專利名稱：半導(dǎo)體元件制造方法及電容器的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一半導(dǎo)體元件及其制造方法，且特別是有關(guān)于對柵極介電結(jié)構(gòu)進(jìn)行激光退火的制程方法和所形成的半導(dǎo)體元件。
背景技術(shù)：
隨著晶體管尺寸持續(xù)的微縮，柵極介電結(jié)構(gòu)厚度變的越來越薄，且甚至接近20?；蚴歉〉暮穸龋谌绱诵〉某叽缰?，從柵極介電層隧道至位于其下的溝道區(qū)的雜質(zhì)會顯著的增加?xùn)艠O到溝道的漏電流，且增加能量消耗，因此，柵極介電結(jié)構(gòu)需要有高密度和少孔隙。
高介電材料一般用于金屬氧化物半導(dǎo)體MOSFET元件的柵極介電結(jié)構(gòu)，然而，高介電材料具有密度較傳統(tǒng)熱成長、低介電氧化硅低的缺點，回火以增加材料密度和改進(jìn)電特性是為一種改進(jìn)高介電材料密度的方法。
在一般已知的技術(shù)方法中，柵極介電結(jié)構(gòu)的回火是采用快速熱退火(rapid thermal annealing，以下可簡稱RTA)，或是爐管退火，而兩者均需制程溫度約700℃以上，且因為晶圓在高溫維持一段長時間，傳統(tǒng)的快速熱退火或是爐管退火具有形成結(jié)塊(agglomeration)、高熱預(yù)算成本和高雜質(zhì)擴(kuò)散的缺點。
現(xiàn)今，激光熱回火(laser thermal annealing，以下可簡稱LTA)已為半導(dǎo)體制程所使用，在此提供美國專利第6632729號所揭示的一種以激光熱回火柵極介電結(jié)構(gòu)的方法作為參考，請參照圖1，此方法所提供的激光熱回火柵極介電結(jié)構(gòu)的方法包括以下步驟形成柵極介電結(jié)構(gòu)于一基底2上；形成柵極層于柵極氧化層上；圖形化柵極氧化層和柵極層，形成柵極氧化結(jié)構(gòu)4和柵極6；形成源極/漏極區(qū)10；使用激光熱回火退火(其是以箭號12標(biāo)示)柵極介電結(jié)構(gòu)4。此方法可對柵極介電結(jié)構(gòu)4進(jìn)行快速熱退火，而不會形成結(jié)塊或擴(kuò)散，然而，其仍然具有一些缺點，在激光光束在到達(dá)柵極氧化結(jié)構(gòu)4之前，必須穿過柵極6，而因為柵極6吸收激光能量，如果沒有進(jìn)行良好的控制，柵極可能吸收過多的能量，導(dǎo)致柵極介電結(jié)構(gòu)回火的溫度較預(yù)期的溫度低，而此種能量吸收的現(xiàn)象當(dāng)柵極厚度較厚時，會特別的嚴(yán)重，柵極6能量吸收的速度是由柵極的材料和厚度所決定，因此其很難進(jìn)行估算。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)上述問題，本發(fā)明的一目的為較少的聚集性、擴(kuò)散性和熱預(yù)算成本下，對柵極介電層或電容器介電層進(jìn)行退火，以得到較佳的電性。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，提供一具有一表面的半導(dǎo)體基底。其后，形成一柵極介電層于半導(dǎo)體基底的表面上。對柵極介電層進(jìn)行一激光瞬間退火制程。后續(xù)，在激光瞬間退火制程之后，圖形化柵極介電層，至少形成一柵極介電結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，在激光瞬間退火制程之前，更包括形成一柵極層于該柵極介電層上方，其中該柵極層的厚度大體上小于500埃。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，更包括下列步驟在該激光瞬間退火制程之后，形成一柵極層；圖形化該柵極介電層和該柵極層，形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)；沿著該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的一邊緣形成一間隙壁；及形成一源極區(qū)和一漏極區(qū)，其中該源極區(qū)和該漏極區(qū)大體上對位于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的邊緣。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，更包括連接該源極區(qū)或該漏極區(qū)，以形成一電容器。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，該柵極介電層包括擇自下列族群的材料HfO2、HfSiOx、Ta2O5、SiO2、SiON和上述的組合，其中該柵極介電層包括一第一層和一第二層，其中該第一層和第二層包括擇自下列族群的材料HfO2、HfSiOx、Ta2O5、SiO2、SiON和上述的組合，其中該半導(dǎo)體基底包括擇自下列族群的材料硅、鍺、碳和上述的組合。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，該激光瞬間退火制程是在一氣體環(huán)境下進(jìn)行，其中該氣體是擇自下列族群N2、O2、NH3、H2、D2、N2O、NO和上述的組合，其中在激光瞬間退火制程中該半導(dǎo)體基底的溫度是低于該半導(dǎo)體基底的熔點溫度。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，該激光瞬間退火制程的時間大體上為1E-9秒～1E-3秒。
本發(fā)明所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，在形成該柵極介電層之前，更包括注入一雜質(zhì)入該半導(dǎo)體基底中。
本發(fā)明提供一種電容器的制造方法。首先，形成一第一導(dǎo)電層于半導(dǎo)體基底上方。其后，形成一介電層于第一導(dǎo)電層上。接著，激光瞬間退火介電層，形成一第二導(dǎo)電層，于介電層上。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，提供一基底，形成一柵極介電層，于基底上。其后，對柵極介電層進(jìn)行一激光退火制程。在激光退火制程之后，圖形化柵極介電層，至少形成一柵極介電結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件的制造方法。首先，提供一基底，形成一柵極介電層，于基底上，其后，形成一能量吸收層于柵極介電層上。接下來，穿過能量吸收層，對柵極介電層進(jìn)行一激光退火制程。后續(xù)，在激光退火制程之后，圖形化柵極介電層，至少形成一柵極介電結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件。一柵極介電層位于一基底上。一柵極位于柵極介電層上，其中柵極介電層和基底的邊界大體上不具有介電常數(shù)較柵極介電層低的物質(zhì)。
本發(fā)明提供一種電容器。一第一導(dǎo)電層位于一基底上方。一介電層，位于第一導(dǎo)電層上。一第二導(dǎo)電層位于介電層上，其中介電層和第一導(dǎo)電層的邊界大體上不具有介電常數(shù)較介電層低的物質(zhì)。
本發(fā)明所述半導(dǎo)體元件制造方法及電容器的制造方法，在較少的聚集性、擴(kuò)散性和熱預(yù)算成本下，對柵極介電層或電容器介電層進(jìn)行退火，以得到較佳的電性。


圖1揭示一使用激光熱退火對柵極氧化層進(jìn)行回火的傳統(tǒng)方法；圖2～圖6是為本發(fā)明一實施例中間步驟的剖面圖；圖7揭示本發(fā)明一實施例的激光瞬間退火制程的載流子移動率和介電材料的有效電場的關(guān)系圖。
具體實施例方式
以下將詳細(xì)示出本發(fā)明較佳實施例的實施和使用方法，其提供許多應(yīng)用的實例，本發(fā)明提供許多應(yīng)用范例，然而，其僅是用以教導(dǎo)本發(fā)明的應(yīng)用及實施，而不用以限定本發(fā)明。
以下將以實施例詳細(xì)說明作為本發(fā)明的參考，且范例是伴隨著圖式說明之。在圖式或描述中，相似或相同的部分是使用相同的圖號。在圖式中，實施例的形狀或是厚度可擴(kuò)大，以簡化或是方便標(biāo)示。圖式中各元件的部分將以分別描述說明之，值得注意的是，圖中未繪示或描述的元件，可以具有各種本領(lǐng)域技術(shù)人員所知的形式。此外，當(dāng)敘述一層是位于一基板或是另一層上時，此層可直接位于基板或是另一層上，或是其間亦可以有中介層。
圖2～圖6揭示本發(fā)明的較佳實施例，其中本發(fā)明各實施例和各圖式相似的元件是以相似的標(biāo)號定義。
圖2揭示形成淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)22于一基底20中，在較佳的實施例中，基底20是為一硅基底，在另一實施例中，基底20可以是半導(dǎo)體基底，其中半導(dǎo)體基底可以是由例如C、Ge、SiGe、GaAs、InAs、InP、Si/SiGe和絕緣層上有硅(silicon-on-insulators)、或上述的組合所組成。淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)22(shallow trenchisolation，以下可簡稱STI)是形成于基底20中，且較佳是采用下列方法形成于基底20中蝕刻出淺溝槽；以例如氧化硅或是高密度等離子氧化物(high density plasma，以下可簡稱HDP)回填入淺溝槽，另外，可進(jìn)行一注入，以使基底20具有預(yù)期濃度的適當(dāng)?shù)膿诫s物，在另一實施例中，摻雜物的注入可在淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)22形成之前進(jìn)行，在又另一實施例中，基底20可以較佳為絕緣層上有硅基底。
圖3揭示沉積一柵極介電層24于基底20和淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)22上。在本發(fā)明的較佳實施例中，柵極介電層24可具有高介電值，例如包括以下材料Ta2O5、HfO2、HSiOx、Al2O3、InO2、La2O3、ZrO2、TaO2、硅化物、鋁化物和上述金屬氧化物的氮氧化物，和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物(perovskite-type oxide)或相似的材料。在另一實施例中，柵極介電層24具有復(fù)合結(jié)構(gòu)，而復(fù)合結(jié)構(gòu)包括一第二介電層位于第一介電層上方，其中第一介電層一般是用作為緩沖層。第一介電層和第二介電層兩者可選自下列族群Ta2O5、HfO2、HSiOx、Al2O3、InO2、La2O3、ZrO2、TaO2、硅化物、鋁化物和上述金屬氧化物的氮氧化物，和鈣鈦礦結(jié)構(gòu)的氧化物(perovskite-type oxide)或相似的材料。柵極介電層24的厚度較佳約為5?！?0埃，另外，在本發(fā)明的另一實施例中，第二介電層可由SiC、SiO、SiO2、SiN、C和多晶硅所組成，以用作一能量吸收層，減低激光能量直接對第一介電層和其下基底的影響。
之后，對介電層24進(jìn)行激光瞬間退火(laser spike annealing，以下可簡稱LSA)，而其是以箭號26標(biāo)示，較佳的，激光瞬間退火是通過于晶圓或晶片上掃描激光光束所完成，如此，當(dāng)激光光束通過時，可對照射區(qū)進(jìn)行局部加熱退火。激光瞬間退火和激光熱退火(laser thermal annealing，以下可簡稱LTA)是使用相似的機(jī)制，但激光瞬間退火具有較低的激光能量，然而，相較于傳統(tǒng)的激光或是熱退火，激光瞬間退火具有在較短的時間內(nèi)處理每一區(qū)域的能力。激光熱退火的處理時間約為1E-6秒～1E-2秒，而激光瞬間退火的處理時間約為1E-9秒～1E-3秒，其中處理時間是由激光光束進(jìn)入一個點和移出此點的期間所定義。
激光瞬間退火可在非常短的時間內(nèi)提升處理區(qū)域的溫度至1000℃或是更高，在本發(fā)明的較佳實施例中，退火溫度約介于1050℃～1400℃，且處理時間約介于1E-9秒～1E-3秒，如此短的退火時間可顯著的減少結(jié)塊(agglomeration)和雜質(zhì)擴(kuò)散的問題。短時間的高溫退火可使介電層24處于金屬穩(wěn)定的狀態(tài)，如此可使介電層24致密化，而介電層24仍保持為非晶相，如此，具有高密度的非晶結(jié)構(gòu)可導(dǎo)致較佳的電特性。在回火時，需保持基底20的溫度在介電層24熔點溫度以下，如此可不影響基底20晶體結(jié)構(gòu)。硅基底的熔點溫度約為1410℃，保持基底20的溫度在介電層24熔點溫度以下的制程條件可通過控制介電層24表面的溫度低于基底20熔點溫度達(dá)成，退火可在周遭環(huán)境為例如N2、O2、NH3、H2、D2、N2O、NO或上述的組合下進(jìn)行。
本發(fā)明的較佳的實施例的優(yōu)點為激光光束可在不用或是以非常薄的柵極層來吸收激光能的狀態(tài)下對介電層24進(jìn)行處理，而使激光處理的時間非常短且具有較低的熱預(yù)算。本發(fā)明的較佳的實施例可控制激光能量有足夠的能量密度，有效的致密化介電層24，而不熔化介電層24，另外，處理時間是夠短以減少擴(kuò)散，但是也夠長以使退火的材料達(dá)到均值的溫度。因處理時間較短，位于介電層24下的基底的溫度幾乎不會上升，而在全部的退火制程中，介電層24的溫度是在其熔點溫度以下，且介電層24在其退火之后是保持在非晶態(tài)，此點對于低熔點的基底(例如熔點溫度約為937℃鍺)是特別的重要。
在本發(fā)明一激光瞬間退火制程的實施范例中，是對位于氧化硅層上方的由HfSiO所組成，且厚度約為20埃的介電薄膜進(jìn)行退火，此退火的溫度約介于1250℃，此退火的激光能量約為0.2KW/mm2，激光光束的波長約為10μm，且處理時間約為0.2毫秒。在退火之后，介電薄膜的有效氧化層厚度(effective oxidethickness，以下可簡稱EOT)約為17.5埃。
傳統(tǒng)RTP或是爐管退火的副作用在于不想要的低介電值材料層通常會形成于基底20和柵極介電層24的界面上，然而，若是使用激光瞬間退火，較短的退火時間較不易形成不想要的界面層，此外，散發(fā)至基底20中的熱能亦較少，因此，低能量激光的激光瞬間退火制程可產(chǎn)生高溫度梯度的效果，亦即其溫度梯度從柵極介電層24的表面至基底20中具有較陡峭的下降，因此，基底20的溫度較柵極介電層24為低，而可良好的控制基底20中的擴(kuò)散。
因為，基底是在柵極形成之前進(jìn)行全面性的處理，可更均勻的處理柵極間隙壁、源極/漏極區(qū)、全部晶片/晶圓的介電層24，此外，因不需分別處理不同的區(qū)域，處理制程可以更簡單，且因沒有柵極吸收激光能量，所需的激光能量較小且較容易控制介電層24的溫度。
圖4～圖6揭示后續(xù)形成MOS晶體管的制程步驟。在激光瞬間退火之后，一柵極層27是形成在柵極介電層24上方，如圖4所示。柵極介電層27較佳為多晶硅，但其亦可以為金屬，或是包括金屬、半導(dǎo)體和/或金屬硅化物的復(fù)合結(jié)構(gòu)。
圖5揭示柵極28、柵極介電結(jié)構(gòu)30、間隙壁32和源極/漏極區(qū)34的形成。圖型化柵極層27和柵極介電層24，以分別形成柵極28和柵極介電結(jié)構(gòu)30。沿著柵極介電結(jié)構(gòu)30和柵極28的側(cè)壁形成一對間隙壁32。之后，形成源極/漏極區(qū)34，且源極/漏極區(qū)34的形成較佳是通過離子注入，將適當(dāng)?shù)碾x子注入基底20，或是進(jìn)行凹陷化源極/漏極區(qū)，之后于凹陷區(qū)外延性的成長具有適當(dāng)摻雜物的半導(dǎo)體材料而形成。源極/漏極區(qū)34詳細(xì)的形成方法是為本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，在此不詳細(xì)描述。
如圖6所揭示，形成金屬硅化物36于源極/漏極區(qū)34和柵極28上。在較佳實施例中，硅化物36是通過第一摻雜一金屬薄層形成，之后，進(jìn)行回火制程，以于所沉積的金屬間和其下所暴露的硅區(qū)域形成硅化物36，接著，移除未反應(yīng)的金屬。一接觸蝕刻阻擋層38(contact etching stop layer，以下可簡稱CESL)是用作一蝕刻阻擋層，以保護(hù)其下區(qū)域防止過度蝕刻，此外，接觸蝕刻阻擋層38亦可提供元件應(yīng)力，以增加載流子的移動率。
另外，在本發(fā)明的一實施例中，在柵極層27形成之后進(jìn)行激光瞬間退火，但是激光瞬間退火是在圖形化柵極層27和柵極介電層24之前進(jìn)行，在此實施例中，柵極層27較佳為具有相當(dāng)薄的厚度，例如小于約500埃，更佳者為介于30埃～200埃之間。激光光束的部分能量會被柵極層27吸收，然而，大部分的能量會穿過柵極層27，而到達(dá)柵極介電層24。柵極層的溫度必須較其熔點溫度為低，此外，柵極層27的厚度需要小心的控制，以得到有效的退火處理。因為柵極層吸收部分的激光能量，會發(fā)生潛在的問題，例如若是使用太大的激光能量，柵極可能會溶化，或是使用太小的激光能量，其對于柵極介電層致密化的效果會減低，因此，較佳為使用吸收激光能量較少的較薄的柵極，柵極的厚度越薄，其所吸收的能量越少，且控制退火制程會更簡單。
此外，本發(fā)明一較佳實施例可應(yīng)用于制造電容器，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，連接晶體管的源極或漏極區(qū)34可形成一電容器。如圖6所示，在本發(fā)明的較佳實施例中，沿著源極和漏極區(qū)34間的晶體管的溝道區(qū)所制造出電容器的電極板，而柵極28形成另一電極板，因為電容值是和柵極介電結(jié)構(gòu)30的面積成正比，一般來說，此電容值是較小，而因為電容值亦和柵極介電結(jié)構(gòu)30的k值成正比，因此，在本發(fā)明的較佳實施例中，柵極介電結(jié)構(gòu)30較佳具有高k值。
當(dāng)電容器是由晶體管形成時，電容值亦可通過例如減少柵極介電結(jié)構(gòu)30的介電層厚度而增加，然而，當(dāng)介電層的厚度減少，介電層的電場會增加，因此，更容易發(fā)生介電崩潰，本發(fā)明的較佳實施例是提供具有高密度、較少孔洞，而因此較不容易發(fā)生崩潰的致密化的介電層。
在另一實施例中，電容器可使用其它的方法形成，舉例來說，沉積一第一導(dǎo)電板，形成一第一介電層于第一導(dǎo)電板上，第一介電層較佳是以激光瞬間退火制程進(jìn)行退火，之后，沉積一第二導(dǎo)電板于介電層上。
圖7揭示本發(fā)明一較佳實施例的激光瞬間退火制程的優(yōu)點特征的載流子移動率和介電材料的有效電場的關(guān)系圖，曲線40是為量測一以激光瞬間退火制程在約1200℃進(jìn)行退火的介電層，此介電層堆疊結(jié)構(gòu)包括約20埃的HfSiO于SiO2上。曲線42是為量測一相似的薄膜，而此薄膜是以快速熱退火在約800℃退火12秒得到。在激光瞬間退火制程之后，介電層的有效氧化層厚度約為17.5埃，而在快速熱退火制程之后，介電層的有效氧化層厚度約為17.8埃，然而，經(jīng)瞬間退火制程的介電膜的載流子移動率是顯著的較經(jīng)快速熱退火制程的介電膜的載流子移動率為大。
雖然本發(fā)明已通過較佳實施例說明如上，但該較佳實施例并非用以限定本發(fā)明。本領(lǐng)域的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，應(yīng)有能力對該較佳實施例做出各種更改和補(bǔ)充，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍以權(quán)利要求書的范圍為準(zhǔn)。
附圖中符號的簡單說明如下2基底4柵極氧化結(jié)構(gòu)6柵極10源極/漏極區(qū)12激光熱回火8間隙壁20基底22淺溝槽絕緣結(jié)構(gòu)24柵極介電層26激光瞬間退火27柵極層28柵極30柵極介電結(jié)構(gòu)32間隙壁34源極/漏極區(qū)36金屬硅化物38接觸蝕刻阻擋層
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件的制造方法包括提供一半導(dǎo)體基底，具有一表面；形成一柵極介電層，于該半導(dǎo)體基底的該表面上；對該柵極介電層進(jìn)行一激光瞬間退火制程；及在該激光瞬間退火制程之后，圖形化該柵極介電層，以形成一柵極介電結(jié)構(gòu)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在激光瞬間退火制程之前，更包括形成一柵極層于該柵極介電層上方，其中該柵極層的厚度小于500埃。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，更包括下列步驟在該激光瞬間退火制程之后，形成一柵極層；圖形化該柵極介電層和該柵極層，形成一柵極堆疊結(jié)構(gòu)；沿著該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的一邊緣形成一間隙壁；及形成一源極區(qū)和一漏極區(qū)，其中該源極區(qū)和該漏極區(qū)對位于該柵極堆疊結(jié)構(gòu)的邊緣。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，更包括連接該源極區(qū)或該漏極區(qū)，以形成一電容器。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該柵極介電層包括擇自下列族群的材料HfO2、HfSiOx、Ta2O5、SiO2、SiON和上述的組合，其中該柵極介電層包括一第一層和一第二層，其中該第一層和第二層包括擇自下列族群的材料HfO2、HfSiOx、Ta2O5、SiO2、SiON和上述的組合，其中該半導(dǎo)體基底包括擇自下列族群的材料硅、鍺、碳和上述的組合。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該激光瞬間退火制程是在一氣體環(huán)境下進(jìn)行，其中該氣體是擇自下列族群N2、O2、NH3、H2、D2、N2O、NO和上述的組合，其中在激光瞬間退火制程中該半導(dǎo)體基底的溫度是低于該半導(dǎo)體基底的熔點溫度。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，該激光瞬間退火制程的時間為1E-9秒～1E-3秒。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，在形成該柵極介電層之前，更包括注入一雜質(zhì)入該半導(dǎo)體基底中。
9.一種電容器的制造方法，其特征在于，所述電容器的制造方法包括形成一第一導(dǎo)電層，于該半導(dǎo)體基底上方；形成一介電層，于該第一導(dǎo)電層上；激光瞬間退火該介電層；及形成一第二導(dǎo)電層，于該介電層上。
10.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件的制造方法包括提供一基底；形成一柵極介電層，于該基底上；對該柵極介電層進(jìn)行一激光退火制程；及在該激光退火制程之后，圖形化該柵極介電層，至少形成一柵極介電結(jié)構(gòu)。
11.一種半導(dǎo)體元件的制造方法，其特征在于，所述半導(dǎo)體元件的制造方法包括提供一基底；形成一柵極介電層，于該基底上；形成一能量吸收層，于該柵極介電層上；穿過該能量吸收層，對該柵極介電層進(jìn)行一激光退火制程；及在該激光退火制程之后，圖形化該柵極介電層，以形成一柵極介電結(jié)構(gòu)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體元件制造方法及電容器的制造方法，具體涉及一種使用激光瞬間退火制造半導(dǎo)體元件的方法，包括提供一具有一表面的半導(dǎo)體基底，形成一柵極介電層于半導(dǎo)體基底的表面上，對柵極介電層進(jìn)行一激光退火制程，在激光瞬間退火制程之后，圖形化柵極介電層且至少形成一柵極介電結(jié)構(gòu)。之后，形成一源極和漏極區(qū)以形成一晶體管，并通過連接源極和漏極區(qū)以形成一電容器。本發(fā)明所述半導(dǎo)體元件制造方法及電容器的制造方法，在較少的聚集性、擴(kuò)散性和熱預(yù)算成本下，對柵極介電層或電容器介電層進(jìn)行退火，以得到較佳的電性。
文檔編號H01L21/02GK1873921SQ20061000314
公開日2006年12月6日 申請日期2006年2月16日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月31日
發(fā)明者姚亮吉, 楊銘和, 陳世昌, 梁孟松 申請人:臺灣積體電路制造股份有限公司