專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種二極管封裝結(jié)構(gòu)，特別是涉及一種發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
發(fā)光二極管是由半導(dǎo)體材料所制成的發(fā)光元件，元件具有兩個電極端子，在端子間施加電壓，通入極小的電壓，經(jīng)由電子電洞的結(jié)合，可將剩余能量以光的形式激發(fā)釋出。
不同于一般白熾燈泡，發(fā)光二極管屬冷發(fā)光，具有耗電量低、元件壽命長、無須暖燈時間、反應(yīng)速度快等優(yōu)點。再加上其體積小、耐震動、適合量產(chǎn)，容易配合應(yīng)用上的需求制成極小或陣列式的元件。目前發(fā)光二極管已普遍使用于資訊、通訊、消費性電子產(chǎn)品的指示器及顯示裝置上，成為日常生活中不可或缺的重要元件。近來，利用發(fā)光二極管更被應(yīng)用作為液晶顯示器(Liquid crystal Display，LCD)的背光源，并有逐漸取代傳統(tǒng)冷陰極螢光燈管的趨勢。
現(xiàn)有技術(shù)中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中的晶粒(Die)通常是利用半導(dǎo)體制程的磊晶(Epitaxy)制程來制造，其中，晶粒發(fā)光的波長由磊晶層材料來決定，因此磊晶制程是發(fā)光二極管制程中，成本最高的一部份。
如圖1所示，半導(dǎo)體晶圓1上可具有復(fù)數(shù)個發(fā)光二極管晶粒D，而晶圓1經(jīng)過切割后即可挑選適當(dāng)?shù)木Я進(jìn)行封裝，以將發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)應(yīng)用于各種產(chǎn)品之中。
雖然在制造過程中，晶圓經(jīng)過相同的制程控制以使全部的晶粒發(fā)出一目標(biāo)顏色的光。但是，通常同一批次所制造出來的復(fù)數(shù)晶粒，甚至是同一晶圓上的復(fù)數(shù)晶粒，都可能具有相當(dāng)大的波長變化(wavelength lengthvariation)。例如同一批次的晶粒目標(biāo)顏色為綠色，但是可能其中一個晶粒發(fā)出的光波峰波長為500nm，另一個晶粒卻可能發(fā)出的光波峰波長為506nm。
然而，在某些應(yīng)用領(lǐng)域中，例如是液晶顯示器背光模組、或是汽車的高級車燈中，常需要復(fù)數(shù)波長幾乎一致的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。因此，晶粒的波峰波長是會被嚴(yán)格要求的。也就是說，不論是同一批次生產(chǎn)出的復(fù)數(shù)晶粒、或是同一晶圓上的復(fù)數(shù)晶粒，唯有落入一狹小的波峰波長范圍者，才符合業(yè)者的品質(zhì)控管標(biāo)準(zhǔn)，可被挑選成為良品而應(yīng)用于產(chǎn)品中。其他在波長范圍之外的晶粒，往往成為不良品，無法使用。如此一來，晶圓上所有的晶粒則無法完全使用，晶粒利用率不高，使得發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的生產(chǎn)成本居高不下，并且造成原物料的浪費。
由此可見，上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)在結(jié)構(gòu)與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。為了解決上述存在的問題，相關(guān)廠商莫不費盡心思來謀求解決之道，但長久以來一直未見適用的設(shè)計被發(fā)展完成，而一般產(chǎn)品又沒有適切的結(jié)構(gòu)能夠解決上述問題，此顯然是相關(guān)業(yè)者急欲解決的問題。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，便成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。
有鑒于上述現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，本發(fā)明人基于從事此類產(chǎn)品設(shè)計制造多年豐富的實務(wù)經(jīng)驗及專業(yè)知識，并配合學(xué)理的運用，積極加以研究創(chuàng)新，以期創(chuàng)設(shè)一種新型結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，能夠改進(jìn)一般現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，使其更具有實用性。經(jīng)過不斷的研究、設(shè)計，并經(jīng)過反復(fù)試作樣品及改進(jìn)后，終于創(chuàng)設(shè)出確具實用價值的本發(fā)明。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的主要目的在于，克服現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)存在的缺陷，而提供一種新型結(jié)構(gòu)的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，所要解決的技術(shù)問題是使其能藉由兩個以上的發(fā)光二極管發(fā)出目標(biāo)波峰波長，以提高晶粒的利用率，并降低生產(chǎn)成本，從而更加適于實用。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題是采用以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，用以發(fā)出一目標(biāo)波峰波長，其包括一承載體；一第一晶粒，設(shè)置于該承載體，該第一晶粒的發(fā)光具有一第一波峰波長，該第一波峰波長大于該目標(biāo)波峰波長；以及一第二晶粒，設(shè)置于該承載體，該第二晶粒的發(fā)光具有一第二波峰波長，該第二波峰波長小于該目標(biāo)波峰波長，該第一波峰波長與該第二波峰波長屬于同一色系。
本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實現(xiàn)。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的承載體為一基板或一導(dǎo)線架。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的第一晶粒與該第二晶粒同時或不同時發(fā)光。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于30nm。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的目標(biāo)波長與該第一波峰波長的差值，不等于或等于該目標(biāo)波長與該第二波峰波長的差值。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的第一晶粒與該第二晶粒的發(fā)光強度不同。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的目標(biāo)波峰波長約介于615nm至650nm之間、約介于515nm至555nm之間或約介于455nm至485nm之間。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其更包括一第三晶粒，其具有一第三波峰波長，該第一波峰波長、該第二波峰波長以及該第三波峰波長屬于該色系。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的第三波峰波長大于該第一波峰波長，該第三波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
前述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其中所述的第三波峰波長小于該第二波峰波長，該第一波峰波長與該第三波峰波長的差值小于50nm。
借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)至少具有下列優(yōu)點本發(fā)明一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，具有復(fù)數(shù)晶粒且第一波峰波長與第二波峰波長屬于同一色系。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可藉由挑選具有適當(dāng)匹配波長的復(fù)數(shù)晶粒，也就是可組合出目標(biāo)波峰波長的復(fù)數(shù)晶粒，將兩個以上的復(fù)數(shù)晶粒封裝在一起。如此一來，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可使人眼在目標(biāo)波峰波長處，感受到宛如二顆具有目標(biāo)波峰波長的發(fā)光二極管的發(fā)光強度。另外，藉由挑選匹配晶粒的過程，封裝業(yè)者即可放寬良品晶粒的波峰波長的范圍，進(jìn)而能提升同一晶圓或同一批次晶圓的晶粒利用率，以降低生產(chǎn)成本，并減少原物料的浪費。
綜上所述，本發(fā)明新穎的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，能藉由兩個以上的發(fā)光二極管發(fā)出目標(biāo)波峰波長，以提高晶粒的利用率，并降低生產(chǎn)成本。本發(fā)明具有上述諸多優(yōu)點及實用價值，其不論在結(jié)構(gòu)或功能上皆有較大的改進(jìn)，在技術(shù)上有顯著的進(jìn)步，并產(chǎn)生了好用及實用的效果，且較現(xiàn)有的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)具有增進(jìn)的功效，從而更加適于實用，并具有產(chǎn)業(yè)的廣泛利用價值，誠為一新穎、進(jìn)步、實用的新設(shè)計。
上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實施例，并配合附圖，詳細(xì)說明如下。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中晶圓經(jīng)切割形成復(fù)數(shù)晶粒的一示意圖。
圖2為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的一示意圖。
圖3為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的另一示意圖。
圖4為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的另一示意圖。
圖5為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的另一示意圖。
圖6為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，第一晶粒及第二晶粒所發(fā)出波長頻譜的一示意圖，其中，第一晶粒與目標(biāo)波長的差值等于第二晶粒與目標(biāo)波長的差值。
圖7為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，第一晶粒及第二晶粒所發(fā)出波長頻譜的另一示意圖，其中，第一晶粒與目標(biāo)波長的差值不等于第二晶粒與目標(biāo)波長的差值。
圖8為本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的另一示意圖。
1晶圓2，2’發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)21，21’承載體22第一晶粒23第二晶粒24第三晶粒25引線26封膠材料27內(nèi)導(dǎo)線D晶粒λt目標(biāo)波峰波長λ1第一波峰波長λ2第二波峰波長λ3第三波峰波長具體實施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實施例，對依據(jù)本發(fā)明提出的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)其具體實施方式
、結(jié)構(gòu)、特征及其功效，詳細(xì)說明如后。
首先，請參閱圖2至圖3，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的第一實施例。
請參閱圖2所示，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2包括一承載體21、一第一晶粒22以及一第二晶粒23。其中，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2用以發(fā)出一目標(biāo)波峰波長λt(target peak wavelength)，目標(biāo)波峰波長可例如是介于615nm至650nm之間的紅光、介于515nm至555nm之間的綠光、或波峰波長約介于455nm至485nm之間的藍(lán)光。也就是說，目標(biāo)波峰波長可由業(yè)者自行訂定規(guī)格，為發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2最后讓人眼接受到之波峰波長。而發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2可利用人眼的視覺暫留現(xiàn)象，使第一晶粒22及第二晶粒23不論是同時發(fā)光或不同時發(fā)光，均能得到目標(biāo)波峰波長。
當(dāng)然，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2目標(biāo)波峰波長也可分別定義為介于620.5nm至645.0nm之間的第一紅光(R1)、波峰波長約介于612.5nm至620.5nm之間的第二紅光(R2)、波峰波長約介于520nm至550nm之間的第一綠光(G1)、波峰波長約介于490nm至520nm之間的第二綠光(G2)、波峰波長約介于460nm至490nm之間的第一藍(lán)光(B1)、或波峰波長約介于440nm至460nm之間的第二藍(lán)光(B2)。
請參閱圖2，第一晶粒22及第二晶粒23分別設(shè)置于承載體21。其中，承載體2 1可以為一基板或一導(dǎo)線架。本實施例中，發(fā)光二極管的封裝形態(tài)及基板的材質(zhì)并不加以限制。舉例而言，當(dāng)承載體21為基板時，可為透明基板，也可為不透明的基板。而封裝的型式可以如圖2中為表面封裝(SurfaceMounting Device，SMD)的形態(tài)。第一晶粒22及第二晶粒23可藉由復(fù)數(shù)引線(wiring)25而與承載體21電性連接，再利用封膠材料26保護(hù)第一晶粒22與第二晶粒23。
清參閱圖3所示，當(dāng)然，第一晶粒22及第二晶粒23也可藉由于基板上之內(nèi)導(dǎo)線(interconnection)27而與外界電性進(jìn)行訊號溝通，而不需要引線。其中，第一晶粒22及第二晶粒23也可利用覆晶(flip chip)的形式而安裝于承載體21。
請參閱圖4所示，當(dāng)承載體21’為導(dǎo)線架時，則封裝的型式則成為導(dǎo)線架封裝(leadframe package)的形態(tài)。另外，圖5中，第一晶粒22及第二晶粒23也可以堆疊的方式來設(shè)置再配合基板及導(dǎo)線架來作為承載體21，21’。
再請參閱圖2及圖6所示，第一晶粒22具有一第一波峰波長λ1，第一波峰波長λ1大于目標(biāo)波峰波長λt。第二晶粒23具有一第二波峰波長λ2，第二波峰波長λ2小于目標(biāo)波峰波長λt。其中，第一晶粒22及第二晶粒23屬于同一色系的光，例如第一晶粒22及第二晶粒23都發(fā)綠色系的光，例如為綠色、青綠色，且第一晶粒22及第二晶粒23可為同一晶圓上所產(chǎn)出的晶粒。當(dāng)然，第一晶粒22及第二晶粒23也可以是由不同晶圓但是為同一批次所生產(chǎn)出之晶粒，本實施例中，第一晶粒22及第二晶粒23以同一晶圓所產(chǎn)出之晶粒為例。
在挑選晶粒時，需先量測各個晶粒的波峰波長，以挑選出適合封裝在一起，波峰波長可互相匹配的復(fù)數(shù)晶粒。其中，只要第一晶粒22的第一波峰波長λ1與第二晶粒23的第二波峰波長λ2的差值(Δλ)小于50nm，即可互相匹配，放置于同一封裝結(jié)構(gòu)中。
本實施例中，以發(fā)出目標(biāo)波峰波長λt為530nm的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2為例。當(dāng)?shù)谝痪Я?2與目標(biāo)波峰波長的差值等于第二晶粒23與目標(biāo)波峰波長λt的差值，例如第一波峰波長λ1約為535nm，第二波峰波長λ2約為525nm，并假設(shè)第一晶粒22與第二晶粒23之發(fā)光效率相同時，提供相同的電流給第一晶粒22及第二晶粒23，不論是第一晶粒22及第二晶粒23同時發(fā)光或快速輪流發(fā)光時，人眼感受到目標(biāo)波峰波長值530nm所呈現(xiàn)的發(fā)光強度，為第一晶粒22及第二晶粒23在目標(biāo)波峰波長值530nm處光強度的加總(如虛線波長頻譜所示)。也就是說，藉由波長的匹配，將第一晶粒22及第二晶粒23封裝在一起后，第一晶粒22與第二晶粒23可組合出目標(biāo)波峰波長λt，使得人眼無法分辨復(fù)數(shù)晶粒之間有波長差值，宛如拿二顆可發(fā)出目標(biāo)波峰光波長λt的晶粒封裝一起一樣。
請參閱圖2及圖7，本實施例中，以發(fā)出目標(biāo)波峰波長λt為530nm之發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2為例。當(dāng)?shù)谝痪Я?2與目標(biāo)波峰波長的差值為第二晶粒23與目標(biāo)波峰波長的差值的一半時，例如第一波峰波長λ1約為535nm，第二波峰波長λ2約為520nm，假設(shè)第一晶粒22與第二晶粒23的發(fā)光效率也相同的情形下，可提升第一晶粒22的電流或電壓值至二倍，以使第一晶粒22的發(fā)光強度為第二晶粒23的二倍。如圖7所示，當(dāng)?shù)谝痪Я?2及第二晶粒23同時發(fā)光或快速輪流發(fā)光時，人眼感受到目標(biāo)波峰波長值λt處所呈現(xiàn)的光強度，為第一晶粒22及第二晶粒23于目標(biāo)波峰波長值λt處光強度的加總(如虛線波長頻譜所示)。
較佳的狀況下，第一波峰波長λ1與第二波峰波長λ2的差值小于30nm，組合出的目標(biāo)波峰波長的發(fā)光強度較強，且可形成一主要波峰(main peak)。另外，就算是第一晶粒22與第二晶粒23的波長加總后，無法形成單一主要波峰，但由于發(fā)光二極管的發(fā)光純度較高，人眼依舊無法辨識出色彩飽和度(Color Saturation)上的損失。
接著，請參閱圖8，以說明本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)第二實施例。
發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2’更包括一第三晶粒24，而第三晶粒24具有一第三波峰波長λ3，第三晶粒24與第一晶粒22及第二晶粒23發(fā)出同一色系的光。舉例來說，當(dāng)?shù)谝痪Я?2及第二晶粒23均發(fā)出粉紅色的光，第三晶粒24發(fā)出深紅色的光，均屬于紅色系的光。
當(dāng)發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2’具有三個晶粒時，晶粒的最大波峰波長及最小波峰波長的差值應(yīng)小于50nm。也就是說，當(dāng)?shù)谌ǚ宀ㄩLλ3大于第一波峰波長λ1時，第三波峰波長λ3與第二波峰波長λ2的差值小于50nm。而當(dāng)?shù)谌ǚ宀ㄩLλ3小于第二波峰波長λ2時，第三波峰波長λ3與第一波峰波長λ1的差值小于50nm。
較佳的情況下，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)2’的復(fù)數(shù)晶粒中，最大波峰波長及最小波峰波長的差值應(yīng)小于30nm。
當(dāng)然，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)中，亦不限定封裝結(jié)構(gòu)中的晶粒數(shù)量，只要為復(fù)數(shù)晶粒即可。
綜上所述，本發(fā)明一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，具有復(fù)數(shù)晶粒且第一波峰波長與第二波峰波長屬于同一色系。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)可藉由挑選具有適當(dāng)匹配波長的復(fù)數(shù)晶粒，也就是可組合出目標(biāo)波峰波長的復(fù)數(shù)晶粒，將兩個以上復(fù)數(shù)晶粒封裝在一起。如此一來，發(fā)光二極管的封裝結(jié)構(gòu)可使人眼在目標(biāo)波峰波長處，感受到宛如二顆具有目標(biāo)波峰波長發(fā)光二極管的發(fā)光強度。另外，藉由挑選匹配晶粒的過程，封裝業(yè)者即可放寬良品晶粒的波峰波長的范圍，進(jìn)而能提升同一晶圓或同一批次晶圓的晶粒利用率，以降低生產(chǎn)成本，并減少原物料的浪費。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實施例而已，并非對本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動或修飾為等同變化的等效實施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，用以發(fā)出一目標(biāo)波峰波長，其特征在于其包括一承載體；一第一晶粒，設(shè)置于該承載體，該第一晶粒的發(fā)光具有一第一波峰波長，該第一波峰波長大于該目標(biāo)波峰波長；以及一第二晶粒，設(shè)置于該承載體，該第二晶粒的發(fā)光具有一第二波峰波長，該第二波峰波長小于該目標(biāo)波峰波長，該第一波峰波長與該第二波峰波長屬于同一色系。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的承載體為一基板或一導(dǎo)線架。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一晶粒與該第二晶粒同時或不同時發(fā)光。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一波峰波長與該第二波峰波長的差值小于30nm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的目標(biāo)波長與該第一波峰波長的差值，不等于或等于該目標(biāo)波長與該第二波峰波長的差值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第一晶粒與該第二晶粒的發(fā)光強度不同。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的目標(biāo)波峰波長約介于615nm至650nm之間、約介于515nm至555nm之間或約介于455nm至485nm之間。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其更包括一第三晶粒，其具有一第三波峰波長，該第一波峰波長、該第二波峰波長以及該第三波峰波長屬于該色系。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第三波峰波長大于該第一波峰波長，該第三波峰波長與該第二波峰波長的差值小于50nm。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于其中所述的第三波峰波長小于該第二波峰波長，該第一波峰波長與該第三波峰波長的差值小于50nm。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，是用以發(fā)出一目標(biāo)波峰波長，發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包括一承載體、一第一晶粒以及一第二晶粒。其中，第一晶粒設(shè)置于承載體，第一晶粒具有一第一波峰波長，第一波峰波長大于目標(biāo)波峰波長。第二晶粒設(shè)置于承載體，第二晶粒具有一第二波峰波長，第二波峰波長小于目標(biāo)波峰波長，其中第一晶粒與第二晶粒發(fā)出相同色系的光。本發(fā)明發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，能藉由兩個以上的發(fā)光二極管發(fā)出目標(biāo)波峰波長，以提高晶粒的利用率，并降低生產(chǎn)成本。
文檔編號H01L25/00GK101093827SQ200610082908
公開日2007年12月26日 申請日期2006年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2006年6月19日
發(fā)明者林峰立 申請人:啟萌科技有限公司