專利名稱：掩模、掩模的制造方法、圖案形成裝置、圖案形成方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及掩模(mask)、掩模的制造方法、圖案形成裝置、圖案形成方法。
背景技術(shù)：
有機電致發(fā)光(electroluminescence)(以下稱為有機EL)裝置因為具備具有層疊薄膜的結(jié)構(gòu)的自發(fā)光型的高速響應(yīng)性顯示元件，所以能輕易地形成與動態(tài)圖像對應(yīng)的優(yōu)良的顯示面板，尤其近年作為FPD(Flat PanelDisplay)電視等的顯示面板非常引人注目。
作為其代表的制造方法，公知的有將ITO(銦錫氧化物)等的透明陽極圖案化為期望的形狀，而且在透明陽極上運用蒸鍍法將有機材料層疊成膜，并在其后形成陰極的方法。
特別是，在制造彩色(full color)有機EL裝置時，必須對R、G、B各色的有機材料通過掩模進行蒸鍍而形成圖案。作為該掩模蒸鍍法，有例如利用金屬掩模作為掩模的技術(shù)。在該技術(shù)中，通過配置著跨越被成膜基板的永久性磁石，就能在使該被成膜基板和金屬掩模密著的狀態(tài)下進行蒸鍍。
然而，如果面板尺寸變大，則需形成與此相應(yīng)的較大的金屬掩模。但是，因為高精度地制作大而薄的金屬掩模非常困難，而且金屬掩模的熱膨脹系數(shù)與玻璃等的被成膜基板相比非常大，所以通過蒸鍍時的熱輻射作用，金屬掩模的尺寸比被成膜基板的尺寸要大，而密著的金屬掩模和被成膜基板便發(fā)生偏離，就存在蒸鍍部分上發(fā)生尺寸誤差的情況。進一步，在制造大型面板時，由于該誤差累積并變大，故通過掩模蒸鍍能制造的面板尺寸，可以說是以制造約20英寸以下的中小型為界限。
因而，最近，開發(fā)了利用硅基板來制造掩模的技術(shù)。但是，伴隨著硅掩模的大型化，產(chǎn)生了由自身重量引起的硅掩模的撓曲，而即使將硅掩模和被蒸鍍基板進行精密的位置吻合，也還存在著硅掩模和被蒸鍍基板之間出現(xiàn)了必要以上的間隙的問題。因此，要實現(xiàn)大型且高精細的有機EL面板就變得困難。
作為解決此類問題的方法，如專利文獻1中所述，提出了使硅掩模和被蒸鍍基板豎立而進行蒸鍍處理的方法。
此外，如專利文獻2中所述，提出了通過在硅掩模的一面的全體上形成磁性體膜，且通過磁力吸引該磁性體膜，防止由硅掩模的自身重量引起的撓曲的方法。
但是，在專利文獻1的技術(shù)中，要實現(xiàn)硅掩?；虮徽翦兓宓陌崴?、硅掩模的裝卸、還有向橫方向的蒸鍍方法都很困難，不能實用化。
此外，在專利文獻2的技術(shù)中，如果在硅掩模的一面的全體上成膜磁性體膜，則由于磁性體膜的重量反而使撓曲變大，而且，由于磁性體膜的內(nèi)部應(yīng)力(膜應(yīng)力)的影響使圖案部變形(翹曲)。
因此，在現(xiàn)有的技術(shù)中，存在著難以容易且確實地防止由大型的硅掩模的自身重量引起的撓曲的問題。
專利文獻1特開2002-317263號公報；專利文獻2特開2002-47560號公報。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明，是針對上述情況而提出的發(fā)明，其目的在于提出一種能容易地防止由自身重量引起的撓曲的掩模、掩模的制造方法、還有利用了該掩模的圖案形成裝置。
有關(guān)本發(fā)明的掩模、掩模的制造方法、圖案形成裝置、圖案形成方法，為了解決上述問題而采用了以下的方法。
第1發(fā)明，是用于對被成膜基板形成具有第一圖案的薄膜的掩模，具備非磁性體基板，其具有與所述第一圖案相對應(yīng)的開口部分；和磁性體膜，其被配置在所述非磁性體基板上并具有第二圖案。
依據(jù)本發(fā)明，通過由磁力朝被成膜基板吸引(吸著)非磁性體基板上的磁性體膜，能防止伴隨掩模的大型化的自身重量引起的撓曲。此外，因為磁性體膜具有第2圖案并被配置在非磁性體基板上，所以能防止發(fā)生由磁性體膜的內(nèi)部應(yīng)力引起的在非磁性體基板上翹曲等的變形。
再有，所述磁性體膜，是被配置在與所述非磁性體基板中的所述被成膜基板相對的相對面上的部件，易于通過磁力朝被成膜基板吸引(吸著)。
再有，所述磁性體膜，是被配置在所述相對面中的中央?yún)^(qū)域的部件，可朝被成膜基板充分地吸引(吸著)根據(jù)自身重量的撓曲變大的中央?yún)^(qū)域。
再有，所述磁性體膜，是具有從0.5μm到5.0μm的膜厚的部件，可朝被成膜基板充分地吸引(吸著)磁性體膜。進一步，在防止發(fā)生由磁性體膜的重量化引起的被成膜基板的撓曲的同時，可使掩模和被成膜基板之間的距離保持為較短。
第2發(fā)明，在用于對被成膜基板形成具有第一圖案的薄膜的掩模的制造方法中，包括對非磁性體基板形成與所述第一圖案相對應(yīng)的開口部分的工序；和在所述非磁性體基板上配置具有第二圖案的磁性體膜的磁性體膜配置工序。
依據(jù)本發(fā)明，因為在非磁性體基板上配置有磁性體膜，所以通過由磁力朝被成膜基板吸引(吸著)該磁性體膜，能防止伴隨掩模的大型化的自身重量引起的撓曲。再有，因為在非磁性體基板上配置有具有第2圖案的磁性體膜，所以能防止發(fā)生由磁性體膜的內(nèi)部應(yīng)力引起的在非磁性體基板上翹曲等的變形。
再有，所述磁性體膜配置工序包括第1成膜工序，其在所述規(guī)定面上成膜與所述第二圖案相對應(yīng)的基底金屬膜；和第2成膜工序，其在所述基底金屬膜上成膜所述磁性體膜。其中，通過配置基底金屬膜，則可在基底金屬膜上容易地成膜規(guī)定膜厚的磁性體膜。
再有，所述第2成膜工序，包括通過無電解電鍍法而在所述基底金屬膜上使所述磁性體膜析出的工序，可容易調(diào)整磁性體膜的膜厚。
第3發(fā)明，是圖案形成裝置，具備支撐部，其對第1發(fā)明的掩模和被成膜基板進行相對支撐，且使該被成膜基板處于垂直上方側(cè)；磁吸引部，其被配置在所述被成膜基板的垂直上方側(cè)，并對所述掩模作用朝向所述被成膜基板的磁吸引力；和成膜形成部，其通過所述掩模而對所述被成膜基板附著薄膜形成材料。
根據(jù)該發(fā)明，即使在掩模大型化的情況下，也通過使掩模相對被成膜基板良好地密著，所以可在被成膜基板上高精度地形成第1圖案。
第4發(fā)明的圖案形成方法的特征在于，使第1發(fā)明的掩模和被成膜基板相對配置，且使該被成膜基板處于垂直上方側(cè)的工序；對所述掩模作用朝向所述被成膜基板的磁吸引力的工序；和通過所述掩模對所述被成膜基板附著薄膜形成材料的工序。
根據(jù)本發(fā)明，即使在掩模大型化的情況下，也因為使掩模對被成膜基板良好地密著，所以可在被成膜基板上高精度地形成第1圖案。


圖1是用于說明掩模M的構(gòu)成的圖。
圖2是表示磁性體膜28的圖案形狀例的圖。
圖3是以工序順序表示掩模M的制造方法的圖。
圖4是表示接著圖3的工序圖。
圖5是表示接著圖4的工序圖。
圖6是表示電鍍液組成及其溶液條件的圖。
圖7是模式地表示蒸鍍裝置50的圖。
圖8是以工序順序表示有機EL裝置DP的制造方法的圖。
圖9是表示電子機器的圖。
圖中M-掩模，MB-背面(相對面)，S-硅基板(非磁體基板)，L-玻璃基板(被成膜基板)，20-圖案部(第1圖案，中央?yún)^(qū)域)，24-掩模開口部分(開口部分)，27-基底膜(基底金屬膜)，28-磁性體膜(第2圖案)，43-發(fā)光層(薄膜)，50-蒸鍍裝置(圖案形成裝置)，54-支撐部，56-蒸鍍源(成膜形成部)，60-電磁石(磁吸引部)，R、G、B-發(fā)光層形成用材料(薄膜形成材料)，DP-有機EL裝置具體實施方式
以下，參照附圖，對本發(fā)明的掩模、掩模的制造方法、成膜裝置、發(fā)光裝置、電子機器的實施方式進行說明。還有，各圖中，為了使各層或各部件在附圖上具有可識別程度的大小，而使各層或各部件的每一個的比例尺不同。
(掩模)圖1是用于說明本發(fā)明的掩模的構(gòu)成圖，圖1(a)是掩模的截面立體圖，圖1(b)是表示掩模背面的圖。
掩模M，其構(gòu)成具備成為該掩模M的外形的外框部10；和，具有在該外框部10的內(nèi)側(cè)所設(shè)置的多個掩模開口部分24的圖案部20。此外，外框部10，是直接利用硅片(silicon wafer)的厚度而形成的部件。
圖案部20，其構(gòu)成具備被連結(jié)在外框部10上并在X方向及Y方向上延伸設(shè)置的多個梁部22；和，由多個梁部22包圍而開口的多個掩模開口部分24。即，通過梁部22構(gòu)成為網(wǎng)眼狀，多個掩模開口部分24配置為矩陣狀。并且，圖案部20，不限定于使多個掩模開口部分24等間距(pitch)地配置為矩陣狀，也可根據(jù)在成膜對象物上所形成的圖案作適當?shù)淖兏?br> 還有，在掩模M的背面MB上，如圖1(b)所示，形成有磁性體以規(guī)定的圖案所成膜的磁性體膜28。掩模M的背面MB，是在執(zhí)行各種蒸鍍或濺射(sputter)等的成膜時與成膜對象物(被成膜基板)相對的面，且是薄膜形成粒子的材料氣體或原子到達成膜對象物的一側(cè)的面。
磁性體膜28，是在將掩模M配置在成膜裝置上并與成膜對象物重疊時，防止通過掩模M的圖案部20、特別是由中心區(qū)域自身重量引起的撓曲，在掩模M和成膜對象物之間形成有間隙的部件。即，以通過由磁力向上方(重力方向的上方側(cè))吸引(吸著)掩模M的背面MB上所成膜的磁性體膜28，抑制掩模M的圖案部20的撓曲，并使掩模M密著在成膜對象物上的部件。另外，對于向上方吸引磁性體膜28的磁力，將在后文敘述。
磁性體膜28，是由包括有Ni、Fe、Co等的強磁體所形成的膜。具體而言，作為磁性體膜28，能利用Ni-Fe-P膜、或Co-Ni-P膜等。此類材料，通過無電解電鍍法，容易被成膜在掩模M的背面MB上，并構(gòu)成磁性體膜28。
磁性體膜28的膜厚，優(yōu)選在0.3μm以上、且5.0μm以下，并具有大致均勻的膜厚。因為如果磁性體膜28的膜厚在0.3μm以下，則即使采用通過磁力向上方吸引磁性體膜28也不能獲得充分的吸引力，并存在不能消除在掩模M和成膜對象物之間形成有間隙的狀態(tài)的情況。
另一方面，因為如果磁性體膜28的膜厚在5.0μm以上，則磁性體膜28自身的重量變大，反而在掩模M和成膜對象物之間形成有間隙。進一步，由于磁性體膜28的存在，掩模M和成膜對象物之間的距離變大，由此，擴大通過圖案部20的掩模開口部分24而到達成膜對象物的薄膜形成材料(粒子)的附著范圍，使高精細圖案的形成變得困難。
另外，使磁性體膜28的膜厚均勻，是為了將掩模M主體和成膜對象物之間的距離保持為恒定，而在成膜對象物上形成大致均勻的圖案。
再有，磁性體膜28沒有被成膜在背面MB的整個面上，而被成膜為具有規(guī)定的圖案，這是為了防止掩模M的翹曲。即，掩模M的圖案部20，在利用成膜裝置而在成膜對象物上成膜薄膜時盡可能形成得很薄，以使通過圖案部20的掩模開口部分24的薄膜形成粒子易于到達成膜對象物。因此，因為如果將磁性體膜28成膜在背面MB的整個面上，則由于磁性體膜28所具有的內(nèi)部應(yīng)力(膜應(yīng)力)的影響，圖案部20會變形(翹曲)。
由此，為了避免此類不良問題，按照能抑制由掩模M的圖案部20的自身重量引起的撓曲的程度的方式，使磁性體膜28成膜在背面MB上。例如，如圖1(b)所示，在由自身重量引起的撓曲變大的圖案部20的中心區(qū)域及其周邊上分散地配置著多個磁性體膜28。此外，也可以將磁性體膜28配置為如圖2(a)所示的十字形的圖案、或如圖2(b)所示的多重圓形圖案等。
這樣的磁性體膜28的圖案，重點地配置在圖案部20的中心區(qū)域。再有，優(yōu)選為中心區(qū)域為中心對稱的圖案。在圖案部20的中心區(qū)域上重點地配置有磁性體膜28，這是因為確實可向上方吸引由自身重量引起的撓曲較大的中心區(qū)域。再有，是因為通過將磁性體膜28形成為以中心區(qū)域為中心對稱的圖案，則可均等地向上方吸引圖案部20，并避免由不均勻的吸引引起的圖案部20的變形。
另外，雖然也可在掩模M的表面(重力方向的下方側(cè))成膜磁性體膜28，但是為了向上方吸引該磁性體膜28，則需要較大的磁力。再有，雖然也可在兩面上成膜磁性體膜28，但是磁性體膜28的重量變大，會發(fā)生由自身重量引起的撓曲的情況，因此需要注意。
如上所述，在本實施方式的掩模M中，因為在掩模M的背面MB上配置有磁性體膜28，所以通過由磁力向上方吸引該磁性體膜28，則能使掩模M密著在成膜對象物上。即，即使在掩模M大型化的情況下，也可防止由圖案部20的自身重量引起的撓曲。
再有，因為磁性體膜28形成為具有規(guī)定的圖案，所以避免了由磁性體膜28的內(nèi)部應(yīng)力(膜應(yīng)力)引起的圖案部20的變形。
另外，也可利用使磁性體膜28磁化。進一步，也可代替磁性體膜28，將永久磁石材料配置在掩模M的背面MB。
(掩模的制造方法)接著，參照圖3～圖5，對掩模M的制造方法進行說明。另外，在圖3～圖5中，模式地表示了掩模M的截面。
首先，如圖3(a)所示，在硅基板S上施行熱氧化處理，并形成由氧化硅構(gòu)成的耐蝕刻(etching)膜30。
耐蝕刻膜30，是如后述那樣對結(jié)晶異方性蝕刻液(例如，四甲基氫氧化銨(tetramethyl ammonium hydroxide)等的水溶液)具有耐腐蝕性的膜，除通過如上述的熱氧化而形成的氧化硅膜以外，也可以是例如通過CVD法而形成的氧化硅、氮化硅、碳化硅、或由Au或Pt的濺射膜等構(gòu)成的薄膜。
耐蝕刻膜30，是通過施行熱氧化處理而形成的氧化硅膜。再有，該氧化硅膜30的膜厚，優(yōu)選形成為大致1μm左右。
接著，如圖3(b)所示，在硅基板S的表面上形成了耐蝕刻膜30中的一主面(背面MB)的部分上形成有多個凹部31。該凹部31的排列圖案，與所形成的掩模開口部分24的排列圖案相對應(yīng)。而且，凹部31，并非是貫通耐蝕刻膜30到硅基板S的表面的凹部，而在其底部上殘存氧化硅薄膜的形式下形成。
再有，在形成凹部31的同時，部分地去除與形成該凹部31的主面(背面MB)相反側(cè)的主面(表面MA)上所形成的耐蝕刻膜30而形成表側(cè)開口部分32。所形成的表側(cè)開口部分32具有在其平面視開口內(nèi)側(cè)上，圍住表側(cè)的多個凹部31的結(jié)構(gòu)。還有，該凹部形成工序及開口部分形成工序，通過光刻技術(shù)和蝕刻技術(shù)進行。
接著，如圖3(c)所示，將耐蝕刻膜30作為掩模而進行硅基板S的蝕刻。在此，通過耐蝕刻膜30的表側(cè)開口部分32，并通過硅結(jié)晶異方性蝕刻而將該硅基板S的表面MA薄膜化。
具體而言，通過將具備作為掩模的耐蝕刻膜30的硅基板S在四甲基氫氧化銨(tetramethyl ammonium hydroxide)的水溶液(蝕刻液)中浸泡規(guī)定時間，而進行異方性蝕刻。
該蝕刻液，因為是沒有使用鉀(K)或鈉(Na)的有機堿，所以不污染硅基板，并能防止蒸鍍等的成膜中成膜對象物(被成膜基板)被鉀或鈉污染。
接著，如圖4(a)所示，在通過上述異方性蝕刻而將硅基板S的厚度減薄到70μm左右后，并在耐蝕刻膜30的凹部31中露出硅基板S為止，通過蝕刻將耐蝕刻膜30全體薄膜化。由此，在耐蝕刻膜30上，除了表側(cè)開口部分32外，還以規(guī)定的圖案形成背側(cè)開口部分33。
其后，如圖4(b)所示，通過將耐蝕刻膜30作為掩模而進行干蝕刻(dry etching)，形成與在耐蝕刻膜30上所形成的背側(cè)開口部分33的圖案相應(yīng)的圖案的掩模開口部分24。在此，作為所利用的干蝕刻法，采用了在MEMS(Micro Electro Mechanical Systems)技術(shù)中所使用的Deep-RIE。還有，在用于形成該掩模開口部分24的蝕刻中，也可以利用時間調(diào)制等離子體蝕刻(time modulation plasm etching)(交互進行側(cè)壁保護膜的形成和蝕刻的方法)。
然后，如圖4(c)所示，通過剝離耐蝕刻膜30，完成掩模M的外框部10及圖案部20。
接著，在掩模M的背面MB上成膜磁性體膜28。
首先，如圖5(a)所示，再次在掩模M上成膜耐堿膜38。耐堿膜38，是對在鋅酸鹽(zincate)處理或無電解電鍍等上所使用的堿性液具有耐腐蝕性的膜，并為了防止由于堿性液的浸泡引起的掩模M(硅)的溶解而被成膜。
耐堿性膜38，是通過施行熱氧化處理而形成的氧化硅膜，其膜厚，優(yōu)選為大致從0.015μm到0.05μm左右的極薄氧化膜的厚度。
接著，如圖5(b)所示，對掩模M的背面MB，利用掩模濺射法，在圖案部20上形成由具有期望的圖案的合金膜構(gòu)成的基底膜27。該基底膜27，是在后工序的無電極電鍍處理中，成為用于使磁性體膜28析出的基底的膜。
作為基底膜27，優(yōu)選利用Ni合金或Cu合金。再有，基底膜27的膜厚，優(yōu)選為0.3μm左右。即，只要是為了使磁性體膜28析出的充分的合金膜即可。
接著，如圖5(c)所示，利用無電解電鍍法，在基底膜27上形成磁性體膜28。
無電解電鍍法，因為沒有必要對基底膜27流過電流，所以在基底膜27上能容易層疊磁性體膜28。特別是，即使在多個位置上分散地配置了基底膜27的圖案的情況下，也可使磁性體膜28層疊。由此，通過在堿性液中浸泡掩模M，能輕易地在掩模M的背面MB上成膜磁性體膜28。
再有，因為掩模M的背面MB中的選擇部分，即僅在基底膜27上析出(層疊)磁性體膜28，所以沒有材料的浪費，也可將制造費用抑制得較低。進一步，還有通過添加劑可控制析出的膜的應(yīng)力(膜應(yīng)力)的優(yōu)點。
磁性體膜28，是由包括Ni、Fe、Co等的強磁性體所形成的膜。具體而言，作為磁性體膜28，是Ni-Fe-P膜、或Co-Ni-P膜等。
在成膜Ni-Fe-P膜時，作為基底膜27利用Cu膜。此外，作為電鍍液(plating bath，電鍍浴)組成及其溶液條件，如圖6(a)所示，利用了對Ni包含有約7～8原子％的Fe的電鍍液。由此，成膜了顯示出非常軟質(zhì)的強磁性的坡莫合金(permalloy)膜特性的磁性體膜28。
再有，對該電鍍液，作為應(yīng)力緩和劑，添加有糖精(saccharinC7H4NNaO3S)，并由此進行調(diào)整以將磁性體膜28的內(nèi)部應(yīng)力(膜應(yīng)力)變?yōu)榉浅Ｐ?。進一步，通過氫氧化鈉而對電鍍液的pH值進行調(diào)整。
再有，作為磁性體膜28，在成膜Co-Ni-P膜時，作為基底膜27利用了Ni膜。再有，作為電鍍液組成及其溶液條件，利用了圖6(b)所示的電鍍液。然而，電鍍液的pH值通過氨水來進行調(diào)整。
通過以上的工序，從硅基板S，到形成外框部10、圖案部20，進而完成在背面MB上配置具有規(guī)定圖案的磁性體膜28的掩模M。
(蒸鍍裝置、蒸鍍方法)
接著，參照圖7，對掩模M所使用的蒸鍍裝置、蒸鍍方法進行說明。
圖7，是表示使用上述的掩模M，進行掩模蒸鍍的蒸鍍裝置50的示意圖。
蒸鍍裝置(圖案形成裝置)50，其構(gòu)成為在真空腔52的底部上配置蒸鍍源56，并在其上方配置掩模M及玻璃基板(被成膜基板)L。掩模M和玻璃基板L，如圖7所示，以掩模M被配置在蒸鍍源56側(cè)(下方側(cè))的方式而進行上下重疊，并被保持在與真空腔52的側(cè)面相連接的支撐部54上。
再有，蒸鍍源56蒸鍍的蒸鍍材料的速度(蒸鍍速度)，由水晶振蕩器等的膜厚傳感器進行管理，并可進行嚴密的膜厚管理。
然而，蒸鍍裝置50，為了提高蒸鍍材料的膜厚分布，也可構(gòu)成為在蒸鍍處理時使玻璃基板L和掩模M在固定的狀態(tài)下旋轉(zhuǎn)。
再有，在真空腔52的支撐部54上所載置的掩模M及玻璃基板L的上方，配置有與掩模M的形狀相對應(yīng)的電磁石60。
電磁石60，是吸引在掩模M的背面MB上所配置的磁性體膜28，并由此防止由掩模M的圖案部20的自身重量引起的撓曲的部件。電磁石60，如圖7所示，也可以是一塊板形的磁石，也可與磁性體膜28的圖案形狀相吻合、例如由多個電磁石60構(gòu)成。還有，電磁石60，可構(gòu)成為在上下方向上移動，并可在玻璃基板L的正上方停止。
作為具體的蒸鍍方法(圖案形成方法)，首先，如果在支撐部54上重疊并固定掩模M及玻璃基板L，則使電磁石60朝玻璃基板L的正上方移動，在玻璃基板L的正上方進行驅(qū)動而產(chǎn)生磁場。由此，掩模M上的磁性體膜28，被電磁石60所吸引，圖案部20相對玻璃基板L密著。
因而，在驅(qū)動電磁石60的狀態(tài)下，從蒸鍍源56面向玻璃基板L噴射蒸鍍材料，且通過掩模M的圖案部20，使蒸鍍材料附著在玻璃基板L上。如此，在玻璃基板L上形成有與掩模M的圖案部20相對應(yīng)的薄膜。
接著，通過膜厚傳感器57，如果檢測出已蒸鍍的薄膜膜厚已達到期望的值，則關(guān)閉位于蒸鍍源56的正上方的閘門(shutter)，結(jié)束蒸鍍處理。
在結(jié)束了蒸鍍處理之后，停止電磁石60的驅(qū)動，并使電磁石60退避到上方。進一步，解除掩模M和玻璃基板L的固定，并只搬出玻璃基板L。
如此，蒸鍍裝置50，因為通過電磁石60的磁力而向上方吸引掩模M的磁性體膜28，所以即使在掩模M大型化的情況下，也能防止通過掩模M的自身重量引起的撓曲，并能使掩模M確實地密著在玻璃基板L上。由此，能在玻璃基板L上成膜高精細的圖案。
還有，在本實施方式中，雖然對將掩模M用作蒸鍍用掩模的情況進行了說明，但是例如也可用作濺射用掩模、或CVD用掩模。再有，也可利用永久磁石來代替電磁石60。
(有機EL裝置的制造方法)接著，參照圖8，對利用了上述的掩模M的有機EL裝置DP的制造方法進行說明。在此，對在作為蒸鍍對象物的玻璃基板L上，蒸鍍發(fā)光層形成材料R、G、B的情況進行說明。而且，在圖8中，省略掩模M的磁性體膜28的圖示。
首先，如圖8(a)所示，在玻璃基板L上，形成薄膜晶體管等的開關(guān)元件，并以與該開關(guān)元件連接的方式而設(shè)置陽極40。進一步，以使與該陽極40連接的方式，形成空穴注入層41及空穴輸送層42。
接著，在密著掩模M和玻璃基板L(空穴輸送層42)的狀態(tài)下，將紅色發(fā)光層形成材料R蒸鍍到玻璃基板L上。在玻璃基板L上，蒸鍍與掩模M的掩模開口部分24相應(yīng)的紅色發(fā)光層形成材料R。
接著，如圖8(b)所示，錯開掩模M對玻璃基板L的位置(或?qū)⒀谀交換為其他的掩模M)，并在密著掩模M和玻璃基板L(空穴輸送層42)的狀態(tài)下，將綠色發(fā)光層形成材料G蒸鍍到玻璃基板L上。在玻璃基板L上，蒸鍍有與掩模M的掩模開口部分24相對應(yīng)的綠色發(fā)光層形成材料G。
接著，如圖8(c)所示，錯開掩模M對玻璃基板L的的位置(或?qū)⒀谀交換為其他的掩模M)，并在密著掩模M和玻璃基板L(空穴輸送層42)的狀態(tài)下，將藍色發(fā)光層形成材料B蒸鍍到玻璃基板L上。在玻璃基板L上，蒸鍍有與掩模M的掩模開口部分24相對應(yīng)的藍色發(fā)光層形成材料B。
如以上那樣，在玻璃基板L上形成有由RGB三色的有機材料構(gòu)成的發(fā)光層43。
接著，如圖8(d)所示，在發(fā)光層43之上，通過形成有電子輸送層44、及陰極45，形成有機EL裝置DP。
還有，本實施方式相關(guān)的有機EL裝置DP，是將來自包括發(fā)光層的發(fā)光元件的發(fā)光從玻璃基板L側(cè)取出到裝置外部的形式，作為玻璃基板L的形成材料，除透明玻璃以外，可列舉的有可透過光的透明或半透明材料，例如，石英、藍寶石(sapphire)、或聚酯(polyester)、聚丙烯酸酯(polyacrylate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚醚酮(polyether ketone)等的透明的合成樹脂。特別是，作為玻璃基板L的形成材料可優(yōu)選利用低價的鈉玻璃(soda-glass)。另一方面，在從與玻璃基板L相反側(cè)取出發(fā)光的方式的情況下，玻璃基板L也可以是不透明的，這時，能利用在氧化鋁(alumina)等的陶瓷、不銹鋼等的金屬薄片(sheet)上施行表面氧化等的絕緣處理的材料、熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂等。
如此，在本實施方式的有機EL裝置DP的制造方法中，因為利用掩模M而進行掩模蒸鍍，所以能在玻璃基板L上高精度地配置所成膜的各層膜。由此，能制造高精細、無顯示不勻稱、可顯示鮮艷圖像的有機EL裝置DP。
然而，本實施方式的有機EL裝置DP是有源矩陣(active matrix)型，實際上，格子狀地配置著多條數(shù)據(jù)線和多條掃描線，在這些數(shù)據(jù)線或掃描線所劃分的矩陣狀上所配置的各像素上通過開關(guān)晶體管或驅(qū)動晶體管等的驅(qū)動用TFT而連接上述發(fā)光元件。因此，如果通過數(shù)據(jù)線或掃描線供給驅(qū)動信號，則在電極間流過電流，而且發(fā)光元件發(fā)光并在透明基板的外面?zhèn)瘸錾涔?，而點亮該像素。
然而，本發(fā)明，不限定于有源矩形型，當然也適用于無源(passive)驅(qū)動型的顯示元件。
(電子機器)接著，對具備上述的有機EL裝置DP的電子機器的例子進行說明。
圖9(a)，是表示移動電話的一例的立體圖。在圖9(a)中，符號1000表示移動電話主體，符號1001表示利用了上述有機EL裝置DP的顯示部。
圖9(b)是表示手表型電子機器的一例的立體圖。在圖9(b)中，符號1100表示表主體，符號1101表示采用上述有機EL裝置DP的顯示部。
圖9(c)，是表示文字處理器、計算機等的攜帶型信息處理裝置的一例的立體圖。在圖9(c)中，符號1200表示信息處理裝置、符號1202表示鍵盤等的輸入部、符號1204表示信息處理裝置主體，符號1206表示利用了上述有機EL裝置DP的顯示部。
在圖9(a)～(c)中所示的電子機器，因為具備上述實施方式的有機EL裝置DP，所以成為具有可達成使發(fā)光的光的亮度均勻、無顯示不勻、并可顯示鮮艷的圖像的顯示部的電子機器。
然而，作為電子機器，并不限定于上述的移動電話等，并能適用于各種的電子機器。例如，能適用于筆記本型計算機、液晶投影儀、多媒體對應(yīng)的個人計算機(PC)、及工程工作站(Engineering Work StationEWS)、尋呼機(pager)、文字處理器(word processor)、電視、取景器(view finder)型或監(jiān)視器(monitor)直視型的錄放機、電子記事本、電子計算器、汽車導航(car navigation)裝置、POS終端、具備接觸面板(touch panel)裝置等的電子機器。
權(quán)利要求
1.一種掩模，用于對被成膜基板形成具有第一圖案的薄膜，具備非磁性體基板，其具有與所述第一圖案相對應(yīng)的開口部分；和磁性體膜，其被配置在所述非磁性體基板上并具有第二圖案。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的掩模，其特征在于，所述磁性體膜，被配置在與所述非磁性體基板中的所述被成膜基板相對的相對面上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2中所述的掩模，其特征在于，所述磁性體膜，被配置在所述相對面中的中央?yún)^(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中的任一項所述的掩模，其特征在于，所述磁性體膜，具有0.5μm到5.0μm的膜厚。
5.一種掩模的制造方法，用于對被成膜基板形成具有第一圖案的薄膜，包括對非磁性體基板形成與所述第一圖案相對應(yīng)的開口部分的工序；和在所述非磁性體基板上配置具有第二圖案的磁性體膜的磁性體膜配置工序。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的掩模的制造方法，其特征在于，所述磁性體膜配置工序，包括第1成膜工序，其在規(guī)定面上成膜與所述第二圖案相對應(yīng)的基底金屬膜；和第2成膜工序，其在所述基底金屬膜上成膜所述磁性體膜。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的掩模的制造方法，其特征在于，所述第2成膜工序，包括通過無電解電鍍法而在所述基底金屬膜上使所述磁性體膜析出的工序。
8.一種圖案形成裝置，具備支撐部，其對權(quán)利要求1至4中任一項所述的掩模和被成膜基板進行相對支撐，且使該被成膜基板處于垂直上方側(cè)；磁吸引部，其被配置在所述被成膜基板的垂直上方側(cè)，并對所述掩模作用朝向所述被成膜基板的磁吸引力；和成膜形成部，其通過所述掩模而對所述被成膜基板附著薄膜形成材料。
9.一種圖案形成方法，具有使權(quán)利要求1至4的任一項所述的掩模和被成膜基板相對配置，且使該被成膜基板處于垂直上方側(cè)的工序；對所述掩模作用朝向所述被成膜基板的磁吸引力的工序；和通過所述掩模對所述被成膜基板附著薄膜形成材料的工序。
全文摘要
本發(fā)明是用于對被成膜基板形成具有第一圖案的薄膜的掩模(M)，具備具有與第一圖案相對應(yīng)的開口部分(22)的非磁性體基板(S)，和在非磁性體基板(S)上所配置的具有第二圖案的磁性體膜(28)。因此，本發(fā)明的目的在于，提出了能較容易地防止由自身重量引起的撓曲的掩模、掩模的制造方法、還有利用這些掩模的成膜裝置等。
文檔編號H01L51/50GK1824826SQ20061000956
公開日2006年8月30日 申請日期2006年2月24日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月25日
發(fā)明者四谷真一 申請人:精工愛普生株式會社