專利名稱：高光電轉換率,多層超薄膜p-n節(jié)太陽能電池工藝的制作方法
技術領域：
本項發(fā)明屬新的太陽能電池結構和工藝。
(二)
背景技術：
本項發(fā)明用濺射(PVD sputtering)方法在拋光的不銹鋼薄片上形成P-型半導體薄 膜，然后再在其上又用濺射方法形成N-型半導體薄膜，從而形成超薄膜P-N節(jié)太陽能電 池的基本結構。
(三)

發(fā)明內容
發(fā)明內容分工藝和結構兩部分
A) 高光電轉換率，多層超薄膜P-N節(jié)太陽能電池工藝說明書
第l步分別用P-型半導體(SiB， GeB)， N-型半導體(SiP， GeP)和導電玻璃(ITO)做濺 射(PVD)靶材3個。
第2步用濺射(PVD)方法在拋光的不銹鋼薄片上形成P-型半導體薄膜，然后再在其 上又用濺射方法形成N-型半導體薄膜，從而形成超薄膜P-N節(jié)。其厚度在幾個原子層左右。 第3步在超薄膜P-N節(jié)上用濺射方法形成一層導電玻璃薄膜，然后再用第2步中所描 述的方法形成第2層超薄膜P-N節(jié)。
第4步重復用第2， 3步中所描述的方法形成多層超薄膜P-N節(jié)。超薄膜P-N節(jié)層數(shù)取 決于光的穿透能力和半導體薄膜，導電玻璃薄膜的總厚度。光電轉換效率可以高達50%。
B) 高光電轉換率，多層超薄膜P-N節(jié)太陽能電池結構說明書
附圖1是工藝說明中第2步后所形成的單層超薄膜P-N節(jié)。
附圖2是工藝說明中第3步后所形成的雙層超薄膜P-N節(jié)，多層超薄膜P-N節(jié)與此類似。
(四)


參見"高光電轉換率，多層超薄膜P"N節(jié)太陽能電池結構"
(五) 具體實施方試
a) 購買濺射(PVD Sputtering)設備。
b) 購買濺射(PVD)靶材，SiB, GeB， SiP, GeP, ITO,
c) 參照高光電轉換率,多層超薄膜P-N節(jié)太陽能電池工藝說明書制造多層超薄膜P-N節(jié)。
權利要求
1. P-型半導體和N-型半導體做濺射靶材。
2. 用濺射方法在不銹鋼膜片上形成P-型半導體薄膜，然后再在 其上又用濺射方法形成N-型半導體薄膜，從而形成超薄膜P-N節(jié)。
3. 在超薄膜P-N節(jié)上用濺射方法形成一層導電玻璃(ITO),然后 再用第2條中所描述的方法形成第2層超薄膜P-N節(jié)。
4. 重復用第2， 3條中所描述的方法形成多層超薄膜P-N節(jié)從而達高光電轉換效率。
全文摘要
本項發(fā)明屬于新的太陽能電池結構和工藝。本項發(fā)明使用濺射(PVD)方法在不銹鋼薄片上形成多層超薄膜P-N節(jié)。太陽能電池光電轉換效率可以高達50％。
文檔編號H01L31/06GK101207166SQ20061015767
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月19日 優(yōu)先權日2006年12月19日
發(fā)明者康優(yōu)梅, 王在昕 申請人:康優(yōu)梅;王在昕