專利名稱：半導(dǎo)體存儲器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體存儲器件，此存儲器件包含埋置的位線以及位線上表面上的電接觸。
背景技術(shù)：
德國專利申請DE 10110150 A1描述了一種在存儲單元陣列中制作金屬化埋置位線的方法。位線接觸排列在多晶硅柵電極之間。字線橫跨于埋置的位線，且包含另一多晶硅層。當(dāng)構(gòu)造字線時，分立的柵電極由第一多晶硅條形成。此方法沒有提供應(yīng)用自對準(zhǔn)位線接觸的可能性。接觸與埋置位線的不充分對準(zhǔn)可能引起短路，從而對器件性能造成致命的影響。
電可編程可擦除非易失性存儲單元能夠?qū)崿F(xiàn)為包含介電材料的存儲層序列的電荷捕獲存儲單元。適合于電荷捕獲的存儲層被排列在能帶隙大于存儲層的上介電材料邊界層和下介電材料邊界層之間。存儲層序列被排列在半導(dǎo)體本體內(nèi)的溝道區(qū)與利用外加電壓來控制溝道的柵電極之間。
在編程過程中，溝道區(qū)中的載荷子被感生穿透下邊界層，并被捕獲在存儲層中。被捕獲的載荷子改變了單元晶體管結(jié)構(gòu)的閾值電壓。借助于施加適當(dāng)?shù)淖x出電壓，能夠讀取不同的編程狀態(tài)。電荷捕獲存儲單元的例子是SONOS存儲單元，其中，邊界層是氧化物，而存儲層是半導(dǎo)體材料的氮化物，通常是硅的氮化物。
B.Eitan等人的論文“NROMa Novel Localized Trapping，2-BitNonvolatile Memory Cell”，IEEE Electron Device Letters，vol.21，pp.543-545(2000)描述了一種具有氧化物、氮化物、氧化物的存儲層序列的電荷捕獲存儲單元，其尤其適于以與編程電壓相反的讀出電壓工作(反讀出)。NROM單元能夠被溝道熱電子(CHE)編程，這些熱電子從源到漏被加速，以得到足夠的能量穿透下邊界層，而且，可利用從溝道區(qū)注入熱空穴，或利用Fowler-Nordheim隧穿擦除。此氧化物-氮化物-氧化物層序列被設(shè)計成避免載荷子的直接隧穿，從而確保所捕獲的載荷子的垂直保持。這些氧化物層被規(guī)定具有大于5nm的厚度。
可以用另一介電材料代替此存儲層，只要能帶隙小于邊界層的能帶隙即可。能帶隙的差別應(yīng)該盡可能大，以確保良好的載荷子限制，從而得到良好的數(shù)據(jù)保持。當(dāng)采用二氧化硅作為邊界層時，存儲層可以是氧化鉭、硅化鎘、氧化鈦、氧化鋯、或氧化鋁。本征導(dǎo)電(不摻雜)的硅也可以用作存儲層材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明使得能夠制作具有自對準(zhǔn)接觸的埋置位線，所述自對準(zhǔn)接觸位于排列于位線上方的字線組之間。通過不使用多晶硅掩模而使用犧牲硬掩模層注入摻雜劑，來制作這些位線，所述犧牲硬掩模層稍后由存儲單元陣列中的多晶硅形成的柵電極代替。橫跨位線行進的存儲單元陣列條狀區(qū)域，被保留以備由位線接觸占據(jù)。在這些區(qū)域內(nèi)，硬掩模被用來形成與注入的埋置位線自對準(zhǔn)的接觸孔。
第一方面，本發(fā)明提供了半導(dǎo)體存儲器件，其包含具有主表面的襯底；在襯底主表面處形成為平行摻雜條的多個位線；在位線上排列成組，且橫跨位線彼此平行行進的多個字線；沿橫跨位線且位于字線組之間的主表面條狀區(qū)域排列的硬掩模的多個部分；以及位于這些硬掩模部分之間且在位線上方的多個接觸孔。
第二方面，本發(fā)明提供了半導(dǎo)體存儲器件，其包含具有主表面的襯底；在主表面處形成為摻雜區(qū)的多個埋置位線；橫跨位線上方排列成組的多個字線；具有側(cè)壁并沿字線組之間的主表面條狀區(qū)域排列的硬掩模的多個部分；排列在這些硬掩模部分之間的位線上方的多個接觸孔；以及形成接觸孔的橫向邊界的硬掩模側(cè)壁區(qū)。
第三方面，本發(fā)明提供了制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，所述方法包括提供具有主表面的襯底；施加硬掩模層并將其構(gòu)造成形成硬掩模的部分；向主表面中注入摻雜劑摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)用作位線并以彼此平行的條狀方式沿第一方向排列；由可相對于硬掩模選擇性蝕刻的材料形成阻擋層；此阻擋層被構(gòu)造成條狀部分，這些條狀部分沿橫跨第一方向的第二方向延伸；以及在阻擋層中蝕刻接觸孔。
第四方面，本發(fā)明提供了制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，所述方法包括向具有主表面的襯底提供硬掩模層，此硬掩模層被構(gòu)造成彼此相距一定距離平行延伸的條狀部分，形成硬掩模；通過注入摻雜劑，形成用作位線的條狀摻雜區(qū)；由可相對于硬掩模選擇性蝕刻的材料形成阻擋層；將此阻擋層構(gòu)造成橫跨位線的條狀部分；在阻擋層中形成接觸孔，這些接觸孔至少部分地被各硬掩模部分橫向限制；以及清除了未被阻擋層覆蓋的硬掩模部分。
第五方面，本發(fā)明提供了制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，利用所述方法，提供具有主表面的襯底；施加硬掩模，此硬掩模包含彼此相距一定距離平行排列且具有側(cè)壁的條狀部分；施加隔離物層，且蝕刻該隔離物層，以便在所述側(cè)壁處形成隔離物；對隔離物之間的主表面執(zhí)行摻雜劑的注入，以便形成用作位線的摻雜區(qū)；在所述硬掩模上施加由可相對于硬掩模材料選擇性蝕刻的材料形成的阻擋層；將此阻擋層構(gòu)造成橫跨硬掩模條狀部分行進的條狀部分；清除未被阻擋層覆蓋的硬掩模部分；以及在位線上方的阻擋層內(nèi)形成接觸孔，使這些接觸孔至少部分地被硬掩模橫向限制。
第六方面，本發(fā)明提供了制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，利用所述方法，提供具有主表面的襯底；將下邊界層施加于該主表面上；將適合于電荷捕獲的介電材料的存儲層施加于該下邊界層上；將上邊界層施加于該存儲層上；在上邊界層上施加硬掩模，此硬掩模包含彼此相距一定距離平行排列且具有側(cè)壁的條狀部分；根據(jù)硬掩模的條狀部分構(gòu)造上邊界層和存儲層；施加隔離物層且對其進行蝕刻，以便在硬掩模的側(cè)壁處形成隔離物；將摻雜劑注入到隔離物之間的主表面中，以形成用作位線的摻雜區(qū)；將阻擋層施加于硬掩模上，此阻擋層由可相對于硬掩模選擇性蝕刻的材料形成，并被構(gòu)造成橫跨硬掩模條狀部分行進的條狀部分；清除未被阻擋層覆蓋的硬掩模部分；以及在位線上方的阻擋層內(nèi)形成接觸孔，使這些接觸孔至少部分地被硬掩模的側(cè)壁橫向限制。
從下列的附圖簡要說明、詳細(xì)描述、以及所附權(quán)利要求和附圖，本發(fā)明的這些和其它的目的、特點、以及優(yōu)點將顯而易見。


為了更完整地理解本發(fā)明及其優(yōu)點，以下結(jié)合附圖來參照下列的描述，其中圖1示出了結(jié)構(gòu)化硬掩模之后的中間產(chǎn)品的剖面。
圖2示出了根據(jù)圖1的中間產(chǎn)品的平面圖。
圖3示出了袋狀注入(pocket implantation)之后的根據(jù)圖1的剖面。
圖4示出了施加隔離物層之后的根據(jù)圖3的剖面。
圖5示出了施加阻擋層之后的根據(jù)圖2的平面圖。
圖6示出了阻擋層的條狀部分之間的根據(jù)圖4的平面圖。
圖7示出了穿過阻擋層的條狀部分的根據(jù)圖4的剖面。
圖8示出了清除硬掩模之后的根據(jù)圖6的剖面。
圖9示出了施加另一掩模之后的根據(jù)圖7的剖面。
圖10示出了形成接觸孔之后的根據(jù)圖9的剖面。
圖11示出了形成接觸孔之后的根據(jù)圖5的平面圖。
附圖標(biāo)記清單1 襯底2 下邊界層3 存儲層4 上邊界層5 硬掩模6 抗蝕劑7 袋狀注入8 隔離物層9 隔離物10 位線11 阻擋層12 另一掩模13 接觸孔14 字線具體實施方式
作為特別優(yōu)選的制作方法的實例，現(xiàn)在結(jié)合附圖來描述半導(dǎo)體存儲器件和優(yōu)選制作方法的各個實施例。圖1是一個剖面，示出了形成硬掩模之后的本發(fā)明半導(dǎo)體存儲器件一個實施例的中間產(chǎn)品剖面。提供了具有主表面的優(yōu)選是硅的半導(dǎo)體材料襯底1。所述例子包含為電荷捕獲而提供的存儲層序列。此存儲層序列具有施加于襯底主表面的適當(dāng)介電材料的下邊界層2。適合于電荷捕獲的介電材料存儲層3施加于下邊界層2上?？梢杂膳c下邊界層2相同的材料形成的上邊界層，施加于存儲層3上。此層序列尤其可以是標(biāo)準(zhǔn)的氧化物-氮化物-氧化物層序列；也可以是適合于電荷捕獲的任何其它介電層序列。可以用其它的儲存裝置來代替此存儲層序列。施加和結(jié)構(gòu)化優(yōu)選是氮化硅的硬掩模層5，該硬掩模層5優(yōu)選借助于使用抗蝕劑6的掩模技術(shù)通過光刻方法結(jié)構(gòu)化。硬掩模5包含彼此相距一定距離平行排列的具有恒定橫向尺寸的條狀部分。
圖2是清除抗蝕劑6之后的根據(jù)圖1的中間產(chǎn)品的平面圖。在圖2中，用虛線指出了圖1的剖面位置。在圖2中還示出了硬掩模5的條狀部分之間的沒有硬掩模5的上邊界層4的條狀區(qū)域。
圖3示出了袋狀注入之后的根據(jù)圖1的剖面。若提供氧化物、氮化物、以及氧化物的存儲層序列，則優(yōu)選在硬掩模5的條狀部分之間的開口中，清除上邊界層4和存儲層3。下邊界層2的底部氧化物優(yōu)選保留在襯底1的主表面上。然后可以通過硬掩模5的開口引入圖3中虛線所示的袋狀注入7。此袋狀注入可以包含例如p摻雜劑，特別是硼原子。該袋狀注入是為在進一步的方法步驟中形成的埋置位線而提供的。除了清除上邊界層和存儲層這點不同之外，根據(jù)圖3的中間產(chǎn)品的平面圖基本上與圖2所示的平面圖相同。
圖4示出了施加隔離物層8之后的根據(jù)圖3的剖面，若硬掩模5是氮化物，則該隔離物層優(yōu)選是氧化物。隔離物層8優(yōu)選由相對于硬掩模5的材料可選擇性蝕刻的材料形成。如圖4中虛線所示，隔離物層8被共形地施加，然后被各向異性地回蝕，以便在硬掩模5的側(cè)壁上形成隔離物9。在形成隔離物之后，通過在隔離物9之間的主表面區(qū)域中注入適當(dāng)?shù)膿诫s劑，來形成埋置的位線10。例如，通過注入砷原子，可以制作n摻雜的位線。
圖5示出了隨后施加阻擋層11之后的根據(jù)圖2的平面圖，此阻擋層11被構(gòu)造成橫跨位線行進的條狀部分。阻擋層11優(yōu)選是氧化物。這些條狀部分形成在為位線接觸提供的區(qū)域內(nèi)?？梢酝ǔ５姆绞嚼昧硪豢刮g劑層和光刻方法，來構(gòu)造阻擋層11的條狀部分。優(yōu)選地，在硬掩模5的條狀部分之間，不完全清除阻擋層11。在圖5中也用附圖標(biāo)記11指出了這一點。圖5中所指示的剖面示于圖6和7中。
圖6示出了阻擋層11的條狀部分之間的剖面。此剖面基本上與圖3的剖面相同，不同之處在于阻擋層11的殘留部分已經(jīng)保留在硬掩模各部分之間的下邊界層2上。但在這些區(qū)域內(nèi)可以完全清除阻擋層11。優(yōu)選在阻擋層11的條狀部分之間的區(qū)域內(nèi)，清除可由與阻擋層相同的材料(特別是氧化物)形成的隔離物9。
圖7示出了穿過阻擋層11的條狀部分之一的剖面。于是，在阻擋層各部分下方，隔離物9保留在硬掩模5各部分的側(cè)壁上。
圖8示出了相對于其它各層選擇性清除硬掩模5之后的根據(jù)圖6的剖面。優(yōu)選利用本來已知的干法蝕刻和濕法蝕刻的組合，相對于阻擋層11和上邊界層4的氧化物選擇性清除由氮化物形成的硬掩模。圖8還示出了阻擋層11的殘留薄層保護存儲層3的可以是氮化物的材料。埋置位線的橫向尺寸可以在存儲層3的剩余部分下方或多或少地延伸，這取決于進一步的退火或擴散步驟。
圖9示出了施加另一掩模12之后的根據(jù)圖7的剖面，此另一掩模12可以是抗蝕劑掩模或硬掩模，且優(yōu)選是已經(jīng)用光刻方法結(jié)構(gòu)化的抗蝕劑層。此另一掩模12用來清除為接觸孔提供的區(qū)域內(nèi)的阻擋層11。在圖9中用垂直虛線來表示待要形成的接觸孔的橫向邊界。從圖9還可見，由于硬掩模5的殘留部分使接觸孔的產(chǎn)生變得自對準(zhǔn)，故此另一掩模12的開口無須精確地適合接觸孔的橫向尺寸。
圖10示出了形成接觸孔13并清除另一掩模12之后的根據(jù)圖9的剖面。阻擋層11的剩余部分保留在硬掩模5的剩余部分上。在進一步的方法步驟中，可以用導(dǎo)電材料來填充接觸孔13，以便與埋置的位線相接觸。
圖11示出了形成接觸孔13和施加字線14之后的根據(jù)圖5的平面圖，此字線橫跨位線行進，并在阻擋層11的二個相繼條狀部分之間排列成組。位線10橫向邊界的隱藏輪廓由虛線表示，且在本例子中在硬掩模5殘留部分以及存儲層3剩余部分下方橫向延伸。如已經(jīng)指出的那樣，位線橫向邊界的準(zhǔn)確位置依賴于后續(xù)方法步驟，并在不同的實施例之間可以變化。未被阻擋層11剩余部分覆蓋的硬掩模5上部橫向邊緣，被示于接觸孔13內(nèi)。圖11所示的布置未按比例繪制；字線14和埋置位線10的橫向尺寸可以偏離于圖11所示的尺寸。排列在阻擋層11的二個相繼條狀部分之間的字線的數(shù)目也可以變化。
由于接觸孔相對于硬掩模5材料的選擇性蝕刻，以及由于硬掩模5在埋置位線注入步驟中的應(yīng)用，接觸孔13在與位線縱向延伸正交的方向上相對于位線自對準(zhǔn)。若希望接觸孔沿所有橫向方向都自對準(zhǔn)排列，則可以用另一層來填充阻擋層11的條狀部分之間的空間，此另一層由阻擋層11的材料對其能夠被選擇性蝕刻的材料形成。此另一層可以是例如氮化物。在此情況下，以如下方式形成另一掩模12中的開口它們沿位線的縱向與由此另一層占據(jù)的區(qū)域交疊。此另一層則形成被蝕刻的接觸孔的橫向邊界。于是，接觸孔13沿位線縱向方向的橫向尺寸可由阻擋層11的條狀部分的橫向尺寸限定。然后可以清除此另一層，并且施加字線14。
雖然已經(jīng)詳細(xì)地描述了本發(fā)明及其優(yōu)點，但應(yīng)該理解的是，此處能夠作出各種改變、替換、以及變更而不偏離所附權(quán)利要求所定義的本發(fā)明的構(gòu)思與范圍。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包含具有主表面的襯底；多個位線，在所述襯底中所述表面處形成為平行摻雜條；多個字線，在所述位線上排列成組且橫跨所述位線彼此平行行進；硬掩模的多個部分，沿橫跨所述位線并在所述字線組之間定位的所述主表面的條狀區(qū)域排列；以及所述部分之間的多個接觸孔，所述接觸孔排列在所述位線上方。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的半導(dǎo)體存儲器件，還包括所述硬掩模的所述部分由氮化物形成。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2的半導(dǎo)體存儲器件，還包括所述硬掩模的所述部分具有側(cè)壁的；并且所述側(cè)壁的區(qū)域形成所述接觸孔的橫向邊界。
4.一種半導(dǎo)體存儲器件，包含具有主表面的襯底；多個埋置位線，在所述襯底中所述表面處形成為摻雜區(qū)；多個字線，在所述位線上方橫跨所述位線排列成組；硬掩模的多個部分，具有側(cè)壁并沿位于所述字線組之間的所述主表面的條狀區(qū)域排列；所述部分之間的多個接觸孔，所述接觸孔排列在所述位線上方；并且所述側(cè)壁的區(qū)域形成所述接觸孔的橫向邊界。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的半導(dǎo)體存儲器件，還包括所述硬掩模的所述部分由氮化物形成。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5的半導(dǎo)體存儲器件，還包括排列在所述硬掩模的所述部分之間且形成所述接觸孔的另外的橫向邊界的介電材料。
7.一種半導(dǎo)體存儲器件，包含具有主表面的襯底；多個位線，由所述主表面處的導(dǎo)電摻雜區(qū)形成為埋置位線；所述位線彼此平行排列；排列在所述位線上的多個接觸孔，所述接觸孔用于通過電導(dǎo)體為所述位線提供電接觸；以及所述接觸孔被適用于硬掩模的材料橫向限制。
8.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體存儲器件，還包括所述接觸孔相對于所述主表面在所有橫向側(cè)上均具有邊界，所述邊界由適用于硬掩模的材料形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的半導(dǎo)體存儲器件，還包括所述接觸孔相對于所述主表面在所有橫向側(cè)上均具有邊界，所述邊界部分由適用于硬掩模的材料形成，且部分由可相對于所述適用于硬掩模的材料選擇性蝕刻的材料形成。
10.一種制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，此方法包括提供具有主表面的襯底；施加硬掩模層；將所述硬掩模層構(gòu)造成形成硬掩模的各個部分；將摻雜劑注入到所述主表面中，以在所述襯底中形成摻雜區(qū)，所述摻雜區(qū)以彼此平行的條狀方式沿第一方向排列并被提供為位線；施加由可相對于硬掩模選擇性蝕刻的材料形成的阻擋層；在沿橫跨所述第一方向的第二方向延伸的條狀部分內(nèi)，構(gòu)造所述阻擋層；以及在被所述硬掩模的所述部分橫向限制的所述阻擋層內(nèi)，形成接觸孔。
11.根據(jù)權(quán)利要求10的方法，還包括在彼此相距一定距離平行延伸的條狀部分內(nèi)，形成所述硬掩模；以及利用所述阻擋層的所述條狀部分作為掩模，清除未被阻擋層覆蓋的所述硬掩模的部分。
12.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，還包括在位于所述阻擋層的所述條狀部分之間的所述主表面的區(qū)域內(nèi)，沿所述第二方向布置字線。
13.根據(jù)權(quán)利要求11的方法，還包括在位于所述阻擋層的所述條狀部分之間的所述主表面的區(qū)域內(nèi)，布置另一適合于硬掩模的材料層；并形成所述接觸孔，使之在所述第一方向上被所述另一層限制，并在所述第二方向上被所述硬掩模限制。
14.根據(jù)權(quán)利要求10-13之一的方法，還包括由氮化物形成所述硬掩模。
15.根據(jù)權(quán)利要求10-13之一的方法，還包括由氧化物形成所述阻擋層。
16.根據(jù)權(quán)利要求10-13之一的方法，還包括在施加所述硬掩模層之前，將介電材料層序列施加到所述主表面，所述層序列被提供作為儲存裝置，且至少包含下邊界層、適合于電荷捕獲的存儲層、以及上邊界層。
17.一種制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，此方法包括提供具有主表面的襯底；施加硬掩模層；將所述硬掩模層構(gòu)造成形成硬掩模的各個部分；通過向所述主表面中注入摻雜劑，形成用作位線的摻雜區(qū)，這些摻雜區(qū)以條狀方式沿第一方向排列；施加由可相對于硬掩模選擇性蝕刻的材料形成的阻擋層；在沿橫跨所述第一方向的第二方向延伸的條狀部分中，構(gòu)造所述阻擋層；在所述阻擋層中形成接觸孔，這些接觸孔至少部分地被所述硬掩模的所述部分橫向限制；在彼此相距一定距離平行延伸的條狀部分內(nèi)形成所述硬掩模；以及清除未被所述阻擋層覆蓋的所述硬掩模的部分。
18.一種制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，包括提供具有主表面的襯底；施加硬掩模，此硬掩模包含彼此相距一定距離平行排列且具有側(cè)壁的條狀部分；施加隔離物層；對所述隔離物層進行蝕刻，以便在所述側(cè)壁處形成隔離物；對所述隔離物之間的所述主表面執(zhí)行摻雜劑的注入，以便形成用作位線的摻雜區(qū)；在所述硬掩模上施加阻擋層，所述阻擋層由可相對于所述硬掩?？蛇x擇性地蝕刻的材料形成；將所述阻擋層構(gòu)造成橫跨所述硬掩模的所述條狀部分行進的條狀部分；清除未被所述阻擋層覆蓋的所述硬掩模的部分；以及在所述位線上方的所述阻擋層內(nèi)形成接觸孔，所述接觸孔至少部分地被所述硬掩模橫向限制。
19.根據(jù)權(quán)利要求18的方法，還包含在施加所述硬掩模層之前，在所述主表面上施加下邊界層，在所述下邊界層上施加適合于電荷捕獲的介電材料的存儲層，以及在所述存儲層上施加上邊界層。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的方法，還包括根據(jù)所述硬掩模的所述條狀部分，構(gòu)造所述上邊界層和所述存儲層。
21.根據(jù)權(quán)利要求19或20的方法，還包括施加氮化物的所述硬掩模以及氧化物的所述阻擋層。
22.根據(jù)權(quán)利要求19或20的方法，還包括在所述阻擋層的所述條狀部分之間布置字線，所述字線橫跨所述位線行進。
23.根據(jù)權(quán)利要求19或20的方法，還包括在所述阻擋層的所述條狀部分之間施加另一硬掩模；以及形成將被所述硬掩模和所述另一硬掩模限制的所述接觸孔。
24.根據(jù)權(quán)利要求19或20的方法，還包括在施加所述隔離物層之前，在所述硬掩模的所述條狀部分之間執(zhí)行袋狀注入。
25.一種制作半導(dǎo)體存儲器件的方法，包括提供具有主表面的襯底；在所述主表面上施加下邊界層；在所述下邊界層上施加適合于電荷捕獲的介電材料存儲層；在所述存儲層上施加上邊界層；在所述上邊界層上施加硬掩模；所述硬掩模包含彼此相距一定距離平行排列且具有側(cè)壁的條狀部分；根據(jù)所述硬掩模的所述條狀部分，構(gòu)造所述上邊界層和所述存儲層；施加隔離物層；對所述隔離物層進行蝕刻，以便在所述側(cè)壁處形成隔離物；向所述隔離物之間的所述主表面中注入摻雜劑，以便形成用作位線的摻雜區(qū)；在所述硬掩模上，施加阻擋層，所述阻擋層由可相對于所述硬掩模選擇性蝕刻的材料形成；將所述阻擋層構(gòu)造成橫跨所述硬掩模的所述條狀部分行進的條狀部分；清除未被所述阻擋層覆蓋的所述硬掩模的部分；以及在所述位線上方的所述阻擋層內(nèi)形成接觸孔，所述接觸孔至少部分地被所述硬掩模橫向限制。
26.根據(jù)權(quán)利要求25的方法，還包括施加氮化物的所述硬掩模以及氧化物的所述阻擋層。
27.根據(jù)權(quán)利要求25或26的方法，還包括在所述阻擋層的所述條狀部分之間布置字線，所述字線橫跨所述位線行進。
28.根據(jù)權(quán)利要求25或26的方法，還包括在所述阻擋層的所述各條狀部分之間施加另一硬掩模；以及形成將被所述硬掩模和所述另一硬掩模限制的所述接觸孔。
29.根據(jù)權(quán)利要求25或26的方法，還包括在施加所述隔離物層之前，在所述硬掩模的所述條狀部分之間執(zhí)行袋狀注入。
全文摘要
在存儲單元陣列中，通過利用犧牲硬掩模層注入摻雜劑制作位線，所述硬掩模層稍后由多晶硅形成的柵電極取代。橫跨位線行進的存儲單元陣列條狀區(qū)域被待要由位線接觸占據(jù)的阻擋層限制。在這些區(qū)域內(nèi)，硬掩模被用來形成與注入埋置位線自對準(zhǔn)的接觸孔。在這些阻擋區(qū)域之間，垂直于位線布置字線。
文檔編號H01L21/8247GK1941356SQ200610142029
公開日2007年4月4日 申請日期2006年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年9月30日
發(fā)明者T·米勒, S·帕拉斯坎多拉, D·奧利希斯, S·里德爾, R·克內(nèi)夫勒, D·卡斯帕里 申請人:奇夢達(dá)股份公司