專利名稱：半導(dǎo)體封裝方法以及用于半導(dǎo)體封裝的載體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種半導(dǎo)體封裝方法，且特別涉及一種基板上的芯片封裝體(SOC package，Substrate On Chip package)的封裝方法。
背景技術(shù)：
所謂“SOC封裝體”是指目前已普遍使用的一種半導(dǎo)體封裝，其主要是將半導(dǎo)體芯片貼附到具有通孔的基板上，并利用多條通過這些通孔的金屬焊線將基板與芯片連接起來。SOC封裝體所使用的基板上通常會(huì)形成有多個(gè)以格狀陣列方式排列的焊球。在第6,190,943號(hào)美國專利申請(qǐng)(CHIP SCALE PACKAGING METHOD)中，其披露了一種SOC封裝體以及一種封裝方法。
如

圖1所示，SOC封裝體20包括線路基板22、半導(dǎo)體芯片24以及多個(gè)球形焊球44。其中，線路基板22具有用來貼附半導(dǎo)體芯片24的上表面30、上面植有球形焊球44的下表面38，以及至少一個(gè)形成在線路基板22中的通孔34。此外，SOC封裝體20中的熱塑性粘著層28能夠?qū)雽?dǎo)體芯片24貼附于線路基板22的上表面30。線路基板22中的通孔34會(huì)暴露出位于半導(dǎo)體芯片24的主動(dòng)表面26上的接合墊36，以使得穿過通孔34的焊線32能夠?qū)雽?dǎo)體芯片24的接合墊36與線路基板22的導(dǎo)線區(qū)域41連接起來。在SOC封裝體20中，導(dǎo)線區(qū)域41具有導(dǎo)線層40，其形成于基板22的下表面38上。另外，公知技術(shù)會(huì)采用一種不導(dǎo)電樹脂材料形成的鈍化層42來保護(hù)半導(dǎo)體芯片24的邊緣以及線路基板22的各個(gè)通孔34。
如圖2所示，在第6,190,943號(hào)美國專利申請(qǐng)(CHIP SCALEPACKAGING METHOD)中，其所披露的SOC封裝體20的制造方法包括以下步驟(a)提供具有上表面30的線路基板22，上表面30具有至少一個(gè)含有上述通孔34的芯片植入?yún)^(qū)域302；(b)用印刷的方式在芯片植入?yún)^(qū)域302上涂覆熱塑性粘著層28；(c)將芯片24貼附于芯片植入?yún)^(qū)域302上，使得芯片24的主動(dòng)表面26與熱塑性粘著層28接觸，并且使得接合墊36的位置對(duì)應(yīng)于通孔34；(d)對(duì)線路基板22以及芯片24進(jìn)行加熱與加壓一預(yù)定時(shí)間；(e)利用焊線接合法形成焊線32，且焊線32會(huì)穿過通孔34以將線路基板22的導(dǎo)線區(qū)域41與芯片24的接合墊36連接起來；(f)在芯片24的邊緣以及通孔34上形成鈍化層42；(g)在線路基板22的下表面38上植入多個(gè)呈格狀陣列排列的焊球44。在執(zhí)行完上述步驟之后便完成了SOC封裝體20的制造。
值得注意的是，在步驟(b)中提到的熱塑性粘著層28是一種有彈性的、半液態(tài)的，且不含溶劑的熱塑性硅橡膠。由于在貼附之前熱塑性硅橡膠呈半液態(tài)，所以，在步驟(d)中，受到加熱以及加壓的熱塑性粘著層28容易發(fā)生溢流的現(xiàn)象，而覆蓋住芯片24的接合墊36，進(jìn)而導(dǎo)致封裝體故障。公知技術(shù)的另一個(gè)缺點(diǎn)在于，在步驟(b)中涂覆了熱塑性粘著層28之后，便無法再將線路基板22堆疊以供運(yùn)送或儲(chǔ)存，且在步驟(b)完成之后，必須盡快將熱塑性粘著層28與芯片24貼合，否則線路基板22便會(huì)被污染，且會(huì)互相粘著，進(jìn)而導(dǎo)致批量生產(chǎn)上的困難。

發(fā)明內(nèi)容
有鑒于此，本發(fā)明提供一種用于半導(dǎo)體封裝的載體，以改善芯片接合過程的合格率。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝方法，以達(dá)到更好的生產(chǎn)質(zhì)量。
為達(dá)上述或其它目的，本發(fā)明提供一種用于半導(dǎo)體封裝的載體，此用于半導(dǎo)體封裝的載體包括線路基板以及設(shè)置在線路基板上的無溶劑型B階熱固性粘著層。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，線路基板具有通孔，且無溶劑型雙階熱固性化合物設(shè)置在通孔旁。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型B階粘著層在室溫下呈固態(tài)及/或不具有粘性。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型B階粘著層有粘性且為膠體狀。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型B階粘著層包括聚醯亞胺、聚喹啉或苯并環(huán)丁烯。
為達(dá)上述或其它目的，本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體封裝方法，其包括以下步驟首先，提供具有第一表面以及第二表面的線路基板。其次，在線路基板的第一表面上形成無溶劑型雙階熱固性化合物。接著，將無溶劑型雙階熱固性化合物部分固化，以于線路基板的第一表面上形成無溶劑型B階粘著層。之后，利用B階粘著層將芯片貼附到線路基板的第一表面上。之后，將芯片電連接到線路基板，然后形成密封材料以密封住芯片。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，線路基板具有通孔。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型雙階熱固性化合物形成于通孔旁。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，芯片包括主動(dòng)表面以及多個(gè)位于主動(dòng)表面上的接合墊，芯片的主動(dòng)表面利用無溶劑型B階粘著層與線路基板的第一表面粘結(jié)，且芯片的接合墊可通過線路基板的通孔暴露出來。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，由焊線接合法所形成的多條焊線可將通孔所暴露的接合墊電連接到線路基板。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，封裝膠體形成在通孔內(nèi)，用以密封住芯片以及焊線。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型雙階熱固性化合物包括聚醯亞胺、聚喹啉或苯并環(huán)丁烯。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型B階粘著層在室溫下呈固態(tài)及/或不具有粘性。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型B階粘著層有粘性且為膠體狀。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型雙階熱固性化合物利用紫外線固化法或熱固法來進(jìn)行部分固化。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，芯片利用進(jìn)一步固化無溶劑型B階粘著層而貼附到線路基板的第一表面上。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)芯片貼附到線路基板的第一表面上時(shí)，無溶劑型B階粘著層會(huì)被完全固化。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)芯片貼附到線路基板的第一表面上時(shí)，無溶劑型B階粘著層未被完全固化。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，無溶劑型B階粘著層利用后紫外線固化法或后熱固法來進(jìn)行完全固化。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，當(dāng)形成封裝膠體以密封住線路基板上的芯片時(shí)，無溶劑型B階粘著層會(huì)被完全固化。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，芯片利用焊線接合法電連接到線路基板。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，封裝膠體利用模造法或點(diǎn)膠法形成。
在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述半導(dǎo)體封裝方法進(jìn)一步包括在形成封裝膠體之后，于線路基板的第二表面上形成多個(gè)焊球。
在對(duì)無溶劑型雙階熱固性化合物進(jìn)行預(yù)固化處理，以形成無溶劑型B階粘著層之后，由于無溶劑型B階粘著層為膠體狀，所以本發(fā)明的載體不會(huì)被污染且不會(huì)互相粘結(jié)。此外，載體可堆疊起來以供運(yùn)送或儲(chǔ)存，并且在半導(dǎo)體封裝方法中實(shí)現(xiàn)了更好的操作機(jī)動(dòng)性。或者，如果部分固化已達(dá)到足夠程度的話，B階粘著層在室溫下可呈固態(tài)，并且不帶有粘性。
為讓本發(fā)明的上述以及其它目的、特征以及優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，作詳細(xì)說明如下。
圖2是名為“CHIP SCALE PACKAGING METHOD”(芯片級(jí)封裝方法)的第6,190,943號(hào)美國專利申請(qǐng)的SOC封裝的制造流程圖。
圖3A～圖3E是本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝方法的制造流程圖。
圖4A～圖4F是本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝方法的制造流程圖。
主要元件標(biāo)記說明20SOC封裝體22線路基板24半導(dǎo)體芯片26主動(dòng)表面28熱塑性粘著層30上表面32焊線34通孔36接合墊38下表面40導(dǎo)線層41導(dǎo)線區(qū)域42鈍化層44球形焊球
100、200線路基板100a、200a第一表面100b、200b第二表面102、202無溶劑型雙階熱固性化合物102’、202’無溶劑型B階粘著層104、204芯片106、206焊線108、208封裝膠體200c通孔204a主動(dòng)表面204b接合墊210焊球具體實(shí)施方式
第一實(shí)施例現(xiàn)在，下文中將參考附圖來描述本發(fā)明，圖中表示了本發(fā)明的多種實(shí)施例。但是，本發(fā)明可以許多種形式來實(shí)施，本發(fā)明并不受限于下文中所闡述的實(shí)施例。所提供的實(shí)施例是為了使得本披露內(nèi)容詳盡、完整，并使得本披露內(nèi)容可將本發(fā)明的精神充分地表達(dá)給所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員。以下，相同的標(biāo)號(hào)代表相同的構(gòu)件。
圖3A～圖3E是根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝方法的制造流程圖。請(qǐng)參照?qǐng)D3A，首先，提供具有第一表面100a以及第二表面100b的線路基板100。線路基板100可以是印刷線路板(例如FR-4、FR-5、BT及其類似物)，其例如含有玻璃纖維強(qiáng)化樹脂。線路基板100的第一表面100a形成有電路圖案(圖中未示出)，例如導(dǎo)體墊、焊球墊，以及將導(dǎo)體墊與焊球墊連接起來的金屬線。之后，于線路基板100的第一表面100a上形成無溶劑型雙階熱固性化合物102。在本實(shí)施例中，無溶劑型雙階熱固性化合物102的材料包括聚醯亞胺、聚喹啉(polyquinolin)、苯并環(huán)丁烯或其它類似的化合物。
請(qǐng)參照?qǐng)D3B，接著，將無溶劑型雙階熱固性化合物102部分固化，以于線路基板100的第一表面100a上形成無溶劑型B階粘著層102’。在上述預(yù)固化處理期間，本實(shí)施例會(huì)以預(yù)定的溫度來加熱線路基板100，即，本實(shí)施例可以用熱固法來對(duì)線路基板100進(jìn)行部分固化。在另一實(shí)施例中，我們可以用紫外線固化法來將線路基板100部分固化。在預(yù)固化處理之后，線路基板100上的無溶劑型B階粘著層102’便具有B階特征。在一較佳實(shí)施樣態(tài)中，無溶劑型B階粘著層102’在室溫下可以沒有粘性并且呈固態(tài)。因此，線路基板100可彼此堆疊以供大量運(yùn)送或儲(chǔ)存。上述優(yōu)點(diǎn)有助于提高半導(dǎo)體封裝方法中的操作機(jī)動(dòng)性。如有必要，我們可使用一種有粘性且為膠體狀的B階粘著層，且其能進(jìn)一步流動(dòng)。
請(qǐng)參照?qǐng)D3C，提供至少一個(gè)芯片104，并利用無溶劑型B階粘著層102’將芯片104貼附到線路基板100的第一表面100a上。具體而言，在進(jìn)行芯片接合處理的過程中，芯片104會(huì)利用無溶劑型B階粘著層102’緊密地貼附到線路基板100的第一表面100a上。在本實(shí)施例中，芯片接合處理是用熱壓法、紫外線固化法或類似方法進(jìn)行的。應(yīng)注意的是，在進(jìn)行了芯片接合處理之后，無溶劑型B階粘著層102’可以呈部分固化或完全固化的狀態(tài)。如果在芯片接合處理之后，B階粘著層102’仍然為部分固化時(shí)，本實(shí)施例可進(jìn)一步采用后固化步驟(如熱固法或紫外線固化法)來使B階粘著層102’完全固化。
請(qǐng)參照?qǐng)D3D，在芯片接合處理之后，本實(shí)施例可用多條焊線106將芯片104電連接到線路基板100。且在本實(shí)施例中，焊線106(例如，金線)是通過焊線接合法中所使用的焊線機(jī)來形成。
請(qǐng)參照?qǐng)D3E，接著形成封裝膠體108以密封住線路基板100上的芯片104。在一較佳實(shí)施樣態(tài)中，封裝膠體108可進(jìn)一步密封住焊線106。在本實(shí)施例中，封裝膠體108可以用模造法、點(diǎn)膠法或其它類似方法形成的。具體而言，如果無溶劑型B階粘著層102’在密封處理前仍然是部分固化的話，那么無溶劑型B階粘著層102’將會(huì)在密封處理期間被完全固化。
第二實(shí)施例圖4A～圖4E是根據(jù)本發(fā)明的第二實(shí)施例的半導(dǎo)體封裝方法的制造流程圖。此處將針對(duì)使用無溶劑型B階粘著層的基板上芯片(SOC)封裝方法進(jìn)行詳細(xì)的說明。
請(qǐng)參照?qǐng)D4A，首先，提供具有第一表面200a以及第二表面200b的線路基板200。在本實(shí)施例中，線路基板200的詳細(xì)結(jié)構(gòu)與圖3A所示的線路基板100大致相同，二者的主要區(qū)別在于，線路基板200具有至少一個(gè)通孔200c。此外，形成在線路基板200的第一表面200a上的無溶劑型雙階熱固性化合物202定在通孔200c旁。
請(qǐng)參照?qǐng)D4B，隨后，將無溶劑型雙階熱固性化合物202部分固化，以于線路基板200的第一表面200a上形成無溶劑型B階粘著層202’。在上述預(yù)固化處理期間，本實(shí)施例會(huì)以預(yù)定的溫度來加熱線路基板200，即，本實(shí)施例可以用熱固法來對(duì)線路基板200進(jìn)行部分固化。在另一實(shí)施例中，我們可以用紫外線固化法來將線路基板200部分固化。在預(yù)固化處理之后，線路基板200上的無溶劑型B階粘著層202’便具有了B階特征。在一較佳實(shí)施樣態(tài)中，無溶劑型B階粘著層202’在室溫下可以沒有粘性并且呈固態(tài)。因此，線路基板200可彼此堆疊以供大量運(yùn)送或儲(chǔ)存。上述優(yōu)點(diǎn)有助于提高半導(dǎo)體封裝方法中的操作機(jī)動(dòng)性。如有必要，我們可使用一種有粘性且為膠體狀的B階粘著層，且其能進(jìn)一步流動(dòng)。
請(qǐng)參照?qǐng)D4C，提供至少一個(gè)芯片204，并利用無溶劑型B階粘著層202’將其貼附到線路基板200的第一表面200a上。具體而言，在進(jìn)行芯片接合處理的過程中，芯片204會(huì)利用無溶劑型B階粘著層202’緊密的貼附到線路基板200的第一表面200a上。在本實(shí)施例中，芯片接合處理是用熱壓法、紫外線固化法或類似方法進(jìn)行的。應(yīng)注意的是，在進(jìn)行了芯片接合處理之后，無溶劑型B階粘著層202’可以呈部分固化或完全固化的狀態(tài)。如果芯片接合處理后，B階粘著層202’仍然為部分固化時(shí)，本實(shí)施例可進(jìn)一步采用后固化步驟(如熱固法或紫外線固化法)來使B階粘著層202’完全固化。
如圖4C所示，芯片204包括主動(dòng)表面204a以及多個(gè)位于主動(dòng)表面204a上的接合墊204b。芯片204的主動(dòng)表面204a利用無溶劑型B階粘著層202’而與線路基板200的第一表面200a粘結(jié)起來。由圖4C可知，在芯片接合處理后，線路基板200的通孔200c會(huì)將芯片204的接合墊204b暴露出來。
請(qǐng)參照?qǐng)D4D，芯片接合處理之后，本實(shí)施例可用多條焊線206將芯片204電連接到線路基板200。在本實(shí)施例中，焊線206(例如，金線)是通過焊線接合法中使用的焊線機(jī)來形成。如圖4D所示，穿過通孔200c的焊線206會(huì)電連接在芯片204的接合墊204b與線路基板200之間。
請(qǐng)參照?qǐng)D4E，接著形成封裝膠體208以密封住線路基板200上的芯片204。在一較佳實(shí)施樣態(tài)中，封裝膠體208可進(jìn)一步密封住焊線206。如圖4E所示，本實(shí)施例的封裝膠體208不僅填充于線路基板200的通孔200c中，而且還覆蓋了部分的第一表面200a以及第二表面200b。在本實(shí)施例中，封裝膠體208可以是用模造法、點(diǎn)膠法或其它類似方法形成的。具體而言，如果無溶劑型B階粘著層202’在密封處理前仍然是部分固化的話，那么無溶劑型B階粘著層202’將會(huì)在密封處理期間被完全固化。
請(qǐng)參照?qǐng)D4F，形成封裝膠體208后，可將多個(gè)焊球210植入到線路基板200的第二表面200b上。最后，再進(jìn)行切割處理，以獲得多個(gè)SOC封裝體300。
在本發(fā)明中，將無溶劑型B階粘著層作為線路基板以及芯片之間的粘著薄膜，從而使得芯片的接合墊不會(huì)因?yàn)槟z體的溢流現(xiàn)象而被粘著薄膜覆蓋。本發(fā)明還提高了SOC封裝透的堆疊能力以及供運(yùn)送或儲(chǔ)存的效率。此外，本發(fā)明的封裝方法中還實(shí)現(xiàn)了更良好的操作機(jī)動(dòng)性。
雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，然其并非用以限定本發(fā)明，任何所屬技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明之精神以及范圍內(nèi)，當(dāng)可作些許之更動(dòng)與改進(jìn)，因此本發(fā)明之保護(hù)范圍當(dāng)視權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體封裝方法，其特征是包括提供具有第一表面以及第二表面的線路基板；在該線路基板的該第一表面上形成無溶劑型雙階熱固性化合物；對(duì)該無溶劑型雙階熱固性化合物進(jìn)行部分固化，以于該線路基板的該第一表面上形成無溶劑型B階粘著層；利用該無溶劑型B階粘著層將芯片貼附到該線路基板的該第一表面上；將該芯片電連接到該線路基板；以及形成封裝膠體，以密封該線路基板上的該芯片。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該線路基板具有通孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該無溶劑型雙階熱固性化合物形成于該通孔旁。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該芯片具有主動(dòng)表面以及多個(gè)位于該主動(dòng)表面上的接合墊，該芯片的該主動(dòng)表面通過該無溶劑型B階粘著層而貼附于該線路基板的該第一表面上，且該芯片的該接合墊會(huì)被該線路基板的該通孔暴露出來。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是用焊線接合法所形成的多條焊線會(huì)將該通孔所暴露的該接合墊電連接到該線路基板。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該封裝膠體形成在該通孔內(nèi)，用以密封該芯片以及該焊線。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該無溶劑型雙階熱固性化合物包括聚醯亞胺、聚喹啉或苯并環(huán)丁烯。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該無溶劑型B階粘著層在室溫下呈固態(tài)及/或不具有粘性。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該無溶劑型B階粘著層有粘性且為膠體狀。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該無溶劑型雙階熱固性化合物利用紫外線固化法或熱固法來進(jìn)行部分固化。
11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該芯片是利用進(jìn)一步固化該無溶劑型B階粘著層，而貼附到該線路基板的該第一表面上。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是當(dāng)該芯片貼附到該線路基板的該第一表面上時(shí)，該無溶劑型B階粘著層會(huì)被完全固化。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是當(dāng)該芯片貼附到該線路基板的該第一表面上時(shí)，該無溶劑型B階粘著層未被完全固化。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該無溶劑型B階粘著層利用后紫外線固化法或后熱固法來進(jìn)行完全固化。
15.根據(jù)權(quán)利要求13所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是當(dāng)形成該封裝膠體以密封該線路基板上的該芯片時(shí)，該無溶劑型B階粘著層會(huì)被完全固化。
16.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該芯片利用焊線接合法電連接到該線路基板。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征是該封裝膠體利用模造法或點(diǎn)膠法形成。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體封裝方法，其特征還包括在形成該封裝膠體后，在該線路基板的該第二表面上形成多個(gè)焊球。
19.一種用于半導(dǎo)體封裝的載體，其特征是包括線路基板；以及設(shè)置在該線路基板上的無溶劑型B階熱固性粘著劑。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的載體，其特征是該線路基板具有通孔，且該無溶劑型雙階熱固性化合物設(shè)置在該通孔旁。
21.根據(jù)權(quán)利要求19所述的載體，其特征是該無溶劑型B階粘著層在室溫下呈固態(tài)及/或不具有粘性。
22.根據(jù)權(quán)利要求19所述的載體，其特征是該無溶劑型B階粘著層有粘性且為膠體狀。
23.根據(jù)權(quán)利要求19所述的載體，其特征是該無溶劑型B階粘著層包括聚醯亞胺、聚喹啉或苯并環(huán)丁烯。
全文摘要
一種半導(dǎo)體封裝方法，其包括以下步驟首先，提供具有第一表面以及第二表面的線路基板。接著，在線路基板的第一表面上形成無溶劑型雙階熱固性化合物。然后，將無溶劑型雙階熱固性化合物部分固化，以于線路基板的第一表面上形成無溶劑型B階粘著層。此后，利用B階粘著層將芯片貼附到線路基板的第一表面上。之后，將芯片電連接到線路基板，然后形成密封材料以密封住芯片。本發(fā)明也提供一種能夠應(yīng)用于上述封裝方法的載體。
文檔編號(hào)H01L23/29GK1945805SQ200610057299
公開日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2006年3月9日 優(yōu)先權(quán)日2005年10月6日
發(fā)明者林俊宏 申請(qǐng)人:南茂科技股份有限公司, 百慕達(dá)南茂科技股份有限公司