專利名稱：一種中心定位的功率器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型為一種功率器件結(jié)構(gòu)布置方法及裝置，具體說是一種功率 晶閘管半導(dǎo)體基片定位結(jié)構(gòu)布置方法及裝置，也可以用于各種晶閘管的結(jié) 構(gòu)中。 技術(shù)背錄晶閘管一般都是由晶閘管半導(dǎo)體基片和絕緣殼體所組成，而且為了保 證器件的穩(wěn)定,晶閘管半導(dǎo)體基片是由陰極鉅片和陽極鉬片夾著芯片所構(gòu) 成的。為了使晶閘管半導(dǎo)體基片在器件腔體內(nèi)準(zhǔn)確定位，往往需要進(jìn)行定 位?，F(xiàn)有的晶閘管半導(dǎo)體基片定位多采用定位環(huán)進(jìn)行定位(見附

圖1)。 該種定位方法，是在管座上套一個(gè)定位環(huán)，通過定位環(huán)的內(nèi)圈給晶閘管半 導(dǎo)體基片定位。這種定位方式存在以下一些不足1. 因定位環(huán)與芯片距離較近，在器件工作時(shí)，定位環(huán)有可能會對 芯片邊緣的灌膠層直接施力，從而影響芯片的工作性能。2. 對于大功率的器件，要求定位環(huán)應(yīng)隨芯片的加大而尺寸增加， 但是定位環(huán)太大，就給加工加大了難度；3. 就加工而言，實(shí)體定位環(huán)因?yàn)槭谴蟓h(huán)，因此加工精度很難保證， 尺寸越大，變形也隨之加大，而且這種變形很難避免。綜上所述，現(xiàn)在的晶閘管半導(dǎo)體基片定位的確存在一些不足，因此很 有必要對此加以改進(jìn)。 實(shí)用新型內(nèi)容 本實(shí)用新型旨在克服現(xiàn)有晶閘管半導(dǎo)體基片定位的不足,提供一種新 的晶閘管半導(dǎo)體基片定位方法及裝置，該功率晶閘管半導(dǎo)體基片定位結(jié)構(gòu) 更簡單，加工精度容易保證，且不會影響芯片的工作性能。本實(shí)用新型的目的通過下述技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn) 一種功率晶閘管，包 括絕緣殼體、管座、管蓋、管芯、陰極鉬片和陽極鉬片，管芯夾在陰極鉬 片和陽極鉬片之間，形成半導(dǎo)體基片，半導(dǎo)體基片又安置于管座與管蓋之 間，管座與管蓋又分別通過上連接件和下連接件與絕緣殼體連接，形成一 個(gè)封閉腔體，半導(dǎo)體基片正好置于封閉腔體之內(nèi)，其特征在于采取中心 定位的方法，在陽極鉬片的中心開有定位孔，在管座的內(nèi)面中心也開有定 位孔，且管座內(nèi)面的定位孔為盲孔，在陽極鉬片中心定位孔與管座內(nèi)面的 定位孔中有用于定位的定位銷，晶閘管半導(dǎo)體基片是通過定位銷和陽極鉬 片中心定位孔與管座內(nèi)面的定位孔進(jìn)行定位的。本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)在于1、 因定位環(huán)與芯片距離較近，在器件工作時(shí)，定位環(huán)有可能會對芯 片邊緣的灌膠層直接施力，從而影響芯片的工作性能。而定位銷是位于官 殼中央的，與之接觸的是管座與陽極鉬片，所以不會對芯片造成影響；2、 對于大功率的器件，要汆定位環(huán)應(yīng)隨芯片的加大而尺寸增加，但 是定位環(huán)太大，就給加工加大了.難度；3、 中心定位銷與定位環(huán)采用了相同的原料，但是因形狀不同，采用 中心定位銷定位后，大大節(jié)約了原料；4、 就加工而言，實(shí)體的柱狀定位銷與環(huán)狀定位環(huán)相比，加工精度更 容易保證，對于定位環(huán)而言，尺寸越大，變形也隨之加大，而且這種變形
很難避免。圖1為本實(shí)用新型晶閘管半導(dǎo)體基片定位結(jié)構(gòu)示意圖。圖中l(wèi)一管座；2 —管蓋；3 —管芯；4一門極組件；5 —定位銷；6一陰極鉬片；7 —陽極鉬片；8—陶瓷絕緣管殼；9一陽極鉬片中心定位孔；IO —管座中心定位孔。
具體實(shí)施方式
附圖給出了本實(shí)用新型的一種示意圖，下面將結(jié)合附圖對本實(shí)用新型 作進(jìn)一步的描述。通過附圖可以看出本實(shí)用新型為一種功率晶閘管，包括陶瓷絕緣管殼 9、管座l、管蓋2、管芯3、陰極鉬片6和陽極鉬片7，管芯3夾在陰極 鉬片6和陽極鉬片7之間，形成半導(dǎo)體基片，半導(dǎo)體基片又安置于管座l 與管蓋2之間，并由中心定位銷5定位，在管蓋2與陰極鉬片6之間設(shè)有 門極組件4，管座1與管蓋2又分別通過上連接件和下連接件與陶瓷絕緣 管殼8連接，形成一個(gè)封閉腔體，半導(dǎo)體基片正好置于封閉腔體之內(nèi)。其 特征在于采取中心定位的方法，在陽極鉬片7的中心開有陽極鉬片中心 定位孔9，在管座1的內(nèi)面中心也開有管座中心定位孔10,且管座內(nèi)面的 管座中心定位孔為盲孔，在陽極鉬片中心定位孔與管座內(nèi)面的管座中心定 位孔中有用于定位的定位銷5,晶閘管半導(dǎo)體基片是通過定位銷5和陽極 鉬片中心定位孔9與管座內(nèi)面的管座中心定位孔10進(jìn)行定位的。
權(quán)利要求1、 一種中心定位的功率器件，包括絕緣殼體、管座、管蓋、管芯、陰 極鉬片和陽極鉬片，管芯夾在陰極鉬片和陽極鉬片之間，形成半導(dǎo)體基片， 半導(dǎo)體基片又安置于管座與管蓋之間，管座與管蓋又分別通過上連接件和 下連接件與絕緣殼體連接，形成一個(gè)封閉腔體，半導(dǎo)體基片正好置于封閉 腔體之內(nèi)，其特征在于在陽極鉬片的中心開有陽極鉬片中心定位孔，在 管座的內(nèi)面中心也開有管座中心定位孔，且管座內(nèi)面的管座中心定位孔為 盲孔，在陽極鉬片中心定位孔與管座內(nèi)面的管座中心定位孔中有用于定位 的定位銷，晶閘管半導(dǎo)體基片是通過定位銷和陽極鉬片中心定位孔與管座 內(nèi)面的管座中心定位孔進(jìn)行定位的。
專利摘要一種中心定位的功率器件，包括絕緣殼體、管座、管蓋、管芯、陰極鉬片和陽極鉬片，管芯夾在陰極鉬片和陽極鉬片之間，形成半導(dǎo)體基片，半導(dǎo)體基片又安置于管座與管蓋之間，管座與管蓋又分別通過上連接件和下連接件與絕緣殼體連接，形成一個(gè)封閉腔體，半導(dǎo)體基片正好置于封閉腔體之內(nèi)，其特征在于采取中心定位的方法，在陽極鉬片的中心開有陽極鉬片中心定位孔，在管座的內(nèi)面中心也開有管座中心定位孔，且管座內(nèi)面的管座中心定位孔為盲孔，在陽極鉬片中心定位孔與管座內(nèi)面的管座中心定位孔中有用于定位的定位銷，晶閘管半導(dǎo)體基片是通過定位銷和陽極鉬片中心定位孔與管座內(nèi)面的管座中心定位孔進(jìn)行定位的。
文檔編號H01L23/16GK201022078SQ200620052530
公開日2008年2月13日 申請日期2006年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月19日
發(fā)明者劉國友, 輝 熊, 鄒冰艷, 魏志紅, 黃建偉 申請人:株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司