專利名稱：高亮度發(fā)光二極管和使用其的液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種發(fā)光二極管(LED)，更具體地涉及一種能夠用作液晶顯示裝置的背光源的高亮度LED。
背景技術(shù)：
可以用作電腦監(jiān)視器或者TV的顯示裝置的類型包括自發(fā)光裝置，例如發(fā)光二極管(LED)顯示器、電致發(fā)光(EL)顯示器、真空熒光顯示器(VFD)、場致發(fā)射顯示器(FED)、或者等離子顯示面板(PDP)。裝置類型還包括需要額外光源的非自發(fā)光裝置，例如液晶顯示器(LCD)。
典型的液晶顯示裝置包括其上形成場發(fā)生電極(field generatingelectrode)的兩個顯示面板、和具有介電異向性并置于兩個顯示面板之間的液晶層。液晶顯示裝置向場發(fā)生電極施加電壓以在液晶層中生成電場。為了調(diào)節(jié)液晶層中的電場的強度而改變所施加的電壓，從而調(diào)節(jié)光通過液晶層的透射率以便顯示所需圖像。
光可以由人造光源提供或者可以為自然光。
用于液晶顯示器的人造光源(例如背光裝置)典型地使用多個熒光燈，例如冷陰極熒光燈(CCFL)或者外部電極熒光燈(EEFL)，或者可以使用多個LED作為光源。
在顯示裝置中，LED作為下一代背光裝置的光源已經(jīng)受到關(guān)注，這是因為LED具有大量有益的特性。例如，因為LED不使用水銀，所以LED對環(huán)境無害。另外，LED具有長壽命，這是因為LED的結(jié)構(gòu)穩(wěn)定性。
然而，為了利用LED生成白光而使用發(fā)光芯片和熒光裝置。熒光裝置將發(fā)光芯片發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為具有不同的波長分布的光。因為將從一個發(fā)光芯片發(fā)出的光轉(zhuǎn)換為各種波長的光并且用作光源，所以LED存在的問題在于其總亮度低。
背景部分公開的上述信息僅僅是為了增強對發(fā)明背景的理解，因此所述信息可以包含未構(gòu)成在這個國家的本領(lǐng)域普通技術(shù)人員已公知的現(xiàn)有技術(shù)的信息。

發(fā)明內(nèi)容
因此，在這里描述的系統(tǒng)和技術(shù)提供了一種高亮度LED。
根據(jù)目前的公開內(nèi)容，提供每一個均包括具有下表面和上表面的底部基板、設置在所述底部基板的上表面上并彼此并聯(lián)電連接的多個發(fā)光芯片、和用于覆蓋所述發(fā)光芯片的熒光材料層的發(fā)光二極管。
根據(jù)本發(fā)明的示范實施例，每一個發(fā)光二極管還可以包括形成在所述底部基板的下表面上以將所述多個發(fā)光芯片以并聯(lián)方式電連接在一起的導線。
所述底部基板可以具有通孔，并且所述發(fā)光二極管還可以包括用于經(jīng)由所述底部基板的所述通孔連接所述發(fā)光芯片的電極和所述導線的插塞。
所述底部基板可以包括PCB基板和連接在所述PCB基板上的熱沉基板(heat sink substrate)，所述導線可以形成在所述PCB基板的下表面上，并且所述發(fā)光芯片可以被放置在所述熱沉基板的上表面上。
所述熱沉基板可以包括金屬。例如，所述熱沉基板可以完全由金屬材料制成，可以主要由金屬材料組成，或者可以包括金屬材料。
所述發(fā)光二極管每一個還可以包括一個或多個芯片基膜，所述一個或多個芯片基膜形成在所述熱沉基板上以使所述發(fā)光芯片的電極與所述熱沉基板絕緣。
所述發(fā)光二極管每一個還可以包括通孔膜，所述通孔膜至少形成在所述熱沉基板的通孔的內(nèi)壁上以使所述插塞與所述熱沉基板絕緣。
所述發(fā)光芯片可以發(fā)藍光。
所述發(fā)光芯片可以發(fā)藍光和紫外光。
所述熒光材料層可以包括紅色熒光材料和綠色熒光材料。
所述發(fā)光二極管每一個還可以包括覆蓋所述熒光材料層的模制樹脂層。
可以在所述底部基板的上表面上形成溝槽，并且可以將所述發(fā)光芯片至少部分設置在相關(guān)溝槽內(nèi)。
所述發(fā)光二極管每一個還可以包括形成在所述底部基板的上表面上的反射層。
另外，提供一種包括發(fā)光二極管和液晶面板的液晶顯示裝置，其中所述液晶面板被定位成從所述發(fā)光二極管接收光，并且包括兩個面板和置于所述兩個面板之間的液晶層。所述發(fā)光二極管每一個可以包括具有下表面和上表面以及通孔的PCB基板；形成在所述PCB基板的下表面上的導線；熱沉基板，所述熱沉基板具有下表面和上表面以及與所述PCB基板的通孔對準的通孔，其中所述熱沉基板的下表面定位在所述PCB基板的上表面上；設置在所述熱沉基板的上表面上的多個發(fā)光芯片；插塞，所述插塞用于經(jīng)由所述熱沉基板和所述PCB基板的通孔連接所述發(fā)光芯片的電極和所述導線；覆蓋所述發(fā)光芯片的熒光材料層；和形成在所述熒光材料層上的模制樹脂層。
所述液晶顯示裝置還可以包括設置在所述液晶面板各側(cè)面上的兩個偏光器。
所述液晶顯示裝置還可以包括定位在所述發(fā)光二極管和所述液晶面板之間的一個或多個光學膜。


圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的液晶顯示裝置的分解透視圖。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的發(fā)光二極管(LED)的布局視圖。
圖3是沿圖2的線III-III所截得的橫截面圖。
圖4至圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的LED的不同結(jié)構(gòu)的垂直橫截面圖。
圖7是說明從使用黃色YAG熒光材料的藍光LED芯片和使用紅色和綠色熒光材料的另一個藍光LED芯片中獲得的光譜曲線的曲線圖。
具體實施例方式
為了本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以容易地實施本發(fā)明，在下文參照附圖詳細說明本發(fā)明的示范實施例，本發(fā)明的方面由權(quán)利要求限定。下面描述是說明性的，不是用來限制權(quán)利要求。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將會認識到，除在下面描述的元件之外還可以使用下面的元件的替換實施，或者代替在下面描述的元件，并且可以省略一些元件。
在附圖中，為了清楚放大了層、膜、面板、區(qū)域等等的厚度。整個說明書中相同的參考符號表示相同的元件。要理解，當將元件(例如層、膜、區(qū)域、或者基板)稱為“在另一個元件上”時，所述元件可以直接在另一元件上或者還可以存在插入元件。
首先，參照附圖詳細說明根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的用于顯示裝置的光源。
圖1是根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的液晶顯示裝置的分解透視圖。
如圖1所示，根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的液晶顯示裝置包括用于利用光顯示圖象的液晶面板組件330；用于生成光的背光組件340；置于液晶面板組件330和背光組件340之間的選擇性反射膜347；用于安放液晶面板組件330、選擇性反射膜347、和背光組件340的?？?64；和上部及下部框361和362。
液晶面板組件330包括用于顯示圖象的液晶面板300、驅(qū)動芯片510、和柔性電路板550。
液晶面板300包括薄膜晶體管(TFT)陣列面板100、連接并面向TFT陣列面板100的彩色濾光片陣列面板200、和置于TFT陣列面板100和彩色濾光片陣列面板200之間的液晶層(未顯示)。
TFT陣列面板100具有布置成矩陣的多個像素(未顯示)。每一個像素由柵極線(未顯示)和數(shù)據(jù)線(未顯示)限定并具有像素電極。柵極線在第一方向上延伸，并且數(shù)據(jù)線在垂直于第一方向的第二方向上延伸。數(shù)據(jù)線與柵極線絕緣并與柵極線相交。此外，每一個像素具有連接到柵極線、數(shù)據(jù)線、和像素電極的TFT(未顯示)。
彩色濾光片陣列面板200具有在薄膜制程中形成的紅色、綠色、和藍色濾光片(未顯示)，在所描述的實施例中是白光的預定顏色分量。彩色濾光片陣列面板200具有面向像素電極的共用電極。
通過施加在像素電極和共用電極之間的電壓來布置液晶層的分子，以改變從背光組件340提供的光的偏振狀態(tài)。
驅(qū)動芯片510被安裝在TFT陣列面板100的第一端部上以將驅(qū)動信號施加到數(shù)據(jù)線和柵極線。驅(qū)動芯片510可以由兩個或更多個分離的芯片(例如，驅(qū)動數(shù)據(jù)線的芯片和驅(qū)動柵極線的芯片)組成，或者可以由一個集成芯片組成。通過玻載芯片(chip on glass)(COG)工藝將驅(qū)動芯片510安裝在TFT陣列面板100上。
柔性電路板550連接在TFT陣列面板100的第一端部上以施加控制信號來控制驅(qū)動芯片510。時序控制器安裝在柔性電路板550上，以調(diào)節(jié)驅(qū)動信號的時序和/或控制用于儲存數(shù)據(jù)信號的存儲器?？梢岳酶飨虍愋詫щ姳∧ぷ鳛槊浇閷⑷嵝噪娐钒?50電連接到TFT陣列面板100。
背光組件340形成在液晶面板組件330之下以為液晶面板300提供充分均勻的光線。
背光組件340包括具有用于生成光的LED345的光源單元344、用于引導光的路徑的導光件342、用于提高從導光件342發(fā)出的光的亮度均勻度的光學膜片343、和用于反射從導光件342漏出的光的反射器341。
LED345使用白光發(fā)光二極管作為光源，光源可以包括涂有綠色和紅色熒光材料的多個藍光LED芯片。在一些實施例中，LED345可以使用白光LED作為基礎并使用紅光LED作為輔助。
光源單元344被設置在導光件342的一側(cè)并為導光件342提供光。用于控制LED345的柔性電路板(未顯示)可以連接在光源單元344的一側(cè)。盡管在本示范實施例中光源單元344被設置在導光件342的一側(cè)，但是如必要的話，光源單元344可以設置在導光件342的兩側(cè)，或者多個光源單元可以設置在導光件342之下。在后一種情況下，可以省略導光件342。
導光件342具有用于將光引導到其上顯示圖像的液晶面板300的顯示區(qū)域內(nèi)的導光圖案(未顯示)。
光學膜片343被置于導光件342和液晶面板300之間。光學膜片343提高從導光件342提供的光的亮度均勻度；例如，當入射在液晶面板300上時大體上是均勻的。
反射器341形成在導光件342之下。反射器341將從導光件342漏出的光反射到導光件342，以提高光使用效率。
?？?64依次安放反射器341、導光件342、光學膜片343、和液晶面板300。?？?64包括開放的底部表面251和從底部表面251延伸的側(cè)壁252，并且?？?64由合成樹脂制成。
柔性電路板550沿著模框364的側(cè)壁252彎曲。多個第一連接突起51形成在模框364的側(cè)壁252上以與下部框362連接。
?？?64被安放在由金屬材料制成的下部框362中。下部框362具有底板261和從底板261的邊緣延伸的側(cè)板262以形成安放空間。對應于多個第一連接突起51的多個連接溝槽61形成在側(cè)板262中。
在連接?？?64和下部框362中，下部框362的側(cè)板262部分地設置在模框364的側(cè)壁252的外面。多個第一連接突起51插入多個連接溝槽61中以連接?？?64和下部框362。在這里，為了減小液晶顯示裝置的總尺寸，在與側(cè)板262的接觸部分處按照下部框362的側(cè)板262的厚度部分地減薄?？?64。
上部框361定位在液晶面板300的上側(cè)。上部框361覆蓋液晶面板300，以便打開用于顯示圖象的有效顯示區(qū)300并連接到下部框362。上部框361引導液晶面板300的位置并將液晶面板300固定到?？?64中。
現(xiàn)在，參照圖2和圖3詳細說明根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的光源單元344和光源單元344的LED345。
圖2是根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的LED的布局視圖，圖3是沿圖2的線III-III所截得的橫截面圖。
根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的LED包括為由下部印刷電路板(PCB)基板110和上部熱沉基板120組成的雙基板的底部基板111、形成在底部基板111上的芯片基膜160、設置在芯片基膜160上的多個LED芯片130、覆蓋多個LED芯片130的熒光材料層140、和形成在熒光材料層140上的模制樹脂層150。
根據(jù)本發(fā)明的示范實施例，形成底部基板111的下部的PCB基板110具有用于驅(qū)動LED的導線181和182。導線可以包括用于向LED芯片130提供電力的導線。
形成底部基板111的上部的熱沉基板120由具有極好導熱性的材料制成，(例如，諸如鋁的金屬)，并且所述熱沉基板的底部表面連接到PCB基板110的上表面。溝槽121形成在熱沉基板120的上表面上，芯片基膜160和LED芯片130被放置在溝槽121的底部表面上。在一些實施例中，熱沉基板120可以由具有極好的導熱性的非金屬材料形成。
通孔形成在底部基板111中以經(jīng)由熱沉基板120的上表面穿過PCB基板110的下表面，插塞171和172形成在通孔中以電連接LED芯片130的電極和導線181和182。通孔膜190形成在通孔的內(nèi)表面上以使插塞171和172與熱沉基板120絕緣。不必在通孔的整個內(nèi)表面上形成通孔膜190，但是優(yōu)選的是通孔膜190至少形成在熱沉基板120通過的部分上。如果熱沉基板120由絕緣材料形成，那么通孔膜190可以省略。
芯片基膜160由用于使LED芯片130和熱沉基板120之間絕緣的絕緣材料形成。芯片基膜160還具有通孔，并且通孔填充有插塞171和172。
放置在芯片基膜160上的LED芯片130的正電極和負電極通過倒裝接合(flip-chip bonding)或者引線接合(wire bonding)技術(shù)電連接到插塞171和172。稍后將說明。
LED芯片130可以是用于發(fā)藍光的藍光LED或者當施加適當?shù)碾娦盘枙r用于發(fā)射藍光和紫外光的藍光LED。如有必要，LED芯片130還可以是用于僅僅發(fā)射紫外光的紫外光LED。
多個LED芯片130被安裝在單一的底部基板111上并彼此以并聯(lián)方式電連接。即，為了驅(qū)動LED芯片130，每一個LED芯片130的第一電極連接到特定節(jié)點，每一個LED芯片130的第二電極連接到不同的節(jié)點。例如，一個節(jié)點可以接地，而另一個節(jié)點可以是特定的電壓，可以利用節(jié)點之間的電位差驅(qū)動LED芯片130。因此，與僅僅用一個LED芯片形成的LED相比較，可以產(chǎn)生具有更高亮度的光。
熒光材料層140由具有紅色和綠色熒光材料的混合材料形成，并覆蓋LED芯片130。熒光材料層140將LED芯片130發(fā)出的藍光或者紫外光轉(zhuǎn)換為綠光和紅光。如果LED芯片130是紫外光LED，那么熒光材料層140還可以包括藍色熒光材料。
模制樹脂層150覆蓋熒光材料層140以保護熒光材料層140。
如上所述，通過在單一的底部基板111上安裝并模制多個LED芯片130可以獲得高亮度LED。結(jié)果，盡管LED芯片130發(fā)出的藍光或者紫外光的一部分轉(zhuǎn)換為綠光和紅光，但可以確保足夠的亮度。
圖4到圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的示范實施例的用于二維光源的LED的不同結(jié)構(gòu)的垂直橫截面圖。
參照圖4，反射膜112涂敷在熱沉基板120上，芯片基膜160在熱沉基板120的溝槽內(nèi)形成于反射膜112上，以及LED芯片倒裝接合在經(jīng)由通孔放置在芯片基膜160的頂部上的插塞頭173和174上。
LED芯片包括絕緣基板131、形成在絕緣基板131上的n型半導體層132、形成在n型半導體層132上的有源層133、形成在有源層133上的p型半導體層134、和分別形成在p型和n型半導體層134和132上的兩個電極135和136。兩個電極136和135分別通過導電緩沖器175和176連接到插塞頭173和174。如上所述，倒裝接合技術(shù)涉及用于倒置LED芯片并通過導電緩沖器175和176直接將電極135和136連接到插塞頭173和174的技術(shù)。
參照圖5，反射膜112涂敷在熱沉基板120上，芯片基膜160在熱沉基板120的溝槽內(nèi)形成于反射膜112上，以及LED芯片引線接合在經(jīng)由通孔放置在芯片基膜160的頂部上的插塞頭173和174上。
LED芯片包括絕緣基板131、形成在絕緣基板131上的n型半導體層132、形成在n型半導體層132上的有源層133、形成在有源層133上的p型半導體層134、和分別形成在p型和n型半導體層134和132上的兩個電極135和136。兩個電極136和135分別經(jīng)導線177和178連接到插塞頭173和174。
如上所述，引線接合技術(shù)涉及用于將LED芯片的絕緣基板131連接到芯片基膜160并利用導線177和178將兩個電極135和136連接到插塞頭173和174的技術(shù)。
參照圖6，反射膜112涂敷在熱沉基板120上，芯片基膜160在熱沉基板120的溝槽內(nèi)形成于反射膜112上，并且LED芯片的一個電極通過導電緩沖器175直接連接到插塞頭173，而另一個電極通過導線178引線接合到插塞頭174，其中插塞頭173和174經(jīng)由通孔被放置在芯片基膜160的頂部上。
LED芯片包括第一電極351、形成在第一電極351上的導電基板354、形成在導電基板354上的n型半導體層355、形成在n型半導體層355上的有源層356、和形成在有源層356上的第二電極357。第一電極351通過導電緩沖器175連接到插塞頭173，第二電極357通過導線178連接到插塞頭174。
如上所述，通過利用引線接合或者倒裝接合技術(shù)或其組合將多個LED芯片彼此并聯(lián)地安裝在單一底部基板上并在LED芯片上面形成熒光材料層，可以制造高亮度的白光LED。
圖7是說明從使用黃色YAG熒光材料的藍光LED芯片和使用紅色和綠色熒光材料的另一個藍光LED芯片中獲得的光譜曲線的曲線圖。
如圖7所示，對于使用黃色YAG熒光材料的藍光LED，峰值出現(xiàn)在為綠色和紅色區(qū)域之間的中間區(qū)域的黃色波長區(qū)域和藍色區(qū)域處。相反，在藍光LED使用綠色和紅色熒光材料的情況下，峰值出現(xiàn)在紅色、綠色、和藍色區(qū)域。因此，與使用黃色YAG熒光材料的藍光LED芯片相比，使用紅色和綠色熒光材料的藍光LED芯片可以具有較低的亮度，這是因為光的總量較低。另一方面，具有紅色和綠色熒光材料的藍光LED芯片可以具有較優(yōu)的顏色再現(xiàn)性(color reproducibility)。然而，與本發(fā)明的示范實施例類似，可以通過將多個LED芯片安裝在單一底部基板上并在LED芯片上堆疊熒光材料以制造LED來保證足夠的亮度。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實施例，通過將多個LED芯片安裝在單一底部基板上并在LED芯片上堆疊熒光材料以制造LED可以獲得高亮度LED。
盡管已經(jīng)結(jié)合目前視為實用的示范實施例描述本發(fā)明，然而可以理解本發(fā)明不局限于已公開的實施例，但相反地，意指覆蓋包括在所附權(quán)利要求的本質(zhì)和范圍內(nèi)的各種修改和等同配置。
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光二極管，包括具有下表面和上表面的底部基板設置在所述底部基板的上表面上并彼此以并聯(lián)方式電連接的多個發(fā)光芯片；和覆蓋所述發(fā)光芯片的熒光材料層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括形成在所述底部基板的下表面上以并聯(lián)地電連接所述多個發(fā)光芯片的導線。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光二極管，其中所述底部基板具有與所述多個發(fā)光芯片相關(guān)聯(lián)的多個通孔，并且其中所述發(fā)光二極管還包括第一插塞和第二插塞，所述第一插塞和第二插塞經(jīng)由與特定的發(fā)光芯片相關(guān)聯(lián)的一個或多個通孔將所述多個發(fā)光芯片中的所述特定發(fā)光芯片的第一電極和第二電極與所述導線連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的發(fā)光二極管，其中所述底部基板包括PCB基板和連接在所述PCB基板上的熱沉基板，并且其中所述導線形成在所述PCB基板的下表面上，并且所述多個發(fā)光芯片定位在所述熱沉基板的上表面上。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的發(fā)光二極管，其中所述熱沉基板包括金屬。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的發(fā)光二極管，還包括一個或多個芯片基膜，所述一個或多個芯片基膜形成在所述熱沉基板上，以使所述特定發(fā)光芯片的所述第一電極和所述第二電極與所述熱沉基板絕緣。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的發(fā)光二極管，還包括一個或多個通孔膜，所述一個或多個通孔膜形成在與所述第一發(fā)光芯片相關(guān)聯(lián)的一個或多個通孔的表面的至少一部分上，以使所述第一插塞和所述第二插塞與所述熱沉基板絕緣。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中所述多個發(fā)光芯片發(fā)藍光。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的發(fā)光二極管，其中所述熒光材料層包括紅色熒光材料和綠色熒光材料。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中所述多個發(fā)光芯片發(fā)藍光和紫外光。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的發(fā)光二極管，其中所述熒光材料層包括紅色熒光材料和綠色熒光材料。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括覆蓋所述熒光材料層的模制樹脂層。
13.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，其中多個溝槽形成在所述底部基板的上表面上，并且其中所述多個發(fā)光芯片中的一個或多個至少部分地定位在所述多個溝槽的相關(guān)溝槽內(nèi)。
14.根據(jù)權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管，還包括形成在所述底部基板的上表面上的反射層。
15.一種液晶顯示裝置，包括發(fā)光二極管，所述發(fā)光二極管包括具有下表面、上表面和多個通孔的PCB基板，形成在所述PCB基板的下表面上的導線，具有下表面和上表面以及多個通孔的熱沉基板，其中所述熱沉基板的下表面定位在所述PCB基板的上表面上，并且其中所述PCB基板的多個通孔大體上與所述熱沉基板的多個通孔對準，設置在所述熱沉基板的上表面上的多個發(fā)光芯片，所述多個發(fā)光芯片包括第一發(fā)光芯片，第一插塞和第二插塞，所述第一插塞和第二插塞經(jīng)由所述熱沉基板和所述PCB基板的通孔將第一發(fā)光芯片的第一電極和第二電極與所述導線連接，覆蓋所述發(fā)光芯片的熒光材料層，和形成在所述熒光材料層上的模制樹脂層；和液晶面板，所述液晶面板被定位成從所述發(fā)光二極管接收光，并且包括兩個面板和置于所述兩個面板之間的液晶層。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，其中所述液晶面板包括第一側(cè)面和第二側(cè)面，其中所述液晶裝置還包括設置在所述液晶面板的第一側(cè)面上的第一偏光器和設置在所述液晶面板的第二側(cè)面上的第二偏光器。
17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的液晶顯示裝置，還包括至少部分地定位在所述發(fā)光二極管和所述液晶面板之間的一個或者多個光學膜。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種發(fā)光二極管(LED)，其設有底部基板、設置在底部基板的上表面上并彼此以并聯(lián)方式電連接的多個發(fā)光芯片、和用于覆蓋發(fā)光芯片的熒光材料層。
文檔編號H01L25/075GK1983590SQ200610064799
公開日2007年6月20日 申請日期2006年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2005年11月10日
發(fā)明者盧水貴, 金奎錫 申請人:三星電子株式會社