn) 生與周圍溫度無(wú)關(guān)的帶隙電壓的帶隙電源部分BG、以及從帶隙電壓 中產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓Vref的電阻劃分部分R1和R2)，用于產(chǎn)生預(yù)定基準(zhǔn) 電壓Vref;雙極性晶體管N1，用于溫度檢測(cè)，設(shè)置在開(kāi)關(guān)電源電路2 的功率晶體管(未示出)的近旁，并根據(jù)隨周圍溫度而變化的基極-發(fā)射極正向電壓降Vf是高于還是低于基準(zhǔn)電壓Vref而導(dǎo)通/截止；控 制電壓信號(hào)產(chǎn)生裝置(電阻器R3和R4)，用于從電源電壓Vcc中產(chǎn) 生控制電壓信號(hào)Sctrl，控制電壓信號(hào)Sctri具有根據(jù)晶體管Nl的導(dǎo)通 /截止?fàn)顟B(tài)的邏輯；開(kāi)關(guān)裝置(晶體管Pl)，根據(jù)控制電壓信號(hào)Sctrl 的邏輯而導(dǎo)通/截止；以及過(guò)熱保護(hù)信號(hào)產(chǎn)生裝置'(晶體管N2和電阻 器R5和R6)，用于產(chǎn)生過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd，過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd具有 根據(jù)晶體管P1的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的邏輯。此外，過(guò)熱保護(hù)電路1包括 插入在晶體管Pl的發(fā)射極與被施加有電源電壓Vcc的點(diǎn)之間的電阻 器R7，和插入在晶體管P1的集電極與地之間的電容器C1，作為從電
源電壓Vcc中去除高頻分量的濾波器裝置。下面詳細(xì)描述如上述配置的過(guò)熱保護(hù)電路l的操作。因?yàn)橛糜跍?度檢測(cè)的晶體管N1的發(fā)射極接地，所以晶體管N1的基極-發(fā)射極電壓Vbe等于通過(guò)由電阻器劃分帶隙電壓(大約1.25V)而產(chǎn)生的基準(zhǔn) 電壓Vref (例如，0.4V)，并具有平坦的溫度特性。另一方面，晶體 管Nl的基極-發(fā)射極正向電壓降Vf具有大約為-2mV/。C的負(fù)溫度特 性，其溫度隨著周圍溫度上升而下降。因此，在基準(zhǔn)電壓Vref低于晶體管Nl的基極-發(fā)射極正向電壓降 Vf的時(shí)間段中，即，直到周圍溫度達(dá)到了給定閾值溫度(例如，175。C)， 晶體管Nl保持截止；當(dāng)基準(zhǔn)電壓Vref超過(guò)晶體管Nl的基極-發(fā)射極 正向電壓降Vf時(shí)，gp，當(dāng)周圍溫度達(dá)到了給定閾值溫度時(shí)，晶體管 Nl導(dǎo)通。根據(jù)電阻器R1和R2之間的電阻比，可以適當(dāng)調(diào)整上述閾 值溫度。當(dāng)晶體管Nl截止時(shí)，施加至晶體管Pl的基極的控制電壓信號(hào) Sctrl呈高電平(近似等于電源電壓Vcc)，從而晶體管P1保持截止。 此時(shí)，晶體管N2的基極呈低電平(近似等于地電勢(shì))，晶體管N2也 保持截止。由此，晶體管N2的集電極處的過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd的邏輯 呈高電平(近似等于電源電壓Vcc)。即，通過(guò)發(fā)送該高電平過(guò)熱保護(hù) 信號(hào)Stsd，過(guò)熱保護(hù)電路1向待保護(hù)電路通知芯片溫度正常。當(dāng)接收 到來(lái)自過(guò)熱保護(hù)電路1的過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd時(shí)，待保護(hù)電路得知過(guò)熱 保護(hù)信號(hào)Stsd的邏輯處于高電平，溫度沒(méi)有異常上升。這樣允許待保 護(hù)電路執(zhí)行正常操作。另一方面，當(dāng)晶體管N1截止時(shí)，施加至晶體管P1的基極的控制 電壓信號(hào)Sctrl已下降到低電平(近似等于地電勢(shì))，從而晶體管Pl 導(dǎo)通。此時(shí)，因?yàn)榫w管N2的基極已上升到高電平(近似等于電源 電壓Vcc)，晶體管N2也導(dǎo)通。由此，過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd的邏輯呈低 電平(近似等于地電勢(shì))。即，通過(guò)發(fā)送該低電平過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd， 過(guò)熱保護(hù)電路l向待保護(hù)電路通知芯片溫度異常。當(dāng)接收到來(lái)自過(guò)熱 保護(hù)電路1的過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd時(shí)，待保護(hù)電路得知過(guò)熱保護(hù)信號(hào) Stsd的邏輯處于低電平，溫度異常上升。這樣允許待保護(hù)電路停止操作。本實(shí)施例的過(guò)熱保護(hù)電路1包括由電阻器R7和電容器C1構(gòu)成的 RC濾波器電路，作為從電源電壓Vcc中去除高頻分量(開(kāi)關(guān)噪聲) 的濾波器裝置。在本實(shí)施例的過(guò)熱保護(hù)電路l中，考慮到疊加在電源電壓Vcc上 的開(kāi)關(guān)脈沖的頻率分量在100MHz的量級(jí)上(對(duì)于脈沖寬度，在10ns 的量級(jí)上)這一事實(shí)，使用10kQ的電阻器R7和5pF的電容器C1來(lái) 將RC濾波器電路的截止頻率fc(=l/ (2兀CR))設(shè)置到3.2MHz。通過(guò) 釆用這種截止頻率，可以將開(kāi)關(guān)脈沖減少至3.2%(=3.2/100乂100)。因此，在本實(shí)施例的過(guò)熱保護(hù)電路1中，即使當(dāng)高于晶體管Pl 的基極-發(fā)射極正向電壓降Vf的噪聲(例如在開(kāi)關(guān)電源電路2中產(chǎn)生 的開(kāi)關(guān)噪聲)侵入過(guò)熱保護(hù)電路l的電源電壓Vcc中，這不會(huì)引起晶 體管P1的發(fā)射極電壓的顯著改變，更不必說(shuō)其基極電壓(見(jiàn)圖3)。 這種濾波操作可以防止故障；例如，有助于防止過(guò)熱保護(hù)信號(hào)Stsd在 當(dāng)開(kāi)關(guān)噪聲使晶體管Pl偶然瞬間導(dǎo)通時(shí)而不管是否有異常熱產(chǎn)生就 將其邏輯改變至低電平。因此，根據(jù)本發(fā)明，可以將過(guò)熱保護(hù)電路1 放置與作為過(guò)熱監(jiān)視對(duì)象的功率晶體管盡量鄰近的位置。這樣可以直 接檢測(cè)功率晶體管的結(jié)溫度，從而實(shí)現(xiàn)高精度過(guò)熱保護(hù)操作。此外，常規(guī)上公知一種在晶體管的發(fā)射極處插入電阻器的技術(shù)， 作為調(diào)整電流鏡電路的配對(duì)特性的手段。但是，本實(shí)施例的電容器R7 是用于去除疊加在電源電壓Vcc上的噪聲的裝置，而不是用于調(diào)整電 路特性的裝置。只要將3V或更高的電源電壓Vcc饋送至可以在開(kāi)始于 1.25V+lVsat (在0.1V的量級(jí)上)和低收入電壓和更高電壓的過(guò)熱保 護(hù)電路，類似本實(shí)施例的過(guò)熱保護(hù)電路1，則除了以上具體描述的實(shí) 施例，可以沿輸入電源電壓的路徑設(shè)置穩(wěn)壓器，作為去除疊加在電源 電壓Vcc上的噪聲的裝置。否則(例如，當(dāng)電源電壓Vcc在1.8妾U2.5V 的量級(jí)上)，因?yàn)闆](méi)有足夠電壓來(lái)設(shè)置穩(wěn)壓器，所以優(yōu)選地(或有必要) 考慮釆用本實(shí)施例的配置。上述實(shí)施例針對(duì)將本發(fā)明應(yīng)用于開(kāi)關(guān)電源IC的情況。但是，這并
不意味著以任何方式來(lái)限制本發(fā)明的應(yīng)用；本發(fā)明可以廣泛應(yīng)用于諸 如電極驅(qū)動(dòng)設(shè)備之類的任意其他類型的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備中。應(yīng)該理解，可以采用除以上作為實(shí)施例而具體描述的方式之外的 任意其他方式來(lái)實(shí)施本發(fā)明，并可以在本發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行多種修改。例如，如圖4所示，可以使用P溝道場(chǎng)效應(yīng)晶體管PFET1來(lái)替代 雙極性晶體管P1。如圖4所示，在帶隙電源部分BG具有有限電流輸出能力的情況 下，可以在帶隙電源部分BG與電阻劃分部分R和R2之間設(shè)置電流 緩沖部分IBUF，以通過(guò)由晶體管P2以電壓降Vf提升帶隙電壓、然 后由晶體管N3以電壓降Vf降低得到的電壓，來(lái)改善電流輸出能力。工業(yè)應(yīng)用性本發(fā)明在改進(jìn)半導(dǎo)體集成電路設(shè)備的過(guò)熱保護(hù)精度方面十分有 用。例如，本發(fā)明可以適當(dāng)?shù)赜糜陂_(kāi)關(guān)電源設(shè)備和電機(jī)驅(qū)動(dòng)設(shè)備，這 些設(shè)備將作為噪聲源的功率晶體管結(jié)合到IC中，從而比其他任意類型 的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備更易受到熱產(chǎn)生的影響，并要求較高可靠性。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體集成電路裝置，包括功率晶體管，用于執(zhí)行開(kāi)關(guān)控制；以及過(guò)熱保護(hù)電路，用于檢測(cè)所述功率晶體管溫度的異常上升，并向被保護(hù)的電路通知溫度的異常上升，其中，所述過(guò)熱保護(hù)電路包括濾波器部分，用于從所述過(guò)熱保護(hù)電路的電源電壓中去除比預(yù)定截止頻率高的頻率分量。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體集成電路裝置， 其中，所述過(guò)熱保護(hù)電路包括 基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部分，用于產(chǎn)生預(yù)定基準(zhǔn)電壓；雙極性晶體管，用于溫度檢測(cè)，設(shè)置在所述功率晶體管旁，并根 據(jù)隨周圍溫度而變化的基極-發(fā)射極正向電壓降是高于還是低于所述 基準(zhǔn)電壓而導(dǎo)通/截止；控制電壓信號(hào)產(chǎn)生部分，用于從電源電壓中產(chǎn)生控制電壓信號(hào)， 所述控制電壓信號(hào)具有根據(jù)所述雙極性晶體管的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的邏 輯；開(kāi)關(guān)部分，所述開(kāi)關(guān)部分根據(jù)所述控制電壓信號(hào)的邏輯而導(dǎo)通/ 截止；以及過(guò)熱保護(hù)信號(hào)產(chǎn)生部分，用于產(chǎn)生過(guò)熱保護(hù)信號(hào)，所述過(guò)熱保護(hù) 信號(hào)具有根據(jù)所述開(kāi)關(guān)部分的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的邏輯，其中，作為所述濾波器部分，所述過(guò)熱保護(hù)電路還包括電阻器，插入在所述開(kāi)關(guān)部分的一端與被施加有所述電源電壓的 點(diǎn)之間；以及/或者電容器，插入在所述開(kāi)關(guān)部分的另一端與地電位之間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體集成電路裝置， 其中，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部分包括帶隙電源部分，用于產(chǎn)生與周圍溫度無(wú)關(guān)的帶隙電壓；以及 電阻劃分部分，用于從所述帶隙電壓中產(chǎn)生所述基準(zhǔn)電壓。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體集成電路裝置， 其中，所述基準(zhǔn)電壓產(chǎn)生部分包括電流緩沖部分，在所述帶隙 電源部分與所述電阻劃分部分之間，用于改善電流能力。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4之一所述的半導(dǎo)體集成電路裝置，其中， 所述功率晶體管形成開(kāi)關(guān)電源電路或電機(jī)驅(qū)動(dòng)電路。
全文摘要
本發(fā)明的半導(dǎo)體集成電路設(shè)備的過(guò)熱保護(hù)電路(1)具有從電源電壓(Vcc)中去除高頻分量的濾波器裝置。具體地講，過(guò)熱保護(hù)電路(1)具有帶隙電源部分(BG)和電阻器R1和R2，用于產(chǎn)生基準(zhǔn)電壓(Vref)；晶體管N1，用于溫度檢測(cè)；電阻器R3和R4，用于從電源電壓(Vcc)中產(chǎn)生根據(jù)晶體管N1的導(dǎo)通/截止裝置的控制信號(hào)(Sctrl)；晶體管P1，根據(jù)控制信號(hào)(Sctrl)而導(dǎo)通/截止；以及晶體管N2、電阻器R5和R6，用于產(chǎn)生根據(jù)晶體管P1的導(dǎo)通/截止?fàn)顟B(tài)的過(guò)熱保護(hù)信號(hào)(Stsd)。此外，過(guò)熱保護(hù)電路(1)具有分別與晶體管P1的發(fā)射極和集電極連接的電阻器R7和電容器C1，作為濾波器裝置。這樣，無(wú)論電源電壓的變化(脈沖疊加)如何，均可以執(zhí)行高精度過(guò)熱保護(hù)操作。
文檔編號(hào)H01L27/04GK101133489SQ20068000678
公開(kāi)日2008年2月27日 申請(qǐng)日期2006年3月1日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月2日
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