專利名稱：突波吸收裝置的制作方法
技朮領(lǐng)域本發(fā)明是有關(guān)于一種突波吸收裝置，特別是指一種通過(guò)若干層絕緣套管層層套置于壓敏電阻而形成的突波吸收裝置。
背景技朮參閱圖1、2，一般正常狀況之下，輸入電子裝置的電源電壓應(yīng)為一定的額定電壓，但是在某些狀況下，如遭遇雷擊或供電系統(tǒng)故障等因素發(fā)生時(shí)，亦或電子裝置的電源開關(guān)動(dòng)作的瞬間。皆會(huì)造成此電子裝置的輸入電壓會(huì)在瞬間，出現(xiàn)高過(guò)額定電壓值的突波。這些不正常的突波，雖然都只在瞬間發(fā)生，但其于往往高過(guò)額定值甚多，嚴(yán)重時(shí)足以破壞此電子裝置。一般防制方式，是于電子裝置的電路中布設(shè)有一具有突波吸收器2(Varistor)的回路。如圖1所示，為一簡(jiǎn)易的布設(shè)有突波吸收器的電路，其中，突波吸收器2的電氣特性是于一般正常狀況時(shí)，其奧姆值約為兆歐級(jí)，當(dāng)突波吸收器2的端電壓超過(guò)其崩潰電壓時(shí)，其奧姆值將急速下降到甚至小于1奧姆的極小值。如此，依據(jù)電流分流法則，輸入電流Iin將大半通過(guò)突波吸收器2，并進(jìn)而融斷保險(xiǎn)絲(Fuse)，達(dá)到保護(hù)電子裝置的目的。但由于有時(shí)因突波電壓過(guò)大而擊穿突波吸收器2時(shí)，將造成突波吸收器2爆裂且四處飛散的狀況，這將造成由突波吸收器2形成的回路呈現(xiàn)開路，而無(wú)法流通電流，因此，無(wú)法達(dá)到保護(hù)電子裝置的狀況。面對(duì)此種情況，一般防制措施是于突波吸收器2外，另包裹一層熱縮套管3，但于實(shí)際使用時(shí)，仍近有五成機(jī)率，無(wú)法有效防止突波吸收器2炸裂散逸。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的，即在提供一種可有效確保吸收突波功效的突波吸收裝置。
于是，本發(fā)明一種突波吸收裝置，包含一壓敏電阻，及若干絕緣套管。壓敏電阻是具有一本體及二突伸于本體的接腳；若干絕緣套管層層地包裹于本體上。


圖1是一電路圖，說(shuō)明習(xí)知應(yīng)用突波吸收器的基本電路。
圖2是一示意圖，說(shuō)明習(xí)知防止突波吸收器爆裂的防制手段。
圖3是一示意圖，說(shuō)明本發(fā)明突波吸收裝置的一較佳實(shí)施例。
圖4是一示意圖，說(shuō)明一壓敏電阻。
具體實(shí)施例方式
有關(guān)本發(fā)明之前述及其它技術(shù)內(nèi)容、特點(diǎn)與功效，在以下配合參考圖式的較佳實(shí)施例的詳細(xì)說(shuō)明中，將可清楚的呈現(xiàn)。
參閱圖3、4，本發(fā)明突波吸收裝置1，包含一壓敏電阻11及若干絕緣套管12。壓敏電阻11亦可稱的為突波吸收器(varistor)，是一種伏安特性呈非線性的壓敏屬性電阻器。在正常電壓條件下，相當(dāng)于一電容器。其電氣特性是當(dāng)壓敏電阻11的端電壓超過(guò)其崩潰電壓預(yù)定值時(shí)，其內(nèi)阻將急劇下降并迅速導(dǎo)通，有效地將裝設(shè)有此突波吸收裝置1的電路上的電流分流，從而保護(hù)了電路上的其它組件不致因過(guò)壓而損壞。
其中，壓敏電阻11具有一本體111及二突伸于本體111的接腳112，其內(nèi)部微觀結(jié)構(gòu)如圖4所示。本體111由內(nèi)而外是可概分為晶界層114，極板113，包裹層115。其中，極板113是為兩接腳112于本體111內(nèi)的一端是所形成的扁平狀金屬片，彼此相對(duì)應(yīng)并平行間隔地放置，于兩極板113間是為一具有氧化鋅晶粒以及包裹此等晶粒的介質(zhì)所形成的晶界層114。包裹層115則用以包裹此極板113及晶界層114。
氧化鋅晶粒的電阻值很低，而介質(zhì)的電阻值卻很高，相接觸的兩個(gè)晶粒之間形成了一個(gè)相當(dāng)于齊納二極管的障壁電勢(shì)，這就形成一壓敏電阻單元。而晶界層114即是由若干個(gè)壓敏電阻單元彼此串、并聯(lián)所形成，串聯(lián)的單元越多，壓敏電阻11崩潰電壓就愈高，晶界層114的橫截面積越大，其并聯(lián)路徑也愈多，相對(duì)地此壓敏電阻11的額定電流值也越大。壓敏電阻11在工作時(shí)，每個(gè)壓敏電阻單元都在承受突波電能量，這就是壓敏電阻11能承受能量極大的突波的原因。
但當(dāng)壓敏電阻11承受一超過(guò)其崩潰電壓值的突波電壓，或承受突波電壓的能量超過(guò)其額定焦耳值時(shí)，則其產(chǎn)生的高熱將使得晶界層114因熱脹冷縮的效應(yīng)而急速膨脹，當(dāng)其超過(guò)包裹層115所提供的應(yīng)力時(shí)，將使得壓敏電阻11爆開散裂。而使得壓敏電阻11呈現(xiàn)一斷路的特性，這與原本壓敏電阻11于接收突波時(shí)，而呈現(xiàn)低電阻值的電氣特性完全相異，故將喪失保護(hù)電路的效果。
為防止上述狀況發(fā)生，此突波吸收裝置1更于壓敏電阻11的本體111上層層地包裹了若干層絕緣套管12。在本實(shí)施例中，是包裹有兩層，且絕緣套管12是為一柔軟、具耐燃性的材質(zhì)所形成，其可為一熱縮套管。其中，由于熱縮套管是可緊密的收縮并包裹于被包裹物上，因此當(dāng)于壓敏電阻11的本體111上包裹了若干的絕緣套管12時(shí)，當(dāng)壓敏電阻11承受了一超過(guò)額定值的突波時(shí)，將由于此兩層的絕緣套管12所提供一極大的應(yīng)力包裹住該本體111，而使得本體111不會(huì)有爆開散裂的情事發(fā)生，連帶地，維持了本體111的基本結(jié)構(gòu)，而有效地讓壓敏電阻11的內(nèi)阻急劇下降，而維持了壓敏電阻11的電氣特性，并因此確實(shí)地保護(hù)了應(yīng)用此突波吸收裝置1的電子產(chǎn)品免于遭受到突波的影響。
歸納上述，本發(fā)明突波吸收裝置1是于壓敏電阻11的本體111上包裹有若干絕緣套管12，而避免了壓敏電阻11的本體111因承受一高于其崩潰電壓額定值的突波而有炸裂散逸的情事發(fā)生，連帶地大略維持了本體111的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，而維持了壓敏電阻11原本的電氣特性，故確實(shí)能達(dá)到本發(fā)明的目的。
權(quán)利要求
1.一種突波吸收裝置，其特征在于一壓敏電阻，具有一本體及二突伸于本體的接腳；及若干絕緣套管，層層地包裹于本體上。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的突波吸收裝置，其特征在于該壓敏電阻的本體上以包裹有兩層絕緣套管為最佳。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2所述的突波吸收裝置，其特征在于該等絕緣套管為熱縮套管。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的突波吸收裝置，其特征在于該壓敏電阻的本體為具有氧化鋅晶粒的材質(zhì)所形成。
全文摘要
本發(fā)明揭示了一種突波吸收裝置，包含一壓敏電阻，及若干絕緣套管。壓敏電阻是具有一本體及二突伸于本體的接腳；若干絕緣套管層層地包裹于本體上。
文檔編號(hào)H01C7/105GK101042953SQ200610034409
公開日2007年9月26日 申請(qǐng)日期2006年3月20日 優(yōu)先權(quán)日2006年3月20日
發(fā)明者李吉泰 申請(qǐng)人:佛山市順德區(qū)順達(dá)電腦廠有限公司, 神達(dá)電腦股份有限公司