專利名稱：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件和制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及包括以最小間距設(shè)置的字線的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件包括以行和列設(shè)置的存儲(chǔ)單元陣列。存儲(chǔ)單元晶體管行的柵電極通過字線連接，借助于其來尋址存儲(chǔ)單元。將字線定形為平行設(shè)置的字線堆疊。字線通過介電材料橫向彼此電絕緣。在外圍區(qū)域中每個(gè)字線在字線的一端都設(shè)置有接觸區(qū)域。接觸區(qū)域具有大于帶狀字線堆疊的橫向尺寸。因此，以交錯(cuò)的方式設(shè)置接觸區(qū)域。
兩個(gè)字線堆疊之間的橫向距離和字線堆疊的寬度共計(jì)為字線陣列的間距。該間距是周期圖案或者設(shè)置的周期尺寸。字線堆疊以完整周期的方式彼此接續(xù)，以便盡可能多地減少必需的器件面積。如果通過普通光刻技術(shù)構(gòu)造字線陣列，則只能產(chǎn)生具有最小值的字線堆疊的橫向尺寸和中間間隔的寬度，通過應(yīng)用的光刻法能夠獲得該最小值，并限制了字線的最小可能間距。

發(fā)明內(nèi)容
在一個(gè)方面中，本發(fā)明提供了一種具有字線堆疊或者位線堆疊的陣列的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，和以前可能的情況相比其具有更小的間距。
本發(fā)明還示出了對(duì)每單個(gè)字線堆疊或者位線堆疊這種半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件如何能夠設(shè)有接觸區(qū)域。
本發(fā)明還描述了制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，通過其能夠通過應(yīng)用標(biāo)準(zhǔn)光刻法來實(shí)現(xiàn)字線堆疊或者位線堆疊的更小間距。
根據(jù)本發(fā)明的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件設(shè)置有導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域的改善設(shè)置，其被提供用于尋址存儲(chǔ)單元，尤其是字線或者位線。導(dǎo)體軌道的最后部分以交錯(cuò)的方式來設(shè)置以便成扇狀散開，并具有大于導(dǎo)體軌道的橫向延伸。用介電材料填充間隙，并施加掩模，該掩模部分地覆蓋該最后部分并使接觸區(qū)域留在鄰近該最后部分和間隙開口的區(qū)域中。使用該掩模去除導(dǎo)體軌道之間的介電材料，使得阻擋層保留下來，其為第二導(dǎo)體軌道的最后區(qū)域定界。施加導(dǎo)電材料并使之平坦化，以在第一導(dǎo)體軌道之間形成第二導(dǎo)體軌道，第二導(dǎo)體軌道具有以交錯(cuò)方式設(shè)置以便成扇狀散開的接觸區(qū)域，類似第一導(dǎo)體軌道的最后部分。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第一個(gè)實(shí)施例包括具有主表面的襯底；具有邊緣并設(shè)置在主表面上的存儲(chǔ)單元陣列；跨越陣列平行設(shè)置的導(dǎo)體軌道，如字線或者位線；這些導(dǎo)體軌道根據(jù)陣列的二維延伸具有縱向延伸和橫向尺寸，并通過介電材料彼此分開；這些導(dǎo)體軌道設(shè)置有具有橫向于縱向延伸的尺寸的接觸區(qū)域，其大于導(dǎo)體軌道本身的橫向尺寸；這些導(dǎo)體軌道被細(xì)分成多個(gè)，其包括每隔一個(gè)的導(dǎo)體軌道；相同多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列的同一邊緣上；在導(dǎo)體軌道的縱向延伸方向上，至少一個(gè)多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域以交錯(cuò)的方式設(shè)置；以及該多個(gè)的接觸區(qū)域沿橫向于所述縱向延伸的方向偏移到由相關(guān)導(dǎo)體軌道的區(qū)域沿所述縱向延伸方向的直線延長所限定的區(qū)域以外。
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第二個(gè)實(shí)施例包括具有主表面的襯底；在主表面上設(shè)置的存儲(chǔ)單元陣列，所述陣列具有邊緣；導(dǎo)體軌道，如字線或者位線，其被提供用以尋址存儲(chǔ)單元，每個(gè)導(dǎo)體軌道具有縱向延伸和橫向尺寸并借助介電材料彼此分開；這些導(dǎo)體軌道設(shè)置有具有橫向于所述縱向延伸的尺寸的接觸區(qū)域，其大于所述橫向尺寸；這些導(dǎo)體軌道被細(xì)分成多個(gè)，其包括每隔一個(gè)的導(dǎo)體軌道；相同多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列的同一邊緣上；以及至少一個(gè)多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域以交錯(cuò)的方式設(shè)置，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置接觸區(qū)域。
一個(gè)多個(gè)導(dǎo)體軌道可以包括在存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)邊緣上的接觸區(qū)域以及另一個(gè)多個(gè)導(dǎo)體軌道包括在該存儲(chǔ)單元陣列的相反邊緣上的接觸區(qū)域。代替地，可以在陣列的相同邊緣上設(shè)置所有的接觸區(qū)域。優(yōu)選以交錯(cuò)的方式設(shè)置屬于相同的多個(gè)導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連地設(shè)置它們。
另外半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的第三個(gè)實(shí)施例包括以下特征在存儲(chǔ)單元陣列的相反邊緣上設(shè)置兩個(gè)多個(gè)導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域；第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道均包括在存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)邊緣上設(shè)置有其中一個(gè)接觸區(qū)域的端以及在存儲(chǔ)單元陣列的相反邊緣上設(shè)置的相反端；以交錯(cuò)的方式設(shè)置這些相反端，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連地設(shè)置它們；根據(jù)第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的相反端的交錯(cuò)設(shè)置，在相反邊緣上并以交錯(cuò)的方式設(shè)置第二多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域；以及第二多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域沿橫向于導(dǎo)體軌道的縱向延伸的方向偏移到由第二多個(gè)的相關(guān)導(dǎo)體軌道的區(qū)域沿縱向延伸方向的直線延長所限定的區(qū)域以外。
一種制造該半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，包括以下步驟提供具有主表面的半導(dǎo)體襯底；在主表面提供存儲(chǔ)單元陣列，所述陣列具有邊緣；在跨越陣列的表面上設(shè)置第一多個(gè)平行導(dǎo)體軌道；這些導(dǎo)體軌道借助間隙分開并在存儲(chǔ)單元陣列的其中一個(gè)邊緣上設(shè)置有接觸區(qū)域；在表面上形成阻擋層，該阻擋層具有開口，其為提供給將要設(shè)置在間隙中的第二多個(gè)平行導(dǎo)體軌道和在存儲(chǔ)單元陣列的邊緣之一上的有關(guān)接觸區(qū)域的區(qū)域定界；將橫向絕緣施加到第一多個(gè)導(dǎo)體軌道；以及將導(dǎo)電材料施加到阻擋層的開口中，以形成所述第二多個(gè)導(dǎo)體軌道和接觸區(qū)域。阻擋層優(yōu)選是原硅酸四乙酯。
該方法的另一例子包括以下步驟在半導(dǎo)體材料的主表面提供存儲(chǔ)單元陣列；跨越陣列彼此隔開一段距離地設(shè)置具有平行延伸的縱向延伸的第一多個(gè)導(dǎo)體軌道，為導(dǎo)體軌道提供最后部分，施加介電材料以填充導(dǎo)體軌道之間的空間，將介電材料平坦化到導(dǎo)體軌道的頂部水平，施加掩模，其部分地覆蓋所述最后部分并自由地留下導(dǎo)體軌道和導(dǎo)體軌道之間的間隙，以及與最后部分和間隙的最后部分相鄰的區(qū)域，去除通過掩模自由留下的區(qū)域中的介電材料，將橫向電絕緣施加到第一多個(gè)導(dǎo)體軌道，將為第二多個(gè)導(dǎo)體軌道提供的材料填充到間隙中以及與間隙的最后部分相鄰的區(qū)域中，并為間隙的最后部分提供適合于接觸區(qū)域的尺寸。
該方法可以包括下述的附加步驟形成具有縱向延伸和在存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)邊緣上具有端的第一多個(gè)導(dǎo)體軌道；以交錯(cuò)方式設(shè)置所述端，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置它們；形成阻擋層的開口，以便相對(duì)于它們的縱向延伸，包圍和第一多個(gè)導(dǎo)體軌道的端橫向相鄰的區(qū)域；以及提供這些橫向相鄰的區(qū)域作為第二多個(gè)導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域。
優(yōu)選地，當(dāng)考慮它們的從第一多個(gè)的一個(gè)導(dǎo)體軌道到第一多個(gè)的下一個(gè)導(dǎo)體軌道的連續(xù)性時(shí)，將第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的端形成為具有橫向延伸，其以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離來設(shè)置，并且在這些橫向延伸之間設(shè)置第二多個(gè)導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域?？梢詫⒌谝欢鄠€(gè)導(dǎo)體軌道的端的橫向延伸設(shè)置為第一多個(gè)導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域。
該方法的另一例子包括以下步驟在存儲(chǔ)單元陣列的相反邊緣上形成具有另外的端的第一多個(gè)導(dǎo)體軌道；以交錯(cuò)的方式設(shè)置這些另外的端，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置它們；并且這些另外的端設(shè)置有另外的橫向延伸，以形成第一多個(gè)導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域。
根據(jù)附圖的以下簡(jiǎn)要描述、詳細(xì)說明和所附權(quán)利要求以及附圖，本發(fā)明的這些和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見。


為了更全面地理解本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)在結(jié)合附圖參考下述說明，其中圖1示出了施加抗蝕劑掩模之后制造方法的第一中間產(chǎn)品的截面。
圖2示出了形成字線堆疊和施加介電材料的覆蓋層之后根據(jù)圖1的截面。
圖3示出了示例性實(shí)施例的平面圖，表明字線堆疊和另一掩模的結(jié)構(gòu)。
圖4示出了另一示例性實(shí)施例的根據(jù)圖3的平面圖。
圖5示出了在沉積另一介電層之后根據(jù)圖2的截面。
圖6示出了在沉積第二字線層之后根據(jù)圖5的截面。
圖7示出了在平坦化第二字線的堆疊之后根據(jù)圖6的截面。
具體實(shí)施例方式
參考優(yōu)選制造方法的制造步驟結(jié)合附圖描述半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的優(yōu)選例子。在該例子中將導(dǎo)體軌道提供為字線。
圖1示出了第一個(gè)中間產(chǎn)品的截面。在襯底1的主表面上，施加第一字線層2和硬掩模3。第一字線層2可以是層序列，通常由摻雜的多晶硅的第一層、繼之以降低軌道電阻的金屬或者金屬硅化物的第二層形成。優(yōu)選在抗蝕劑掩模5施加之前施加薄抗反射涂層4，并根據(jù)要被制造的字線堆疊的結(jié)構(gòu)構(gòu)造該薄抗反射涂層4。使用抗蝕劑掩模5將該結(jié)構(gòu)復(fù)制到硬掩模層3中。在圖1的左側(cè)上示出包括存儲(chǔ)單元陣列的器件的一部分；圖1的右側(cè)示出存儲(chǔ)單元陣列的邊緣或者邊限區(qū)域，其中將要設(shè)置接觸區(qū)域。
在構(gòu)造硬掩模之后，使用它刻蝕圖2中以截面示出的字線堆疊6。字線堆疊6具有帶狀形狀，其縱向延伸垂直于圖2的圖平面。然后整個(gè)表面優(yōu)選用薄襯里7覆蓋，其可以是例如氮化硅。然后沉積介電材料8，優(yōu)選為原硅酸四乙酯(TEOS)，其填充字線堆疊6之間的間隙，并且其被提供用以形成阻擋層。將該表面平坦化到圖2中的虛水平線所示的水平。字線堆疊6起腐蝕停的作用。
圖3示出了在制造字線堆疊之后在器件上形成具有間隙10的第一字線9的平面圖。優(yōu)選調(diào)整字線堆疊的橫向尺寸，使得間隙10稍微比第一字線9寬，以便于允許沉積加固襯里7的附加橫向電絕緣，由此使得間隙具有至少大約和字線堆疊相同的寬度。字線跨越位于陣列的兩個(gè)相反邊緣上的最后部分之間的存儲(chǔ)單元陣列延伸，其沒有被詳細(xì)示出。至少在其中一個(gè)邊緣上，第一字線9設(shè)置有第一接觸區(qū)域11。第一接觸區(qū)域11具有比字線本身大的橫向尺寸。它們?cè)谧志€的縱向延伸的方向上交錯(cuò)，使得將在隔一個(gè)的字線之間的區(qū)域提供給第一接觸區(qū)域11。在相反邊緣上，如圖3的頂部上所示的，第一字線9的最后部分包括超過字線寬度的橫向尺寸。最后部分的較寬部分以圖3所示的穩(wěn)定方式在第一字線的縱向延伸的方向上交錯(cuò)，由此形成扇或者豎琴形式的配置。
在間隙10被填充了介電材料8以及將表面平坦化到第一字線堆疊的上表面的水平之后，另一掩模13被施加到表面并被構(gòu)造成圖3所示的形式。用影線表示該掩模。在所述的例子中，通過掩模13覆蓋第一接觸區(qū)域11。在相反的邊緣上，掩模13只覆蓋字線堆疊的較寬最后部分的部分。在和第一字線的最后部分相鄰并且是間隙10的延伸的區(qū)域中，提供給第二字線的第二接觸區(qū)域12通過掩模13被自由留下。第二字線將形成在間隙10中，并在間隙的最后部分中設(shè)置有接觸區(qū)域，其在圖3中被示為第二接觸區(qū)域12。
圖4示出了另一實(shí)施例的在圖3的頂部上表示的陣列的邊緣，其中第一字線9還包括在該邊緣上的接觸區(qū)域，在圖4中表示為第三接觸區(qū)域14。這些由第一字線的較大最后部分形成，其優(yōu)選以圖4所示的方式延伸到第一字線9的相應(yīng)側(cè)。在該例子中，可以將第二接觸區(qū)域12設(shè)計(jì)成通過第一字線和它們的接觸區(qū)域(這里被表示為第三接觸區(qū)域14)橫向受限于三側(cè)。還可以也在陣列的相反邊緣上提供類似于圖4所示的配置的交錯(cuò)的最后部分。以這種方式，可以在兩端上為每個(gè)字線提供接觸區(qū)域。代替地，可以僅在相反邊緣之一上提供所有字線的所有接觸區(qū)域。
根據(jù)圖4的實(shí)施例需要稍微大于根據(jù)圖3的實(shí)施例的器件面積?？梢愿鶕?jù)接觸區(qū)域的所需特定形狀進(jìn)一步修改字線的最后部分。設(shè)置它們，使得它們主要根據(jù)圖3和4所示的形狀成扇狀散開。
在掩模13的開口的區(qū)域中去除介電材料8，以形成介電材料8的剩余部分的阻擋層。留下被掩模13覆蓋的外部區(qū)域，使得介電材料8保留在表面的那些部分上，尤其是在器件的外圍區(qū)域上。隨后的干法刻蝕步驟去除字線堆疊的上表面上和來自字線堆疊之間的襯底的主表面的襯里7。以這種方式，通過襯里7的剩余部分形成到字線堆疊的側(cè)壁間隔物。
如圖5所示，優(yōu)選施加另一層以改善字線堆疊的橫向電絕緣，例如通過附加介電層15的沉積。該層加固了由襯里7形成的間隔物，并代替已經(jīng)在前面工藝步驟中消耗的上表面上的氧化物或者介電材料。
圖6示出了在沉積第二字線層16之后根據(jù)圖5的截面，其填充字線堆疊6之間的間隙。通過阻擋層來限制字線堆疊6之間的間隙。
再次平坦化上表面，由此獲得圖7中的截面示出的產(chǎn)品。第二字線17設(shè)置在第一字線的字線堆疊6之間，并通過襯里間隔物以及剩余的附加介電層15和第一字線電絕緣。根據(jù)圖3和4所示的掩模13的開口以及根據(jù)所得到的阻擋層的形狀，以第二接觸區(qū)域12的形狀形成第二字線17的最后部分。以這種方式，第二字線17設(shè)置有足夠大的接觸區(qū)域。在隨后的工藝步驟中將為字線的電連接提供的電接觸施加到接觸區(qū)域。
盡管已經(jīng)具體描述了本發(fā)明及其優(yōu)點(diǎn)，但是應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離由所附權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在其中進(jìn)行多種改變、替代和變型。
參考數(shù)字列表1襯底2第一字線層3硬掩模層4抗反射涂層5抗蝕劑掩模6字線堆疊7襯里8介電材料9第一字線10間隙11第一接觸區(qū)域12第二接觸區(qū)域13掩模14第三接觸區(qū)域15介電層16第二字線層17第二字線
權(quán)利要求
1.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括具有主表面的襯底；設(shè)置在所述主表面的存儲(chǔ)單元陣列，所述陣列具有邊緣；跨越所述陣列平行設(shè)置并被提供用以尋址所述存儲(chǔ)單元的導(dǎo)體軌道；所述導(dǎo)體軌道在所述表面上具有縱向延伸和橫向尺寸，并通過介電材料彼此分開；所述導(dǎo)體軌道設(shè)置有具有橫向于所述縱向延伸的尺寸的接觸區(qū)域，其大于所述橫向尺寸；所述導(dǎo)體軌道被細(xì)分成多個(gè)，其包括每隔一個(gè)的導(dǎo)體軌道；相同多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列的同一邊緣上；所述多個(gè)中的至少一個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域在所述縱向延伸方向上以交錯(cuò)的方式設(shè)置；以及所述至少一個(gè)多個(gè)的所述接觸區(qū)域沿橫向于所述縱向延伸的方向偏移到由相關(guān)導(dǎo)體軌道的區(qū)域沿所述縱向延伸方向的直線延長所限定的區(qū)域以外。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括當(dāng)考慮它們的從相關(guān)多個(gè)的一個(gè)導(dǎo)體軌道到所述多個(gè)的下一個(gè)導(dǎo)體軌道的連續(xù)性時(shí)，以交錯(cuò)方式設(shè)置的所述接觸區(qū)域以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離設(shè)置。
3.半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，包括具有主表面的襯底；在所述主表面設(shè)置的存儲(chǔ)單元陣列，所述陣列具有邊緣；被提供用于尋址所述存儲(chǔ)單元的導(dǎo)體軌道，所述導(dǎo)體軌道具有縱向延伸并跨越所述陣列設(shè)置；所述導(dǎo)體軌道在所述表面上具有橫向尺寸并通過介電材料彼此分開；所述導(dǎo)體軌道設(shè)置有具有橫向于所述縱向延伸的尺寸的接觸區(qū)域，其大于所述橫向尺寸；所述導(dǎo)體軌道被細(xì)分成多個(gè)，其包括每隔一個(gè)的導(dǎo)體軌道；相同多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列的同一邊緣上；以及所述多個(gè)中的至少一個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域以交錯(cuò)的方式設(shè)置，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置接觸區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的一項(xiàng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括提供所述導(dǎo)體軌道作為字線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的一項(xiàng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括所述多個(gè)導(dǎo)體軌道的其中一個(gè)在存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)邊緣上包括接觸區(qū)域以及所述多個(gè)導(dǎo)體軌道中的另一個(gè)在存儲(chǔ)單元陣列的相反邊緣上包括接觸區(qū)域。
6.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括所述多個(gè)中的每個(gè)的所述接觸區(qū)域以交錯(cuò)方式設(shè)置，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置該相同多個(gè)的接觸區(qū)域。
7.根據(jù)權(quán)利要求5的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括第一多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道均包括在存儲(chǔ)單元陣列的所述一個(gè)邊緣上設(shè)置有所述接觸區(qū)域的其中一個(gè)的端，以及設(shè)置在存儲(chǔ)單元陣列的所述相反邊緣上的相反端；以交錯(cuò)方式設(shè)置所述相反端，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置它們；所述多個(gè)的第二個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域設(shè)置在所述相反邊緣上并根據(jù)第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的相反端的交錯(cuò)配置以交錯(cuò)的方式設(shè)置；以及所述第二多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域沿橫向于所述導(dǎo)體軌道的所述縱向延伸的方向偏移到由第二多個(gè)的相關(guān)導(dǎo)體軌道的區(qū)域沿所述縱向延伸方向的直線延長所限定的區(qū)域以外。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括所述第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述相反端沿所述第二多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域偏移到由相關(guān)導(dǎo)體軌道的區(qū)域的直線延長限定的所述區(qū)域以外所沿的方向包括橫向延伸。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到3中的一項(xiàng)的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括所述多個(gè)導(dǎo)體軌道的每一個(gè)包括在存儲(chǔ)單元陣列的同一邊緣上的接觸區(qū)域；以交錯(cuò)方式設(shè)置第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置它們；根據(jù)第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域的交錯(cuò)配置，也以交錯(cuò)方式設(shè)置第二多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域；以及該兩個(gè)多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域沿橫向于所述導(dǎo)體軌道的所述縱向延伸的方向偏移到由相關(guān)導(dǎo)體軌道的區(qū)域沿所述縱向延伸方向的直線延長所限定的區(qū)域以外。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，還包括第二多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域設(shè)置在由第一多個(gè)的相鄰導(dǎo)體軌道的區(qū)域沿所述縱向延伸方向的直線延長所限定的區(qū)域上方；以及第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域設(shè)置在由第二多個(gè)的相鄰導(dǎo)體軌道的區(qū)域沿所述縱向延伸方向的直線延長所限定的區(qū)域上方。
11.制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，包括提供具有主表面的半導(dǎo)體襯底；在所述表面提供存儲(chǔ)單元陣列，所述陣列具有邊緣；跨越所述陣列在所述表面上設(shè)置第一多個(gè)平行導(dǎo)體軌道；所述導(dǎo)體軌道被間隙分開并在存儲(chǔ)單元陣列的所述邊緣之一上設(shè)置有接觸區(qū)域；在所述表面上形成具有開口的阻擋層；所述開口為提供給要設(shè)置在所述間隙中的第二多個(gè)平行導(dǎo)體軌道和在存儲(chǔ)單元陣列的所述邊緣之一上的所述第二多個(gè)的接觸區(qū)域的區(qū)域定界；將橫向絕緣施加到所述第一多個(gè)導(dǎo)體軌道；以及將導(dǎo)電材料施加到所述開口中，以形成所述第二多個(gè)導(dǎo)體軌道和接觸區(qū)域。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，還包括形成具有縱向延伸和在所述存儲(chǔ)單元陣列的一個(gè)邊緣上具有端的所述第一多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道；以交錯(cuò)的方式設(shè)置所述端，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置它們；形成所述阻擋層的所述開口以相對(duì)于所述導(dǎo)體軌道的所述縱向延伸包圍和所述第一多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的所述端橫向相鄰的區(qū)域；以及提供所述橫向相鄰區(qū)域作為所述第二多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，還包括當(dāng)考慮它們的從所述第一多個(gè)的一個(gè)導(dǎo)體軌道到所述第一多個(gè)的下一個(gè)導(dǎo)體軌道的連續(xù)性時(shí)，形成具有橫向延伸的所述第一多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的所述端，其以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離來設(shè)置；以及在所述橫向延伸之間設(shè)置所述第二多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，還包括提供所述第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的所述端的所述橫向延伸作為所述第一多個(gè)的導(dǎo)體軌道的接觸區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求11到14中的一項(xiàng)的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，還包括形成原硅酸四乙酯的所述阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求12或13的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，還包括形成在和所述一個(gè)邊緣相反的所述存儲(chǔ)單元陣列的另一邊緣上具有另外的端的所述第一多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道；以交錯(cuò)的方式設(shè)置所述另外的端，使得以從存儲(chǔ)單元陣列增加的距離接連設(shè)置它們；以及所述另外的端設(shè)置有另外的橫向延伸以形成所述第一多個(gè)的所述導(dǎo)體軌道的所述接觸區(qū)域。
17.根據(jù)權(quán)利要求16的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，還包括形成原硅酸四乙酯的所述阻擋層。
18.制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，包括在半導(dǎo)體襯底的主表面提供存儲(chǔ)單元陣列；設(shè)置具有縱向延伸和橫向尺寸的第一多個(gè)導(dǎo)體軌道，在所述表面上跨越所述陣列彼此隔開一定距離平行延伸的所述導(dǎo)體軌道被間隙分開；為所述導(dǎo)體軌道提供最后部分，其包括超過所述導(dǎo)體軌道的橫向尺寸的橫向尺寸，并在所述縱向延伸的方向上將所述最后部分設(shè)置成交錯(cuò)的；施加介電材料，并由此填充所述導(dǎo)體軌道之間的所述間隙；將所述介電材料平坦化到所述導(dǎo)體軌道的頂部水平；施加部分覆蓋所述最后部分的掩模，留下未被覆蓋的所述導(dǎo)體軌道和所述間隙，以及和所述最后部分以及所述間隙的最后部分相鄰的區(qū)域；去除留下的未被所述掩模覆蓋的區(qū)域中的所述介電材料；將橫向電絕緣施加到所述第一多個(gè)導(dǎo)體軌道；將為第二多個(gè)導(dǎo)體軌道提供的材料填充到所述間隙中和與所述間隙的所述最后部分相鄰的所述區(qū)域中；以及為所述間隙的所述最后部分提供適合于接觸區(qū)域的尺寸。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，還包括形成具有適合于接觸區(qū)域的尺寸的所述導(dǎo)體軌道的所述最后部分。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，還包括在所述導(dǎo)體軌道的兩端上提供所述導(dǎo)體軌道的最后部分的所述配置；在所述導(dǎo)體軌道的兩端上為所述導(dǎo)體軌道之間的所述間隙的最后部分提供適合于接觸區(qū)域的尺寸。
21.根據(jù)權(quán)利要求18到20中的一項(xiàng)的制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法，還包括形成原硅酸四乙酯的所述阻擋層。
全文摘要
字線的最后部分以交錯(cuò)的方式來設(shè)置以便成扇狀散開，并具有比字線更大的橫向延伸。間隙填充有介電材料，并施加掩模，其部分地覆蓋最后部分，并留下與最后部分以及間隙開口相鄰的區(qū)域中的接觸區(qū)域。使用該掩模來去除字線堆疊之間的介電材料。第二字線被施加并被平坦化，以在第一字線之間形成第二字線，其具有以交錯(cuò)方式設(shè)置以便成扇狀散開的接觸區(qū)域，類似第一字線的最后部分。
文檔編號(hào)H01L27/10GK1941357SQ20061014203
公開日2007年4月4日 申請(qǐng)日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者S·帕拉斯坎多拉, D·卡斯帕里 申請(qǐng)人:奇夢(mèng)達(dá)股份公司