專利名稱：：頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及一種有機(jī)發(fā)光二極管(OrganicLightEmittingDiodes,OLED)及其制造方法，特別涉及一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法。
背景技術(shù)：
：有機(jī)發(fā)光二極管是一種高效的光電子轉(zhuǎn)換裝置，因具有自發(fā)光、廣視角、高應(yīng)答速度、可撓曲及高亮度等優(yōu)點(diǎn)而越來越受到業(yè)界觀注。有機(jī)發(fā)光二極管依據(jù)出光角度不同可分為底部發(fā)光型(BottomEmittingType)有機(jī)發(fā)光二極管與頂部發(fā)光型(TopEmittingType)有機(jī)發(fā)光二極管。請(qǐng)參閱圖1,是一種現(xiàn)有技術(shù)頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管10包括一透明絕緣基板100、一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)120及一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140。該透明絕緣基板IOO定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)101與一有機(jī)發(fā)光區(qū)102。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)120與該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140分別設(shè)置在該透明絕緣基板100的薄膜晶體管區(qū)101與有機(jī)發(fā)光區(qū)102上。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)120包括一摻雜半導(dǎo)體層121、一第一絕緣層122、一柵極123、一第二絕緣層124、三連接孔151、153、155、一源極125、一漏極126及一鈍化層127。該摻雜半導(dǎo)體層121為一島狀結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在該透明絕緣基板100的薄膜晶體管區(qū)101上。該第一絕緣層122覆蓋具有該摻雜半導(dǎo)體層121的透明絕緣基板100。該柵極123形成在該摻雜半導(dǎo)體層121對(duì)應(yīng)的第一絕緣層122表面。該第二絕緣層124覆蓋該柵極123與該第一絕緣層122表面。該第一連接孔151與該第二連接孑L153貫穿該第一絕緣層122與該第二絕緣層124,并在兩連接孔151、153處暴露出部分摻雜半導(dǎo)體層121。該源極125與漏極126填充兩連接孔151、153，從而實(shí)現(xiàn)與該摻雜半導(dǎo)體層121的電連接，并與該第二絕緣層124部分交疊,，該鈍化層127覆蓋該源極125、該漏極126及該第二絕緣層124，其上表面為一平坦平面，具有一貫穿該鈍化層127的第三連接孔155，該第三連接孔155暴露出該漏極126。該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140包括一陰極隔離體(Inter-insulator)141、一透明陽(yáng)極142、一金屬反射層143及自下而上依次層疊設(shè)置在該有機(jī)發(fā)光區(qū)102所對(duì)應(yīng)鈍化層127表面的一電洞注入層(HoleInjectionLayer,HIL)144、一有才幾發(fā)光層(OrganicEmissionLayer)145、一電子注入層(ElectronTransferLayer,ETL)146、一陰極(Cathode)147及一透明電極層148。該透明陽(yáng)極142覆蓋該鈍化層127,并經(jīng)由該第三連接孔155與該漏極126電連接。該金屬反射層143為利用'踐鍍法形成在該透明陽(yáng)極142表面的具有高反射率的金屬薄膜,，該陰極147為一利用濺鍍法形成在電子注入層146表面的具有一定透明度的金屬薄膜，其厚度小于lO納米(nm),材料通常為銀(Argentum)或鋁(Aluminium)。該透明陽(yáng)才及142及該透明電極層148的材津牛可為氧化銦錫(IndiumTinOxide,ITO)或氧化銦鋅(IndiumZincOxide,IZO)。該陰才及隔離體141近似呈一"T"形，其豎直部分填充沉積有該透明陽(yáng)極142的第三連接孔155,水平部分為部分覆蓋該透明陽(yáng)極142的梯形結(jié)構(gòu)，其厚度大致等于設(shè)置在該有機(jī)發(fā)光區(qū)102上的該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)140的各層厚度之和。當(dāng)該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管10外加一電壓后，該電洞注入層144與該電子注入層146分別輸出電洞與電子至該有機(jī)發(fā)光層145形成電洞-電子對(duì)再結(jié)合，電洞-電子再結(jié)合過程所釋放出能量將有機(jī)發(fā)光層145分子中電子電激激發(fā)，從而釋-改出光能，部分光能以光形式i文出。其中，部分光直4妄經(jīng)由該電子注入層146、陰極147及該透明電極層148出射，另一部分光經(jīng)由該金屬反射層143反射后出射。然而，為使該有機(jī)發(fā)光層145受電激激發(fā)而產(chǎn)生的光自頂部'出射，從而形成頂部發(fā)光型結(jié)構(gòu)，該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管10的陰極147必須是一厚度極薄的金屬薄膜，從而呈現(xiàn)半透明狀。但是，由于半透明狀的陰極147的透光效率較低，影響整個(gè)頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管IO的亮度。另外，該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管IO的頂部發(fā)光效果還需利用濺鍍法在該透明陽(yáng)極142上形成一金屬反射層143,該透明陽(yáng)極142還需利用一第三連接孔155實(shí)現(xiàn)與該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)120的漏極126電連接，該金屬反射層143與第三連接孔155分別需要一道制造工藝制成。同時(shí)，該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管10的鈍化層127與陰極隔離體141為兩獨(dú)立結(jié)構(gòu)，該鈍化層127與該陰極隔離體141需分別經(jīng)由二道制造工藝制成。因此，該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管10的結(jié)構(gòu)較復(fù)雜，制造步驟也較繁瑣。
發(fā)明內(nèi)容為了解決現(xiàn)有技術(shù)中頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的亮度較低且制造步驟較繁瑣的問題，有必要提供一種亮度較高且制造步驟簡(jiǎn)單的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管。為了解決現(xiàn)有技術(shù)中頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的亮度較低且制造步驟較繁瑣的問題，也有必要提供一種亮度較高且制造步驟簡(jiǎn)單的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管制造方法。一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其包括一透明絕緣基板、一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)。該透明絕緣基板上定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)與一有機(jī)發(fā)光區(qū)。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括一摻雜半導(dǎo)體層、一源極及一漏極。該摻雜半導(dǎo)體層位于該薄膜晶體管區(qū)。該源極與該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)的漏極部分與該摻雜半導(dǎo)體層電連接，且該有機(jī)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)的漏極部分作為該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的陰極反射層。該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)的源極與漏極。該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)設(shè)置在該有機(jī)發(fā)光區(qū)，其包括一透明陽(yáng)極與依次層疊設(shè)置在該陰極反射層表面的一電子注入層、一有機(jī)發(fā)光層及一電洞注入層，該透明陽(yáng)極覆蓋該電洞注入層與該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其包括以下步驟步驟一，提供一透明絕緣基板，其上定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)與一有機(jī)發(fā)光區(qū)；步驟二，依次形成一摻雜半導(dǎo)體層、一第一絕緣層、一柵極、一第二絕緣層及兩連接孔在該透明絕緣基板表面；步驟三，利用一道掩膜刻蝕制造工藝形成一源極與一漏極，該源極與漏極分別填充兩連接孔，且該漏極覆蓋該有機(jī)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)的第二絕緣層表面，從而形成該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的陰極反射層；步驟四，形成一覆蓋該源極、漏極及第二絕緣層的鈍化層，從而構(gòu)成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；步驟五，依次形成一電子注入層、一有機(jī)發(fā)光層及一電洞注入層在該陰極反射層表面，并在該電洞注入層與該鈍化層表面形成一透明P日極。與現(xiàn)有技術(shù)相比，由于該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管將原<table>tableseeoriginaldocumentpage7</column></row><table>漏極的連接孔的制造步驟。同時(shí)，由于其陰極反射層是由對(duì)應(yīng)該有機(jī)發(fā)光區(qū)的漏極構(gòu)成的，相應(yīng)地，在制造過程中，也節(jié)省實(shí)現(xiàn)陰極反射層的制造步驟。因此，該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，制造方法也較簡(jiǎn)單。另，由于該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的電子注入層設(shè)置在該有機(jī)發(fā)光層與透明陽(yáng)極下方，且該有機(jī)發(fā)光層為有機(jī)材料，其不易使因元件封裝缺陷而造成的水氣滲入而氧化該電子注入層，從而有效保護(hù)該電子注入層，提高元件封裝的可靠度。圖1是一種現(xiàn)有技術(shù)頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的剖視圖。圖2是本發(fā)明頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管一較佳實(shí)施方式的電路結(jié)構(gòu)示意圖。圖3至圖10，是圖2所示頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的各制造步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。具體實(shí)施例方式請(qǐng)參閱圖2，是本發(fā)明頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管一較佳實(shí)施方式的電路結(jié)構(gòu)示意圖。該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20包括相互平行的多條掃描線21及與該掃描線21垂直絕緣相交的多條數(shù)據(jù)線22。該掃描線21與數(shù)據(jù)線22相交叉定義多個(gè)像素單元24。每個(gè)像素單元24包括一第一薄膜晶體管241、一第二薄膜晶體管242、一存儲(chǔ)電容243及一有機(jī)發(fā)光單元244。該第一薄膜晶體管241控制該第二薄膜晶體管242的導(dǎo)通與關(guān)斷，該第二薄膜晶體管242控制該有機(jī)發(fā)光單元244是否受激發(fā)而發(fā)光。該存儲(chǔ)電容243用來暫存該有機(jī)發(fā)光單元244所需的激發(fā)電能，以便該有機(jī)發(fā)光單元244完成一個(gè)完整的工作周期。該第一薄膜晶體管241包括一柵極250、一源極251及一漏極252，該第二薄膜晶體管242也包括一柵極260、一源極261及一漏極262。該有機(jī)發(fā)光單元244包括一陰極2441與一陽(yáng)極2442。該第一薄膜晶體管241的柵極250連接至該掃描線21,其源極251連接至該數(shù)據(jù)線22,其漏極252連接至該第二薄膜晶體管242的柵極260。該第二薄膜晶體管242的源極261接地，其漏極262與該有機(jī)發(fā)光單元244的陰極2441相連。該有機(jī)發(fā)光單元244的P日極2442與一外加電源Vdd相連。該存儲(chǔ)電容243連接在該第二薄膜晶體管242的柵極260與地之間。請(qǐng)參閱圖3至圖10，是圖2所示該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的各制造步驟的結(jié)構(gòu)示意圖。該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的制造步驟包括步驟Sl，提供一透明絕緣基板200,其可為石英、玻璃等透明絕緣材料。該透明絕緣基板200包括連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)201與一有才幾發(fā)光區(qū)202。步驟S2，沉積一多晶硅材料層在該透明絕緣基板200表面，圖案化該多晶硅材料層使其形成一活性層，再對(duì)該活性層進(jìn)行摻雜，從而在對(duì)應(yīng)該薄膜晶體管區(qū)201的透明絕緣基板200表面形成如圖3所示的島狀摻雜半導(dǎo)體層310。步驟S3，如圖4所示，沉積一第一絕緣層311在具有該摻雜半導(dǎo)體層310的透明絕緣基板200表面。該第一絕緣層311是利用化學(xué)氣相沉積(ChemicalVaporDeposition,CVD)方法形成的一非晶氮化硅(SiNx)或氧化硅(Si02)結(jié)構(gòu)。步驟S4，依次沉積一柵極金屬層在該第一絕緣層311表面，并圖案化該柵極金屬層，從而在該摻雜半導(dǎo)體層310對(duì)應(yīng)處形成如圖5所示的柵極312。步驟S5，如圖6所示，沉積一第二絕緣層313在該第一絕緣層311與柵極312上。該第二絕緣層313的材料也為非晶氮化硅或氧化硅。步驟S6,圖案化該第二絕緣層313，從而在該摻雜半導(dǎo)體層310的兩端部分別形成如圖7所示的貫穿該第一絕緣層311及第二絕緣層313的兩連接孔314、315,并暴露出該摻雜半導(dǎo)體層310的二端部。步驟S7，連續(xù)沉積一源/漏極材料層及一光致抗蝕劑層(圖未示)在具有該第二絕緣層313的透明絕緣基板200表面，該源/漏極材料層的材料為具有良好導(dǎo)電性能及高反射率的鋁或銀。利用一第一掩膜曝光該光致抗蝕劑層，并顯影曝光后的光致抗蝕劑層，再以剩余光致抗蝕劑層為遮掩刻蝕該源/漏極材料層，/人而在兩連4妄孑L314、315處形成如圖8所示的源才及316與漏極317。該源極316與漏極317分別填充該兩連接孔314、315,從而與該摻雜半導(dǎo)體層310電連接。該漏極317覆蓋該有機(jī)發(fā)光區(qū)202對(duì)應(yīng)的第二絕緣層313,其對(duì)應(yīng)該有機(jī)發(fā)光區(qū)202部分作為該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的陰極反射層320?？涛g方法采用濕刻蝕法，刻蝕液為強(qiáng)酸性溶液，可為鋁酸、硝酸與醋酸的混合液。步驟S8,涂布一鈍化材料層在該源極3:16、該漏極317及該第二絕緣層313表面上，該鈍化材料層為具有高感光特性的有才幾感光層。涂布方式可采用旋涂法(SpinCoating)或噴涂法(SpayingCoating),經(jīng)涂布后的4屯4b材沖+層的上表面平坦分布。利用一第二掩膜曝光該鈍化材料層，并顯影曝光后的鈍化材料層，使其形成如圖9所示的平坦分布在該薄膜晶體管區(qū)201上的鈍化層，并在該有機(jī)發(fā)光區(qū)202處暴露出兼作該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20陰極反射層320的部分漏極317。該鈍化層也作為該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的陰極隔離體318。經(jīng)由步驟Sl至步驟S8，即在薄膜晶體管區(qū)201形成該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的薄膜晶體管結(jié)構(gòu)210，再該有機(jī)發(fā)光區(qū)302形成該頂部發(fā)光型有機(jī)電極發(fā)光顯示器20的陰極反射層320。步驟S9，利用掩膜刻蝕制造工藝在該有機(jī)發(fā)光區(qū)202對(duì)應(yīng)的漏極317,即該陰極反射層320表面，自下而上依次形成一電子注入層321、一有機(jī)發(fā)光層322及一電洞注入層323，并在該電洞注入層323與陰極隔離體318表面涂布一透明陽(yáng)極324，從而形成如圖10所示的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20。該電子注入層321、有機(jī)發(fā)光層322及該電洞注入層323的厚度之和基本等于該陰極隔離體318的厚度。該電子注入層321的材料通常為具有低功函數(shù)(LowWorkFunction)的堿金屬或堿土金屬，如氟化鋰(LiF)、4丐(Calcium,Ca)、4美(Magnesium,Mg)等。該有機(jī)發(fā)光層322的材料為高分子電致化合物或者小分子化合物，當(dāng)其材料為高分子電致發(fā)光化合物，如聚對(duì)苯撐乙烯(Para-phenylenevinylene，PPV)時(shí)，通常采用旋涂法或噴涂法實(shí)現(xiàn)成膜；而當(dāng)其為小分子化合物，如雙胺化合物(Diamine)時(shí)，通常采用真空蒸鍍(VacuumVaporDeposition)法實(shí)現(xiàn)成膜。該電洞注入層323的材料可為銅酞菁(CopperPhthalocyanine，CuPc)，其用來保護(hù)該有機(jī)發(fā)光層322，并降低該透明陽(yáng)極324與該有機(jī)發(fā)光層322間產(chǎn)生的界面障礙(InterfaceBarrier)。該透明陽(yáng)極324的材料為氧化銦鋅或氧化銦錫。請(qǐng)參閱圖10，該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20包括該透明絕緣基板200、該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)210及該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)220。該透明絕緣基板200表面界定該薄膜晶體管區(qū)201與該有機(jī)發(fā)光區(qū)202。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)210包括該柵極312、該摻雜半導(dǎo)體層310、該第一絕緣層311、該第二絕緣層313、該源極316、該漏極317、該兩連接孔314，315及該鈍化層。該摻雜半導(dǎo)體層310為一島狀結(jié)構(gòu)，其設(shè)置在該薄膜晶體管區(qū)201對(duì)應(yīng)的透明絕緣基板200上。該第一絕緣層311覆蓋具有該摻雜半導(dǎo)體層310的透明絕緣基板200。該柵極312形成在該摻雜半導(dǎo)體層310對(duì)應(yīng)的第一絕緣層311表面。該第二絕緣層313覆蓋該柵極312與該第一絕緣層311表面。該兩連接孔314、315貫穿該第一絕緣層311與該第二絕緣層313，并在該兩連接孔314、315處暴露出部分摻雜半導(dǎo)體層310。該源極316與漏極317分別填充該兩連接孔314、315，從而實(shí)現(xiàn)與該摻雜半導(dǎo)體層310的電連接。該漏極317的一部分覆蓋該有機(jī)發(fā)光區(qū)202對(duì)應(yīng)的第二絕緣層313,其作為該頂部發(fā)光型有才幾發(fā)光二才及管20的陰才及反射層320。該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管區(qū)201對(duì)應(yīng)的第二絕緣層313、源極316及漏極317,其上表面為一平坦表面。該鈍化層用來保護(hù)該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)210，其也作為該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的陰極隔離體318。該有4幾發(fā)光結(jié)構(gòu)220包4舌該透明陽(yáng)才及324及自下而上依次層疊設(shè)置在該有機(jī)發(fā)光區(qū)202的該電子注入層321、該有機(jī)發(fā)光層322及該電洞注入層323。該透明陽(yáng)才及324覆蓋該電洞注入層323與該陰極隔離體318，且該電子注入層321、該有機(jī)發(fā)光層322及該電洞注入層323的厚度之和基本等于該陰極隔離體318的厚度。當(dāng)給該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20外加一電壓后，該電洞注入層323與該電子注入層321分別輸出電洞與電子至該有機(jī)發(fā)光層322形成電洞-電子對(duì)再結(jié)合，電洞-電子再結(jié)合過程所釋放出能量將有機(jī)發(fā)光層322分子中電子電激激發(fā)，從而釋放出光能，部分光能以光形式放出。其中，部分光穿過該電洞注入層323與該透明電極324出射，另一部分光經(jīng)該陰極反射層320反射后穿過該電洞注入層323與該透明陽(yáng)極324出射。由于上述頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20,將原本設(shè)置在鄰近該透明絕緣基板一側(cè)的透明陽(yáng)極與鄰近遠(yuǎn)離該透明絕緣基板一側(cè)的陰極調(diào)換位置，使透明陽(yáng)極324設(shè)置在頂部，作為陰極的陰極反射層320設(shè)置在底部，實(shí)現(xiàn)頂部發(fā)光模式。由于透明陽(yáng)極324自身即為透明材料，因此其具有良好的透明度，保證該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的亮度。并且，由于改變了透明陽(yáng)極324與陰極反射層320的位置關(guān)系，也節(jié)省了原本用來連接透聽陽(yáng)極與漏極的第三連接孔的制造步驟。同時(shí)，由于其陰極反射層320由對(duì)應(yīng)該有機(jī)發(fā)光區(qū)202的漏極317構(gòu)成，并且其陰極隔離體318也作為保護(hù)該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)210的鈍化層。相應(yīng)地，在制造過程中，既節(jié)省實(shí)現(xiàn)陰極反射層320的制造步驟，又節(jié)省分別形成鈍化層及陰極隔離體318的制造步驟。因此，該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的結(jié)構(gòu)較簡(jiǎn)單，制造工序也較簡(jiǎn)單。另，由于該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管20的電子注入層321設(shè)置在該有機(jī)發(fā)光層322與該透明陽(yáng)極324下方，且該有機(jī)發(fā)光層322為有機(jī)材料，不易使因元件封裝缺陷而造成的水氣滲入而氧化該電子注入層321，/人而有效<呆護(hù)該電子注入層321,提高元件封裝的可靠度。權(quán)利要求1.一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其包括一透明絕緣基板與設(shè)置在該透明絕緣基板上的一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)與一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)，該透明絕緣基板上定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)與一有機(jī)發(fā)光區(qū)，該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括一摻雜半導(dǎo)體層、一源極及一漏極，該摻雜半導(dǎo)體層設(shè)置在該薄膜晶體管區(qū)，該源極與該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)的漏極部分分別與該摻雜半導(dǎo)體層電連接，該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)的源極與漏極，該有機(jī)發(fā)光區(qū)包括一透明陽(yáng)極、一電子注入層、一有機(jī)發(fā)光層及一電洞注入層，其特征在于該有機(jī)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)的漏極部分作為該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的陰極反射層，該電子注入層、有機(jī)發(fā)光層及該電洞注入層自下而上依次層疊設(shè)置在該陰極反射層表面，該透明陽(yáng)極覆蓋該電洞注入層與該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。2.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一第一絕緣層、一柵極、一第二絕緣層及兩連接孔，該第一絕緣層覆蓋該摻雜半導(dǎo)體層及該透明絕緣基板表面，該柵極位于該摻雜半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)的第一絕緣層表面，該第二絕緣層覆蓋該柵極與該第一絕緣層，該源極與漏極分別利用該兩連接孔與該摻雜半導(dǎo)體層電連接，該兩連接孔貫穿該第一絕緣層與該第二絕緣層，且在兩連接孔處暴露出該摻雜半導(dǎo)體層。3.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括一鈍化層，該鈍化層覆蓋該薄膜晶體管區(qū)對(duì)應(yīng)的源極與漏極，其兼作為該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的陰極隔離體。4.如權(quán)利要求3所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于該鈍化層的材料為具有高感光特性的有機(jī)材料。5.如權(quán)利要求1所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管，其特征在于該源極及漏極為具有高反射率的導(dǎo)電材料。6.—種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于步驟一，提供一透明絕緣基板，其上定義連續(xù)分布的一薄膜晶體管區(qū)與一有機(jī)發(fā)光區(qū)；步驟二，依次形成一摻雜半導(dǎo)體層、一第一絕緣層、一柵極、一第二絕緣層及兩連接孔在該透明絕緣基板表面；步驟三，利用一道掩膜刻蝕制造工藝形成一源極與一漏極，該源極與漏極填充該兩連接孔，且該漏極覆蓋該有機(jī)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)的第二絕緣層表.面，從而形成該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管的陰極反射層；步驟四，形成一覆蓋該源極、漏極及第二絕緣層的鈍化層，從而構(gòu)成一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)；步驟五，依次形成一電子注入層、一有才幾發(fā)光層及一電洞注入層在該陰極反射層表面，并在該電洞注入層與該鈍化層表面形成一透明陽(yáng)極。7.如權(quán)利要求6所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于該摻雜半導(dǎo)體層的制造步驟包括沉積一多晶硅材料層在該透明絕緣基板表面，圖案化該多晶硅材料層使該其形成一活性層，對(duì)該活性層進(jìn)行摻雜，從而在對(duì)應(yīng)該薄膜晶體管區(qū)的透明絕緣基板表面形成該摻雜半導(dǎo)體層。8.如權(quán)利要求6所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于該柵極的制造步驟包括依次沉積一柵極金屬層在該第一絕緣層表面，圖案化該柵極金屬層，從而在該摻雜半導(dǎo)體層對(duì)應(yīng)處形成4冊(cè)極。9.如權(quán)利要求6所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于該鈍化層的材料為高感光特性的有機(jī)材料，其兼作為該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極隔離體。10.如權(quán)利要求9所述的頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管制造方法，其特征在于鈍化層的制造步驟包括涂布一鈍化材料層于具有該源極、漏極及第二絕緣層的透明絕緣基板上，利用一道曝光顯影制造工藝圖案化該鈍化材料層，從而形成該鈍化層。全文摘要本發(fā)明涉及一種頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管及其制造方法。該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管包括具有一薄膜晶體管區(qū)與一有機(jī)發(fā)光區(qū)的基板、一薄膜晶體管結(jié)構(gòu)及一有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)。該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)包括一位于該薄膜晶體管區(qū)的摻雜半導(dǎo)體層、一源極及一漏極。該源極與漏極分別與該摻雜半導(dǎo)體層電連接，且該有機(jī)發(fā)光區(qū)對(duì)應(yīng)的漏極部分作為該有機(jī)發(fā)光二極管的陰極。該有機(jī)發(fā)光結(jié)構(gòu)包括一陽(yáng)極及依次層疊設(shè)置在該陰極表面的電子注入層、有機(jī)發(fā)光層及電洞注入層，該陽(yáng)極覆蓋該電洞注入層與該薄膜晶體管結(jié)構(gòu)。該頂部發(fā)光型有機(jī)發(fā)光二極管亮度較高且其制造方法較簡(jiǎn)單。文檔編號(hào)H01L27/32GK101188246SQ20061015684公開日2008年5月28日申請(qǐng)日期2006年11月15日優(yōu)先權(quán)日2006年11月15日發(fā)明者彭家鵬,黃榮龍申請(qǐng)人:群康科技(深圳)有限公司;群創(chuàng)光電股份有限公司