技術(shù)編號(hào)：7214089
提示：您尚未登錄，請(qǐng)點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請(qǐng)點(diǎn) 注 冊(cè) ，登陸完成后，請(qǐng)刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體，特別涉及一種。背景技術(shù) 對(duì)高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器而言，基本上，在高壓結(jié)(HV junction)上覆蓋過大的導(dǎo)電材料會(huì)降低高壓結(jié)的擊穿電壓。如圖1A所示，特別是當(dāng)一凹型的導(dǎo)電電容結(jié)構(gòu)113直接設(shè)置于高壓結(jié)101的N型深阱(NWD)111上時(shí)，靠近凹型(或角落)區(qū)的高壓結(jié)101的P型阱區(qū)(PW)S的擊穿電壓(breakdown voltage)會(huì)大幅降低。請(qǐng)參照?qǐng)D1B，其示出傳統(tǒng)電源供應(yīng)IC內(nèi)的一種高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)器的半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的局部剖面圖。高壓側(cè)驅(qū)動(dòng)...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。