專利名稱：高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體，特別涉及一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。
背景技術(shù)：
對高壓側(cè)驅(qū)動器而言，基本上，在高壓結(jié)(HV junction)上覆蓋過大的導(dǎo)電材料會降低高壓結(jié)的擊穿電壓。如圖1A所示，特別是當(dāng)一凹型的導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)113直接設(shè)置于高壓結(jié)101的N型深阱(NWD)111上時，靠近凹型(或角落)區(qū)的高壓結(jié)101的P型阱區(qū)(PW)S的擊穿電壓(breakdown voltage)會大幅降低。
請參照圖1B，其示出傳統(tǒng)電源供應(yīng)IC內(nèi)的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括形成于P型襯底100內(nèi)的高壓結(jié)110，以及形成于P型襯底100上的高壓電容結(jié)構(gòu)120。高壓結(jié)110包括一N型深阱(NWD)112以及多個P型阱(PW)114。高壓電容結(jié)構(gòu)120包括一第一金屬層122及兩個分離的第二金屬層124、126。第二金屬層124連接至一低電位，例如0V，而第二金屬層126連接至一高電位+V，例如500V。通過連接金屬130連接至第二金屬層126的N+重離子摻雜區(qū)116形成于P型阱114之間。
為了避免高壓結(jié)的擊穿電壓被高壓電容結(jié)構(gòu)內(nèi)的導(dǎo)體(金屬)降低，高壓電容結(jié)構(gòu)120設(shè)置于P型襯底100上遠(yuǎn)離高壓結(jié)110的一個區(qū)域中，并通過連接金屬130連接至高壓結(jié)110。然而，傳統(tǒng)高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)具有下列缺點1.需要使用更多芯片空間來分隔地設(shè)置高壓結(jié)110及高壓電容結(jié)構(gòu)120在P型襯底100上。
2.需要使用額外的連接金屬130以連接高壓結(jié)110及高壓電容結(jié)構(gòu)120，因此生產(chǎn)高壓側(cè)驅(qū)動器需要更多的成本。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明的目的就是在提供一種整合高壓結(jié)與凹型電容結(jié)構(gòu)的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法。借由在襯底內(nèi)形成具有與襯底實質(zhì)上相同離子摻雜濃度的半導(dǎo)體區(qū)域，得以增加鄰近電容結(jié)構(gòu)凹區(qū)域的高壓結(jié)的擊穿電壓。因此，得以降低芯片面積及制造高壓側(cè)驅(qū)動器的成本。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提供一種包括離子摻雜結(jié)的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。離子摻雜結(jié)包括一襯底及一深阱。深阱形成于襯底內(nèi)并具有一第一凹結(jié)構(gòu)。離子摻雜結(jié)包括一連接至深阱的第一凹結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體區(qū)域，半導(dǎo)體區(qū)域具有與襯底實質(zhì)上相同的離子摻雜濃度。
根據(jù)本發(fā)明的目的，提供一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法。該方法包括形成一襯底；形成一具有第一凹結(jié)構(gòu)的深阱于襯底內(nèi)；以及，形成一半導(dǎo)體區(qū)域于襯底內(nèi)，其中半導(dǎo)體區(qū)域連接至深阱的第一凹結(jié)構(gòu)并具有與襯底實質(zhì)上相同的離子摻雜濃度。


為讓本發(fā)明的上述目的、特征、和優(yōu)點能更明顯易懂，下文特舉幾個較佳實施例，并配合附圖作詳細(xì)說明，其中圖1A示出形成于高壓結(jié)上的一種凹型電容結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖1B示出傳統(tǒng)電源供應(yīng)IC內(nèi)的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部剖面圖；圖2A示出根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的電源供應(yīng)IC內(nèi)的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖；圖2B示出根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的電源供應(yīng)IC內(nèi)的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)沿剖面線A-A’的局部剖面圖；圖3示出圖2B的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖；圖4示出以具有分離圖案的掩模形成圖2B的部分連接深阱區(qū)的離子摻雜工藝的示意圖；圖5示出以掩模形成第2B圖的第一阱、第二阱及鄰近第一凹結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體區(qū)域的離子摻雜工藝的示意圖；以及圖6示出根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的仿真電場曲線圖。
圖中主要組件符號說明如下100P型襯底101、110高壓結(jié)111、112N型深阱113導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)114P型阱116N+重離子摻雜區(qū)120高壓電容結(jié)構(gòu)122第一金屬層124、126第二金屬層130連接金屬200離子摻雜結(jié)202襯底204深阱204a深阱區(qū)206第一阱207第二阱208、209重離子摻雜區(qū)域210氧化層220第一介電層230導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)232第一金屬層234第二介電層236、238第二金屬層240、250接觸點400、500掩模402、502、504分離圖案C1第一凹結(jié)構(gòu)
C2第二凹結(jié)構(gòu)C3第三凹結(jié)構(gòu)E電場SR半導(dǎo)體區(qū)域TA近似三角形區(qū)域具體實施方式
請參照圖2A及圖2B，其示出本發(fā)明一較佳實施例的電源供應(yīng)IC內(nèi)的一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的俯視圖及局部剖面圖(沿剖面線A-A’)。如圖2B所示，高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括離子摻雜結(jié)(高壓結(jié))200、氧化層210、第一介電層220以及導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230。氧化層210形成于離子摻雜結(jié)200上，第一介電層220形成于氧化層210上，導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230形成于第一介電層220上。
離子摻雜結(jié)200包括襯底202及形成于襯底202內(nèi)的深阱204。深阱204具有第一凹結(jié)構(gòu)C1，例如圖2A所示的L型角結(jié)構(gòu)。離子摻雜結(jié)200還包括連接至深阱204的第一凹結(jié)構(gòu)C1的半導(dǎo)體區(qū)域SR，且半導(dǎo)體區(qū)域SR具有與襯底202實質(zhì)上相同的離子摻雜濃度。此外，深阱204鄰近離子摻雜結(jié)200的表面處包括多個部分彼此連接的深阱區(qū)204a。例如，離子摻雜結(jié)200是為一p-n結(jié)，襯底202是為一P型襯底且深阱204是為一形成于P型襯底內(nèi)的N型阱(NW)。
由圖2B可以看出深阱區(qū)204a彼此不完全連接，且襯底202上位于深阱區(qū)204a之間的區(qū)域形成近似三角形區(qū)域TA。借由形成部分連接的深阱區(qū)204a，離子摻雜結(jié)200的擊穿電壓可以可借由改變深阱區(qū)204a間的距離d2來加以調(diào)整。較佳地，深阱區(qū)204a之間的距離d2大于0um并小于20um。深阱204的摻雜濃度位于1.7E17cm-3到8.3E18cm-3之間，且深阱204的深度D位于2um到10um之間。
此外，離子摻雜結(jié)200在每一深阱區(qū)204a內(nèi)可包括至少一第一阱206，例如P型阱或P型主體(P-body)。這些第一阱206用于增加離子摻雜結(jié)200的擊穿電壓，且離子摻雜結(jié)200的擊穿電壓取決于第一阱206于深阱區(qū)204a中的形狀及相對位置。第一阱206的摻雜濃度較佳地位于3.3E17cm-3到1E19cm-3之間。
離子摻雜結(jié)200還包括一通過接觸點240連接至導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230的最高電位端H的重離子摻雜區(qū)域208，例如N+區(qū)域；以及一通過接觸點250連接至導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230的低電位端L的重離子摻雜區(qū)域209，例如P+區(qū)域。離子摻雜深阱204的深度D可根據(jù)施加于導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230的高電壓+V(500～700V)成正比進(jìn)行調(diào)整，以維持離子摻雜結(jié)200足夠的擊穿電壓。
如圖2A及圖2B所示，導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230包括一第一金屬層232、一第二介電層234及兩個第二金屬層236、238。第一金屬層232形成于第一介電層220上并具有對應(yīng)于第一凹結(jié)構(gòu)C1的第二凹結(jié)構(gòu)C2。第二介電層234形成于第一金屬層232上。第二金屬層236、238分開形成于第二介電層234上。任一第二金屬層236及238具有一對應(yīng)于第二凹結(jié)構(gòu)C2的第三凹結(jié)構(gòu)C3。
第二金屬層236及第一金屬層232形成一第一電容。第二金屬層238及第一金屬層232形成一第二電容，并與第一電容串連。第二金屬層236連接至高電壓+V且第二金屬層238連接至一低電壓，例如0V。離子摻雜結(jié)200的擊穿電壓也取決于第一金屬層232與離子摻雜結(jié)200的相對位置或是第一介電層220的厚度。
另外，離子摻雜結(jié)200還包括一包圍半導(dǎo)體區(qū)域SR及深阱204的第二阱207，例如P型阱(PW)。借由在深阱204的第一凹結(jié)構(gòu)C1處，也就是鄰近第二凹結(jié)構(gòu)C2及導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230的第三凹結(jié)構(gòu)C3處形成離子摻雜結(jié)200的半導(dǎo)體區(qū)域SR，鄰近凹結(jié)構(gòu)C1的離子摻雜結(jié)200的擊穿電壓不會顯著降低。
圖3示出圖2B的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法流程圖。請同時參照圖2B及圖3。首先，如步驟300，形成襯底202，例如一P型襯底。接著，如步驟310，在于溫度范圍在1000℃～1200℃之間進(jìn)行6～12小時的熱驅(qū)動工藝(thermal drive-in process)中，在襯底202內(nèi)以如圖4所示的具有分離圖案402的掩模400形成具有第一凹結(jié)構(gòu)C1的深阱204(例如N型深阱)。由于掩模400的分離圖案402間隔一設(shè)定距離d1，于是在鄰近襯底202的上表面處形成具有部分連接的深阱區(qū)204a的深阱204。分離圖案402的距離d1與深阱區(qū)204a間的距離d2成正比。較佳地，深阱區(qū)204a間的距離d2大于0um并小于20um，深阱204的摻雜濃度位于1.7E17cm-3到8.3E18cm-3之間，且深阱204的深度D位于2um到10um之間。
本實施例的高壓側(cè)驅(qū)動器的第一項特征在于部分分離的深阱區(qū)204a有助于增加襯底202及深阱204的擊穿電壓，因此在后續(xù)工藝中形成于襯底202上的電容結(jié)構(gòu)不會影響或降低襯底202及深阱204的擊穿電壓。
接著，如步驟320，在溫度范圍在900℃～1100℃之間進(jìn)行2～6小時的熱驅(qū)動工藝中，如圖5所示，以掩模500于每一深阱區(qū)204a中形成第一阱206，并于襯底202內(nèi)形成連接至深阱204的第一凹結(jié)構(gòu)C1的半導(dǎo)體區(qū)域SR，以及形成包圍半導(dǎo)體區(qū)域SR及深阱204的第二阱207。同時，第二阱207及深阱區(qū)204a之間區(qū)域為掩模500的不透光區(qū)域，接著形成具有與襯底202實質(zhì)上相同的離子摻雜濃度的半導(dǎo)體區(qū)域SR。第一阱206也有助于增加襯底202及深阱204的擊穿電壓，且第一阱206的摻雜濃度位于3.3E17cm-3到1E19cm-3之間。
本實施例的高壓側(cè)驅(qū)動器的第二項特征，在于具有與襯底202實質(zhì)上相同的摻雜濃度的半導(dǎo)體區(qū)域SR形成于離子摻雜結(jié)200內(nèi)的深阱204的第一凹結(jié)構(gòu)C1處。因此，鄰近第一凹結(jié)構(gòu)C1處的離子摻雜結(jié)200的擊穿電壓不會顯著降低。
然后，如步驟330，在一深阱區(qū)204a內(nèi)形成用以連接至高電壓+V以及導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230的最高電位端H的重離子摻雜區(qū)域208，例如N+區(qū)域；以及于第二阱207內(nèi)形成用以連接至低電壓0V及導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230的最低電位端L的重離子摻雜區(qū)域209，例如P+型區(qū)域。
接著，如步驟340，形成一氧化層210于具有深阱204(亦即離子摻雜結(jié)200)的襯底202上。并如步驟350，形成第一介電層220于該氧化層210上。最后，如步驟360，形成導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230于第一介電層220上。步驟360包括形成具有第二凹結(jié)構(gòu)C2的第一金屬層232于第一介電層220上，并形成第二介電層234于第一金屬層232上，以及形成兩個分離且分別具有第三凹結(jié)構(gòu)C3的第二金屬層236及238于第二介電層234上。導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)230的最高電位端H及最低電位端L分別通過接觸點240及250連接至重離子摻雜區(qū)域208及209。
請參照圖6，其示出根據(jù)本發(fā)明一較佳實施例的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的仿真電場曲線圖。從圖6中，可清楚看出離子摻雜結(jié)200內(nèi)的電場E非常均勻，表示具有整合凹型電容結(jié)構(gòu)與使用具有部分分離的深阱區(qū)(未示出)的離子摻雜結(jié)200的高壓側(cè)驅(qū)動器仍可達(dá)成良好的效能。
本發(fā)明上述實施例所揭露的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其制造方法具有下列優(yōu)點1.配置高壓側(cè)驅(qū)動器半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的芯片面積可以借助整合導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)于高壓結(jié)上來加以縮小。
2.本發(fā)明不需要使用現(xiàn)有技術(shù)中用以連接導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)及高壓結(jié)的連接金屬，因為導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)可以與高壓結(jié)整合，借以大幅減少制造高壓側(cè)驅(qū)動器的成本。
3.高壓結(jié)的擊穿電壓，特別是鄰近與高壓結(jié)整合的導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)的凹區(qū)域處，不會被導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)所影響，并能使高壓側(cè)驅(qū)動器達(dá)到極佳的效能。
綜上所述，雖然本發(fā)明已以一較佳實施例揭示如上，然其并非用以限定本發(fā)明。本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域中的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種等效修改和替換。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以所附的權(quán)利要求書所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，包括一離子摻雜結(jié)，該離子摻雜結(jié)包括一襯底；以及一深阱，形成于所述襯底內(nèi)，所述深阱具有一第一凹結(jié)構(gòu)；其特征在于，所述離子摻雜結(jié)包括一連接至所述深阱的第一凹結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體區(qū)域，并且所述半導(dǎo)體區(qū)域具有與所述襯底實質(zhì)上相同的離子摻雜濃度。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深阱包括數(shù)個深阱區(qū)，且所述深阱區(qū)是部分連接。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深阱區(qū)彼此連接的部份位于鄰近所述離子摻雜結(jié)的一表面。
4.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子摻雜結(jié)的擊穿電壓取決于所述深阱區(qū)間的距離。
5.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深阱區(qū)間的距離大于0um并小于20um。
6.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子摻雜結(jié)在每一所述深阱區(qū)中還包括至少一第一阱，所述第一阱具有與所述深阱互補(bǔ)的離子摻雜型態(tài)。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子摻雜結(jié)的擊穿電壓取決于所述第一阱在所述深阱區(qū)中的形狀及相對位置。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一阱的離子摻雜濃度位于3.3E17cm-3到1E19cm-3之間。
9.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一氧化層，形成于所述離子摻雜結(jié)上；以及一導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)，形成于所述氧化層上。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子摻雜結(jié)還包括一具有與所述深阱相同離子摻雜型態(tài)的重離子摻雜區(qū)，且所述重離子摻雜區(qū)連接至所述導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)的一最高電位端。
11.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，還包括一形成于所述導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)及所述氧化層間的第一介電層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)包括一第一金屬層，形成于所述第一介電層上，所述第一金屬層具有一對應(yīng)于所述第一凹結(jié)構(gòu)的第二凹結(jié)構(gòu)；一第二介電層，形成于所述第一金屬層上；數(shù)個分離的第二金屬層，形成于所述第二介電層上，其中一所述第二金屬層連接至一高電壓，另一所述第二金屬層連接至一低電壓，每一所述第二金屬層具有一對應(yīng)至所述第二凹結(jié)構(gòu)的第三凹結(jié)構(gòu)。
13.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深阱的深度位于2um到10um之間。
14.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述離子摻雜結(jié)還包括一包圍所述半導(dǎo)體區(qū)域及所述深阱的第二阱，且所述第二阱具有與所述深阱互補(bǔ)的離子摻雜型態(tài)。
15.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述第一凹結(jié)構(gòu)是為一L型角結(jié)構(gòu)。
16.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述襯底是為一P型襯底且所述深阱是為一N型深阱。
17.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述深阱的離子摻雜濃度位于1.7E17cm-3到8.3E18cm-3之間。
18.一種高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的制造方法，包括形成一襯底；形成一具有一第一凹結(jié)構(gòu)的深阱于所述襯底內(nèi)；以及形成一半導(dǎo)體區(qū)域于所述襯底內(nèi)；其特征在于，所述半導(dǎo)體區(qū)域連接至所述深阱的所述第一凹結(jié)構(gòu)并具有與所述襯底實質(zhì)上相同的離子摻雜濃度。
19.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述深阱包括數(shù)個部分連接的深阱區(qū)。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，形成所述深阱于所述襯底內(nèi)的步驟包括以一具有數(shù)個分離圖案的掩模形成所述深阱區(qū)。
21.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述分離圖案的距離與所述深阱區(qū)間的距離成正比，并決定所述襯底與所述深阱的擊穿電壓。
22.如權(quán)利要求20所述的方法，其特征在于，所述深阱區(qū)間的距離大于0um并小于20um。
23.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，還包括形成一氧化層于具有所述半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的所述襯底上；以及形成一導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)于所述氧化層上。
24.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，還包括于所述深阱區(qū)其中的一內(nèi)形成一具有與所述深阱相同離子摻雜型態(tài)的重離子摻雜區(qū)域，所述重離子摻雜區(qū)域用以連接至所述導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)的一最高電位端。
25.如權(quán)利要求23所述的方法，其特征在于，還包括形成一第一介電層于所述氧化層上，其中所述形成一導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)的步驟包括形成一第一金屬層于所述第一介電層上，所述第一金屬層具有一對應(yīng)于所述第一凹結(jié)構(gòu)的第二凹結(jié)構(gòu)；形成一第二介電層于所述第一金屬層上；以及形成數(shù)個第二金屬層于所述第二介電層上，每一所述第二金屬層具有一對應(yīng)于所述第二凹結(jié)構(gòu)的第三凹結(jié)構(gòu)。
26.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述形成一半導(dǎo)體區(qū)域的步驟還包括在每一所述深阱區(qū)內(nèi)形成至少一具有與所述深阱互補(bǔ)的離子摻雜型態(tài)的第一阱；以及形成一包圍所述半導(dǎo)體區(qū)域及所述深阱的第二阱。
27.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，在每一所述深阱區(qū)內(nèi)形成所述至少一具有與所述深阱互補(bǔ)的離子摻雜型態(tài)的第一阱的步驟包括于溫度范圍在900℃～1100℃之間進(jìn)行2～6小時的一熱驅(qū)動工藝中形成所述第一阱。
28.如權(quán)利要求26所述的方法，其特征在于，所述第一阱及所述第二阱的摻雜濃度位于3.3E17cm-3到1E19cm-3之間。
29.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述襯底是為一P型襯底且所述深阱是為一N型深阱。
30.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述第一凹結(jié)構(gòu)是為一L型角結(jié)構(gòu)。
31.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，所述深阱的摻雜濃度位于1.7E17cm-3到8.3E18cm-3之間。
32.如權(quán)利要求18所述的方法，其特征在于，形成所述深阱于所述襯底內(nèi)的步驟包括于溫度范圍在1000℃～1200℃之間進(jìn)行6～12小時的一熱驅(qū)動工藝中形成所述深阱。
全文摘要
本發(fā)明公開一種包括離子摻雜結(jié)的高壓側(cè)驅(qū)動器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)。離子摻雜結(jié)包括一襯底及一深阱。深阱形成于襯底內(nèi)并具有一第一凹結(jié)構(gòu)。離子摻雜結(jié)包括一連接至該深阱的第一凹結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體區(qū)域，該半導(dǎo)體區(qū)域并具有與該襯底實質(zhì)上相同的離子摻雜濃度。借此得以增加鄰近電容結(jié)構(gòu)凹區(qū)域的高壓結(jié)的擊穿電壓。因此，得以降低芯片面積及制造高壓側(cè)驅(qū)動器的成本。
文檔編號H01L21/70GK1945833SQ20061015986
公開日2007年4月11日 申請日期2006年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2006年10月30日
發(fā)明者蔣秋志, 黃志豐 申請人:崇貿(mào)科技股份有限公司