專利名稱：電子元件的制造方法以及電子元件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種關(guān)于電子元件的技術(shù)，該電子元件包括電容器和電感器作為組成部分。
背景技術(shù)：
在射頻(以下稱為RF)系統(tǒng)例如移動(dòng)電話或無線LAN中，必須對(duì)信號(hào)進(jìn)行相位匹配，用以滿足在構(gòu)成系統(tǒng)的各個(gè)功能器件之間的傳輸。因此，每個(gè)器件的輸入/輸出端通常設(shè)有無源元件，該無源元件包括諸如電感器或電容器的無源元件并作為控制信號(hào)相位的移相器。
在增加部件數(shù)量來獲得更高性能的驅(qū)動(dòng)下，一直需要降低構(gòu)成RF系統(tǒng)的各種部件的尺寸。為了使系統(tǒng)的尺寸減小，根據(jù)半導(dǎo)體加工技術(shù)制造的集成電子元件可用作無源元件(移相器)，所述集成電子元件包括密集地集成在一個(gè)襯底上的多個(gè)預(yù)定無源元件，例如電感器、電容器、電阻器和濾波器。例如，在JP-A-H04-61264和JP-A-2002-33239中可查找到與集成電子元件有關(guān)的技術(shù)。
圖21為示出相關(guān)技術(shù)的集成電子元件X3的局部橫截面圖，用于更好地理解本發(fā)明。應(yīng)注意，集成電子元件X3是由本發(fā)明人制造的，并且到本申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)日期為止未被公眾所知。
集成電子元件X3包括襯底91、電容器92、螺旋線圈93(圖21示出其部分引線的橫截面)、電極焊盤94、布線95以及保護(hù)膜96。電容器92具有包括電極膜92a、92b和電介質(zhì)膜92c的堆疊結(jié)構(gòu)。螺旋線圈93是以平面螺旋形狀在襯底91上圖案化的電感器，并且包括位于該螺旋形狀最里面位置的內(nèi)端部分93a。電極焊盤94用于外部連接。布線95包括在襯底91上圖案化的第一布線部分95a、主要在保護(hù)膜96上圖案化的第二布線部分95b以及通孔95c。電容器92的電極膜92a與電極焊盤94直接電連接。布線95的通孔95c連接至電容器92的電極膜92b。布線95的另一個(gè)通孔95c連接至螺旋線圈93的內(nèi)端部分93a。保護(hù)膜96設(shè)置為覆蓋襯底91上的電容器92和螺旋線圈93。
圖22A至圖23D示出集成電子元件X3的制造方法。為了形成集成電子元件X3，如圖22A所示，首先在襯底91上圖案化電容器92的電極膜92a。參照?qǐng)D22B，在電極膜92a上圖案化電介質(zhì)膜92c。然后，進(jìn)行電鍍工藝以形成電容器92的電極膜92b、螺旋線圈93(包括內(nèi)端部分93a)和布線95的第一布線部分95a，如圖22C所示。接下來在襯底91上形成絕緣膜96’，如圖22D所示。
下面參照?qǐng)D23A，在絕緣膜96’上形成抗蝕劑圖案97?？刮g劑圖案97形成有與布線95的通孔95c的圖案對(duì)應(yīng)的開口97a和與電極焊盤94的圖案對(duì)應(yīng)的開口97b。然后，使用抗蝕劑圖案97作為掩模在絕緣膜96’的上方進(jìn)行濕蝕刻工藝，如圖23B所示。在此階段，形成保護(hù)膜96，保護(hù)膜96具有用于通孔95c的開口96a和用于電極焊盤94的開口96b。然后，去除抗蝕劑圖案97，如圖23C所示。接下來進(jìn)行電鍍工藝以形成通孔95c、第二布線部分95b和電極焊盤94，如圖23D所示。這就是制造集成電子元件X3的過程。
在集成電子元件X3中，保護(hù)膜96需要具有足夠的厚度(能夠確保螺旋線圈93與第二布線部分95b之間的間隙為10μm或更寬)，以防止用作電感器的螺旋線圈93與位于螺旋線圈93上方的第二布線部分95b之間的不適當(dāng)電磁交互作用。保護(hù)膜96越厚，在參照?qǐng)D23B所描述的工藝中形成具有小直徑R3’的開口96a就變得越困難，從而形成具有小直徑R3的通路95c也變得越困難。因此，保護(hù)膜96變厚會(huì)導(dǎo)致可用于每個(gè)通孔95c的最小直徑R3(在圖21和圖23D中示出)增大。換句話說，保護(hù)膜96的厚度大小決定每個(gè)通孔95c的可用直徑R3的下限。
此外，在集成電子元件X3中，在圖21中示出的電容器92的電極膜92b的長(zhǎng)度L5不能小于連接至電極膜92b的通孔95c的直徑R3。在參照?qǐng)D23B所描述的工藝中，將電極膜92b的長(zhǎng)度L5設(shè)為小于通孔95c的直徑R3將導(dǎo)致用于電極焊盤94的開口96b到達(dá)遠(yuǎn)至電極膜92a(需要進(jìn)行蝕刻工藝直到用于電極焊盤94的開口96b到達(dá)電極膜92a)，并導(dǎo)致開口96a到達(dá)電介質(zhì)膜92c(或者甚至到達(dá)電極膜92a，取決于電介質(zhì)膜92c的尺寸)，如圖24A所示。對(duì)這樣形成的開口96a進(jìn)行參照?qǐng)D23D所描述的工藝，如圖24B所示，將導(dǎo)致形成除了連接至電極膜92b之外還連接至電介質(zhì)膜92c(甚或連接至電極膜92a，取決于電介質(zhì)膜92c的尺寸)的通孔95c。這種通孔95c會(huì)降低電容器92的性能，從而降低集成電子元件X3的性能。因此，在集成電子元件X3中，需要形成相對(duì)于連接至電極膜92b的通孔95c的直徑R3具有足夠長(zhǎng)度L5(和足夠大的二維尺寸)的電極膜92b。
為了在降低電容器92的靜態(tài)電容的同時(shí)滿足減小集成電子元件X3的尺寸的需要，例如，需要將長(zhǎng)度L5設(shè)置得更小，從而降低電極膜92b的二維尺寸。然而，實(shí)際上最小可用直徑R3受到賦予保護(hù)膜96的厚度的限制，此外需要形成相對(duì)于連接至電極膜92b的通孔95c的直徑R3具有足夠長(zhǎng)度L5的電極膜92b，如已經(jīng)陳述過的。這些因素阻礙了試圖在降低電容器92的靜態(tài)電容的同時(shí)滿足減小集成電子元件X3的尺寸的需要。
另外，在集成電子元件X3中，將圖21中所示的螺旋線圈93的內(nèi)端部分93a的長(zhǎng)度L6設(shè)置為小于連接至內(nèi)端部分93a的通孔95c的直徑R3是不理想的。在參照?qǐng)D23B所描述的工藝中，將內(nèi)端部分93a的長(zhǎng)度L6設(shè)置為小于通孔95c的直徑R3將導(dǎo)致開口96b到達(dá)遠(yuǎn)至電極膜92a(需要進(jìn)行蝕刻工藝直到用于電極焊盤94的開口96b到達(dá)電極膜92a)，并且導(dǎo)致開口96a到達(dá)襯底91，如圖25A所示。對(duì)這樣形成的開口96a進(jìn)行參照?qǐng)D23D所描述的工藝，如圖25B所示，將導(dǎo)致形成具有到達(dá)襯底91這樣大體積的開口95c。這種通孔95c可能導(dǎo)致螺旋線圈93的Q值降低。因此，在集成電子元件X3中，需要形成相對(duì)于連接至內(nèi)端部分93a的通孔95c的直徑R3具有足夠長(zhǎng)度L6的內(nèi)端部分93a。
為了在增大螺旋線圈93的Q值的同時(shí)滿足降低集成電子元件X3的尺寸的需要，例如需要將長(zhǎng)度L6設(shè)置得更小，從而減小內(nèi)端部分93a的二維尺寸。然而，實(shí)際上最小可用直徑R3受到賦予保護(hù)膜96的厚度的限制，同時(shí)需要形成相對(duì)于連接至內(nèi)端部分93a的通孔95c的直徑R3具有足夠長(zhǎng)度L6(和足夠大的二維尺寸)的內(nèi)端部分93a，如已經(jīng)陳述過的。這些因素阻礙了試圖在增加螺旋線圈93的Q值的同時(shí)滿足減小集成電子元件X3的尺寸的需要。

發(fā)明內(nèi)容
在上述情況下提出了本發(fā)明，其目的是提供一種適于構(gòu)成集成電子元件的電子元件的制造方法以及適于構(gòu)成集成電子元件的電子元件。
本發(fā)明的第一方案提供一種制造電子元件的方法。該方法是用于制造這樣的電子元件，所述電子元件包括基底材料；電極焊盤，設(shè)置在該基底材料上，該電極焊盤具有包括第一部分和第二部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中，該第一部分具有位于該基底材料側(cè)的第一焊盤表面和與該第一焊盤表面相對(duì)的第二焊盤表面，該第二部分接合至該第一部分；電容器單元，具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間；以及布線部分，包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該第二電極部分的第二電極表面；其中該通孔部分的布線表面包括從該電容器單元的第二電極表面的外圍部分向外延伸的延伸部分。該方法包括在該基底材料上至少形成該電極焊盤的第一部分以及該電容器單元的第一電極部分、電介質(zhì)部分和第二電極部分之后，在該基底材料上形成絕緣膜，以覆蓋該第一部分和該電容器單元；以及為該絕緣膜設(shè)置第一開口和第二開口，其中該第一開口用于形成該第二部分并暴露該第一部分的第二焊盤表面的至少一部分，該第二開口用于形成該通孔部分并暴露該第二電極部分的第二電極表面的至少一部分(開口形成步驟)。該開口形成步驟可包括通過設(shè)置在該絕緣膜上的預(yù)定抗蝕劑圖案，在該絕緣膜上進(jìn)行蝕刻工藝(例如，濕蝕刻工藝)。
這樣設(shè)計(jì)的開口形成步驟能夠在適當(dāng)暴露第一部分的第二表面的至少一部分以及電容器單元的第二電極部分的第二表面的至少一部分時(shí)，停止蝕刻工藝，從而防止用于通孔部分的開口到達(dá)電介質(zhì)膜和第一電極部分，其中該第一部分構(gòu)成電極焊盤的一部分。因此，在所述開口形成步驟之后進(jìn)行例如電鍍工藝以在用于通孔部分的開口中沉積導(dǎo)電材料，從而形成連接至第二電極部分的通孔部分時(shí)，能夠形成該通孔部分使其不到達(dá)所述電介質(zhì)膜和所述第一電極部分。因此，在這樣制造的電子元件中，對(duì)以小尺寸設(shè)計(jì)電容器單元的第二電極部分的二維尺寸賦予更高的自由度，從而使其免受連接至該第二電極部分的通孔的二維尺寸(或直徑)的限制。這種電子元件有利于在降低電容器單元的靜態(tài)電容的同時(shí)，滿足減小電子元件尺寸的需要，因此這種電子元件適于構(gòu)成集成電子元件。
本發(fā)明的第二方案提供一種制造電子元件的方法。該方法制造的電子元件包括基底材料；電極焊盤，設(shè)置在該基底材料上，該電極焊盤具有包括第一部分和第二部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一部分具有位于該基底材料側(cè)的第一焊盤表面和與該第一焊盤表面相對(duì)的第二焊盤表面，該第二部分接合至該第一部分；電容器單元，具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間；以及布線部分，包括接合部分，該接合部分沿該基底材料延伸并接合至該第二電極部分的第二電極表面。該方法包括在該基底材料上至少形成該電極焊盤的第一部分以及該電容器單元的第一電極部分、電介質(zhì)部分和第二電極部分之后，在該基底材料上形成絕緣膜，以覆蓋該第一部分和該電容器單元；以及為該絕緣膜設(shè)置第一開口和第二開口，其中該第一開口用于形成該第二部分并暴露該第一部分的第二焊盤表面的至少一部分，該第二開口用于形成該布線部分并暴露該第二電極部分的第二電極表面的至少一部分(開口形成步驟)。該開口形成步驟包括通過設(shè)置在該絕緣膜上的預(yù)定抗蝕劑圖案，在該絕緣膜上進(jìn)行蝕刻工藝(例如，濕蝕刻工藝)。
這樣設(shè)計(jì)的開口形成步驟能夠在適當(dāng)暴露第一部分的第二表面的至少一部分以及電容器單元的第二電極部分的第二表面的至少一部分時(shí)，停止蝕刻工藝，從而防止用于布線部分的開口到達(dá)電介質(zhì)膜和第一電極部分，其中該第一部分構(gòu)成電極焊盤的一部分。因此，在所述開口形成步驟之后進(jìn)行例如電鍍工藝以在用于布線部分的開口中沉積導(dǎo)電材料，從而形成連接至第二電極部分的布線部分時(shí)，能夠形成該布線部分使其不到達(dá)電介質(zhì)膜和第一電極部分。因此，在這樣制造的電子元件中，對(duì)以小尺寸設(shè)計(jì)電容器單元的第二電極部分的二維尺寸賦予更高的自由度，從而使其免受連接至該第二電極部分的布線部分的形狀的限制。這種電子元件有利于在降低電容器單元的靜態(tài)電容的同時(shí)，滿足減少電子元件尺寸的需要，因此這種電子元件適于構(gòu)成集成電子元件。
本發(fā)明的第三方案提供一種制造電子元件的方法。該方法制造的電子元件包括基底材料；電極焊盤，設(shè)置在該基底材料上，該電極焊盤具有包括第一部分和第二部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一部分具有位于該基底材料側(cè)的第一焊盤表面和與該第一焊盤表面相對(duì)的第二焊盤表面，該第二部分接合至該第一部分；螺旋線圈，設(shè)置在該基底材料上，該螺旋線圈包括內(nèi)端部分，該內(nèi)端部分具有位于該基底材料側(cè)的第一線圈表面和與該第一線圈表面相對(duì)的第二線圈表面；以及布線部分，包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該內(nèi)端部分的第二線圈表面；其中該通孔部分的布線表面包括從該內(nèi)端部分的第二線圈表面外圍部分向外延伸的延伸部分。該方法包括在該基底材料上至少形成該電極焊盤的第一部分以及具有內(nèi)端部分的該螺旋線圈之后，在該基底材料上形成絕緣膜，以覆蓋該第一部分和該螺旋線圈；以及為該絕緣膜設(shè)置第一開口和第二開口，其中該第一開口用于形成該第二部分并暴露該第一部分的第二焊盤表面的至少一部分，該第二開口用于形成該通孔部分并暴露該內(nèi)端部分的第二線圈表面的至少一部分(開口形成步驟)。該開口形成步驟包括通過設(shè)置在該絕緣膜上的預(yù)定抗蝕劑圖案，在該絕緣膜上進(jìn)行蝕刻工藝(例如，濕蝕刻工藝)。
這樣設(shè)計(jì)的開口形成步驟能夠在適當(dāng)暴露第一部分的第二表面的至少一部分以及螺旋線圈的內(nèi)端部分的第二表面的至少一部分時(shí)，停止蝕刻工藝，從而防止用于通孔部分的開口到達(dá)基底材料，其中該第一部分構(gòu)成電極焊盤一部分。因此，在所述開口形成步驟之后進(jìn)行例如電鍍工藝以在用于通孔部分的開口中沉積導(dǎo)電材料，從而形成連接至內(nèi)端部分的通孔部分時(shí)，能夠形成該通孔部分使其不到達(dá)基底材料。因此，在這樣制造的電子元件中，對(duì)以小尺寸設(shè)計(jì)螺旋線圈的內(nèi)端部分的二維尺寸賦予更高的自由度，從而使其免受連接至該內(nèi)端部分的通孔部分的二維尺寸(或直徑)的限制。這種電子元件有利于在獲得螺旋線圈所需的高Q值的同時(shí)，滿足減小電子元件尺寸的需要，因此這種電子元件適于構(gòu)成集成電子元件。
本發(fā)明的第四方案提供一種電子元件，該電子元件包括基底材料、電容器單元和布線部分。該電容器單元具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間。該布線部分包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該第二電極部分的第二電極表面。該布線表面包括從該第二電極表面的外圍部分向外延伸的延伸部分。這樣構(gòu)成的電子元件可以通過根據(jù)本發(fā)明第一方案的方法制造，并且在設(shè)計(jì)該電容器單元的第二電極部分的二維尺寸時(shí)，消除受到連接至該第二電極部分的通孔部分的二維尺寸(或直徑)的限制。這種電子元件有利于在降低電容器單元的靜態(tài)電容的同時(shí)，滿足減小電子元件尺寸的需要，因此這種電子元件適于構(gòu)成集成電子元件。
優(yōu)選地，該第二電極表面位于該布線表面的外圍邊緣的內(nèi)部位置。這種結(jié)構(gòu)有利于在獲得螺旋線圈所需的高Q值的同時(shí)，滿足減小電子元件尺寸的需要。
本發(fā)明的第五方案提供一種電子元件，該電子元件包括基底材料、電容器單元和布線部分。該電容器單元具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間。該布線部分包括接合部分，該接合部分沿著該基底材料延伸并接合至該第二電極部分的第二電極表面。這樣構(gòu)成的電子元件可以通過根據(jù)本發(fā)明第二方案的方法制造，并且在設(shè)計(jì)該電容器單元的第二電極部分的二維尺寸時(shí)，消除受到連接至該第二電極部分的布線部分的形狀的限制。這種電子元件有利于在降低該電容器單元的靜態(tài)電容的同時(shí)，滿足減小該電子元件尺寸的需要，因此這種電子元件適于構(gòu)成集成電子元件。
優(yōu)選地，該電子元件還包括設(shè)置在該基底材料上的無源元件。該布線部分構(gòu)成該無源元件與該電容器單元之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。在具有這種結(jié)構(gòu)或取代這種結(jié)構(gòu)的情況下，該電子元件還包括設(shè)置在該基底材料上的電極焊盤；其中該布線部分構(gòu)成該電極焊盤與該電容器單元之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明的第四和第五方案的電子元件可以是包括前述結(jié)構(gòu)的集成電子元件。
本發(fā)明的第六方案提供一種電子元件，該電子元件包括基底材料、用作電感器的螺旋線圈以及布線部分。該螺旋線圈包括內(nèi)端部分，該內(nèi)段部分具有位于該基底材料側(cè)的第一線圈表面和與該第一線圈表面相對(duì)的第二線圈表面。該布線部分包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該內(nèi)端部分的第二線圈表面。該布線表面包括從該第二線圈表面的外圍部分向外延伸的延伸部分。這樣構(gòu)成的電子元件可以通過根據(jù)本發(fā)明第三方案的方法制造，并且在設(shè)計(jì)該螺旋線圈的內(nèi)端部分的二維尺寸時(shí)，消除受到連接至該內(nèi)端部分的通孔部分的二維尺寸(或直徑)的限制。這種電子元件有利于在獲得該螺旋線圈所需的高Q值的同時(shí)，滿足減小該電子元件尺寸的需要，因此這種電子元件適于構(gòu)成集成電子元件。
優(yōu)選地，該第二線圈表面位于該布線表面的外圍邊緣的內(nèi)部位置。這種結(jié)構(gòu)有利于在降低電容器單元的靜態(tài)電容的同時(shí)，滿足減小該電子元件尺寸的需要。
優(yōu)選地，該電子元件還包括設(shè)置在該基底材料上的無源元件；其中該布線部分構(gòu)成該無源元件與該螺旋線圈之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。在具有或取代這種結(jié)構(gòu)的情況下，該電子元件還包括設(shè)置在該基底材料上的電極焊盤；其中該布線部分構(gòu)成該電極焊盤與該螺旋線圈之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。根據(jù)本發(fā)明第六方案的電子元件可以是包括前述結(jié)構(gòu)的集成電子元件。


圖1為示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的集成電子元件的平面圖；圖2為圖1中沿著線II-II的橫截面圖；圖3為圖1中沿著線III-III的橫截面圖；圖4為圖1中沿著線IV-IV的橫截面圖；圖5為圖1中所示的集成電子元件的電路圖；圖6為示出圖1中所示的集成電子元件的放大局部平面圖；圖7為示出圖1中所示的集成電子元件的另一部分的放大局部平面圖；圖8A至圖8D為示出圖1中所示的集成電子元件的制造過程的橫截面圖；圖9A至圖9D為示出圖8D的制造過程之后的制造過程的橫截面圖；圖10A至圖10D為示出圖9D的制造過程之后的制造過程的橫截面圖；圖11為示出根據(jù)第一實(shí)施例的集成電子元件的改型的放大局部平面圖，對(duì)應(yīng)于取自圖1的圖6；圖12為示出根據(jù)第一實(shí)施例的集成電子元件的改型的放大局部平面圖，對(duì)應(yīng)于取自圖1的圖7；圖13為示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的集成電子元件的平面圖；圖14為圖13中沿著XIV-XIV線的橫截面圖；圖15為圖13中沿著XV-XV線的橫截面圖；圖16為圖13中沿著XVI-XVI線的橫截面圖；圖17為示出圖13中所示的集成電子元件的放大局部平面圖；圖18A至圖18D為示出圖13中所示的集成電子元件的制造過程的橫截面圖；圖19A至圖19D為示出圖18D的制造過程之后的制造過程的橫截面圖；圖20A至圖20D為示出圖19D的制造過程之后的制造過程的橫截面圖；圖21是示出相關(guān)技術(shù)的電子元件的局部橫截面圖，用于更好地理解本發(fā)明；圖22A至圖22D為示出圖21中所示的集成電子元件的制造過程的橫截面圖；圖23A至圖23D為示出圖22D的制造過程之后的制造過程的橫截面圖；圖24A和圖24B為示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的集成電子元件制造過程中的假想步驟的橫截面圖；以及圖25A和圖25B為示出根據(jù)相關(guān)技術(shù)的集成電子元件制造過程中的另一假想步驟的橫截面圖。
具體實(shí)施例方式
圖1至圖4描述了根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的集成電子元件X1。圖1為集成電子元件X1的平面圖。圖2、圖3和圖4分別為圖1中沿線II-II、III-III和IV-IV的橫截面圖。
集成電子元件X1包括襯底S；電容器10；螺旋線圈20A、20B；電極焊盤30A、30B、30C、30D；布線40以及保護(hù)膜50(在圖1中未示出)，并且集成電子元件X1具有圖5所示的電路結(jié)構(gòu)。
襯底S可以是半導(dǎo)體襯底、石英襯底、玻璃襯底、絕緣體上硅(SOI)襯底、石英上硅(SOQ)襯底或者玻璃上硅(SOG)襯底。該半導(dǎo)體襯底可以由硅材料、例如單晶硅構(gòu)成。
電容器10具有包括電極膜11、12和電介質(zhì)膜13的堆疊結(jié)構(gòu)，如圖2所示。電極膜11是在襯底S上以圖案形成的下電極膜，并且可以由Cu、Au、Ag或Al構(gòu)成。電極膜11可以具有包括多個(gè)導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。電極膜11具有例如1至5μm的厚度。電極膜12是具有第一表面12a和第二表面的上電極膜，并且可以由Cu、Au、Ag或Al構(gòu)成，其中第一表面12a經(jīng)由電介質(zhì)膜13面向電極膜11，該第二表面與該第一表面相對(duì)。電極膜12具有例如5至20μm的厚度。電介質(zhì)膜13可以由氧化硅、氮化硅、氧化鋁、氧化鉭或氧化鈦構(gòu)成。電介質(zhì)膜13具有例如0.1至0.5μm的厚度。
每個(gè)螺旋線圈20A、20B為在襯底S上圖案化的平面螺旋線圈，如圖1和圖3所示，并具有內(nèi)端部分21(在圖3中示出)和外端部分22(在圖1中示出)。內(nèi)端部分21具有位于襯底S側(cè)的第一表面21a和與第一表面21a相對(duì)的第二表面21b。螺旋線圈20A、20B可具有5至20μm的厚度。螺旋線圈20A、20B的優(yōu)選材料包括Cu、Au、Ag和Al。
電極焊盤30A至30D用于外部連接。電極焊盤30A、30B用作接地的端子，而電極焊盤30C、30D用作電信號(hào)的輸入/輸出端子，如圖5所示。每個(gè)電極焊盤30A至30D具有包括第一部分31和第二部分32的堆疊結(jié)構(gòu)，如圖4所示。第一部分31具有位于襯底S側(cè)的第一表面31a和與第一表面31a相對(duì)的第二表面31b，并且第一部分31可由Cu、Au、Ag或Al構(gòu)成。第二部分32可由上表面涂有Au膜的Ni塊(body)構(gòu)成。
布線40用于電連接襯底S上的元件，并且布線40包括在襯底S上圖案化的第一布線部分41、主要在保護(hù)膜50上圖案化的第二布線部分42以及沿集成電子元件X1的厚度方向延伸的通孔43，通孔43用作第三布線部分，如圖1至圖3所示。通孔43包括通孔43A、通孔43B和通孔43C，其中通孔43A連接至電容器10的電極膜12，通孔43B連接至螺旋線圈20A、20B的內(nèi)端部分21，通孔43C連接第一布線部分41和第二布線部分42。為了使附圖清楚明了，在圖1中只有布線40的第一布線部分41用陰影線表示。第一布線部分41可如同電極膜11一樣由Cu、Au、Ag或Al構(gòu)成，并且可具有包括多個(gè)導(dǎo)電層的多層結(jié)構(gòu)。第一布線部分41具有例如1至5μm的厚度。第二布線部分42和通孔43的優(yōu)選材料包括Cu、Au、Ag、Al和Ni，并且第二布線部分42可具有5至20μm的厚度。
如圖2所示，通孔43A具有位于襯底S側(cè)的表面43a，并經(jīng)由表面43a接合到電容器10的電極膜12的第二表面12b。如圖6所示，通孔43A具有比電極膜12更大的二維尺寸(圖6為示出集成電子元件X1中電容器10及其外圍部分的放大局部平面圖，其中未示出第二布線部分42和保護(hù)膜50，但是用虛線示出了電極膜12)。更詳細(xì)地，如圖2和圖6所示，通孔43A的直徑R1大于電極膜12的長(zhǎng)度L1、L2。電極膜12的第二表面12b位于表面43a的外圍邊緣43a’的內(nèi)部位置，其中表面43a是通孔43A的面向襯底S的表面。表面43a包括從第二表面12b的外圍部分12b’向外延伸的延伸部分43a”。
參照?qǐng)D5，電容器10電連接至電極焊盤30C、30D和螺旋線圈20A、20B。更具體地，如圖1所示，電容器10的電極膜11經(jīng)由第一布線部分41的一部分電連接至電極焊盤30C和螺旋線圈20A的外端部分22，以及如圖1和圖2所示，電容器10的電極膜12經(jīng)由連接至電極膜12的通孔43A、與通孔43A相連的第二布線部分42、與第二布線部分42相連的通孔43C以及與通孔43C相連的第一布線部分41，電連接至電極焊盤30D和螺旋線圈20B的外端部分22。
參照?qǐng)D3，通孔43B具有面向襯底S的表面43b，并經(jīng)由表面43b接合至螺旋線圈20A或螺旋線圈20B的內(nèi)端部分21的第二表面21b。如圖7所示，通孔43B具有比內(nèi)端部分21更大的二維尺寸(圖7為示出集成電子元件X1中螺旋線圈20A或螺旋線圈20B及其外圍部分的放大局部平面圖，其中未示出第二布線部分42和保護(hù)膜50，但是用虛線示出了內(nèi)端部分21)。更詳細(xì)地，如圖2和圖6所示，通孔43B的直徑R2大于內(nèi)端部分21的長(zhǎng)度L3、L4；以及位于襯底S側(cè)的通孔43B的表面43b包括從內(nèi)端部分21的第二表面21b的外圍部分21b’向外延伸的延伸部分43b”。
再參照?qǐng)D3，螺旋線圈20A、20B經(jīng)由接合至內(nèi)端部分21的通孔43B、與通孔43B連接的第二布線部分42以及與第二布線部分42連接的通孔43C，分別電連接至第一布線部分41的一部分。因此，螺旋線圈20A、20B經(jīng)由第一布線部分41電連接至電極焊盤30A、30B。
保護(hù)膜50可由聚酰亞胺或苯并環(huán)丁烯(BCB)構(gòu)成，并覆蓋電容器10、螺旋線圈20A、螺旋線圈20B、第一布線部分41以及通孔43，如圖2和圖3所示。
圖8A至圖10D示出集成電子元件X1的制造方法。圖8A至圖10D以包括下面這些組成部分的區(qū)域的橫截面圖表示圖10D中示出的電容器10、部分螺旋線圈20、電極焊盤30(對(duì)應(yīng)于電極焊盤30A至30D)以及部分布線40的形成工藝的進(jìn)展。這些截面圖漸進(jìn)地描述了待加工材料襯底上的多個(gè)預(yù)定區(qū)域的模型，所述預(yù)定區(qū)域包含在形成集成電子元件的單一截面中。
為形成集成電子元件X1，首先參照?qǐng)D8A，在襯底S上形成電容器10的電極膜11。具體地，進(jìn)行濺射工藝以在襯底S上沉積預(yù)定的金屬材料，接著通過預(yù)定的濕蝕刻或干蝕刻工藝將金屬膜形成圖案，以形成電極膜11。
然后，如圖8B所示，在電極膜11上形成電介質(zhì)膜13。具體地，進(jìn)行濺射工藝以至少在電極膜11上沉積預(yù)定的電介質(zhì)材料，接著通過預(yù)定的濕蝕刻或干蝕刻工藝將電介質(zhì)膜形成圖案，以形成電介質(zhì)膜13。
然后，在襯底S上形成用于電鍍的籽晶層(未示出)以覆蓋電極膜11和電介質(zhì)膜13。可以通過CVD或?yàn)R射工藝形成該籽晶層。
參照?qǐng)D8C，形成抗蝕劑圖案61?？刮g劑圖案61具有與電容器10的電極膜12、螺旋線圈20、電極焊盤30的第一部分31以及布線40的第一布線部分41的圖案形狀對(duì)應(yīng)的開口。為形成抗蝕劑圖案61，首先通過旋涂工藝從電極膜11和電介質(zhì)膜13上方的位置起、在襯底S上沉積液態(tài)的光致抗蝕劑。然后，通過曝光和之后的顯影工藝圖案化光致抗蝕劑膜。后面要描述的抗蝕劑圖案也可以通過類似的工藝形成。
然后，進(jìn)行電鍍工藝以在抗蝕劑圖案61的開口中沉積預(yù)定的金屬材料，從而形成電極膜12、螺旋線圈20、第一部分31以及第一布線部分41，如圖8D所示。在該電鍍工藝中，向籽晶層通電。
下面參照?qǐng)D9A，例如通過使用預(yù)定的去膜溶液去除抗蝕劑圖案61，接著去除籽晶層的暴露部分。然后如圖9B所示，形成絕緣膜62以覆蓋電容器10、螺旋線圈20、第一部分31以及第一布線部分41。具體地，可使用旋涂工藝在襯底S上沉積液態(tài)的光致抗蝕劑，以形成絕緣膜62。
參照?qǐng)D9C，在絕緣膜62上形成抗蝕劑圖案63?？刮g劑圖案63形成有與通孔43A、43B、43C的圖案對(duì)應(yīng)的開口63a、63b、63c以及與電極焊盤30的第二部分32的圖案對(duì)應(yīng)的開口63d。
然后，使用抗蝕劑圖案63作為掩模在絕緣膜62上進(jìn)行濕蝕刻工藝，如圖9D所示。因此，絕緣膜62變?yōu)榫哂杏糜谛纬赏?3A的開口62a、用于形成通孔43B的開口62b、用于形成通孔43C的開口62c以及用于形成第二部分32的開口62d，其中開口62a暴露電極膜12的整個(gè)第二表面12b，開口62b暴露內(nèi)端部分21的整個(gè)第二表面21b，開口62c暴露圖中第一布線部分41的上表面的至少一部分，開口62d暴露第一部分31的第二表面31b的一部分。開口62a沒有到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11。開口62b沒有到達(dá)襯底S。
下面參照?qǐng)D10A，去除抗蝕劑圖案63。然后，在絕緣膜62的表面上以及電極膜12、內(nèi)端部分21、第一部分31和第一布線部分41的暴露表面上形成用于電鍍的籽晶層，之后在絕緣膜62上形成抗蝕劑圖案64，如圖10B所示?？刮g劑圖案64形成有與第二布線部分42的圖案對(duì)應(yīng)的開口64a以及與電極焊盤30的第二部分32的圖案對(duì)應(yīng)的開口64b。
然后，參照?qǐng)D10C，進(jìn)行電鍍工藝以在絕緣膜62的開口62a至62d中以及在抗蝕劑圖案64的開口64a、64b中沉積預(yù)定的金屬材料，從而形成通孔43A至43C、第二布線部分42以及第二部分32。在該電鍍工藝中，向籽晶層通電。通孔43A沒有到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11。通孔43B沒有到達(dá)襯底S。
然后，去除抗蝕劑圖案64，如圖10D所示。接著去除籽晶層的暴露部分。通過上述方法，能夠制造圖1中所示的集成電子元件X1。
參照?qǐng)D9D所述的工藝能夠在適當(dāng)暴露第一部分31的第二表面31b的至少一部分以及電容器10的電極膜12的整個(gè)第二表面12b和螺旋線圈20的內(nèi)端部分21的整個(gè)第二表面21b時(shí)，停止蝕刻工藝，從而防止開口62a到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11以及防止開口62b到達(dá)基底材料，如已經(jīng)陳述過的，其中第一部分31將構(gòu)成電極焊盤30的一部分。因此，在參照?qǐng)D10C所述的工藝中，能夠形成通孔43A使其不到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11，以及形成通孔43B使其不到達(dá)襯底S。因此，在集成電子元件X1中，對(duì)以小尺寸設(shè)計(jì)電容器10的電極膜12的二維尺寸賦予更高的自由度，使其免受連接至電極膜12的通孔43A的二維尺寸或直徑R1(例如在圖2中示出)的限制，以及對(duì)以小尺寸設(shè)計(jì)螺旋線圈20的內(nèi)端部分21的二維尺寸賦予更高的自由度，使其免受連接至內(nèi)端部分21的通孔43B的二維尺寸或直徑R2(例如在圖3中示出)的限制。這種結(jié)構(gòu)的集成電子元件X1有利于在降低電容器10的靜態(tài)電容并獲得螺旋線圈20A、20B所需的高Q值的同時(shí)，滿足減小電子元件尺寸的需要。
圖11為示出集成電子元件X1的一種改型的放大局部平面圖，對(duì)應(yīng)于取自示出集成電子元件X1的圖1的圖6。在這個(gè)改型中，通孔43A的直徑R1大于電容器10的電極膜12的長(zhǎng)度L2但小于長(zhǎng)度L1。換句話說，雖然通孔43A的位于襯底S側(cè)的表面43a包括沿著端部12b’(電極膜12的第二表面12b的端部)的外表面延伸的延伸部分43a”，但是第二表面12b從表面43a的外圍邊緣43a’向外部分地延伸。這種結(jié)構(gòu)也包含在本發(fā)明中，并且該結(jié)構(gòu)有利于在降低電容器10的靜態(tài)電容的同時(shí)，滿足減小電子元件尺寸的需要。
圖12為示出集成電子元件X1的另一改型的放大局部平面圖，對(duì)應(yīng)于取自示出集成電子元件X1的圖1的圖7。在這個(gè)改型中，通孔43B的直徑R2大于螺旋線圈20的內(nèi)端部分21的長(zhǎng)度L4但小于長(zhǎng)度L3。換句話說，雖然通孔43B的位于襯底S側(cè)的表面43b包括沿著端部21b’(內(nèi)端部分21的第二表面21b的端部)的外表面延伸的延伸部分43b”，但是第二表面21b從表面43b的外圍邊緣43b’向外部分地延伸。這種結(jié)構(gòu)也包含在本發(fā)明中，并且該結(jié)構(gòu)有利于在獲得螺旋線圈20A、20B所需的高Q值的同時(shí)，滿足減少電子元件尺寸的需要。
圖13至圖16示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的集成電子元件X2。圖13為示出集成電子元件X2的平面圖。圖14、圖15和圖16分別是圖13中沿線XIV-XIV、XV-XV以及XVI-XVI的橫截面圖。集成電子元件X2包括襯底S；電容器10；螺旋線圈20A、20B；電極焊盤30A、30B、30C、30D；布線40’以及保護(hù)膜50(在圖13中未示出)。集成電子元件X2與前述集成電子元件X1的實(shí)質(zhì)不同在于包括布線40’來代替布線40。
布線40’用于電連接襯底S上的元件，并且布線40’包括在襯底S上圖案化的第一布線部分41、主要在保護(hù)膜50上圖案化的第二布線部分42以及沿著集成電子元件X2的厚度方向延伸的通孔43，通孔43用作第三布線部分，如圖13至圖15所示。通孔43包括與電容器10的內(nèi)端部分21連接的通孔43B、與螺旋線圈20A、20B的內(nèi)端部分21連接的通孔43B以及連接第一布線部分41和第二布線部分42的通孔43C。為了使附圖清楚明了，在圖13中只有布線40’的第一布線部分41用陰影線表示。布線40’與集成電子元件X1的布線40的不同之處在于包括第四布線部分44來代替通孔43A、與通孔43A相連的第二布線部分42以及與第二布線部分42相連的通孔43C。第四布線部分44的優(yōu)選材料包括Cu、Au、Ag、Al和Ni，并且第四布線部分44具有5至20μm的厚度。
除了圖14之外，如圖17所示，第四布線部分44沿著襯底S延伸，并連接至電極膜12的位于第二表面12b側(cè)的部分以及連接至第一布線部分41的一部分。圖17為示出集成電子元件X2的電容器10及其外圍部分的放大局部平面圖，其中未示出保護(hù)膜50但是用虛線表示電極膜12。如圖13所示，在集成電子元件X2中，電容器10的電極膜12經(jīng)由第四布線部分44和連接至第四布線部分44的第一布線部分41電連接至電極焊盤30D和螺旋線圈20B的外端部分22。集成電子元件X2的其余部分的電連接與集成電子元件X1的相應(yīng)部分的電連接相同。
圖18A至圖20D示出集成電子元件X2的制造方法。圖18A至圖20D以包括下面這些組成部分的區(qū)域的橫截面圖表示圖20D中示出的電容器10、部分螺旋線圈20、電極焊盤30(對(duì)應(yīng)于電極焊盤30A至30D)以及部分布線40的形成工藝的進(jìn)展。這些截面圖漸進(jìn)地描述了待加工材料襯底上的多個(gè)預(yù)定區(qū)域的模型，所述預(yù)定區(qū)域包含在形成集成電子元件的單一截面中。
為形成集成電子元件X2，首先參照?qǐng)D18A，在襯底S上形成電容器10的電極膜11。然后，在電極膜11上形成電介質(zhì)膜13，如圖18B所示。然后在襯底S上形成用于電鍍的籽晶層(未示出)以覆蓋電極膜11和電介質(zhì)膜13，接著形成抗蝕劑圖案61，如圖18C所示。參照?qǐng)D18D，進(jìn)行電鍍工藝以形成電極膜12、螺旋線圈20、第一部分31和第一布線部分41。下面參照?qǐng)D19A，去除抗蝕劑圖案61，之后去除籽晶層的暴露部分。然后，如圖19B所示，形成絕緣膜62以覆蓋電容器10、螺旋線圈20、第一部分31和第一布線部分41。前述步驟的具體細(xì)節(jié)與參照?qǐng)D8A至圖8D和圖9A至圖9B所描述的關(guān)于第一實(shí)施例的情況相似。
集成電子元件X2的制造過程現(xiàn)在進(jìn)行到圖19C，其中在絕緣膜62上形成抗蝕劑圖案65?？刮g劑圖案65形成有開口65a、開口65b、65c以及開口65d，其中開口65a對(duì)應(yīng)于第四布線部分44的圖案，開口65b、65c對(duì)應(yīng)于通孔43B、43C的圖案，開口65d對(duì)應(yīng)于電極焊盤30的第二部分32的圖案。
然后，使用抗蝕劑圖案65作為掩模在絕緣膜62上進(jìn)行濕蝕刻工藝，如圖19D所示。因此，絕緣膜62變?yōu)榫哂杏糜谛纬傻谒牟季€部分44的開口62e、用于形成通孔43B的開口62b、用于形成通孔43C的開口62c以及用于形成第二部分32的開口62d，其中開口62e暴露電極膜12的整個(gè)第二表面12b，開口62b暴露內(nèi)端部分21的整個(gè)第二表面21b，開口62c暴露圖中第一布線部分41的上表面的至少一部分，開口62d暴露第一部分31的第二表面31b的一部分。開口62e沒有到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11。開口62b沒有到達(dá)襯底S。
下面參照?qǐng)D20A，去除抗蝕劑圖案65，之后在絕緣膜62的表面上以及電極膜12、內(nèi)端部分21、第一部分31和第一布線部分41的暴露表面上形成用于電鍍的籽晶層(未示出)。接著在絕緣膜62上形成抗蝕劑圖案66，如圖20B所示?？刮g劑圖案66形成有與第四布線部分44的圖案對(duì)應(yīng)的開口66a、與第二布線部分42的圖案對(duì)應(yīng)的開口66b以及與電極焊盤30的第二部分32的圖案對(duì)應(yīng)的開口66c。
參照?qǐng)D20C，進(jìn)行電鍍工藝以在絕緣膜62的開口62b至62e中以及抗蝕劑圖案66的開口66a至66c中沉積預(yù)定的金屬材料，從而形成第一布線部分44、通孔43B和通孔43C、第二布線部分42以及第二部分32。在該電鍍過程中，向籽晶層通電。第四布線部分44沒有到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11。通孔43B沒有到達(dá)襯底S。
然后，去除抗蝕劑圖案66，如圖20D所示。接著去除籽晶層的暴露部分。通過上述方法，能夠制造圖13所示的集成電子元件X2。
參照?qǐng)D19D所述的工藝能夠在適當(dāng)暴露第一部分31的第二表面31b的至少一部分以及電容器10的電極膜12的整個(gè)第二表面12b和螺旋線圈20的內(nèi)端部分21的整個(gè)第二表面21b時(shí)，停止蝕刻工藝，從而防止開口62e到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11，以及防止開口62b到達(dá)基底材料，如前面已經(jīng)陳述過的，其中第一部分31構(gòu)成電極焊盤30的一部分。因此，在參照?qǐng)D20C所述的工藝中，能夠形成第四布線部分44使其不到達(dá)電介質(zhì)膜13和電極膜11，以及能夠形成通孔43B使其不到達(dá)襯底S。因此，在集成電子元件X2中，對(duì)以小尺寸設(shè)計(jì)電容器10的電極膜12的二維尺寸賦予更高的自由度，從而使其免受連接至電極膜12的第四布線部分44的形狀的限制，以及對(duì)以小尺寸設(shè)計(jì)螺旋線圈20的內(nèi)端部分21的二維尺寸賦予更高的自由度，從而使其免受連接至內(nèi)端部分21的通孔43B的二維尺寸或直徑R2(在圖15中示出)的限制。這種結(jié)構(gòu)的集成電子元件X2有利于在降低電容器10的靜態(tài)電容并獲得螺旋線圈20A、20B所需的高Q值的同時(shí)，滿足減小電子元件尺寸的需要。
在集成電子元件X1、X2中，可以設(shè)置所謂的共形(conformal)絕緣膜來替代保護(hù)膜50，該共形絕緣膜覆蓋襯底S上的結(jié)構(gòu)，但除了各電極焊盤30A至30D的部分表面之外。為了在集成電子元件X1、X2中形成這種共形絕緣膜，首先通過干蝕刻或濕蝕刻工藝去除保護(hù)膜50。然后，進(jìn)行例如CVD工藝來形成薄絕緣膜，以覆蓋襯底S上的結(jié)構(gòu)。接下來，圖案化該絕緣膜以暴露電極焊盤30A至30D的部分表面。使用該共形絕緣膜有利于降低可能在布線之間形成的寄生電容。
權(quán)利要求
1.一種制造電子元件的方法，該電子元件包括基底材料；電極焊盤，設(shè)置在該基底材料上，并具有包括第一部分和第二部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一部分具有位于該基底材料側(cè)的第一焊盤表面和與該第一焊盤表面相對(duì)的第二焊盤表面，該第二部分接合至該第一部分；電容器單元，具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間；以及布線部分，包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該第二電極部分的第二電極表面；其中，該通孔部分的布線表面包括從該電容器單元的第二電極表面的外圍部分向外延伸的延伸部分，該方法包括在該基底材料上至少形成該電極焊盤的第一部分以及該電容器單元的第一電極部分、電介質(zhì)部分和第二電極部分之后，在該基底材料上形成絕緣膜，以覆蓋該第一部分和該電容器單元；以及為該絕緣膜設(shè)置第一開口和第二開口，其中該第一開口用于形成該第二部分并暴露該第一部分的第二焊盤表面的至少一部分，該第二開口用于形成該通孔部分并暴露該第二電極部分的第二電極表面的至少一部分。
2.一種制造電子元件的方法，該電子元件包括基底材料；電極焊盤，設(shè)置在該基底材料上，并具有包括第一部分和第二部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一部分具有位于該基底材料側(cè)的第一焊盤表面和與該第一焊盤表面相對(duì)的第二焊盤表面，該第二部分接合至該第一部分；電容器單元，具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間；以及布線部分，包括接合部分，該接合部分沿著該基底材料延伸并接合至該第二電極部分的第二電極表面，該方法包括在該基底材料上至少形成該電極焊盤的第一部分以及該電容器單元的第一電極部分、電介質(zhì)部分和第二電極部分之后，在該基底材料上形成絕緣膜，以覆蓋該第一部分和該電容器單元；以及為該絕緣膜設(shè)置第一開口和第二開口，其中該第一開口用于形成該第二部分并暴露該第一部分的第二焊盤表面的至少一部分，該第二開口用于形成該布線部分并暴露該第二電極部分的第二電極表面的至少一部分。
3.一種制造電子元件的方法，該電子元件包括基底材料；電極焊盤，設(shè)置在該基底材料上，并具有包括第一部分和第二部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一部分具有位于該基底材料側(cè)的第一焊盤表面和與該第一焊盤表面相對(duì)的第二焊盤表面，該第二部分接合至該第一部分；螺旋線圈，設(shè)置在該基底材料上，并包括內(nèi)端部分，該內(nèi)端部分具有位于該基底材料側(cè)的第一線圈表面和與該第一線圈表面相對(duì)的第二線圈表面；以及布線部分，包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該內(nèi)端部分的第二線圈表面；其中，該通孔部分的布線表面包括從該內(nèi)端部分的第二線圈表面的外圍部分向外延伸的延伸部分，該方法包括在該基底材料上至少形成該電極焊盤的第一部分以及具有內(nèi)端部分的該螺旋線圈之后，在該基底材料上形成絕緣膜，以覆蓋該第一部分和該螺旋線圈；以及為該絕緣膜設(shè)置第一開口和第二開口，其中該第一開口用于形成該第二部分并暴露該第一部分的第二焊盤表面的至少一部分，該第二開口用于形成該通孔部分并暴露該內(nèi)端部分的第二線圈表面的至少一部分。
4.一種電子元件，包括基底材料；電容器單元，具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間；以及布線部分，包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該第二電極部分的第二電極表面；其中，布線表面包括從該第二電極表面的外圍部分向外延伸的擴(kuò)展部分。
5.如權(quán)利要求4所述的電子元件，其中該第二電極表面位于該布線表面的外圍邊緣的內(nèi)部位置處。
6.一種電子元件，包括基底材料；電容器單元，具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分具有面向該第一電極部分的第一電極表面和與該第一電極表面相對(duì)的第二電極表面，該電介質(zhì)部分位于該第一電極部分與該第二電極部分之間；以及布線部分，包括接合部分，該接合部分沿著基底材料延伸并接合至該第二電極部分的第二電極表面。
7.如權(quán)利要求4和6中任意之一所述的電子元件，還包括設(shè)置在該基底材料上的無源元件；其中該布線部分構(gòu)成該無源元件與該電容器單元之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。
8.如權(quán)利要求4和6中任意之一所述的電子元件，還包括設(shè)置在該基底材料上的電極焊盤；其中該布線部分構(gòu)成該電極焊盤與該電容器單元之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。
9.一種電子元件，包括基底材料；螺旋線圈，包括內(nèi)端部分，該內(nèi)端部分具有位于該基底材料側(cè)的第一線圈表面和與該第一線圈表面相對(duì)的第二線圈表面，該螺旋線圈設(shè)置在該基底材料上；以及布線部分，包括通孔部分，該通孔部分具有面向該基底材料的布線表面，該布線表面接合至該內(nèi)端部分的第二線圈表面；其中，該布線表面包括從該第二線圈表面的外圍部分向外延伸的延伸部分。
10.如權(quán)利要求9所述的電子元件，其中該第二線圈表面位于該布線表面的外圍邊緣的內(nèi)部位置處。
11.如權(quán)利要求9所述的電子元件，還包括設(shè)置在該基底材料上的無源元件；其中該布線部分構(gòu)成該無源元件與該螺旋線圈之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。
12.如權(quán)利要求9所述的電子元件，還包括設(shè)置在該基底材料上的電極焊盤；其中該布線部分構(gòu)成該電極焊盤與該螺旋線圈之間的導(dǎo)電路徑的至少一部分。
全文摘要
一種電子元件包括基底材料、電容器單元和布線部分。該電容器單元具有包括第一電極部分、第二電極部分和電介質(zhì)部分的堆疊結(jié)構(gòu)，其中該第一電極部分設(shè)置在該基底材料上，該第二電極部分包括面向該第一電極部分的第一表面和與該第一表面相對(duì)的第二表面，該電介質(zhì)部分位于上述電極部分之間。該布線部分包括通孔部分，該通孔部分具有位于該基底材料側(cè)的表面，并且該通孔部分經(jīng)由位于該基底材料側(cè)的表面接合至該第二電極部分的第二表面。該通孔部分的位于該基底材料側(cè)的表面包括從該第二電極部分的第二表面的外圍部分向外延伸的延伸部分。
文檔編號(hào)H01L27/00GK1971877SQ20061014855
公開日2007年5月30日 申請(qǐng)日期2006年11月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月25日
發(fā)明者水野義博, 宓曉宇, 松本剛, 奧田久雄, 上田知史 申請(qǐng)人:富士通株式會(huì)社