技術編號：7212652
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術詳細信息。本發(fā)明涉及半導體存儲器件，此存儲器件包含埋置的位線以及位線上表面上的電接觸。背景技術 德國專利申請DE 10110150 A1描述了一種在存儲單元陣列中制作金屬化埋置位線的方法。位線接觸排列在多晶硅柵電極之間。字線橫跨于埋置的位線，且包含另一多晶硅層。當構造字線時，分立的柵電極由第一多晶硅條形成。此方法沒有提供應用自對準位線接觸的可能性。接觸與埋置位線的不充分對準可能引起短路，從而對器件性能造成致命的影響。電可編程可擦除非易失性存儲單元能夠實現(xiàn)為包含介電材...
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