專利名稱：Bd控?fù)跗幕厥绽梅椒?br> 技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體工藝，尤其涉及一種BD控?fù)跗幕厥绽?用方法。
背景技術(shù)：
BD是一種低K值介電材料，其中K為介電系數(shù)，其英文全稱為 Black Diamond (黑金剛)，而BD控?fù)跗侵父采w有BD材料的晶圓 (Wafer),在晶片行業(yè)俗稱為"BD控?fù)跗?，BD控?fù)跗荁D層和硅 基底的總稱，BD層是黑金剛材料。BD控?fù)跗?0納米及以下晶片 制程中大量應(yīng)用。由于BD控?fù)跗膬r(jià)格較貴，如果不能回收，則提 高生產(chǎn)成本，目前關(guān)于BD控?fù)跗幕厥绽弥饾u成為晶元代工廠成 本控制的重要內(nèi)容。
目前采用化學(xué)機(jī)械研磨法對BD控?fù)跗厥赵倮茫沁@--方 法的主要問題是容易對硅基底造成劃傷，表面缺陷難于控制，這樣造 成無法再次利用，也就是說利用該方法的回收率較低。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種BD控?fù)跗幕厥绽梅?法，它可以提高BD控?fù)跗幕厥章省?br> 為了解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供了一種BD控?fù)跗幕厥绽?用方法，它包括如下步驟第一步，對BD控?fù)跗M(jìn)行單晶元濕法刻蝕；第二步，進(jìn)行千法灰化；第三步，對BD控?fù)跗俅芜M(jìn)行單晶元 濕法刻蝕。
因?yàn)楸景l(fā)明結(jié)合了單晶元濕法刻蝕和干法灰化，這樣不但可以去 除硅基底面的BD層，而且又能很好得控制硅基底表面的表面缺陷， 主要因?yàn)閱尉г獫穹涛g和干法灰化相結(jié)合，具有高的黑金剛對硅的刻蝕選擇比，即容易刻蝕黑金剛而不容易刻蝕單晶硅，所以能很好地控制硅基底表面的表面缺陷。按照回收成功的標(biāo)準(zhǔn)Wafer表面大于 0. 12微米的表面顆?？倲?shù)小于100顆，大于1微米的表面顆?？倲?shù) 小于10顆計(jì)算，回收成功率可以達(dá)到92%。


下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式
對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)說明。 圖1是本發(fā)明的BD控?fù)跗幕厥樟鞒淌疽鈭D。
具體實(shí)施例方式
如圖1所示，它是本發(fā)明的BD控?fù)跗幕厥樟鞒淌疽鈭D。它包括如下步驟
第一步，對BD控?fù)跗M(jìn)行單晶元濕法刻蝕；其中，濕法蝕刻是 采用含臭氧的去離子水和體積比49%的氫氟酸依次在BD控?fù)跗砻?處理5-15秒，并且可以視情況重復(fù)進(jìn)行處理。
第二步，進(jìn)行干法灰化；其中，干法灰化的工藝參數(shù)是，溫度是 250攝氏度；射頻功率是250瓦，氧氣的流量是9500sccm，反應(yīng)腔的 壓強(qiáng)是650 mT，反應(yīng)的時(shí)間是60秒。
第三步，對BD控?fù)跗俅芜M(jìn)行單晶元濕法刻蝕；其中，濕法蝕刻是采用含臭氧的去離子水和體積比49%的氫氟酸依次在BD控?fù)跗?表面處理10-20秒，并且可以視情況重復(fù)進(jìn)行處理。
在中芯國際公司的90納米銅制程采用本發(fā)明方法，即經(jīng)過兩道 單晶元濕法蝕刻和一道干法灰化工藝制程，成功的將5860微米厚的 BD控?fù)跗厥绽??；厥粘晒β士梢赃_(dá)到92% (回收成功的標(biāo)準(zhǔn) Wafer表面大于0. 12微米的表面顆粒總數(shù)小于100顆，大于1微米 的表面顆粒總數(shù)小于10顆)，回收利用的次數(shù)可以達(dá)到10次。
這一新技術(shù)在工業(yè)化量產(chǎn)中得到了實(shí)際應(yīng)用，極大的節(jié)約了生產(chǎn) 成本。未來可以改善的是盡量減少由于干法灰化機(jī)器的波動(dòng)對回收成 功率帶來的影響，將回收成功率推向更高的水平。
權(quán)利要求
1. 一種BD控?fù)跗幕厥绽梅椒?；其特征在于，它包括如下步驟第一步，對BD控?fù)跗M(jìn)行單晶元濕法刻蝕；第二步，進(jìn)行干法灰化；第三步，對BD控?fù)跗俅芜M(jìn)行單晶元濕法刻蝕。
2、 如權(quán)利要求1所述的BD控?fù)跗幕厥绽梅椒ǎ涮卣髟?于，第一步所述的濕法蝕刻是采用含臭氧的去離子水和體積比49%的 氫氟酸依次在BD控?fù)跗砻嫣幚?-15秒。
3、 如權(quán)利要求1所述的BD控?fù)跗幕厥绽梅椒ǎ涮卣髟?于干法蝕刻；第二步所述的干法灰化的工藝參數(shù)是溫度是250攝氏 度；射頻功率是250瓦，氧氣的流量是9500sccm，反應(yīng)腔的壓強(qiáng)是 650 mT，反應(yīng)的時(shí)間是60秒。
4、 如權(quán)利要求1所述的BD控?fù)跗幕厥绽梅椒?，其特征?于，第三步所述的濕法蝕刻是采用含臭氧的去離子水和體積比49%的 氫氟酸依次在BD控?fù)跗砻嫣幚?0-20秒。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種BD控?fù)跗幕厥绽梅椒ǎ梢蕴岣連D控?fù)跗幕厥章?。它包括如下步驟第一步，對BD控?fù)跗M(jìn)行單晶元濕法刻蝕；第二步，進(jìn)行干法灰化；第三步，對BD控?fù)跗俅芜M(jìn)行單晶元濕法刻蝕。
文檔編號(hào)H01L21/00GK101206993SQ20061014740
公開日2008年6月25日 申請日期2006年12月18日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月18日
發(fā)明者尚海艇, 張水友, 李建茹, 高昀成 申請人:中芯國際集成電路制造(上海)有限公司