專利名稱：基板處理裝置及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置及方法，更具體地，涉及利用激光光刻的基板處理裝置及方法。
背景技術(shù)：
在常規(guī)構(gòu)圖方法中，光致抗蝕劑被涂覆在形成有薄膜的基板上，然后利用形成有預(yù)定圖案的掩模在曝光對(duì)準(zhǔn)器設(shè)備中用紫外線輻照。此時(shí)，在正光致抗蝕劑的情況下，用紫外線輻照的部分光致抗蝕劑固化，而在隨后的顯影處理期間借助于顯影液除去光致抗蝕劑的其它部分，使得在薄膜上能形成預(yù)定的光致抗蝕劑圖案。在薄膜上已形成光致抗蝕劑圖案之后，利用蝕刻設(shè)備蝕刻沒(méi)有形成光致抗蝕劑圖案的部分薄膜，以便能在基板上形成所需圖案。然而，隨著在液晶顯示器的情況下基板變得更大，設(shè)備的尺寸極大增加，會(huì)由于諸如空間限制、設(shè)備的不平坦和震動(dòng)等因素而導(dǎo)致圖案均勻性方面的問(wèn)題。此外，由于形成圖案的較長(zhǎng)處理時(shí)間而會(huì)引起生產(chǎn)率降低的問(wèn)題。

發(fā)明內(nèi)容
構(gòu)想出本發(fā)明以解決現(xiàn)有技術(shù)中的上述問(wèn)題。因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種利用可替代光學(xué)光刻單元和蝕刻單元的激光光刻單元的基板處理裝置和方法，以確保圖案的三維均勻性，同時(shí)精確地形成和控制大基板上的圖案，并通過(guò)減少總的基板處理時(shí)間來(lái)節(jié)省制造成本。
根據(jù)本發(fā)明實(shí)現(xiàn)所述目的的一方面，提供一種基板處理裝置，包括用于在基板上形成薄膜的膜形成單元，以及用于在所述薄膜上形成預(yù)定圖案的激光光刻單元。
此時(shí)，所述基板處理裝置還可包括用于置入和取出基板的主運(yùn)載單元，該主運(yùn)載單元可包括主運(yùn)載工具。此外，該主運(yùn)載工具可以安裝為在該主運(yùn)載單元中可動(dòng)。
該基板處理裝置還可包括在所述膜形成單元和激光光刻單元之前、之后和/或之間設(shè)置在一個(gè)或多個(gè)位置的清潔單元。在這樣的情況下，可以在該基板處理裝置內(nèi)以單行布置所述膜形成單元、激光光刻單元和清潔單元。供選地，可以在該基板處理裝置內(nèi)以兩行布置所述膜形成單元、激光光刻單元和清潔單元。同時(shí)，可以在該基板處理裝置內(nèi)以多層(story)形式布置所述膜形成單元、激光光刻單元和清潔單元。在這樣的情況下，所述膜形成單元和激光光刻單元優(yōu)選設(shè)置在清潔單元之下。
此處，該基板處理裝置還可包括用于連接所述膜形成單元、激光光刻單元和清潔單元的一個(gè)或多個(gè)輔助運(yùn)載單元，其中每個(gè)輔助運(yùn)載單元包括輔助運(yùn)載工具。
該基板處理裝置還可包括在該基板處理裝置的兩行之間設(shè)置的輔助運(yùn)載單元。該輔助運(yùn)載單元可包括安裝為在輔助運(yùn)載單元中可動(dòng)的輔助運(yùn)載工具。該輔助運(yùn)載單元可包括在該輔助運(yùn)載單元內(nèi)設(shè)置的一個(gè)或更多輔助運(yùn)載工具、以及在該輔助運(yùn)載工具之間設(shè)置的至少一個(gè)緩沖器。所述薄膜可以是選自包括柵極層、有源層、源極層、漏極層、無(wú)機(jī)鈍化層和公共電極層的組的任一種。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供一種基板處理裝置，包括用于在基板上涂覆薄膜的涂覆單元，以及用于在所述薄膜上形成預(yù)定圖案的激光光刻單元。
此處，該基板處理裝置還可包括用于置入和取出所述基板的主運(yùn)載單元，其中該主運(yùn)載單元包括主運(yùn)載工具。此外，該主運(yùn)載工具可以安裝為以該主運(yùn)載單元中可動(dòng)。
該基板處理裝置還可包括在該涂覆單元和激光光刻單元之間設(shè)置的干燥和固化單元。該干燥和固化單元可以沿垂直方向以兩層形式配置或分成干燥單元和固化單元。
該基板處理裝置還可包括在該涂覆單元、干燥和固化單元以及激光光刻單元之前、之后和/或之間設(shè)置于一個(gè)或多個(gè)位置處的清潔單元。此處，可以在該基板處理裝置中以單行布置該涂覆單元、激光光刻單元、干燥和固化單元以及清潔單元。供選地，可以在該基板處理裝置中以兩行布置該涂覆單元、激光光刻單元、干燥和固化單元以及清潔單元。同時(shí)，可以在該基板處理裝置中以多層形式布置該涂覆單元、激光光刻單元、干燥和固化單元以及清潔單元，并且該涂覆單元和激光光刻單元設(shè)置于該干燥和固化單元以及清潔單元下面。
該基板處理裝置還可包括用于連接該涂覆單元、激光光刻單元、干燥和固化單元、以及清潔單元的一個(gè)或更多輔助運(yùn)載單元，其中每個(gè)輔助運(yùn)載單元包括輔助運(yùn)載工具。
該基板處理裝置還可包括設(shè)置在該基板處理裝置的兩行之間的輔助運(yùn)載單元。此外，該輔助運(yùn)載單元可包括安裝為在該輔助運(yùn)載單元中可動(dòng)的輔助運(yùn)載工具。此外，該輔助運(yùn)載單元可包括設(shè)置在該輔助運(yùn)載單元內(nèi)的一個(gè)或更多輔助運(yùn)載工具，以及布置在該輔助運(yùn)載工具之間的至少一個(gè)緩沖器。優(yōu)選地，所述薄膜包括選自含有有機(jī)黑矩陣(black matrix)膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的組的任一種。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供一種基板處理方法，包括如下步驟提供基板；在該基板上形成薄膜；以及在相同裝置中利用激光構(gòu)圖該薄膜。
此處，該基板處理方法還可包括如下步驟在該薄膜形成步驟和該構(gòu)圖步驟之前、之后和/或之間的任意時(shí)間清潔形成在該基板上的薄膜。該基板處理方法還可包括在該薄膜形成步驟之后干燥和固化該薄膜的步驟。
此處，該薄膜可以包括選自含有柵極層、有源層、源極層、漏極層、無(wú)機(jī)鈍化層和公共電極層的組的任一種。供選地，供薄膜可包括選自含有有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的組的任一種。


通過(guò)結(jié)合附圖所給出的優(yōu)選實(shí)施例的下列描述，本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得清楚明了，其中圖1是示意性示出根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的激光光刻單元的視圖；圖2是示意性示出圖1的頭的透視圖；圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖；圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖；圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的示意圖；圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖；圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的示意圖；圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖；圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的示意圖；
圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖；圖11是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖；以及圖12是顯示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參考附圖更加詳細(xì)地說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明不限于此處所列出的其優(yōu)選實(shí)施例，而可以按不同的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)。當(dāng)然，僅提供優(yōu)選實(shí)施例，以使此處能完整地說(shuō)明本發(fā)明并充分地把本發(fā)明的范圍表達(dá)給本領(lǐng)域技術(shù)人員。在圖中，相似的附圖標(biāo)記表示相似的元件。
在說(shuō)明本發(fā)明的基板處理裝置之前，首先說(shuō)明能替代光學(xué)光刻單元和蝕刻單元的激光光刻單元。
圖1是顯示根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置的激光光刻單元的示意圖。
參看圖1，激光光刻單元包括面板(Surface plate)10、頭30和支架50。
待處理的基板20放置于面板10上。
頭30輻照激光束31到放置于面板10上的基板20上。借助于激光束31，形成在基板20上的絕緣膜形成預(yù)定圖案21?；宓慕^緣膜包括保護(hù)絕緣膜或有機(jī)絕緣膜。圖案21制造為具有預(yù)定深度和寬度的孔的形式。
激光束31是UV受激準(zhǔn)分子激光束，其在多光子吸收過(guò)程(multiphotonabsorption process)中構(gòu)圖基板的絕緣膜。UV受激準(zhǔn)分子激光束具有約193nm(ArF)至351nm(XeF)的波長(zhǎng)并且有利于形成具有至少2μm尺寸的圖案。UV受激準(zhǔn)分子激光束的最大功率為約300W且其重復(fù)率為約50至200Hz。這樣，其有利于構(gòu)圖聚合物或薄無(wú)機(jī)膜。下文中，UV受激準(zhǔn)分子激光束將被稱為“激光束”。
盡管圖1未示出，但是可以設(shè)置多個(gè)頭30。在設(shè)置多個(gè)頭30的情況下，能夠縮短基板制造工藝。
支架50承載或移動(dòng)頭30到所需位置。頭30固定到支架50并被載運(yùn)到形成預(yù)定圖案21的位置。優(yōu)選地，隨著支架50移動(dòng)，頭30能容易地蝕刻形成在基板上的絕緣膜從而形成所需圖案。
圖2是顯示圖1的頭的示意性透視圖。
參考圖1和2，頭30包括光源32、掩模33和投影透鏡35。
光源32產(chǎn)生激光束并聚焦所產(chǎn)生的激光束從而輻照更高能級(jí)的激光束。
掩模33具有以預(yù)定形狀打孔的開口圖案33a，從光源32輻照的激光束形成為與開口圖案33a對(duì)應(yīng)的形狀。
投影透鏡35將與掩模33的開口圖案33a對(duì)應(yīng)地形成的激光束傳送到待處理的基板上。
下文中，將說(shuō)明利用激光光刻單元形成圖案的方法。
參考圖1和2，利用從包括帶開口圖案33a的掩模33的頭30輻照的激光束形成圖案。基板20放置于面板10上，頭30移動(dòng)到所需位置。利用從頭30輻照的激光束構(gòu)圖基板20的絕緣膜。在此情況下，在基板20中形成具有孔形狀的圖案21。如上所述地形成的孔圖案21可容易地用來(lái)形成電連接基板上的開關(guān)元件(例如薄膜晶體管(TFT))和像素電極的接觸孔。
盡管在本實(shí)施例中用帶開口圖案33a的掩模33的例子示例了本發(fā)明，但本發(fā)明不限于此。也就是說(shuō)，可以利用按各種形狀構(gòu)圖的掩模在基板上形成各種圖案。
<實(shí)施例1>
圖3是顯示根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
參看圖3，基板處理裝置100包括多個(gè)進(jìn)出口(port)115，容納多個(gè)基板的盒子通過(guò)其進(jìn)出；第一運(yùn)載單元120，其用作主運(yùn)載單元，用于運(yùn)送在進(jìn)出口115中移動(dòng)的盒子內(nèi)的基板；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元120一側(cè)在一末端的膜形成單元130、第二運(yùn)載單元140和第一清潔單元150；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元120的所述側(cè)在另一末端的第二清潔單元190、第四運(yùn)載單元180和激光光刻單元170；以及設(shè)置在第一清潔單元150和激光光刻單元170之間的第三運(yùn)載單元160。即，處理單元在基板處理裝置100內(nèi)成兩行布置，并且第三運(yùn)載單元160設(shè)置在分別設(shè)置于所述兩行的末端的第一清潔單元150和激光光刻單元170之間。
進(jìn)出口115用于接收其中容納多個(gè)基板的盒子。在本發(fā)明的基板處理裝置100中可以設(shè)置多個(gè)進(jìn)出口，優(yōu)選2至6個(gè)進(jìn)出口。
第一運(yùn)載單元120包括第一運(yùn)載工具121，其拾取在進(jìn)出口115中接收的盒子的基板從而將基板運(yùn)送進(jìn)膜形成單元130，并且還從第二清潔單元190拾取清潔過(guò)的基板從而將清潔過(guò)的基板運(yùn)送到進(jìn)出口115中。第一運(yùn)載工具121包括可動(dòng)地安裝在第一運(yùn)載單元120中的運(yùn)載機(jī)器人。在本實(shí)施例中所示例的第一運(yùn)載工具121具有單個(gè)的機(jī)械手(robot arm)，但其可以包括兩個(gè)或更多機(jī)械手。第一運(yùn)載工具121配置為水平地、可轉(zhuǎn)動(dòng)地以及垂直地可動(dòng)，使得能隨意地放入或取出基板。這里，運(yùn)載工具可包括除上述機(jī)械手以外的各種運(yùn)載工具。例如，在本發(fā)明中可以利用傳送裝置。
膜形成單元130用于在基板上形成薄膜且可以執(zhí)行各種工藝、例如化學(xué)氣相淀積(CVD)或物理氣相淀積(PVD)工藝。由根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置的膜形成單元130形成的薄膜的例子包括柵極層、有源層、源極和漏極層、鈍化層(無(wú)機(jī)層)和公共電極層。
第二運(yùn)載單元140用于將在膜形成單元130中已完成其膜形成工藝的基板運(yùn)送到第一清潔單元150。第二運(yùn)載單元140包括第二運(yùn)載工具141，用于與第一運(yùn)載單元120類似地拾取或傳送基板。此外，第二運(yùn)載工具141可包括由單個(gè)機(jī)械臂構(gòu)成的運(yùn)載機(jī)器人。下文中，第三和第四運(yùn)載單元160和180分別包括第三和第四運(yùn)載工具161和181，其與第二運(yùn)載單元140的運(yùn)載工具相同。因此，將省略其說(shuō)明。
第一和第二清潔單元150和190用于在進(jìn)行膜形成工藝和激光光刻工藝之后從基板表面清除污染物。在第一和第二清潔單元150和190中，可以進(jìn)行干式或濕式清潔工藝、優(yōu)選干式清潔工藝。
激光光刻單元170允許通過(guò)使用激光光刻工藝在基板上形成各種圖案，所述激光光刻工藝可以替代現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)光刻工藝和蝕刻工藝，如參照?qǐng)D1和2所描述的那樣。
在下文中，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的基板處理裝置的操作。
如果在進(jìn)出口115中接收了容納多個(gè)基板的盒子110，則移動(dòng)用作第一運(yùn)載單元120的主運(yùn)載工具的第一運(yùn)載工具121，從而拾取進(jìn)出口115中的基板。然后，第一運(yùn)載工具121將所拾取的基板運(yùn)送到膜形成單元130中。在膜形成單元130中，在基板上形成薄膜，包括柵極層、有源層、源極和漏極層、鈍化層(無(wú)機(jī)層)或公共電極層。用第二運(yùn)載工具141將其上形成有薄膜的基板運(yùn)送到第一清潔單元150中，然后在第一清潔單元中清潔所運(yùn)送的基板。用第三運(yùn)載單元160的第三運(yùn)載工具161將清潔過(guò)的基板運(yùn)送到激光光刻單元170中。在激光光刻單元中，利用形成有預(yù)定圖案的掩模通過(guò)激光光刻工藝在基板上形成預(yù)定圖案。然后，用第四運(yùn)載單元180的第四運(yùn)載工具181將其上形成有預(yù)定圖案的基板運(yùn)送到第二清潔單元190中，然后在第二清潔單元中清潔所運(yùn)送的基板。清潔且構(gòu)圖過(guò)的基板借助于第一運(yùn)載工具121被運(yùn)送到進(jìn)出口115中的盒子110內(nèi)，然后從本發(fā)明的基板處理裝置100運(yùn)出。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的襯底處理裝置以這樣的形式配置，即膜形成單元130和激光光刻單元170同時(shí)設(shè)置且在相同器件中激光光刻單元170順序進(jìn)行常規(guī)光學(xué)光刻工藝和蝕刻工藝。因此，減少了總處理時(shí)間且減少了整個(gè)裝置中的占用面積，使得制造成本降低。
<實(shí)施例2>
例1圖4是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
參看圖4，根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基板處理裝置200包括多個(gè)進(jìn)出口215，容納多個(gè)基板的盒子通過(guò)其進(jìn)出；第一運(yùn)載單元220，其用作主運(yùn)載工具，用于運(yùn)送在進(jìn)出口215中移動(dòng)的盒子上的基板；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元220一側(cè)在一末端的膜形成單元230和第一清潔單元250；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元220的所述側(cè)在另一末端的第二清潔單元290和激光光刻單元270；以及設(shè)置于膜形成單元230和第一清潔單元250的組與第二清潔單元290和激光光刻單元270的組之間的第二運(yùn)載單元260。即，基板處理裝置200構(gòu)造為具有兩行處理單元，第二運(yùn)載單元260設(shè)置在膜形成單元230和第一清潔單元250的組與第二清潔單元290和激光光刻單元270的組之間。
在下文中，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的基板處理裝置的操作。
如果在進(jìn)出口215中接收了容納多個(gè)基板的盒子210，則移動(dòng)用作第一運(yùn)載單元220的主運(yùn)載工具的第一運(yùn)載工具221，從而拾取進(jìn)出口215中的基板。然后，第一運(yùn)載工具221將所拾取的基板運(yùn)送到膜形成單元230中。在膜形成單元230中，在基板上形成薄膜，包括柵極層、有源層、源極和漏極層、鈍化層(無(wú)機(jī)層)和公共電極層。借助于第二運(yùn)載單元260的第二運(yùn)載工具261的旋轉(zhuǎn)和直線移動(dòng)將其上形成有薄膜的基板運(yùn)送到第一清潔單元250中，然后在第一清潔單元中清潔該基板。用第二運(yùn)載單元260的第二運(yùn)載工具261將清潔過(guò)的基板運(yùn)送到激光光刻單元270中。在激光光刻單元中，利用形成有預(yù)定圖案的掩模通過(guò)激光光刻工藝在基板上形成預(yù)定圖案。然后，用第二運(yùn)載單元260的第二運(yùn)載工具261將其上形成有預(yù)定圖案的基板運(yùn)送到第二清潔單元290中，然后在第二清潔單元中清潔該基板。清潔和構(gòu)圖過(guò)的基板借助于第一運(yùn)載工具221被運(yùn)送到進(jìn)出口215中的盒子210內(nèi)，然后從本發(fā)明的基板處理裝置200運(yùn)出。
如上所述，該基板處理裝置能完成前述實(shí)施例的全部功能和操作，且能進(jìn)一步減少整個(gè)裝置的占用面積，因?yàn)檫\(yùn)載單元的數(shù)量被減少。
例2圖5是顯示根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的示意圖。
除了在第二運(yùn)載單元360中設(shè)置第二運(yùn)載工具361、第三運(yùn)載工具363、以及設(shè)置于兩個(gè)運(yùn)載工具之間的緩沖器(buffer)362之外，圖5所示的基板處理裝置300與第二實(shí)施例的基板處理裝置相同。
在下文中，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的操作。
如果在進(jìn)出口315中接收了容納多個(gè)基板的盒子310，則移動(dòng)第一運(yùn)載單元320的第一運(yùn)載工具321，從而拾取進(jìn)出口315中的基板。然后，第一運(yùn)載工具321將所拾取的基板運(yùn)送到膜形成單元330中。在膜形成單元330中，在基板上形成薄膜，包括柵極層、有源層、源極和漏極層、鈍化層(無(wú)機(jī)層)和公共電極層。其上形成有薄膜的基板借助于第二運(yùn)載單元360的第二運(yùn)載工具361被運(yùn)送進(jìn)緩沖器362且然后進(jìn)入備用狀態(tài)(standby state)。在緩沖器362中進(jìn)入備用狀態(tài)的基板借助于第三運(yùn)載工具363被運(yùn)送進(jìn)第一清潔單元350，且然后在第一清潔單元中被清潔。用第二運(yùn)載單元360的第三運(yùn)載工具363將清潔過(guò)的基板運(yùn)送進(jìn)激光光刻單元370。在激光光刻單元中，利用形成有預(yù)定圖案的掩模通過(guò)激光光刻工藝在基板上形成預(yù)定圖案。此后，其上形成有預(yù)定圖案的基板借助于第二運(yùn)載單元360的第三運(yùn)載工具363被再次送入緩沖器362，然后用第二運(yùn)載單元360的第二運(yùn)載工具361運(yùn)送進(jìn)第二清潔單元390并在第二清潔單元中被清潔。清潔和構(gòu)圖過(guò)的基板借助于第一運(yùn)載工具321被運(yùn)送進(jìn)位于進(jìn)出口315中的盒子310內(nèi)，然后從本發(fā)明的基板處理裝置300運(yùn)出。
如上所述，本實(shí)施例的基板處理裝置能顯著減少裝置的占用面積。此外，由于在運(yùn)載單元中設(shè)置了緩沖器和多個(gè)運(yùn)載工具，所以在每個(gè)處理單元中處理的基板可以傳送到隨后的處理單元而沒(méi)有任何時(shí)間延遲。因此，能進(jìn)一步提高基板處理速度。
<實(shí)施例3>
例1圖6是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
參看圖6，本實(shí)施例的基板處理裝置400包括多個(gè)進(jìn)出口415，容納多個(gè)基板的盒子通過(guò)其進(jìn)出；第一運(yùn)載單元420，其用作主運(yùn)載工具，用于運(yùn)送在進(jìn)出口415中移動(dòng)的盒子上的基板；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元420一側(cè)在一末端的第一清潔單元430、第二運(yùn)載單元440和涂覆單元450；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元420的所述側(cè)在另一末端的第二清潔單元490、第四運(yùn)載單元480和激光光刻單元470；設(shè)置在涂覆單元450和激光光刻單元470之間的第三運(yùn)載單元460；以及與第三運(yùn)載單元460相鄰地定位的干燥和固化單元465。
優(yōu)選在第一清潔單元430中進(jìn)行濕式清潔工藝，使得從基板表面除去污染物，提高基板表面和稍后在涂覆單元450中涂覆的薄膜之間的表面粘附性。
涂覆單元450通常用于通過(guò)諸如旋涂和無(wú)旋轉(zhuǎn)涂覆的各種涂覆工藝在基板上形成薄膜。在根據(jù)本實(shí)施例的基板處理裝置400的涂覆單元450中形成的薄膜的例子包括有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜。
干燥和固化單元465用于干燥和固化在涂覆單元中所涂覆的有機(jī)薄膜。干燥和固化單元465可以制成在真空環(huán)境下的真空干燥固化單元或可以分成真空干燥區(qū)和固化區(qū)。在本實(shí)施例中，干燥和固化單元465沿垂直方向分成真空干燥區(qū)和固化區(qū)。
在下文中，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的基板處理裝置的操作。
如果在進(jìn)出口415中接收了容納多個(gè)基板的盒子410，則移動(dòng)用作第一運(yùn)載單元420的主運(yùn)載工具的第一運(yùn)載工具421，從而拾取進(jìn)出口415中的基板。然后，第一運(yùn)載工具421將所拾取的基板運(yùn)送進(jìn)第一清潔單元430內(nèi)。在第一清潔單元430中，從基板表面除去污染物，濕式清潔基板表面從而提高基板表面和稍后在涂覆單元450中涂覆的有機(jī)膜之間的表面粘附性。然后，用第二運(yùn)載單元440的第二運(yùn)載工具441將清潔過(guò)的基板運(yùn)送進(jìn)涂覆單元450。在涂覆單元450中，在基板上形成有機(jī)膜，包括有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜。用第三運(yùn)載單元460的第三運(yùn)載工具461將其上形成有有機(jī)膜的基板運(yùn)送進(jìn)干燥和固化單元465。在干燥和固化單元465中，干燥和固化在涂覆單元中所涂覆的有機(jī)膜。借助于第三運(yùn)載單元的第三運(yùn)載工具461將在干燥和固化單元465中固化的基板運(yùn)送進(jìn)激光光刻單元470。在激光光刻單元中，利用形成有預(yù)定圖案的掩模通過(guò)激光光刻工藝在基板上形成預(yù)定圖案。然后，其上形成有預(yù)定圖案的基板借助于第四運(yùn)載單元480的第四運(yùn)載工具481被運(yùn)送進(jìn)第二清潔單元490，且然后在第二清潔單元中被清潔。清潔和構(gòu)圖過(guò)的基板借助于第一運(yùn)載工具421被運(yùn)送進(jìn)位于進(jìn)出口415中的盒子410內(nèi)，然后從本發(fā)明的基板處理裝置400運(yùn)出。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置以這樣的方式配置，即有機(jī)膜涂覆單元和激光光刻單元同時(shí)設(shè)置，且在相同器件中順序進(jìn)行有機(jī)膜涂覆和構(gòu)圖工藝。因此，減少了總處理時(shí)間，并且還減少了整個(gè)裝置的占用面積。
例2圖7是顯示根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的示意圖。
除了用第五和第六運(yùn)載工具561和563取代圖6的第三運(yùn)載工具461之外，圖7所示的基板處理裝置500與第三實(shí)施例的基板處理裝置相同。即，在第一運(yùn)載單元520一側(cè)在末端邊緣處設(shè)置第五運(yùn)載單元560的運(yùn)載工具561，在第一運(yùn)載單元520的所述側(cè)在另一末端邊緣處還設(shè)置了第六運(yùn)載單元562的運(yùn)載工具563。此外，在第五和第六運(yùn)載單元560和562之間設(shè)置干燥和固化單元565。
除了用第五運(yùn)載單元560的第五運(yùn)載工具561將具有在涂覆單元550中形成的有機(jī)膜的基板運(yùn)出涂覆單元550，以及用第六運(yùn)載單元562的第六運(yùn)載工具563將在干燥和固化單元565中固化的基板運(yùn)出干燥和固化單元565之外，根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的修改例的基板處理裝置500的操作與第三實(shí)施例相同。
如上所述，本發(fā)明的基板處理裝置能快速運(yùn)送基板而沒(méi)有任何時(shí)間延遲，同時(shí)在涂覆單元、真空固化單元和激光光刻單元中順序進(jìn)行相關(guān)工藝。
<實(shí)施例4>
例1圖8是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
參看圖8，根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的基板處理裝置600包括多個(gè)進(jìn)出口615，容納多個(gè)基板的盒子通過(guò)其進(jìn)出；第一運(yùn)載單元620，其用作主運(yùn)載工具，用于運(yùn)送在進(jìn)出口615中移動(dòng)的盒子上的基板；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元620一側(cè)在一末端的第一清潔單元630和涂覆單元650；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元620的所述側(cè)在另一末端的第二清潔單元690和激光光刻單元670；設(shè)置在第一清潔單元630和涂覆單元650的組與第二清潔單元690和激光光刻單元670的組之間的第二運(yùn)載單元660；以及與第二運(yùn)載單元660相鄰且與第一運(yùn)載單元620相對(duì)設(shè)置的干燥和固化單元665。
在下文中，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的基板處理裝置的操作。
如果在進(jìn)出口615中接收了容納多個(gè)基板的盒子610，則移動(dòng)用作第一運(yùn)載單元620的主運(yùn)載工具的第一運(yùn)載工具621，從而拾取進(jìn)出口615中的基板。然后，第一運(yùn)載工具621將所拾取的基板運(yùn)送進(jìn)第一清潔單元630內(nèi)。借助于第二運(yùn)載單元660的第二運(yùn)載工具661的旋轉(zhuǎn)和直線移動(dòng)將在第一清潔單元630中清潔過(guò)的基板運(yùn)送進(jìn)涂覆單元650，并在基板上形成有機(jī)膜，包括有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜。用第二運(yùn)載工具661將其上形成有有機(jī)膜的基板運(yùn)送進(jìn)干燥和固化單元665。在干燥和固化單元665中，干燥和固化在涂覆單元中所涂覆的有機(jī)膜。借助于第二運(yùn)載工具661將在干燥和固化單元665中固化的基板運(yùn)送進(jìn)激光光刻單元670。在激光光刻單元670中，利用形成有預(yù)定圖案的掩模通過(guò)激光光刻工藝在基板上形成預(yù)定圖案。然后，其上形成有預(yù)定圖案的基板借助于第二運(yùn)載單元660的第二運(yùn)載工具661被運(yùn)送進(jìn)第二清潔單元690，然后在第二清潔單元中被清潔。清潔和構(gòu)圖過(guò)的基板借助于第一運(yùn)載工具621被運(yùn)送進(jìn)位于進(jìn)出口615中的盒子610內(nèi)，然后從本發(fā)明的基板處理裝置600運(yùn)出。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的基板處理裝置能實(shí)現(xiàn)第三實(shí)施例的所有功能和操作，并由于減少了運(yùn)載單元的數(shù)量而能進(jìn)一步減少整個(gè)裝置的占用面積。
例2圖9是顯示根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的示意圖。
除了在第二運(yùn)載單元760中設(shè)置第二運(yùn)載工具761、第三運(yùn)載工具763、以及設(shè)置于所述運(yùn)載工具之間的緩沖器762之外，圖9所示的基板處理裝置700與第四實(shí)施例的基板處理裝置相同。
下文中，將描述根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的修改例的基板處理裝置的操作。
如果在進(jìn)出口715中接收了容納多個(gè)基板的盒子710，則移動(dòng)第一運(yùn)載單元720的第一運(yùn)載工具721，從而拾取進(jìn)出口715中的基板。然后，第一運(yùn)載工具721將所拾取的基板運(yùn)送進(jìn)第一清潔單元730。在第一清潔單元730中清潔過(guò)的基板借助于第二運(yùn)載單元760的第二運(yùn)載工具761被運(yùn)送進(jìn)緩沖器762且然后進(jìn)入備用狀態(tài)。在緩沖器762內(nèi)進(jìn)入備用狀態(tài)的基板借助于第二運(yùn)載單元760的第三運(yùn)載工具763被運(yùn)送進(jìn)涂覆單元750，然后在涂覆單元中，在基板上形成有機(jī)膜，包括有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜。用第三運(yùn)載工具763將其上形成有有機(jī)膜的基板運(yùn)送進(jìn)干燥和固化單元765。在干燥和固化單元765中，干燥和固化在涂覆單元中所涂覆的有機(jī)膜。借助于第三運(yùn)載工具763將在干燥和固化單元765中固化的基板運(yùn)送進(jìn)激光光刻單元770。在激光光刻單元770中，利用形成有預(yù)定圖案的掩模通過(guò)激光光刻工藝在基板上形成預(yù)定圖案。然后，其上形成有預(yù)定圖案的基板借助于第二運(yùn)載單元760的第三運(yùn)載工具763被運(yùn)送進(jìn)緩沖器762，然后用第二運(yùn)載工具761運(yùn)送進(jìn)第二清潔單元790，從而在第二清潔單元中清潔所運(yùn)送的基板。清潔和構(gòu)圖過(guò)的基板借助于第一運(yùn)載工具721被運(yùn)送進(jìn)位于進(jìn)出口715中的盒子710內(nèi)，然后從本發(fā)明的基板處理裝置700運(yùn)出。
如上所述，該基板處理裝置能減少整個(gè)裝置的占用面積，還能通過(guò)利用緩沖器在沒(méi)有任何時(shí)間延遲的情況下運(yùn)載基板來(lái)提高基板處理速度。
<實(shí)施例5>
圖10是顯示根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
參看圖10，基板處理裝置800包括多個(gè)進(jìn)出口815，容納多個(gè)基板的盒子通過(guò)其進(jìn)出；第一運(yùn)載單元820，其用作主運(yùn)載工具，用于運(yùn)送在進(jìn)出口815中移動(dòng)的盒子上的基板；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元820一側(cè)在一末端的第一清潔單元830、第二運(yùn)載單元840、涂覆單元850、第三運(yùn)載單元860和干燥單元865a；依序設(shè)置在第一運(yùn)載單元820的所述側(cè)在另一末端的第二清潔單元890、第六運(yùn)載單元880、激光光刻單元870、第五運(yùn)載單元868和固化單元865b；設(shè)置在干燥單元865a和固化單元865b之間的第四運(yùn)載單元866。在本實(shí)施例中，與圖6至9所示的實(shí)施例不同，干燥和固化單元分成了兩個(gè)區(qū)，即，干燥單元865a和固化單元865b。
在下文中，將說(shuō)明根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例的基板處理裝置的操作。
如果在進(jìn)出口815中接收了容納多個(gè)基板的盒子810，則移動(dòng)用作第一運(yùn)載單元820的主運(yùn)載工具的第一運(yùn)載工具821，從而拾取進(jìn)出口815中的基板。然后，第一運(yùn)載工具821將所拾取的基板運(yùn)送進(jìn)第一清潔單元830。借助于第二運(yùn)載單元840的第二運(yùn)載工具841將在第一清潔單元830中清潔過(guò)的基板運(yùn)送進(jìn)涂覆單元850。在涂覆單元850中，在基板上形成有機(jī)膜，包括有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜。用第三運(yùn)載單元860的第三運(yùn)載工具861把其上形成有有機(jī)膜的基板運(yùn)送進(jìn)干燥單元865a。在干燥單元865a中，干燥具有在涂覆單元850中涂覆的有機(jī)膜的基板，然后用第四運(yùn)載單元866的第四運(yùn)載工具867把該基板運(yùn)送進(jìn)固化單元865b，使得形成在基板上的有機(jī)膜能在其中固化。借助于第五運(yùn)載單元868的第五運(yùn)載工具869把在固化單元865b中固化的基板運(yùn)送進(jìn)激光光刻單元870，在激光光刻單元870中，利用形成有預(yù)定圖案的掩模通過(guò)激光光刻工藝在基板上形成預(yù)定圖案。然后，其上形成有預(yù)定圖案的基板借助于第六運(yùn)載單元880的第六運(yùn)載工具881被運(yùn)送進(jìn)第二清潔單元890，然后在第二清潔單元中被清潔。清潔和構(gòu)圖過(guò)的基板借助于第一運(yùn)載工具821被運(yùn)送進(jìn)位于進(jìn)出口815中的盒子810內(nèi)，然后從本發(fā)明的基板處理裝置800運(yùn)出。盡管在本實(shí)施例中已說(shuō)明了干燥和固化單元分成了干燥單元865a和固化單元865b，但干燥和固化單元的分開構(gòu)造可以應(yīng)用于圖8和9所示的實(shí)施例。例如，如果在圖8所示的實(shí)施例中干燥和固化單元665分成干燥單元和固化單元，那么干燥單元可以與涂覆單元650相鄰地設(shè)置，同時(shí)固化單元可以與激光光刻單元670相鄰地設(shè)置。這樣，第二運(yùn)載單元660設(shè)置在第一清潔單元630、涂覆單元650和干燥單元的組與第二清潔單元690、激光光刻單元670和固化單元的組之間。此外，第二運(yùn)載單元660包括可以在其中移動(dòng)的第二運(yùn)載工具661。
<實(shí)施例6>
圖11是顯示根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
參看圖11，根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例的基板處理裝置900包括進(jìn)口915，容納多個(gè)基板的盒子910通過(guò)其進(jìn)出；第一運(yùn)載單元920，其用作主運(yùn)載工具，用于運(yùn)送在進(jìn)口915中移動(dòng)的盒子上的基板；以及在第一運(yùn)載單元920一側(cè)依序設(shè)置的膜形成單元930、第二運(yùn)載單元940、激光光刻單元970、第三運(yùn)載單元980和出口916。在本實(shí)施例中，與其中以兩行布置處理單元的圖3至10的實(shí)施例不同，處理單元以單行布置。
同時(shí)，盡管在本實(shí)施例中未示例出額外的清潔單元，但應(yīng)容易理解，如果需要的話，可以在膜形成單元930和激光光刻單元970之前、之后和/或之間設(shè)置清潔單元。此外，盡管在本實(shí)施例中描述了通過(guò)膜形成單元在基板上形成的薄膜包括柵極層、有源層、源極和漏極層、鈍化層(無(wú)機(jī)層)和公共電極層，但本發(fā)明不限于此。即，可以修改基板處理裝置從而允許包括黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的有機(jī)膜涂覆在基板上。也就是說(shuō)，可以通過(guò)以單行布置涂覆單元、干燥和固化單元以及激光光刻單元，且然后如果需要的話在它們之間布置清潔單元，將包括黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的有機(jī)膜涂覆和構(gòu)圖到基板上。
<實(shí)施例7>
圖12是顯示根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的基板處理裝置的示意圖。
參看圖12，根據(jù)本發(fā)明第七實(shí)施例的基板處理裝置1000包括多個(gè)進(jìn)出口1015，容納多個(gè)基板的盒子1010通過(guò)其進(jìn)出；用于運(yùn)送在進(jìn)出口1015中移動(dòng)的盒子上的基板的第一運(yùn)載單元1020；設(shè)置在第一運(yùn)載單元1020下側(cè)在一末端的涂覆單元1030；設(shè)置在第一運(yùn)載單元1020下側(cè)在另一末端的激光光刻單元1070；以及分別設(shè)置在涂覆單元1030和激光光刻單元1070上方的清潔單元1050和1090。與圖3至10所示的兩行結(jié)構(gòu)以及圖11所示的一行結(jié)構(gòu)不同，在本實(shí)施例中，處理單元上下彼此堆疊，即以兩層形式布置。盡管本實(shí)施例中示例出涂覆單元1030和激光光刻單元1070設(shè)置在裝置的下側(cè)，但本發(fā)明不限于此。也就是說(shuō)，根據(jù)各處理單元的重量和高度，處理單元的堆疊結(jié)構(gòu)可以改變。此外，盡管在涂覆包括有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的有機(jī)膜的情況下，在本實(shí)施例中僅示例了制造設(shè)備的組元中的涂覆單元1030、激光光刻單元1070、以及分別設(shè)置在涂覆單元1030和激光光刻單元1070上方的清潔單元1050和1090，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員容易理解，本發(fā)明不限于此，且如果需要的話可以額外設(shè)置至少一個(gè)運(yùn)載單元以及干燥和固化單元。此外，盡管在本實(shí)施例中示例出涂覆包括有機(jī)矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的有機(jī)膜，但也可以在基板上形成包括柵極層、有源層、源極和漏極層、鈍化層(無(wú)機(jī)層)和公共電極層的膜。在此情況下，膜形成單元和激光光刻單元布置在第一運(yùn)載單元下面，運(yùn)載單元和清潔單元可以布置在膜形成單元和激光光刻單元上面來(lái)構(gòu)造兩層結(jié)構(gòu)。
在如上所述的本發(fā)明的基板處理裝置中，各處理區(qū)可以上下彼此堆疊。這樣，能進(jìn)一步減少裝置的占用面積。
盡管上面已說(shuō)明，在基板處理裝置中設(shè)置了用于單個(gè)工藝的僅一個(gè)處理單元，但本發(fā)明不限于此。即，可以布置用于同一工藝的多個(gè)處理單元。此外，顯然地，前面的實(shí)施例可以按各種方式結(jié)合和實(shí)現(xiàn)。此外，盡管上面主要描述了液晶顯示的制造，但本發(fā)明不限于此，而可以應(yīng)用于各種基板的處理。
根據(jù)本發(fā)明，在基板處理裝置和方法中采用了可用現(xiàn)有技術(shù)光學(xué)光刻單元和蝕刻單元替換的激光光刻單元。因此，能夠確保圖案的三維均勻性，同時(shí)精確地形成和控制大基板上的圖案。
另外，本發(fā)明的基板處理裝置同時(shí)包括膜形成單元和構(gòu)圖單元。這樣，減少了處理基板所用的總處理時(shí)間，還減少了基板處理裝置的整個(gè)占用面積。因此，能節(jié)省相關(guān)制造成本。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，包括用于在基板上形成薄膜的膜形成單元；以及用于在所述薄膜上形成預(yù)定圖案的激光光刻單元。
2.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，還包括用于使基板被帶進(jìn)和帶出的主運(yùn)載單元，其中該主運(yùn)載單元包括主運(yùn)載工具。
3.如權(quán)利要求2所述的基板處理裝置，其中該主運(yùn)載工具安裝為在該主運(yùn)載單元中可動(dòng)。
4.如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，還包括在所述膜形成單元和所述激光光刻單元之前、之后和/或之間在一個(gè)或更多位置設(shè)置的清潔單元。
5.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中該膜形成單元、該激光光刻單元和該清潔單元以單行布置在所述基板處理裝置內(nèi)。
6.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中該膜形成單元、該激光光刻單元和該清潔單元以兩行布置在所述基板處理裝置內(nèi)。
7.如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其中該膜形成單元、該激光光刻單元和該清潔單元以多層形式布置在所述基板處理裝置中，且所述膜形成單元和所述激光光刻單元設(shè)置在所述清潔單元之下。
8.如權(quán)利要求5至7中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，還包括用于連接所述膜形成單元、所述激光光刻單元和所述清潔單元的一個(gè)或更多輔助運(yùn)載單元，其中所述輔助運(yùn)載單元的每個(gè)包括輔助運(yùn)載工具。
9.如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，還包括設(shè)置在所述基板處理裝置的所述兩行之間的輔助運(yùn)載單元。
10.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其中所述輔助運(yùn)載單元包括安裝為在所述輔助運(yùn)載單元中可動(dòng)的輔助運(yùn)載工具。
11.如權(quán)利要求9所述的基板處理裝置，其中該輔助運(yùn)載單元包括設(shè)置在所述輔助運(yùn)載單元內(nèi)的一個(gè)或更多輔助運(yùn)載工具，以及布置在所述輔助運(yùn)載工具之間的至少一個(gè)緩沖器。
12.如權(quán)利要求1所述的基板處理裝置，其中所述薄膜包括選自含有柵極層、有源層、源極層、漏極層、無(wú)機(jī)鈍化層和公共電極層的組的任一種。
13.一種基板處理裝置，包括用于在基板上涂覆薄膜的涂覆單元；以及用于在所述薄膜上形成預(yù)定圖案的激光光刻單元。
14.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，還包括用于使所述基板被帶進(jìn)和帶出的主運(yùn)載單元，其中所述主運(yùn)載單元包括主運(yùn)載工具。
15.如權(quán)利要求14所述的基板處理裝置，其中所述主運(yùn)載工具安裝為在所述主運(yùn)載單元中可動(dòng)。
16.如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，還包括設(shè)置在所述涂覆單元和所述激光光刻單元之間的干燥和固化單元。
17.如權(quán)利要求16所述的基板處理裝置，其中所述干燥和固化單元沿垂直方向以兩層形式配置或分成干燥單元和固化單元。
18.如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，還包括設(shè)置在該涂覆單元、該干燥和固化單元以及該激光光刻單元之前、之后和/或之間的一個(gè)或更多位置的清潔單元。
19.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其中該涂覆單元、該激光光刻單元、該干燥和固化單元以及該清潔單元以單行布置在該基板處理裝置中。
20.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其中該涂覆單元、該激光光刻單元、該干燥和固化單元以及該清潔單元以兩行布置在該基板處理裝置中。
21.如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其中該涂覆單元、該激光光刻單元、該干燥和固化單元以及該清潔單元以多層形式布置在該基板處理裝置中，并且該涂覆單元和該激光光刻單元設(shè)置于該干燥和固化單元以及該清潔單元下面。
22.如權(quán)利要求19至21中的任一項(xiàng)所述的基板處理裝置，還包括用于連接該涂覆單元、該激光光刻單元、該干燥和固化單元以及該清潔單元的一個(gè)或更多輔助運(yùn)載單元，其中所述輔助運(yùn)載單元的每個(gè)包括輔助運(yùn)載工具。
23.如權(quán)利要求20所述的基板處理裝置，還包括設(shè)置在該基板處理裝置的所述兩行之間的輔助運(yùn)載單元。
24.如權(quán)利要求23所述的基板處理裝置，其中該輔助運(yùn)載單元包括安裝為在該輔助運(yùn)載單元中可動(dòng)的輔助運(yùn)載工具。
25.如權(quán)利要求23所述的基板處理裝置，其中該輔助運(yùn)載單元包括設(shè)置在該輔助運(yùn)載單元內(nèi)的一個(gè)或更多輔助運(yùn)載工具，以及布置在該輔助運(yùn)載工具之間的至少一個(gè)緩沖器。
26.如權(quán)利要求13所述的基板處理裝置，其中所述薄膜包括選自含有有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的組的任一種。
27.一種基板處理方法，包括如下步驟提供基板；在所述基板上形成薄膜；以及在相同裝置中利用激光構(gòu)圖該薄膜。
28.如權(quán)利要求27所述的基板處理方法，還包括如下步驟在所述薄膜形成步驟和所述構(gòu)圖步驟之前、之后和/或之間在任意時(shí)間清潔形成在所述基板上的所述薄膜。
29.如權(quán)利要求27所述的基板處理方法，還包括在該薄膜形成步驟之后干燥和固化所述薄膜的步驟。
30.如權(quán)利要求28所述的基板處理方法，其中所述薄膜包括選自含有柵極層、有源層、源極層、漏極層、無(wú)機(jī)鈍化層和共用電極層的組的任一種。
31.如權(quán)利要求29所述的基板處理方法，其中所述薄膜包括選自含有有機(jī)黑矩陣膜、有機(jī)RGB膜和有機(jī)鈍化膜的組的任一種。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種利用激光光刻的基板處理裝置和方法。根據(jù)本發(fā)明，提供一種基板處理裝置，包括用于在基板上形成薄膜的膜形成單元和用于在薄膜上形成預(yù)定圖案的激光光刻單元。此外，提供一種基板處理裝置，包括用于在基板上涂覆薄膜的涂覆單元和用于在薄膜上形成預(yù)定圖案的激光光刻單元。此外，提供一種基板處理方法，包括步驟提供基板；在基板上形成薄膜；以及在相同裝置中利用激光構(gòu)圖薄膜。即，在基板處理裝置和方法中可采用可由現(xiàn)有技術(shù)的光學(xué)光刻單元和蝕刻單元替換的激光光刻單元。因此，能夠確保圖案的三維均勻性，同時(shí)精確地形成和控制大基板上的圖案。
文檔編號(hào)H01L21/67GK101013655SQ20061015370
公開日2007年8月8日 申請(qǐng)日期2006年9月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年2月3日
發(fā)明者李泳范, 李庸懿, 金京燮, 樸明一 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社