專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示裝置及制造該顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
近年來，已經(jīng)需要更輕和更薄的監(jiān)控器和電視機(jī)。隨著這種需求，陰極射線管(CRT)已被諸如液晶顯示器(LCD)的平板顯示裝置所取代。
然而，由于LCD需要背光單元來顯示圖像，所以它具有較慢的響應(yīng)速度和較窄的視角。
由于有機(jī)發(fā)光顯示器(OLED)不存在這種問題，因此它吸引了越來越多的關(guān)注。
通常，OLED顯示器包括介于兩個(gè)電極之間的發(fā)光層。從一個(gè)電極注入的電子和從另一個(gè)電極注入的空穴相結(jié)合，以形成發(fā)射能量和光的激子(電子空穴對)。
由于OLED顯示器不需要諸如背光單元的附加光源，因此OLED顯示器可具有低功耗、快響應(yīng)速度、寬視角、以及高對比度的優(yōu)點(diǎn)。
OLED顯示器可根據(jù)其驅(qū)動方法分為無源矩陣或有源矩陣顯示器。
無源矩陣顯示器具有從兩個(gè)電極彼此相對的區(qū)域發(fā)射光的簡單結(jié)構(gòu)。另一方面，有源矩陣顯示器具有使用薄膜晶體管(TFT)通過電流驅(qū)動像素發(fā)光的結(jié)構(gòu)。
有源矩陣OLED顯示器可根據(jù)其發(fā)光方法分為底部發(fā)射型和/或頂部發(fā)射型。底部發(fā)射型顯示器朝向形成有TFT的基板發(fā)光，以及頂部發(fā)射型顯示器遠(yuǎn)離形成有TFT的基板發(fā)光。
由于光不能通過形成有TFT和布線的部分，所以底部發(fā)射型顯示器可具有低孔徑比。另一方面，由于發(fā)光區(qū)與TFT和布線所占據(jù)的空間不相關(guān)，所以頂部發(fā)射型顯示器可具有高孔徑比。
在背景部分所披露的上述信息只用于增加對本發(fā)明背景的理解，因此它可包括不構(gòu)成本領(lǐng)域技術(shù)人員已知現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供了一種顯示器和一種可在制造過程中防止電荷積聚在共電極上的制造該顯示器的方法。
本發(fā)明的附加特征將在以下的描述中進(jìn)行闡述，部分地從該描述中變得顯而易見，或可通過實(shí)施本發(fā)明來了解。
本發(fā)明披露了一種顯示裝置，包括基板；驅(qū)動電壓線，設(shè)置在基板上；以及驅(qū)動電壓線焊盤，用于接收并將驅(qū)動電壓傳送給驅(qū)動電壓線。驅(qū)動晶體管連接至驅(qū)動電壓線，像素電極連接至驅(qū)動晶體管，共電極與像素電極相對。發(fā)光元件設(shè)置在像素電極和共電極之間，并且在基板上形成共電極焊盤，以將共電壓傳送給共電極。在基板的側(cè)面露出部分共電極焊盤和部分驅(qū)動電壓線焊盤。
本發(fā)明還披露了一種制造顯示裝置的方法，包括在基板上形成多條柵極線、包括驅(qū)動電壓線焊盤的驅(qū)動電壓線、多條數(shù)據(jù)線、以及共電極焊盤。在驅(qū)動電壓線焊盤和共電極焊盤之間形成第一連接元件，在柵極線、驅(qū)動電壓線和數(shù)據(jù)線上形成保護(hù)膜和像素電極。在像素電極上形成發(fā)光層，在發(fā)光層上形成共電極，在共電極上形成密封元件，并切割基板。
本發(fā)明還披露了一種制造顯示裝置的方法，包括在基板上形成多條柵極線、包括驅(qū)動電壓線焊盤的驅(qū)動電壓線、多條數(shù)據(jù)線、以及共電極焊盤。形成連接至共電極焊盤的放電元件，并在柵極線、驅(qū)動電壓線、和數(shù)據(jù)線上形成保護(hù)膜和像素電極。在像素電極上形成發(fā)光層，并在發(fā)光層上形成共電極。在共電極上形成密封元件，并切割基板。
應(yīng)該理解，前面的一般描述和下面的詳細(xì)描述只是示例性的和說明性的，目的在于提供對所聲明的本發(fā)明的進(jìn)一步說明。


用于提供對本發(fā)明的進(jìn)一步理解、并入以及組成說明書一部分的附圖示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，并與描述一起用于解釋本發(fā)明的原理。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的框圖；
圖2是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的顯示裝置的等效電路圖；圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的在底部基板(basesubstrate)上的顯示裝置布局的視圖；圖3B是示出圖3A的顯示裝置布局的視圖；圖3C是沿圖3B的線IIIc-IIIc截取的剖視圖；圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置部分布局的視圖；圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置部分布局的視圖；圖6是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置布局的視圖；圖7和圖8是分別沿圖6的線VII-VII和VIII-VIII截取的剖視圖；圖9是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置布局的視圖；以及圖10、圖11、和圖12是分別沿圖9的線X-X、XI-XI和XII-XII截取的剖視圖。
具體實(shí)施例方式
下面將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以多種不同的形式來實(shí)現(xiàn)而不局限于在此描述的實(shí)施例。相反地，提供這些實(shí)施例，使得對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，本發(fā)明充分公開并且完全覆蓋本發(fā)明的范圍。在附圖中，為清楚起見，擴(kuò)大了層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。附圖中相同的標(biāo)號表示相同的元件。
應(yīng)當(dāng)理解，當(dāng)提到元件或?qū)印拔挥凇绷硪辉驅(qū)由匣蛘摺斑B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，其可直接位于其它元件或?qū)由匣蛘咧苯舆B接到另一元件或?qū)?，或者也可存在插入元件或?qū)印Ｏ喾吹?，?dāng)提到元件“直接位于”另一元件或?qū)由匣蛘摺爸苯舆B接到”另一元件或?qū)訒r(shí)，則不存在插入元件或?qū)印?br> 在本發(fā)明的示例性實(shí)施例中，OLED顯示器包括彼此相對的像素電極和共電極以及置于其間的發(fā)光元件。
根據(jù)傳統(tǒng)的制造工藝，當(dāng)形成共電極或在共電極上執(zhí)行密封工藝時(shí)，由于電子注入、離子注入或靜電，電荷可能積聚在共電極上。
當(dāng)電荷積聚在共電極上時(shí)，由于在共電極和發(fā)光元件之間產(chǎn)生電位差，發(fā)光元件可能不能工作。
因此，發(fā)光元件、像素電極、或共電極的表面可能剝落，從而使顯示裝置的質(zhì)量惡化。
為了解決該問題，本發(fā)明提供了一種顯示裝置以及制造這種顯示裝置的方法，其中，在制造過程期間可以防止電荷積聚在共電極上。
圖1是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的OLED顯示器的框圖，以及圖2是示出圖1的OLED顯示器的像素的等效電路圖。
參照圖1，OLED顯示器包括顯示面板300、連接至顯示面板300的掃描驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器500、以及控制驅(qū)動器的信號控制器600。
顯示面板300包括多條顯示信號線G1至Gn和D1至Dm、多條驅(qū)動電壓線(未示出)、以及連接至這些線并基本呈矩陣排列的多個(gè)像素PX。
顯示信號線G1至Gn和D1至Dm包括多條傳送掃描信號的柵極線G1至Gn，以及多條傳送數(shù)據(jù)電壓的數(shù)據(jù)線D1至Dm。
柵極線G1至Gn基本沿行方向延伸，并彼此分離，同時(shí)基本彼此平行。
數(shù)據(jù)線D1至Dm基本沿列方向延伸，并彼此分離，同時(shí)基本彼此平行。
驅(qū)動電壓線將驅(qū)動電壓Vdd傳送至像素PX。
如圖2所示，每個(gè)像素PX連接至柵極線121和數(shù)據(jù)線171，并且包括有機(jī)發(fā)光二極管LD、驅(qū)動晶體管Qd、電容器Cst以及開關(guān)晶體管Qs。
驅(qū)動晶體管Qd是三端器件，其具有連接至開關(guān)晶體管Qs和電容器Cst的控制端、連接至驅(qū)動電壓線172(即，Vdd)的輸入端、以及連接至有機(jī)發(fā)光二極管LD的輸出端。
開關(guān)晶體管Qs也是三端器件，其具有連接至柵極線121的控制端、連接至數(shù)據(jù)線171的輸入端、以及連接至電容器Cst和驅(qū)動晶體管Qd的輸出端。
電容器Cst連接在開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動電壓線172之間。電容器Cst維持預(yù)定時(shí)間周期內(nèi)由開關(guān)晶體管Qs所充電的數(shù)據(jù)電壓。
有機(jī)發(fā)光二極管LD的正極和負(fù)極分別連接至驅(qū)動晶體管Qd和共電壓Vss。
有機(jī)發(fā)光二極管LD根據(jù)由驅(qū)動晶體管Qd所提供的電流ILD量來發(fā)射不同強(qiáng)度的光，以顯示圖像。
電流ILD量取決于驅(qū)動晶體管Qd的控制端和輸入端之間的電壓Vgs的大小。
開關(guān)晶體管Qs和驅(qū)動晶體管Qd是由非晶硅或多晶硅制成的n溝道場效應(yīng)晶體管(FET)。
可選地，這些晶體管Qs和Qd可為p溝道場效應(yīng)晶體管。在這種情況下，p溝道場效應(yīng)晶體管的工作、電壓、和電流將和n溝道場效應(yīng)晶體管的相反。
下面將參照圖3A、圖3B和圖3C詳細(xì)描述圖1的顯示裝置。
圖3A是示出根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例的在底部基板上形成的顯示裝置布局的視圖，圖3B是示出從圖3A的底部基板切掉之后的顯示裝置布局的視圖，以及圖3C是沿圖3B的線IIIc-IIIc截取的剖視圖。
參照圖3A，可由透明玻璃或塑料材料制成的底部基板10包括多個(gè)單位區(qū)域20。每個(gè)單位區(qū)域20由切割面線(cutting-plane line)30來限定。
在單位區(qū)域20內(nèi)形成多條柵極線121、多條數(shù)據(jù)線171、多條驅(qū)動電壓線172、以及連接至線121、171、和172的薄膜晶體管(未示出)。
在柵極線121、數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172和薄膜晶體管上形成像素電極191。
在像素電極191和共電極270之間形成發(fā)光元件(未示出)。
沿著像素電極191和共電極270的一個(gè)邊緣形成將柵極線121彼此連接的柵極線短路棒61，以及沿著像素電極191和共電極270的另一個(gè)邊緣形成將數(shù)據(jù)線171彼此連接的數(shù)據(jù)線短路棒62。
沿著像素電極191和共電極270的另一個(gè)邊緣形成共電極焊盤279。
共電極焊盤279的一部分延伸用作用于通過接觸孔187將共電極270連接于此的接觸部(contact)278。
共電極焊盤279接收共電壓Vcom，并通過接觸部278將共電壓Vcom傳送給共電極270。
共電極焊盤279可由與柵極線121或數(shù)據(jù)線171相同的材料制成。
沿著像素電極191和共電極270的另一個(gè)邊緣形成將驅(qū)動電壓傳送給驅(qū)動電壓線172的驅(qū)動電壓線焊盤178A。
驅(qū)動電壓線焊盤178A接收驅(qū)動電壓Vdd，并將驅(qū)動電壓Vdd傳送給各個(gè)驅(qū)動電壓線172。
驅(qū)動電壓線焊盤178A可由與數(shù)據(jù)線171相同的材料制成。
連接器76將共電極焊盤279和驅(qū)動電壓線焊盤178A彼此電連接。
當(dāng)共電極焊盤279由與柵極線121相同的材料制成時(shí)，連接器76可由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料制成。當(dāng)共電極焊盤279由與數(shù)據(jù)線171相同的材料制成時(shí)，連接器76也可由與數(shù)據(jù)線171相同的材料制成。
連接器77將共電極焊盤279和數(shù)據(jù)線短路棒62彼此電連接。連接器78將驅(qū)動電壓線焊盤178A和柵極線短路棒61彼此電連接。
除柵極線短路棒61和數(shù)據(jù)線短路棒62以外，共電極焊盤279或驅(qū)動電壓線焊盤178A也可連接至將柵極線121或數(shù)據(jù)線171彼此連接的另一部分。
共電極焊盤279和驅(qū)動電壓線焊盤178A的位置可相互交換。因此，與短路棒61和62的連接關(guān)系可相應(yīng)的變化。
通過將共電極焊盤279電連接至柵極線短路棒61、數(shù)據(jù)線短路棒62和驅(qū)動電壓線焊盤178A，可以將在共電極270中生成的電荷移動到另一個(gè)連接溝道(connection channel)。
通過這種配置，可以使共電極270中的電荷所引起的故障最少。
下文中，將參照圖3A、圖3B和圖3C詳細(xì)描述制造根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置的方法。
如圖3A所示，可通過執(zhí)行濺射工藝等將金屬膜順序地層積在每個(gè)單位區(qū)域20的底部基板10上。隨后，對金屬膜進(jìn)行光刻工藝，以形成包括柵極線121、柵極線短路棒61以及共電極焊盤279的柵極導(dǎo)體。
接下來，形成柵極絕緣層(未示出)和多個(gè)半導(dǎo)體(未示出)。
此后，通過執(zhí)行濺射(sputtering，噴鍍)工藝等來層積金屬膜，然后對該金屬膜進(jìn)行光刻工藝，以形成包括數(shù)據(jù)線171、驅(qū)動電壓線172以及驅(qū)動電壓線焊盤178A的數(shù)據(jù)導(dǎo)體。
然后，通過化學(xué)汽相沉積工藝等涂覆無機(jī)絕緣材料或光敏絕緣材料以形成保護(hù)膜(未示出)。
在保護(hù)膜上形成像素電極191，并同時(shí)形成連接?xùn)艠O線短路棒61、數(shù)據(jù)線短路棒62、共電極焊盤279和驅(qū)動電壓線焊盤178A的連接器76、77和78。
連接器76、77、和78延伸到限定每個(gè)單位區(qū)域20的切割面線30之外。
在像素電極191上形成發(fā)光元件(未示出)。
在發(fā)光元件上形成共電極270。
密封元件(未示出)設(shè)置在共電極270上，并且其用于密封單位區(qū)域20。
在密封工藝之后，沿著切割面線30切割單位區(qū)域20，以形成單獨(dú)的顯示裝置。
此時(shí)，在切割面線30處切割連接器76、77、和78。
更具體地，在切割面線30內(nèi)的連接器76、77、和78的部分組成柵極線短路棒61、數(shù)據(jù)線短路棒62、共電極焊盤279或驅(qū)動電壓線焊盤178A的一部分，以及在切割面線30外的連接器76、77、和78的部分被去除。
結(jié)果，柵極線短路棒61、數(shù)據(jù)線短路棒62、共電極焊盤279和驅(qū)動電壓線焊盤178A被分成在基板110側(cè)面露出的第一部分61a、62a、279a和178Aa，以及沒有在基板110側(cè)面露出的第二部分61b、62b、279b和178Ab。
共電極焊盤279b的第二部分279b與基板110之間的距離D1以及驅(qū)動電壓線焊盤178A與基板110之間的距離D2可為25μm或更小。
當(dāng)共電極焊盤279由與數(shù)據(jù)導(dǎo)體相同的材料制成時(shí)，可同時(shí)形成共電極焊盤279和數(shù)據(jù)導(dǎo)體。
另外，連接器76、77、和78可由與共電極270相同的材料制成，并且在形成共電極270時(shí)而不是像素電極191時(shí)形成。
下文中，將參照圖4詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置。
圖4是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置部分布局的視圖，其中，顯示裝置形成在底部基板上。
類似于前面的實(shí)施例，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置包括在底部基板10上形成的柵極線(未示出)、數(shù)據(jù)線(未示出)、驅(qū)動電壓線172、以及連接至這些線的薄膜晶體管(未示出)。
在柵極線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線172、以及薄膜晶體管上形成像素電極191。
在像素電極191和共電極(未示出)之間形成發(fā)光元件(未示出)。
沿著像素電極191的一個(gè)邊緣形成共電極焊盤279。
共電極焊盤279的一部分延伸用作用于連接共電極270的接觸部278。
驅(qū)動電壓供給線178共同連接至驅(qū)動電壓線172，并且驅(qū)動電壓供給線178延伸到與共電極焊盤279相鄰的部分以形成驅(qū)動電壓線焊盤178A。
換句話說，不同于圖3A中的顯示裝置，根據(jù)本示例性實(shí)施例，沿著像素電極191的同一邊緣排列共電極焊盤279和驅(qū)動電壓線焊盤178A。
此外，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置包括在形成底部基板10上的放電元件86。
放電元件86通過連接器79電連接至共電極焊盤279。
放電元件86連接至地電位，并且可由與柵極線、數(shù)據(jù)線、像素電極191、或共電極270相同的材料制成。
由于類似于圖3A的連接器76、77、78，放電元件86在切割面線30的外部形成，因此在切割工藝中去除放電元件86。
通過這種配置，可以通過放電元件86將在共電極270中生成的電荷釋放到外部空間。
因此，可以將由在制造過程中在共電極270中生成的電荷所引起的故障減到最少。
接下來，下面將參照圖5詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置。
圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置的部分布局的視圖，其中，顯示裝置形成在底部基板上。
類似于前面的實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置包括在底部基板10上形成的柵極線(未示出)、數(shù)據(jù)線(未示出)、驅(qū)動電壓線172、以及連接至這些線的薄膜晶體管(未示出)。
在柵極線、數(shù)據(jù)線、驅(qū)動電壓線172、以及薄膜晶體管上形成像素電極191。
在像素電極191和共電極(未示出)之間形成發(fā)光元件(未示出)。
沿著像素電極191的一個(gè)邊緣形成共電極焊盤279。
共電極焊盤279的一部分延伸作為用于連接共電極270的接觸部278。
驅(qū)動電壓供給線178共同連接至驅(qū)動電壓線172，驅(qū)動電壓供給線178延伸到與共電極焊盤279相鄰的部分以形成驅(qū)動電壓線焊盤178A。
換句話說，沿著像素電極191的同一邊緣排列共電極焊盤279和驅(qū)動電壓線焊盤178A。
不同于圖4的顯示裝置，根據(jù)本示例性實(shí)施例，共電極焊盤279和驅(qū)動電壓線焊盤178A通過連接器79彼此電連接。
由于共電極焊盤279相鄰于驅(qū)動電壓線焊盤178A形成，所以可以提供比圖3A中所示連接器更短的連接器。
此外，類似于圖4的實(shí)施例，根據(jù)本實(shí)施例的顯示裝置包括形成在底部基板10上的放電元件86。
然而，不同于圖4中所示的實(shí)施例，驅(qū)動電壓線焊盤178A電連接至共電極焊盤279和放電元件86。
通過這種配置，可以通過放電元件86將在共電極270中生成的電荷釋放到外部空間，同時(shí)朝向驅(qū)動電壓線172擴(kuò)散電荷。因此，可以更加有效地防止由共電極270中生成的電荷所引起的故障。
下文中，將參照圖6、圖7、和圖8詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置。
圖6是示出根據(jù)本發(fā)明另一示例性實(shí)施例的顯示裝置布局的視圖，以及圖7和圖8是分別沿圖6的線VII-VII和VIII-VIII截取的剖視圖。
在可由透明玻璃或塑料材料制成的電介質(zhì)基板(dielectricsubstrate)110上設(shè)置包括第一控制電極124a的多條柵極線121、以及包括多個(gè)第二控制電極124b的多個(gè)柵極導(dǎo)體。
柵極線121大體上沿縱向延伸并傳輸選通信號。
每條柵極線121均包括用于連接至其它層或外部驅(qū)動電路的寬端部(wider end portion)129。第一控制電極124a從柵極線121突出。
在用于生成選通信號的掃描驅(qū)動電路(未示出)集成在電介質(zhì)基板110上的情況下，柵極線121可延伸到與掃描驅(qū)動電路直接連接。
第二控制電極124b與柵極線121隔開，如圖6所示，它們包括向下、向右、然后向上延伸的存儲電極127。
柵極導(dǎo)體121和124b可由諸如鋁(Al)或鋁合金的基于鋁的金屬、諸如銀(Ag)或銀合金的基于銀的金屬、諸如銅(Cu)或銅合金的基于銅的金屬、諸如鉬(Mo)或鉬合金的基于鉬的金屬、鉻(Cr)、鉭(Ta)或鈦(Ti)制成。
然而，柵極導(dǎo)體121和124b可具有包括具有不同物理特性的兩個(gè)導(dǎo)電層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。
為了減小信號延遲或壓降，兩個(gè)導(dǎo)電層中的一個(gè)可由具有低電阻率的金屬制成，例如基于鋁的金屬、基于銀的金屬、或基于銅的金屬。
優(yōu)選地，另一個(gè)導(dǎo)電層可由具有良好的物理、化學(xué)、以及與其它材料電接觸特性的材料制成，尤其是銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)。例如，另一個(gè)導(dǎo)電層可由基于鉬的金屬、鉻、鈦、或鉭制成。
多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括底部鉻層和上部鋁(合金)層，以及底部鋁(合金)層和上部鉬(合金)層。
然而，柵極導(dǎo)體121和124b可由各種金屬和導(dǎo)電材料制成。
柵極導(dǎo)體121和124b的表面可相對于電介質(zhì)基板110的表面傾斜30°至80°范圍內(nèi)的角度。
在柵極導(dǎo)體121和124b上形成可由氮化硅SiNx、氧化硅SiOx等制成的柵極絕緣層140。
在柵極絕緣膜140上形成可由氫化非晶硅(a-Si)或多晶硅制成的多個(gè)第一和第二島形半導(dǎo)體154a和154b。
第一和第二半導(dǎo)體154a和154b分別設(shè)置在第一和第二控制電極124a和124b上。
在第一和第二半導(dǎo)體154a和154b上分別形成多個(gè)第一對歐姆接觸元件163a和165a以及多個(gè)第二對歐姆接觸元件163b和165b。
歐姆接觸元件163a、163b、165a和165b是島形的，并且它們可由摻雜有諸如磷(P)的n型雜質(zhì)摻雜的n+氫化非晶硅等的硅化物制成。
在歐姆接觸元件163a、163b、165a和165b以及柵極絕緣層140上形成包括多條數(shù)據(jù)線171、多條驅(qū)動電壓線172、以及多個(gè)第一和第二輸出電極175a和175b的多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體。
數(shù)據(jù)線171大體上沿橫向延伸以與柵極線121交叉，并傳輸數(shù)據(jù)信號。
每條數(shù)據(jù)線171均包括多個(gè)朝向第一控制電極124a延伸的第一輸入電極173a以及用于連接至其它層或外部驅(qū)動電路的寬端部179。
在用于生成數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路(未示出)集成在電介質(zhì)基板110上的情況下，數(shù)據(jù)線171可延伸到與數(shù)據(jù)驅(qū)動電路直接連接。
驅(qū)動電壓線172大體上沿橫向延伸以與柵極線121交叉，并傳輸驅(qū)動電壓。
每條驅(qū)動電壓線172包括多個(gè)朝向第二控制電極124b延伸的第二輸入電極173b。
驅(qū)動電壓線172與存儲電極127重疊并可連接至存儲電極127。
第一和第二輸出電極175a和175b彼此隔開，并且與數(shù)據(jù)線171、以及驅(qū)動電壓線172隔開。
第一輸入電極173a和第一輸出電極175a彼此相對，并且第一控制電極124a置于其間，以及第二輸入電極173b和第二輸出電極175b彼此相對，并且第二控制電極124b置于其間。
數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b可由諸如鉬(Mo)、鉻(Cr)、鉭(Ta)、或鈦(Ti)、或其合金的難熔金屬制成。數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b可具有由難熔金屬等制成的導(dǎo)電層(未示出)以及由低電阻率材料制成的導(dǎo)電層(未示出)所組成的多層結(jié)構(gòu)。
多層結(jié)構(gòu)的實(shí)例包括底部鉻或鉬(或其合金)層和上部鋁(或鋁合金)層的雙層結(jié)構(gòu)，以及底部鉬(或鉬合金)層、中間鋁(或鋁合金)層和上部鉬(或鉬合金)層的三層結(jié)構(gòu)。
然而，代替上述材料，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a、和175b可由各種金屬和導(dǎo)電材料制成。
類似于柵極導(dǎo)體121和124b，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a、和175b的側(cè)面也可相對于電介質(zhì)基板110的表面傾斜30°至80°范圍內(nèi)的角度。
歐姆接觸元件163a、163b、165a和165b只夾置在下面的第一和第二半導(dǎo)體154a和154b以及上覆的數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b之間，并且它們減小了其間的接觸電阻。
半導(dǎo)體154a和154b具有在輸入電極173a和173b以及輸出電極175a和175b之間沒有被數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b所覆蓋的露出部分。
在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a、和175b以及半導(dǎo)體154a和154b的露出部分上形成保護(hù)膜(鈍化層)180。
保護(hù)膜180可由諸如氮化硅或氧化硅的無機(jī)絕緣材料、有機(jī)絕緣材料、以及低介電常數(shù)絕緣材料制成。
這里，有機(jī)絕緣材料和低介電常數(shù)絕緣材料可具有4.0或更小的介電常數(shù)。通過執(zhí)行等離子體增強(qiáng)化學(xué)汽相沉積(PECVD)形成的材料實(shí)例包括a-Si:C:O和a-Si:O:F。
保護(hù)膜180可由具有光敏特性的有機(jī)絕緣材料制成，并且其可具有平坦的表面。
然而，為了使用有機(jī)薄膜的優(yōu)良特性并保護(hù)半導(dǎo)體154a和154b的露出部分，保護(hù)膜180可具有底部無機(jī)膜和上部有機(jī)膜的雙層結(jié)構(gòu)。
在保護(hù)膜180中形成露出數(shù)據(jù)線171的端部179及第一和第二電極175a和175b的多個(gè)接觸孔182、185a、和185b，并且在保護(hù)膜180和柵極絕緣膜140中形成露出柵極線121的端部129及第二控制電極124b的多個(gè)接觸孔181和184。
在保護(hù)膜180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)連接元件85、以及多個(gè)接觸輔助元件81和82。
像素電極191、連接元件85、以及接觸輔助元件81和82可由諸如鋁、銀、或其合金的反射金屬制成。
像素電極191通過接觸孔185b連接至第二輸出電極175b，以及連接元件85通過接觸孔184和185a連接至第二控制電極124b和第一輸出電極175a。
接觸輔助元件81和82分別通過接觸孔181和182連接至柵極線121的端部129和數(shù)據(jù)線171的端部179。
接觸輔助元件81和82可加強(qiáng)數(shù)據(jù)線171和柵極線121所露出的端部179和129與外部裝置的附著力，并且保護(hù)端部179和129。
在保護(hù)膜180上形成隔離物(Partition)361。
隔離物361像堤一樣環(huán)繞在像素電極191周圍以限定開口365，并且它們可由有機(jī)或無機(jī)絕緣材料制成。
此外，隔離物361可由包括黑色素的光敏材料制成。在這種情況下，隔離物361用作阻光元件，并可以簡單工藝形成。
在由隔離物361限定的開口365中，在像素電極191上形成有機(jī)發(fā)光元件370。
有機(jī)發(fā)光元件370可由發(fā)紅光、綠光、或藍(lán)光的有機(jī)材料制成。
OLED顯示器通過使用由有機(jī)發(fā)光元件370發(fā)射的紅光、綠光、和藍(lán)光的空間結(jié)合來顯示期望的圖像。
有機(jī)發(fā)光元件370可具有包括發(fā)光層(未示出)和用于改進(jìn)發(fā)光層的發(fā)光效率的輔助層(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。
輔助層的實(shí)例包括平衡電子和空穴的電子轉(zhuǎn)移層(ETL)(未示出)和空穴轉(zhuǎn)移層(HTL)(未示出)，以及增強(qiáng)電子和空穴注入的電子注入層(EIL)(未示出)和空穴注入層(HIL)(未示出)。
在有機(jī)發(fā)光元件370上形成共電極270。
將共電壓Vss施加給共電極270，共電極270可由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料制成。
在OLED顯示器中，第一控制電極124a、第一輸入電極173a和第一輸出電極175a連同第一半導(dǎo)體154a一起組成開關(guān)薄膜晶體管(開關(guān)TFT)Qs，并且在第一輸入電極173a和第一輸出電極175a之間的第一半導(dǎo)體154a中形成開關(guān)TFT Qs的溝道。
此外，第二控制電極124b、第二輸入電極173b和第二輸出電極175b連同第二半導(dǎo)體154b一起組成驅(qū)動TFT Qd，并且在第二輸入電極173b和第二輸出電極175b之間的第二半導(dǎo)體154b中形成驅(qū)動TFT Qd的溝道。
像素電極191、有機(jī)發(fā)光元件370以及共電極270組成有機(jī)發(fā)光二極管LD。在本示例性實(shí)施例中，像素電極191和共電極270分別用作正極和負(fù)極?？蛇x地，像素電極191和共電極270可分別用作負(fù)極和正極。
存儲電極127和驅(qū)動電壓線172彼此重疊以組成存儲電容器Cst。
根據(jù)本示例性實(shí)施例的OLED顯示器通過在相對于電介質(zhì)基板110的向上方向中發(fā)光來顯示圖像。
換句話說，反射像素電極191和透明共電極270可應(yīng)用在頂部發(fā)射型OLED顯示器中，其中，在相對于電介質(zhì)基板110的向上方向中顯示圖像。
當(dāng)半導(dǎo)體154a和154b由多晶硅制成時(shí)，半導(dǎo)體154a和154b包括面向控制電極124a和124b的本征區(qū)(intrinsic region)(未示出)以及置于本征區(qū)之間的非本征區(qū)(未示出)。
在這種情況下，非本征區(qū)電連接至輸入電極173a和173b以及輸出電極175a和175b，并且可省略歐姆接觸元件163a、163b、165a及165b。
此外，控制電極124a和124b可設(shè)置在半導(dǎo)體154a和154b上。在這種情況下，柵極絕緣層140也設(shè)置在半導(dǎo)體154a和154b以及控制電極124a和124b之間。
此外，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、173b、和175b設(shè)置在絕緣層140之上，并且通過接觸孔(未示出)(通過柵極絕緣層140形成)電連接至半導(dǎo)體154a和154b。
可選地，數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、173b、和175b可設(shè)置在柵極絕緣層140之下，并且電連接至半導(dǎo)體154a和154b。
在共電極270上形成密封元件390。
密封元件390密封有機(jī)發(fā)光元件370和共電極270，以防止外部潮氣或氧氣的滲入。
密封元件390可由諸如玻璃或塑料、或薄膜狀的樹脂制成。
接下來，將參照圖9、圖10、圖11和圖12詳細(xì)描述根據(jù)本發(fā)明另一個(gè)示例性實(shí)施例的顯示裝置。
圖9是示出根據(jù)本發(fā)明的示例性實(shí)施例的顯示裝置布局的視圖，以及圖10、圖11和圖12是分別沿圖9的線X-X、XI-XI和XII-XII截取的剖視圖。
在電介質(zhì)基板110上設(shè)置包括第一控制電極124a的多條柵極線121以及包括多個(gè)第二控制電極124b的多個(gè)柵極導(dǎo)體。
每條柵極線121均包括寬端部129。
第二控制電極124b包括從其延伸的存儲電極127。
在柵極半導(dǎo)體121和124b上形成柵極絕緣層140。
在柵極絕緣膜140上形成多個(gè)第一和第二島形半導(dǎo)體154a和154b，以及在第一和第二半導(dǎo)體154a和154b上分別形成多個(gè)第一對歐姆接觸元件163a和165a及多個(gè)第二對歐姆接觸元件163b和165b。
在歐姆接觸元件163a、163b、165a和165b以及柵極絕緣層140上形成包括多條數(shù)據(jù)線171的多個(gè)數(shù)據(jù)導(dǎo)體、多條驅(qū)動電壓線172、以及多個(gè)第一和第二輸出電極175a和175b。
每條數(shù)據(jù)線171均包括多個(gè)朝向第一控制電極124a延伸的多個(gè)第一輸入電極173a，以及用于連接至其它層或外部驅(qū)動電路的寬端部179。
每條驅(qū)動電壓線172均包括多個(gè)朝向第二控制電極124b延伸的第二輸入電極173b。
第一和第二輸出電極175a和175b彼此隔開，并且與數(shù)據(jù)線171和驅(qū)動電壓線172隔開。
在數(shù)據(jù)導(dǎo)體171、172、175a和175b以及半導(dǎo)體154a和154b的露出部分上形成保護(hù)膜180。在保護(hù)膜180中形成露出數(shù)據(jù)線171的端部179以及第一和第二輸出電極175a和175b的多個(gè)接觸孔182、185a和185b。此外，在保護(hù)膜180和柵極絕緣膜140中形成露出柵極線121的端部129以及第二控制電極124b的多個(gè)接觸孔181和184。
在保護(hù)膜180上形成多個(gè)像素電極191、多個(gè)第一和第二連接元件85和86、以及多個(gè)接觸輔助元件81和82。
像素電極191通過接觸孔185b連接至第二輸出電極175b，以及連接元件85通過接觸孔184和185a連接至第二控制電極124b和第一輸出電極175a。
在保護(hù)膜180上形成隔離物361。
在由隔離物361限定的開口365中，在像素電極191上形成有機(jī)發(fā)光元件370。
在有機(jī)發(fā)光元件370上形成共電極270。
在共電極270上形成密封元件390。
然而，不同于圖6至圖8中的顯示裝置，根據(jù)本示例性實(shí)施例，像素電極191由諸如銦錫氧化物(ITO)或銦鋅氧化物(IZO)的透明導(dǎo)電材料制成，并且共電極270由諸如鈣(Ca)、鋇(Ba)、鎂(Mg)、鋁(Al)或銀(Ag)的反射金屬制成。
因此，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置通過在相對于電介質(zhì)基板110的向下方向上發(fā)光來顯示圖像。
換句話說，透明像素電極191和反射共電極270應(yīng)用在底部發(fā)射型OLED顯示器中，其中，在相對于電介質(zhì)基板110的向下方向上顯示圖像。
此外，不同于圖6至圖8中所示的顯示裝置，根據(jù)本示例性實(shí)施例的顯示裝置還包括與柵極線121平行延伸的輔助電極線122。
輔助電極線122包括沿橫向從其突出的突起123，并用于傳輸共電壓。
輔助電極線122可由與柵極線121或數(shù)據(jù)線171相同的材料制成，并位于與柵極線121或數(shù)據(jù)線171相同的層中，并且它可與柵極線121平行延伸。
此外，保護(hù)膜180中的接觸孔186露出輔助電極線122的突起123。
第二連接元件86通過接觸孔186連接至輔助電極線122的突起123。
共電極270通過接觸孔366和第二連接元件86連接至輔助電極線122的突起123。
由于共電極270連接至輔助電極線122的突起123，所以即使當(dāng)共電極270由具有相對高電阻率的透明或半透明導(dǎo)電材料制成時(shí)，其也可以穩(wěn)定地將共電壓提供給共電極270。
因此，可以將基本一致的共電壓提供給共電極270的整個(gè)區(qū)域而不引起壓降。
根據(jù)本發(fā)明示例性實(shí)施例，可以在顯示裝置的制造過程中釋放積聚在共電極上的電荷，從而增強(qiáng)了顯示裝置的可靠性。
對于本領(lǐng)域的技術(shù)人員來說，在不背離本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可對本發(fā)明進(jìn)行各種修改和改變。因此，在所附權(quán)利要求及其等同替換的范圍內(nèi)的所有這種修改和改變均涵蓋在本發(fā)明中。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括基板；驅(qū)動電壓線，設(shè)置在所述基板上；驅(qū)動電壓線焊盤，用于將驅(qū)動電壓傳送給所述驅(qū)動電壓線；驅(qū)動晶體管，連接至所述驅(qū)動電壓線；像素電極，連接至所述驅(qū)動晶體管；共電極，與所述像素電極相對；發(fā)光元件，設(shè)置在所述像素電極和所述共電極之間；以及共電極焊盤，設(shè)置在所述基板上，所述共電極焊盤用于將電壓傳送給所述共電極，其中，在所述基板的側(cè)面露出所述共電極焊盤和所述驅(qū)動電壓線焊盤。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述共電極焊盤和所述驅(qū)動電壓線焊盤的每個(gè)的至少一側(cè)包括在所述基板的所述側(cè)面露出的第一部分以及沒有在所述基板的所述側(cè)面露出的第二部分；以及其中，所述共電極焊盤的所述第二部分與所述基板的所述側(cè)面之間的距離或所述驅(qū)動電壓線焊盤的所述第二部分與所述基板的所述側(cè)面之間的距離為25μm或更小。
3.一種制造顯示裝置的方法，包括在基板上形成多條柵極線、包括驅(qū)動電壓線焊盤的驅(qū)動電壓線、多條數(shù)據(jù)線、以及共電極焊盤；在所述驅(qū)動電壓線焊盤和所述共電極焊盤之間形成第一連接元件；在所述柵極線、所述驅(qū)動電壓線、和所述數(shù)據(jù)線上形成保護(hù)膜和像素電極；在所述像素電極上形成發(fā)光層；在所述發(fā)光層上形成共電極；在所述共電極上形成密封元件；以及切割所述基板。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，切割所述基板包括切割所述第一連接元件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述驅(qū)動電壓線焊盤包括與所述數(shù)據(jù)線的材料相同的材料。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述共電極焊盤包括與所述柵極線的材料相同的材料。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述共電極是透明的。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其中，所述第一連接元件包括與所述共電極的材料相同的材料。
9.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述像素電極是透明的。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中所述第一連接元件包括與所述像素電極的材料相同的材料。
11.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述共電極焊盤包括與所述數(shù)據(jù)線的材料相同的材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中，所述第一連接元件包括與所述數(shù)據(jù)線的材料相同的材料。
13.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，還包括形成柵極線短路棒，所述柵極線短路棒將所述多條柵極線彼此連接；以及形成數(shù)據(jù)線短路棒，所述數(shù)據(jù)線短路棒將所述多條數(shù)據(jù)線彼此連接。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括形成第二連接元件，所述第二連接元件將所述驅(qū)動電壓線焊盤連接至所述柵極線短路棒或所述數(shù)據(jù)線短路棒。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，還包括形成第三連接元件，所述第三連接元件將所述共電極焊盤連接至所述柵極線短路棒或所述數(shù)據(jù)線短路棒。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，切割所述基板包括切割所述第二連接元件。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，切割所述基板包括切割所述第三連接元件。
18.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，還包括在所述基板上形成放電元件，并且連接至所述第一連接元件。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，還包括在所述基板上形成放電元件，并且連接至所述第一連接元件和所述第二連接元件中的至少一個(gè)。
20.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，還包括在所述基板上形成放電元件，并且連接至所述第一連接元件和所述第三連接元件中的至少一個(gè)。
21.根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，其中所述放電元件連接至地電位。
22.一種制造顯示裝置的方法，包括在基板上形成多條柵極線、包括驅(qū)動電壓線焊盤的驅(qū)動電壓線、多條數(shù)據(jù)線、以及共電極焊盤；形成連接至所述共電極焊盤的放電元件；在所述柵極線、所述驅(qū)動電壓線、和所述數(shù)據(jù)線上形成保護(hù)膜和像素電極；在所述像素電極上形成發(fā)光層；在所述發(fā)光層上形成共電極；在所述共電極上形成密封元件；以及切割所述基板。
23.根據(jù)權(quán)利要求22所述的方法，其中，切割所述基板包括去除所述放電元件。
全文摘要
提供了一種顯示裝置及其制造方法。該顯示裝置包括基板；驅(qū)動電壓線，設(shè)置在基板上；驅(qū)動電壓線焊盤，用于將驅(qū)動電壓傳輸給驅(qū)動電壓線；驅(qū)動晶體管，連接至驅(qū)動電壓線；像素電極，連接至驅(qū)動晶體管；共電極，與像素電極相對；發(fā)光元件，設(shè)置在像素電極和共電極之間；以及共電極焊盤，設(shè)置在基板上，以便將共電壓傳輸給共電極。在基板的側(cè)面露出共電極焊盤和驅(qū)動電壓線焊盤。
文檔編號H01L21/82GK1956210SQ20061015035
公開日2007年5月2日 申請日期2006年10月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月28日
發(fā)明者高俊哲, 崔凡洛, 李政洙, 崔埈厚, 鄭光哲 申請人:三星電子株式會社