專利名稱：發(fā)光顯示器和薄膜晶體管的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光顯示器和薄膜晶體管(TFT)，并且更具體地，涉及通過(guò)降低關(guān)閉電流而具有改進(jìn)的驅(qū)動(dòng)能力的TFT，以及利用該TFT而具有增強(qiáng)的圖像質(zhì)量的發(fā)光顯示器。
背景技術(shù)：
一般地，有源矩陣型發(fā)光顯示器包括至少一根用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的單數(shù)據(jù)線，至少一根用于傳輸被選信號(hào)的單掃描線，和多個(gè)電連接到數(shù)據(jù)線和掃描線的像素。一般地，各個(gè)像素包括發(fā)光器件，用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于傳輸自數(shù)據(jù)線的數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓的電容器，和至少兩個(gè)用于控制發(fā)光器件的TFT。如上所述，這種包括兩個(gè)TFT和一個(gè)單電容的像素結(jié)構(gòu)是“2TR+1Cap”結(jié)構(gòu)。
在“2TR+1Cap”結(jié)構(gòu)中，兩個(gè)TFT中的一個(gè)TFT作為開(kāi)關(guān)器件，其用于響應(yīng)被選信號(hào)并傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)到發(fā)光器件，兩個(gè)TFT中的另一TFT作為驅(qū)動(dòng)器件，其用于提供對(duì)應(yīng)于所選擇的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流給發(fā)光器件。這些TFT被制作為具有依次層積的半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、柵電極，和源電極/漏極，并且通常區(qū)分為交錯(cuò)(staggered)型TFT和共面(coplanar)型TFT。而且，根據(jù)柵電極相對(duì)于源電極/漏電極的形成位置，TFT區(qū)分為上柵極結(jié)構(gòu)的TFT和下柵極結(jié)構(gòu)的TFT。
例如，上柵極結(jié)構(gòu)的TFT包括形成在基板上的半導(dǎo)體層，形成在半導(dǎo)體層上的柵極絕緣層，形成在柵極絕緣層上的柵電極，以及源電極/漏電極。半導(dǎo)體層包括摻有預(yù)定濃度的雜質(zhì)的源極區(qū)和極漏區(qū)，和形成在源極區(qū)和漏極區(qū)之間的溝道區(qū)。柵電極一般形成在溝道區(qū)上的柵極絕緣層上，并且源電極/漏電極在插入到柵電極上的夾層-絕緣層中的同時(shí)，分別通過(guò)接觸孔連接到源極區(qū)和漏極區(qū)。
在包括具有兩個(gè)TFT和電容器的像素的發(fā)光顯示器中，當(dāng)選通/關(guān)斷驅(qū)動(dòng)TFT的開(kāi)關(guān)TFT的漏電流為高時(shí)，該電容器無(wú)法維持?jǐn)?shù)據(jù)電壓一致性。因此，會(huì)在發(fā)光顯示器中引起色度亮度干擾、閃爍等，并可進(jìn)而使發(fā)光顯示器的圖像質(zhì)量惡化。
為克服上述問(wèn)題并提高包括具有2TR+1Cap結(jié)構(gòu)的像素的發(fā)光顯示器的圖像質(zhì)量，提出了為像素增加補(bǔ)償電路。
但是，由于在像素結(jié)構(gòu)中增加補(bǔ)償電路時(shí)需增加多個(gè)TFT，所以相關(guān)的驅(qū)動(dòng)方法較之傳統(tǒng)像素結(jié)構(gòu)的驅(qū)動(dòng)方法來(lái)說(shuō)，變得相對(duì)復(fù)雜。而且，由于在包括補(bǔ)償電路的像素結(jié)構(gòu)中，極有可能出現(xiàn)流經(jīng)從電容器到多個(gè)TFT的路徑的漏電流，所以用以維持電壓的電容器的能力相對(duì)地惡化。換句話說(shuō)，盡管補(bǔ)償電路被加入到像素結(jié)構(gòu)中，但是發(fā)光顯示器的圖像質(zhì)量卻有可能會(huì)惡化。
另外，構(gòu)成像素的各個(gè)器件的端子，受到在單像素中使用的柵極信號(hào)的峰-峰值，亦即，從EL VDD到EL VSS的電壓差范圍，所產(chǎn)生的反沖電壓(kickback voltage)的影響。而且，當(dāng)由電容器連接到其上的端子所產(chǎn)生的反沖電壓增加時(shí)，用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光器件的電壓受到影響，使得圖像質(zhì)量惡化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，提出本發(fā)明以克服上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于提供一種TFT，其中構(gòu)成像素的開(kāi)關(guān)TFT的溝道區(qū)的端部寬度互不相同，以便降低關(guān)閉電流并提高驅(qū)動(dòng)能力，并且使發(fā)光顯示器具有改進(jìn)的圖像質(zhì)量。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)提供下述發(fā)光顯示器可實(shí)現(xiàn)上述和其它目的，該發(fā)光顯示器包括至少一根用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線；至少一根用于傳輸被選信號(hào)的掃描線；至少一個(gè)電連接到所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的像素，所述像素包括用于響應(yīng)所述被選信號(hào)并傳輸所述數(shù)據(jù)信號(hào)到有機(jī)發(fā)光器件OLED的第一TFT，以及電連接到所述第一TFT并用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的電壓的電容器；以及連接到所述電容器的第二TFT，其用于向所述OLED提供對(duì)應(yīng)于由所述被選信號(hào)選擇的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流；所述第一TFT的各個(gè)溝道區(qū)寬度互不相同。
優(yōu)選地，具有所述第一TFT的溝道區(qū)寬度中的最小寬度的溝道區(qū)一端，電連接到所述電容器的一個(gè)電極。
優(yōu)選地，具有所述第一TFT的溝道區(qū)端部寬度中的最小寬度的溝道區(qū)一端，電連接到所述第二TFT的柵極。
優(yōu)選地，具有所述第一TFT的溝道區(qū)端部寬度中的最小寬度的溝道區(qū)一端，包括所述第一TFT的漏電極。
優(yōu)選地，所述第一TFT包括雙柵極結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地，所述像素進(jìn)一步包括用于補(bǔ)償所述第二TFT的閾值電壓的閾值電壓補(bǔ)償電路。優(yōu)選地，所述像素進(jìn)一步包括用于補(bǔ)償提供給所述像素的第一電壓的電壓降的電壓降補(bǔ)償電路。
優(yōu)選地，所述第一TFT包括從包括共面結(jié)構(gòu)、交錯(cuò)結(jié)構(gòu)、上柵極結(jié)構(gòu)和下柵極結(jié)構(gòu)在內(nèi)的組中選擇的一種結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)提供下述TFT能夠?qū)崿F(xiàn)上述和其它目的，該TFT包括半導(dǎo)體層，包括一端寬度大于另一端寬度的溝道區(qū)和布置在該溝道區(qū)端部的源極區(qū)和漏極區(qū)；電連接到該半導(dǎo)體層的源電極和漏電極；與該溝道區(qū)接觸的絕緣層；和面對(duì)該溝道區(qū)并將該絕緣層至于自身和該溝道區(qū)之間的柵電極。
優(yōu)選地，所述溝道區(qū)的另一端電連接到所述漏極區(qū)。
優(yōu)選地，該TFT進(jìn)一步包括雙柵極結(jié)構(gòu)，其中所述溝道區(qū)包括第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)，所述柵電極包括第一柵電極和第二柵電極。


通過(guò)結(jié)合附圖來(lái)參考下述具體說(shuō)明，本發(fā)明將變得易于理解，隨著更完整地理解本發(fā)明以及本發(fā)明所帶來(lái)的有益效果，本發(fā)明將變得更加清楚，附圖中相似的參考標(biāo)記表示相同或相似的組件，其中圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的電路圖；圖2是圖1的發(fā)光顯示器的局部放大視圖；圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的電路圖；圖4是圖2的發(fā)光顯示器的示意性側(cè)面剖視圖；圖5是根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的TFT的平視圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的TFT的平視圖。
具體實(shí)施例方式
下文中，參照

根據(jù)本發(fā)明的示范性實(shí)施例。
圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的電路圖，而圖2是圖1的發(fā)光顯示器的局部放大視圖。
如圖1所示，發(fā)光顯示器100包括具有多個(gè)像素120的圖像顯示器110，用于通過(guò)多根掃描線S1、S2～Sn傳輸被選信號(hào)到圖像顯示器110的掃描驅(qū)動(dòng)器130，以及用于通過(guò)多根數(shù)據(jù)線D1、D2、D3～Dm傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)到圖像顯示器110的數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)器140。
圖像顯示器110包括多個(gè)像素，像素具有用于顯示紅色(R)、綠色(G)、和藍(lán)色(B)的子像素120R、120G和120B。各個(gè)像素120連接到掃描線S1～Sn，以便傳輸諸如掃描信號(hào)之類的被選信號(hào)，各個(gè)像素120還連接到用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線D1～Dm、用于提供第一電壓EL VDD的第一電源線150，以及用于提供第二電壓EL VSS的第二電源線160。
如圖2所示，像素120中的子像素120R包括有機(jī)發(fā)光器件(OLED)、第一TFT M1、電容器Cst、第二TFT M2。而且，數(shù)據(jù)線D1、第一電源線EL VDD、以及連接到第一TFT M1、電容器Cst和第二TFT M2中之一的掃描線Sn-1，都連接到子像素120R。掃描線Sn-1沿行方向形成，而數(shù)據(jù)線D1和電源線EL VDD沿列方向形成。第一TFT M1作為開(kāi)關(guān)器件，其用于響應(yīng)被選信號(hào)并傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)到OLED，而第二TFT M2作為驅(qū)動(dòng)器件，其用于提供對(duì)應(yīng)于由被選信號(hào)所選擇的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流到OLED。
上述子像素120R按照下述驅(qū)動(dòng)原理顯示圖像。當(dāng)掃描信號(hào)被提供給第一TFT M1的柵電極時(shí)，該第一TFT M1被選通。當(dāng)該第一TFT M1被選通時(shí)，電容器Cst被對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓充電，并且電容器Cst的電壓被提供給第二TFT M2的柵電極。如此，第二TFT M2提供電流給OLED，以使包含在各個(gè)子像素120R中的每一OLED被點(diǎn)亮。
圖3是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的電路圖。如圖3所示，圖3的電路包括閾值電壓補(bǔ)償電路，該閾值電壓補(bǔ)償電路用于補(bǔ)償閾值電壓給圖2的電路的2TR+1Cap結(jié)構(gòu)。
圖3的子像素120R包括OLED、作為開(kāi)關(guān)器件的第一TFT M1、作為驅(qū)動(dòng)器件的第二TFT M2、電容器Cst以及閾值補(bǔ)償電路300。該閾值補(bǔ)償電路300包括第三TFT M3、第四TFT M4、第五TFT M5和第六TFT M6。
第一到第六TFT M1、M2、M3、M4、M5和M6各自都包括柵電極、源電極和漏電極，并且電容器Cst包括第一電極和第二電極。
第一TFT M1的柵電極連接到第n根掃描線Sn，第一TFT M1的源電極連接到數(shù)據(jù)線Dm，且第一TFT M1的漏電極連接到第一節(jié)點(diǎn)A。響應(yīng)于通過(guò)掃描線Sn輸入的第n掃描信號(hào)，數(shù)據(jù)信號(hào)被傳輸?shù)降谝还?jié)點(diǎn)A。
第二TFT M2的源電極連接到第一節(jié)點(diǎn)A，第二TFT M2的漏電極連接到第三節(jié)點(diǎn)C，且第二TFT M2的柵電極連接到第二節(jié)點(diǎn)B。當(dāng)因第四TFTM4而使第二節(jié)點(diǎn)B的電位與第三節(jié)點(diǎn)C的電位相等時(shí)，第二TFT M2作二極管之用，以便傳輸?shù)降谝还?jié)點(diǎn)A的數(shù)據(jù)信號(hào)通過(guò)第二TFT M2到達(dá)第二節(jié)點(diǎn)B。當(dāng)用于像素的電能通過(guò)圖像電源線EL VDD提供到第一節(jié)點(diǎn)A時(shí)，對(duì)應(yīng)于提供到柵電極的電壓的電流從源電極流到漏電極。換句話說(shuō)，歸因于第二節(jié)點(diǎn)B的電位的電流被確定。
第三TFT M3的柵電極連接到第n-1根掃描線Sn-1，且第三TFT M3的漏電極連接到第二節(jié)點(diǎn)B。通過(guò)第n-1根掃描線Sn-1輸入的第n-1掃描信號(hào)傳輸?shù)降诙?jié)點(diǎn)B。
第四TFT M4的柵電極連接到第n根掃描線Sn，第四TFT M4的源電極連接到第三節(jié)點(diǎn)C，且第四TFT M4的漏電極連接到第二節(jié)點(diǎn)B。響應(yīng)于通過(guò)第n根掃描線Sn輸入的第n掃描信號(hào)，第二節(jié)點(diǎn)B的電位與第三節(jié)點(diǎn)C的電位相等。
第五TFT M5的源電極連接到像素電源線EL VDD，第五TFT M5的漏電極連接到第一節(jié)點(diǎn)A，且第五TFT M5的柵電極連接到發(fā)光控制線En。響應(yīng)于通過(guò)發(fā)光控制線En傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號(hào)，像素電能選擇性地傳輸給第二TFT M2。
第六TFT M6的源電極連接到第三節(jié)點(diǎn)C，第六TFT M6的漏電極連接到OLED，且第六TFT M6的柵電極連接到發(fā)光控制線En。響應(yīng)于通過(guò)發(fā)光控制線En傳輸?shù)陌l(fā)光控制信號(hào)，電流選擇性地傳輸給OLED。
電容器Cst的第一電極連接到像素電源線EL VDD，并且電容器Cst的第二電極連接到第二節(jié)點(diǎn)B。當(dāng)初始信號(hào)通過(guò)第三TFT M3提供到第二節(jié)點(diǎn)B時(shí)，初始信號(hào)傳輸?shù)诫娙萜鰿st，接收初始信號(hào)的電容器Cst保存初始電壓，并在數(shù)據(jù)信號(hào)由第一TFT M1和第四TFT M4傳輸?shù)降诙FT M2時(shí)充電至對(duì)應(yīng)于數(shù)據(jù)信號(hào)的電壓。電容器Cst傳輸所存儲(chǔ)的電壓到第二節(jié)點(diǎn)B，以便存儲(chǔ)在電容器Cst中的電壓提供給第二TFT M2的柵電極。
下文中，參照?qǐng)D4詳細(xì)說(shuō)明子像素120R的元件，圖4即圖2的發(fā)光顯示器的電路的示意性側(cè)面剖視圖。
如圖4所示，子像素120R的剖視結(jié)構(gòu)包括形成在絕緣基板400上的緩沖層401，絕緣基板400諸如氮化物薄膜形式或氧化物薄膜形式的玻璃。該緩沖層401防止諸如金屬離子之類的雜質(zhì)散布到半導(dǎo)體層的有源溝道(active channel)中。
隨后通過(guò)諸如化學(xué)汽相淀積(CVD)、噴鍍(sputtering)之類的方法，在形成為具有緩沖層401的基板400上形成非晶硅層。通過(guò)諸如SPC、MIC、SGS之類的固相結(jié)晶以及諸如ELA之類的液相再結(jié)晶，由半導(dǎo)體層402和404形成非晶硅層。同時(shí)，形成電容器Cst的下部電極403a。半導(dǎo)體層402和404既可通過(guò)在基板上層積非晶硅層并將非晶硅層結(jié)晶為多晶硅層來(lái)形成，也可通過(guò)直接在緩沖層401上層積多晶硅層并以模制(patterning)加工多晶硅層來(lái)形成。
半導(dǎo)體層402和404可被模制成預(yù)定形狀，以便為在本發(fā)明中充當(dāng)開(kāi)關(guān)器件的第一TFT M1提供不同于在本發(fā)明中充當(dāng)驅(qū)動(dòng)器件的第二TFT M2的傳輸特征。根據(jù)提供給OLED的電流，OLED的發(fā)光能力呈現(xiàn)出亮度差。換句話說(shuō)，在提供同樣電流的情況下，具有優(yōu)良發(fā)光能力的OLED呈現(xiàn)出較之其他OLED更高的亮度。用于提高OLED的發(fā)光效率的模制半導(dǎo)體層402的具體形狀，將參照?qǐng)D5和圖6進(jìn)行說(shuō)明。
柵級(jí)絕緣層405形成在半導(dǎo)體層402和404上，并且柵電極406a和408a形成在柵極絕緣層405上。電容器Cst的上部電極407a與柵電極406a和408a一起形成。接下來(lái)，利用柵電極406a和408a作為掩模，摻以雜質(zhì)從而形成源極區(qū)402a和404a以及漏極區(qū)402b和404b。位于柵電極406a和408a的下部的半導(dǎo)體層402和404成為溝道區(qū)，并且形成在溝道區(qū)的側(cè)部的摻雜區(qū)分別成為源極區(qū)402a和404a以及漏極區(qū)402b和404b。
層間絕緣膜409形成在上述結(jié)構(gòu)的上部，并且第一和第二接觸孔410a、411a、410b、和411b形成在層間絕緣膜409上。第一和第二接觸孔410a、411a、410b和411b分別顯露出第一TFT M1和第二TFT M2的的源極區(qū)402a和404a以及漏極區(qū)402b和404b。用于顯露電容器Cst的上部電極407a和下部電極403a的第三接觸孔412a和412b可與第一和第二接觸孔410a、411a、410b、和411b一起形成。分別通過(guò)第一和第二接觸孔410a、411a、410b、和411b連接到源極區(qū)402a和404a以及漏極區(qū)402b和404b的源電極406b和408b以及漏電極406c和408c，形成在在層間絕緣層上。
保護(hù)層413形成在源電極406b和408b以及漏電極406c和408c上。用于顯露第二TFT M2的漏電極408c的第四接觸孔414形成在保護(hù)層413中。OLED的第一電極415(下文中稱作陽(yáng)電極)形成在保護(hù)層413上。陽(yáng)電極415通過(guò)第四接觸孔414電連接到第二TFT M2的漏電極408c。像素清晰度層418形成在陽(yáng)電極415上，并且用于顯露陽(yáng)電極415的開(kāi)口419形成在像素清晰度層418中。發(fā)光層416形成在開(kāi)口419中。OLED的第二電極417(陰電極)形成在發(fā)光層416上。
按照上述層積順序，形成第一TFT M1，其包括連接到半導(dǎo)體層402的源極區(qū)402a的源電極406b、連接到漏極區(qū)402b的漏電極406c以及形成在半導(dǎo)體層402上的柵電極406a。而且，形成第二TFT M2，其包括連接到半導(dǎo)體層404的源極區(qū)404a的源電極408b，連接到漏極區(qū)404b的漏電極408c以及形成在半導(dǎo)體層404上的柵電極408a。電容器Cst包括下部電極403a和上部電極407a。OLED包括陽(yáng)電極415、發(fā)光層416和陰電極417。
在該實(shí)施例中，盡管已經(jīng)說(shuō)明包括有PMOS結(jié)構(gòu)的TFT的像素的制造方法，但是本發(fā)明并不局限于此，而是能夠方便地應(yīng)用到包括諸如NMOS結(jié)構(gòu)的TFT或CMOS結(jié)構(gòu)的TFT之類的其它TFT的像素的制造方法中。參見(jiàn)圖4，盡管已經(jīng)說(shuō)明包括有作為開(kāi)關(guān)器件的上柵型或共面型第一TFT M1的剖視結(jié)構(gòu)，但是這種剖視結(jié)構(gòu)能夠應(yīng)用到其它子像素120G和120B的大體類似的剖視結(jié)構(gòu)中。而且，盡管本發(fā)明的實(shí)施例在示出2TR+1Cap結(jié)構(gòu)的電路2中公開(kāi)了發(fā)光顯示器的側(cè)面剖視圖，但是發(fā)光顯示器的側(cè)面剖視圖也可參照?qǐng)D4進(jìn)行說(shuō)明為包括閾值電壓補(bǔ)償電路。
下文中，參照?qǐng)D5和圖6說(shuō)明作為開(kāi)關(guān)器件的第一TFT M1的結(jié)構(gòu)，圖5和圖6是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的發(fā)光顯示器的TFT的平面圖。
如圖5所示，第一TFT M1的溝道區(qū)具有第一寬度W1和第二寬度W2，并且溝道區(qū)的長(zhǎng)度L具有第一溝道長(zhǎng)度L1和第二溝道長(zhǎng)度L2并表示有效溝道長(zhǎng)度。具有第一TFT M1的溝道區(qū)中的寬度W1和寬度W2中的較小寬度W2的一端，電連接到電容器Cst的一個(gè)電極和第二TFT M2的柵電極，并且具有較小的溝道區(qū)域?qū)挾萕2的一端是第一TFT M1的漏電極。
詳細(xì)地說(shuō)，第一TFT M1包括半導(dǎo)體層500、柵電極508、漏電極510和源電極512。半導(dǎo)體層500包括形成在柵電極508的下部中的溝道區(qū)502(502a和502b)，以及形成在溝道區(qū)502的側(cè)部的漏極區(qū)504和源極區(qū)506。漏電極510通過(guò)至少一個(gè)單第一接觸孔514電連接到漏極區(qū)504，并且源電極512通過(guò)至少一個(gè)單第二接觸孔516電連接到源極區(qū)506。
如圖6所示，第一TFT M1的溝道區(qū)具有第一寬度W1和第二寬度W2，以及兩個(gè)有效溝道長(zhǎng)度L1和L2。在本發(fā)明該實(shí)施例中，第一TFT M1具有雙柵極結(jié)構(gòu)。在雙柵極結(jié)構(gòu)的第一TFT M1中，具有溝道區(qū)域?qū)挾萕1和W2中的較小寬度W2的一端，電連接到電容器Cst的一個(gè)電極和第二TFTM2的柵電極，具有第二寬度W2的一端是第一TFT M1的漏電極。
詳細(xì)地說(shuō)，圖6中的第一TFT M1包括半導(dǎo)體層600、柵電極608、漏電極610和源電極612。半導(dǎo)體層600包括形成在柵電極608的下部中的溝道區(qū)602(602a和602b)，以及形成在溝道區(qū)602的側(cè)部的漏極區(qū)604和源極區(qū)606。漏電極610通過(guò)至少一個(gè)單第一接觸孔614電連接到漏極區(qū)604，并且源電極612通過(guò)至少一個(gè)第二單接觸孔616電連接到源極區(qū)606。
如圖5和圖6所示，第一TFT M1的溝道區(qū)502和602的寬度W1和W2分別有多級(jí)。如此，第一TFT M1的溝道區(qū)域502和602兩端的寬度互不相同，以便降低關(guān)閉電流和反沖電壓。一般地，由于反沖電壓受到溝道區(qū)502和602以及與溝道區(qū)502和602的中心區(qū)相關(guān)的柵電極508和608之間的重疊區(qū)的影響，所以通過(guò)降低由反沖現(xiàn)象所引起的接觸端子的溝道區(qū)的寬度，可降低反沖電壓。
特別地，通過(guò)減少連接到作為驅(qū)動(dòng)器件的第二TFT M2的柵極的溝道區(qū)的寬度，可降低反沖電壓。當(dāng)作為控制器件的TFT也如此構(gòu)造時(shí)，即便在包括多個(gè)TFT路徑會(huì)產(chǎn)生相對(duì)高的漏電流的補(bǔ)償電路的像素結(jié)構(gòu)中，也可以降低反沖電壓和關(guān)閉電流。
盡管上述實(shí)施例應(yīng)用于包括兩個(gè)TFT和一個(gè)單電容器的像素結(jié)構(gòu)(2TR+1Cap)，以及進(jìn)一步包含有用于補(bǔ)償具有2TR+1Cap結(jié)構(gòu)的第二TFT的閾值電壓的閾值電壓補(bǔ)償電路的像素結(jié)構(gòu)，但是本發(fā)明并不局限于這些結(jié)構(gòu)，而是能夠應(yīng)用于進(jìn)一步包含用于補(bǔ)償?shù)谝浑娫吹碾妷航档碾妷航笛a(bǔ)償電路的像素結(jié)構(gòu)和其它各種像素結(jié)構(gòu)。而且，盡管在上述實(shí)施例中，溝道區(qū)的第一溝道區(qū)長(zhǎng)度等于第二溝道區(qū)長(zhǎng)度，但是第一溝道區(qū)長(zhǎng)度可以不等于第二溝道區(qū)的長(zhǎng)度。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，TFT的溝道區(qū)的兩端的寬度互不相同，以便降低TFT的反沖電壓和關(guān)閉電流。因此，改進(jìn)了采用上述TFT的發(fā)光顯示器的圖像質(zhì)量。
盡管已經(jīng)示出和說(shuō)明了本發(fā)明的示范性實(shí)施例，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)理解，可以在不背離本發(fā)明精神和范圍的前提下對(duì)這些實(shí)施例作出改動(dòng)，本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求來(lái)限定。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光顯示器，包括至少一根適于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線；至少一根適于傳輸被選信號(hào)的掃描線；以及至少一個(gè)電連接到所述數(shù)據(jù)線和所述掃描線的像素，所述像素包括第一薄膜晶體管TFT，其用于響應(yīng)所述被選信號(hào)并傳輸所述數(shù)據(jù)信號(hào)到有機(jī)發(fā)光器件；電容器，其電連接到所述第一TFT并用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的電壓；以及連接到所述電容器的第二TFT，其用于向所述有機(jī)發(fā)光器件提供對(duì)應(yīng)于由所述被選信號(hào)選擇的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流，其中所述第一TFT的各個(gè)溝道區(qū)寬度互不相同。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中具有所述第一TFT的溝道區(qū)端部寬度中的最小寬度的溝道區(qū)一端，電連接到所述電容器的一個(gè)電極。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中具有所述第一TFT的溝道區(qū)端部寬度中的最小寬度的溝道區(qū)一端，電連接到所述第二TFT的柵極。
4.如權(quán)利要求2或3所述的發(fā)光顯示器，其中具有所述第一TFT的溝道區(qū)端部寬度中的最小寬度的溝道區(qū)一端，包括所述第一TFT的漏電極。
5.如權(quán)利要求4所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一TFT包括雙柵極結(jié)構(gòu)。
6.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述像素進(jìn)一步包括用于補(bǔ)償所述第二TFT的閾值電壓的閾值電壓補(bǔ)償電路。
7.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述像素進(jìn)一步包括用于補(bǔ)償提供給所述像素的第一電壓的電壓降的電壓降補(bǔ)償電路。
8.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光顯示器，其中所述第一TFT包括從包含共面結(jié)構(gòu)、交錯(cuò)結(jié)構(gòu)、上柵極結(jié)構(gòu)和下柵極結(jié)構(gòu)在內(nèi)的組中選擇的一種結(jié)構(gòu)。
9.一種TFT，包括半導(dǎo)體層，包括一端寬度大于另一端寬度的溝道區(qū)和布置在該溝道區(qū)端部中的源極區(qū)和漏極區(qū)；電連接到該半導(dǎo)體層的源電極和漏電極；與該溝道區(qū)接觸的絕緣層；和面對(duì)該溝道區(qū)并使該絕緣層置于自身和該溝道區(qū)之間的柵電極。
10.如權(quán)利要求9所述的TFT，其中所述溝道區(qū)的另一端電連接到所述漏極區(qū)。
11.如權(quán)利要求9所述的TFT，進(jìn)一步包括雙柵極結(jié)構(gòu)，其中所述溝道區(qū)包括第一溝道區(qū)和第二溝道區(qū)，所述柵電極包括第一柵電極和第二柵電極。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種用于改進(jìn)圖像質(zhì)量的發(fā)光顯示器，包括至少一根用于傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)的數(shù)據(jù)線，至少一根用于傳輸被選信號(hào)的掃描線，和至少一個(gè)電連接到數(shù)據(jù)線和掃描線的像素。該像素包括用于響應(yīng)被選信號(hào)并傳輸數(shù)據(jù)信號(hào)到有機(jī)發(fā)光器件的第一薄膜晶體管(TFT)；電連接到第一TFT并用于存儲(chǔ)對(duì)應(yīng)于所傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號(hào)的電壓的電容器；以及連接到所述電容器的第二TFT，其用于向所述OLED提供對(duì)應(yīng)于由所述被選信號(hào)選擇的數(shù)據(jù)信號(hào)的電流。第一TFT的各個(gè)溝道區(qū)寬度互不相同，以降低反沖電壓、提高TFT的驅(qū)動(dòng)能力，進(jìn)而改進(jìn)發(fā)光顯示器的圖像質(zhì)量。
文檔編號(hào)H01L29/786GK1885552SQ20061009003
公開(kāi)日2006年12月27日 申請(qǐng)日期2006年6月22日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月22日
發(fā)明者崔雄植 申請(qǐng)人:三星Sdi株式會(huì)社