專利名稱：射頻識別標簽的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種射頻識別標簽，特別涉及可以粘貼在金屬上的射頻 識別標簽。
背景技術(shù)：
RFID (Radio Frequency Identification)標簽等非接觸標簽可以通過 無線通信讀出/寫入信息，可以進行產(chǎn)品的批產(chǎn)管理和生產(chǎn)工序的歷史管 理等信息管理。因此，被期望用來代替當(dāng)前的產(chǎn)品信息管理中采用的條 形碼。
以往，在RFID標簽中使用13.56MHz、 2，45GHz等頻率，但現(xiàn)在對 953MHz等的UHF (Ultra High Frequency)頻帶的使用也已經(jīng)解禁。但是， RFID標簽具有如果粘貼在PC (Personal Computer)機箱、儀器、金屬器 材等金屬物體(高導(dǎo)電率物體)上就不能通信的性質(zhì)。
另外，也存在即使粘貼在金屬上也可以通信的RFID標簽，例如 Intermec公司(美國)的封裝粘鐵標簽(Encapsulated Stick Tag)、 AWID 公司(美國)的ProxLinkMT (APT1014)等。這些RFID標簽較硬，厚 約4mm，作為粘貼在產(chǎn)品等上的標簽而言比較大。此外，還提出了下面 的RFID標簽。例如在利用金屬箔等構(gòu)成的磁性芯材的兩面夾著線圈形成 的RFID用天線線圈(例如專利文獻l)。并且，還有在蛇行的薄片上的 線圈間隙中插入了磁芯部件的結(jié)構(gòu)的RPID用天線線圈(例如專利文獻 1)。
專利文獻1日本特幵2002—252518號公報 專利文獻2 日本特開2002—117383號公報
但是，以往的RFID標簽如前面所述厚且硬，存在難以粘貼在曲面 上使用的問題。
并且，在專利文獻l、 2中，采用線圈夾著磁性芯材和磁芯部件的形 式，結(jié)構(gòu)屬于三維結(jié)構(gòu)，比較復(fù)雜，所以存在制造成本大的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于上述情況而提出的，其目的在于，提供一種射頻識 別標簽，其較薄且具有撓性，可以降低制造成本，而且即使粘貼在金屬 上也能夠進行無線通信。
為了解決上述問題，本發(fā)明提供一種如圖1所示可以粘貼在金屬上
的射頻識別標簽，其特征在于，該射頻識別標簽具有薄膜30和在薄膜30 上形成為平面狀的反F天線10，薄膜30被粘貼成為使形成的反F天線 lO的放射元件ll、短路棒(shortpin) 12和供電部13從金屬突出。
根據(jù)這種射頻識別標簽，在薄膜30上形成平面狀的反F天線10， 所以較薄且具有撓性，結(jié)構(gòu)簡單。
并且，薄膜30被粘貼成為使形成的反F天線10的放射元件11、短 路棒12和供電部13從金屬突出，由此即使粘貼在金屬上也能夠進行無 線通信。
在本發(fā)明的射頻識別標簽中，在薄膜上形成平面狀的反F天線，所 以較薄且具有撓性，可以粘貼在曲面上使用。并且，結(jié)構(gòu)簡單，所以能 夠降低制造成本。
并且，薄膜被粘貼成為使形成的反F天線的放射元件、短路棒和供 電部從金屬突出，所以即使粘貼在金屬上也能夠進行無線通信。
本發(fā)明的上述及其他目的、特征和優(yōu)點，根據(jù)表示作為本發(fā)明的示 例的優(yōu)選實施方式的附圖及以下的相關(guān)說明將更加明確。


圖1是第1實施方式涉及的RJFID標簽的俯視圖。 圖2是表示圖1中的反F天線和IC芯片的等效電路的圖。 圖3是表示反F天線的短路棒的位置和電容值的關(guān)系的圖。 圖4是表示反F天線的短路棒的位置和電阻值的關(guān)系的圖。
圖5是將反F天線粘貼在覆銅板上的立體圖。
圖6是說明反F天線的短路棒的位置、電容值、電阻值和電波的飛
射距離的關(guān)系的圖。
圖7是表示將圖1所示的RFID標簽粘貼在筆記本式PC的液晶背面
上的狀態(tài)的立體圖。
圖8是表示將圖1所示的RFID標簽粘貼在筆記本式PC的指紋傳感
器旁邊的狀態(tài)的立體圖。
圖9是表示反F天線的史密斯圓圖(Smith chart)的模擬的圖。
圖IO是表示反F天線的史密斯圓圖的實測值的圖。
圖11是被粘貼在作為特性變化的模型的金屬框體上的RFID標簽的
立體圖。
圖12是表示RFID標簽單體和粘貼在金屬框體上時的頻率和電容值 的關(guān)系的圖。
圖13是表示RFID標簽單體和粘貼在金屬框體上時的頻率和增益的 關(guān)系的圖。
圖14是表示使某個IC芯片通過半波折疊偶極天線進行無線通信時 的飛射距離為2.15m時，將該IC芯片應(yīng)用于圖1所示RFID標簽時的增 益的圖。
圖15是說明RFID標簽的指向性的圖。
圖16是表示圖15所示RFID標簽的指向性的圖。
圖17是第2實施方式涉及的RFID標簽的俯視圖。
圖18是表示反F天線的史密斯圓圖的模擬的圖。
標號說明
IO反F天線；ll放射元件；12短路棒；13供電部；14接地底板； 20IC芯片；30薄膜；40金屬框體。
具體實施例方式
以下，參照附圖具體說明本發(fā)明的第l實施方式。
圖1是第1實施方式涉及的RFID標簽的俯視圖。如圖所示，RPID 標簽由反F天線10、 IC芯片20和薄膜30構(gòu)成。反F天線10為箔狀金 屬，在薄膜30的表面上形成為平面狀。另外，在圖1中，示出該RFID 標簽被安裝在例如電子設(shè)備的金屬框體40上。
反F天線lO由放射元件ll、短路棒(匹配電路)12、供電部13和 接地底板14構(gòu)成。放射元件11形成為與接地底板14的一邊為相同長度 并與其并行， 一端連接至供電部13，另一端敞開。并且，在放射元件ll 的兩端之間設(shè)有短路棒12，并與接地底板14連接。在供電部13和接地 底板14之間安裝有IC芯片20，IC芯片20通過反F天線10例如以953MHz 的UHF頻帶電波與讀寫器進行無線通信。IC芯片20寫入從讀寫器接收 的數(shù)據(jù)，并將所讀出的數(shù)據(jù)發(fā)送給讀寫器。
形成有反F天線10的薄膜30被粘貼成使反F天線的放射元件11、 短路棒12和供電部13從金屬框體40突出(從金屬框體40上離開)。可 以利用雙面膠帶將薄膜30粘貼到金屬框體40上，也可以利用粘接劑粘 貼。另外，在圖1中，薄膜30被粘貼成使接地底板14的設(shè)有短路棒12 和供電部13的一邊與金屬框體40的一邊一致，使反F天線10的放射元 件11、短路棒12和供電部13從金屬框體40突出。這樣，通過使放射元 件11、短路棒12和供電部13與金屬框體40不重疊，可以與讀寫器進行 無線通信。
反F天線10的接地底板14的大小例如為橫a是80mm、縱b是45mm 。 放射元件11的長度與接地底板14的橫向大小相同，是80mm。放射元件 11與接地底板14的間隔c為5mm。放射元件11、短路棒12和供電部 13的寬度d、 e、 f為lmm。短路棒12與供電部13的間隔x根據(jù)IC芯片 20的阻抗確定。S卩，短路棒12的位置被確定為與IC芯片20的阻抗相匹 配。另外，薄膜30的大小與反F天線10的外框為相同大小或比其大， 以使反F天線10形成在薄膜30上。并且，前面敘述的反F天線的大小 僅是一例，不限于此。
反F天線10的材料例如是銅或銀、鋁等金屬。反F天線10的厚度 考慮基于表皮效應(yīng)的電流損失來確定。表皮效應(yīng)根據(jù)流過反F天線的電 流的頻率和材料的導(dǎo)電率確定，例如，如果材料是銅、電波的頻率是
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913MHz,則需要2μm 3μm以上的厚度。換言之，反F天線10可以實 現(xiàn)例如薄至50ium以下的厚度。薄膜30是絕緣體，例如使用PET (聚對 苯二甲酸乙二醇酯)薄膜。薄膜30的厚度沒有特別限定。
反F天線10的制造方法為，例如將銅箔切成圖1所示的形狀，利用 粘接劑等將其粘貼在薄膜30上?；蛘?，例如通過絲網(wǎng)印刷等將銅印刷在 薄膜30上，并且印刷成圖l所示的形狀，形成反F天線IO?；蛘?，例如 在薄膜30上蒸鍍銅，而在薄膜30上形成圖1所示形狀的反F天線10。 或者，例如通過將層疊在薄膜30上的金屬作為掩模進行蝕刻，在薄膜30 上形成圖1所示形狀的反F天線10。
這樣，通過在薄膜30上形成反F天線，可以實現(xiàn)結(jié)構(gòu)簡單的RFID 標簽，即使在金屬上粘貼RFID標簽，也能夠與讀寫器無線通信。并且， 由于是在薄膜30上形成平面狀的反F天線這樣的簡單結(jié)構(gòu)，所以也能夠 粘貼在金屬的曲面上。并且，由于在薄膜30上形成平面狀的反F天線， 所以容易制造，可以降低制造成本。
下面，簡單說明將RFID標簽粘貼在金屬框體40上也能夠進行通信 的原理。在電波射入金屬表面時，該電波在金屬表面上被反射。此時， 反射的電波的電場的相位相對入射電波的電場的相位偏移180度，使金 屬內(nèi)的電場為O。因此，在將RFID標簽全體粘貼在金屬框體40上時， 不能發(fā)送接收電波。
在圖1所示的RFID標簽中，將放射元件11、短路棒12和供電部 13安裝成使它們從金屬框體40突出。因此，在放射元件ll、短路棒12 和供電部13的部分不存在金屬框體40，電波不會通過金屬框體40反射， 所以能夠進行無線通信。
下面，說明圖1所示RFID標簽的反F天線10與IC芯片20的電路。
圖2是表示圖1中的反F天線和IC芯片的等效電路的圖。如圖所示， 如果從IC芯片20的角度來看，則反F天線10可以視為是電阻Rl與線 圈Ll的電路。如果從反F天線10的角度來看，則IC芯片20可以視為 是具有電容器ci和電阻R2的電路。另外，圖中的節(jié)點Nl對應(yīng)于圖1 中的供電部13，節(jié)點N2對應(yīng)于接地底板14。IC芯片20的從反F天線10角度來看時的阻抗由IC芯片20的內(nèi)部 電路決定(在圖2中為電容器C1和電阻R2)。因此，通過改變反F天線 IO的阻抗，可以與IC芯片20的阻抗匹配。
如在圖1中說明的那樣，可以通過改變短路棒12和供電部13的間 隔x來改變反F天線10的阻抗(圖2中的線圈Ll與電阻Rl的并聯(lián)電路)。 因此，將反F天線10的短路棒12的位置確定為與IC芯片20的阻抗相 匹配。
可是，反F天線10的導(dǎo)納根據(jù)圖2的電路圖表示為下式(1)。并且， IC芯片20的導(dǎo)納根據(jù)圖2的電路圖表示為下式(2)。其中，式(1)、 (2) 中的j表示虛數(shù)，co表示角頻率。
Y= (1/R1) + (1/jcoLl) ...... (1)
Y= (1/R2)十j(DCl ...... (2)
由此，為了使反F天線10與IC芯片20的阻抗匹配，需要具有R1 =R2的關(guān)系，為了使得不存在無效功率、并具有cdC1二1/coL1的關(guān)系， 需要確定短路棒12的位置。
下面，說明反F天線10的短路棒12的位置與電容值的關(guān)系。 圖3是表示反F天線的短路棒的位置和電容值的關(guān)系的圖。圖中的 橫軸表示圖1中的短路棒12的位置(間隔x)，縱軸表示反F天線的電容 值Ccp (具有coCcp二l/o)Ll的關(guān)系)。另外，圖示曲線中的x符號表示具 有在圖1中說明的大小的反F天線10在電波頻率為950MHz時的模擬結(jié) 果。
例如，IC芯片20的電容值為l.OpF時，根據(jù)圖中的模擬結(jié)果可知， 如果將x的值設(shè)定為大約18mm，則可以實現(xiàn)阻抗匹配。并且，例如在 IC芯片20的電容值為0.5pF時，根據(jù)圖中的模擬結(jié)果可知，如果將x的 值設(shè)定為大約35mm，則可以實現(xiàn)阻抗匹配。
另外，圖示曲線圖中的*符號表示具有在圖1中說明的大小的反F 天線10在電波頻率為950MHz時的實測值?？芍獙崪y值是大致符合模擬 結(jié)果的值。
下面，說明反F天線10的短路棒12的位置和電阻值的關(guān)系。
圖4是表示反F天線的短路棒的位置和電阻值的關(guān)系的圖。圖中的 橫軸表示圖1中的短路棒12的位置(間隔x)，縱軸表示反F天線的電阻 值Rap。另外，圖中的曲線表示具有在圖1中說明的大小的反F天線10 在電波頻率為950MHz時的模擬結(jié)果。
例如，在IC芯片20的電阻值為12500Q時，根據(jù)圖中的模擬結(jié)果可 知，如果將x的值設(shè)定為大約20mm，則可以實現(xiàn)阻抗匹配。并且，例如 在IC芯片20的電阻值為17500Q時，根據(jù)圖中的模擬結(jié)果可知，如果將 x的值設(shè)定為大約25mm，則可以實現(xiàn)阻抗匹配。
另外，如圖3、 4所示，反F天線IO的電容值和電阻值分別根據(jù)短 路棒12的位置而變化。因此，不僅要使電容值和電阻值中的一方的值一 致，也需要考慮電容值和電阻值雙方的模擬結(jié)果值來確定短路棒12的位 置。并且，在實際將RFID標簽粘貼在金屬上時，電阻值與模擬情況相比 有時也會產(chǎn)生很大變化，所以需要根據(jù)粘貼RHD標簽的金屬來調(diào)整電阻 值。
下面，說明將圖1中的RPID標簽粘貼在覆銅板上時的、反F天線 10的短路棒12的位置與電容值、電阻值及電波的飛射距離的關(guān)系。
圖5是將反F天線粘貼在覆銅板上的立體圖。在圖中，在覆銅板52 上粘貼有RFID標簽51。 RFID標簽51是圖1所示的RFID標簽，具有反 F天線10和薄膜30。覆銅板52具有長方形的形狀，具有205mmxl30mni 的大小。
圖6是說明反F天線的短路棒的位置與電容值、電阻值和電波的飛 射距離的關(guān)系的圖。圖中的表61表示使粘貼在圖5所示覆銅板52上的 RFID標簽51以913MHz電波進行無線通信時的實測值。
如表61所示，在短路棒12的位置(間隔x)為20mm時，反F天 線10的電容值Ccp的實測值為1.28pF，電阻值為3264Q。電波的飛射距 離為190cm。在短路棒12的位置為25mm時，反F天線10的電容值Ccp 的實測值為1.10pF，電阻值為3242Q。電波的飛射距離為140cm。在短 路棒12的位置為30mm時，反F天線10的電容值Ccp的實測值為0.79pF， 電阻值為3772Q。電波的飛射距離為80cm。下面，說明將RFID標簽粘貼在筆記本式PC上時的電波的飛射距離。
圖7是表示將圖1所示的RFID標簽粘貼在筆記本式PC的液晶背面 上的狀態(tài)的立體圖。在圖中，在筆記本式PC71的液晶屏背面72上粘貼 有RFID標簽51 。 RFID標簽51是圖1所示的RFID標簽，具有反F天 線10和薄膜30。另夕卜，反F天線10的短路棒12的位置為20mm。這樣， 在筆記本式PC 71的液晶屏背面72上粘貼了 RFID標簽51時，電波的飛 射距離為140cm。圖8是表示將圖1所示的RFID標簽粘貼在筆記本式PC的指紋傳感 器旁邊的狀態(tài)的立體圖。在圖中，在筆記本式PC71的指紋傳感器73旁 邊粘貼有RFID標簽51 。 RFID標簽51是圖1所示的RFID標簽，具有反 F天線10和薄膜30。另外，反F天線10的短路棒12的位置為20mm。 這樣，在筆記本式PC 71的指紋傳感器73旁邊粘貼了 RFID標簽51時， 電波的飛射距離為140cm。
下面，說明基于頻率的反F天線10的阻抗變化。
圖9是表示反F天線的史密斯圓圖的模擬的圖。圖(A)表示短路 棒的位置為20mm時的阻抗變化。在使頻率從800MHz變化為l.lGHz 時，阻抗按照圖(A)中的箭頭所示變化。圖(B)表示短路棒的位置為 25mm時的阻抗變化。在使頻率從800MHz變化為l.lGHz時，阻抗按照 圖(B)中的箭頭所示變化。圖(C)表示短路棒的位置為30mm時的阻 抗變化。在使頻率從800MHz變化為l.lGHz時，阻抗按照圖(C)中的 箭頭所示變化。
圖IO是表示反F天線的史密斯圓圖的實測值的圖。圖(A)表示短 路棒的位置為20mm時的阻抗變化。在使頻率從800MHz變化為l.lGHz 時，阻抗按照圖(A)中的箭頭所示變化。圖(B)表示短路棒的位置為 25mm時的阻抗變化。在使頻率從800MHz變化為l.lGHz時，阻抗按照 圖(B)中的箭頭所示變化。圖(C)表示短路棒的位置為30mm時的阻 抗變化。在使頻率從800MHz變化為l.lGHz時，阻抗按照圖(C)中的 箭頭所示變化。圖IO所示的阻抗的實測值表現(xiàn)出與圖9所示的模擬大致 相同的變化。
但是，優(yōu)選使反F天線10的阻抗的變化較小。這是因為如果阻抗根
據(jù)頻率而發(fā)生較大變化，則難以實現(xiàn)與IC芯片20的電容值的匹配。圖1 所示的反F天線10如圖9、 IO所示，阻抗的變化較小，所以容易實現(xiàn)與 IC芯片20的阻抗的匹配。并且，由于基于頻率的阻抗變化較小，所以能 夠擴大使用的電波的頻帶。
下面，說明將圖1所示RFID標簽粘貼在金屬框體上時的反F天線 IO的特性變化。
圖11是被粘貼在作為特性變化的模型的金屬框體上的RFID標簽的 立體圖。圖中示出的金屬框體81是鐵制品，具有70mmxl00mmx5mm的 大小。金屬框體81的導(dǎo)電率是lxl07S/m。 RFID標簽51是圖1所示的 RFID標簽，具有反F天線10和薄膜30。短路棒12的位置為35mm。薄 膜30的厚度為0.2mm，反F天線10處于從金屬框體81浮起0.2m的狀 態(tài)。
圖12是表示RFID標簽單體和粘貼在金屬框體上時的頻率與電容值 的關(guān)系的圖。圖中實線表示圖11所示的RFID標簽51單體的頻率和電容 值的關(guān)系。圖中虛線表示將圖11所示的RFID標簽51粘貼在金屬框體 81上時的頻率和電容值的關(guān)系。如圖所示，通過將RFID標簽51粘貼在 金屬框體81上，電容值在所有頻率下大約上升0.085pF。
圖13是表示KFID標簽單體和粘貼在金屬框體上時的頻率與增益的 關(guān)系的圖。圖中實線表示圖11所示的RJFID標簽51單體的頻率和增益的 關(guān)系。圖中虛線表示將圖11所示的RFID標簽51粘貼在金屬框體81上 時的頻率和增益的關(guān)系。如圖所示，通過將RFID標簽51粘貼在金屬框 體81上，增益在一部分頻率下上升。
這樣，通過將RFID標簽51粘貼在金屬框體81上，阻抗和增益變 化，所以如果能夠?qū)崿F(xiàn)適合于粘貼對象的金屬框體的設(shè)計，則可以進一 步延長電波的飛射距離。
下面，說明某個IC芯片通過半波折疊偶極天線進行無線通信時的飛 射距離為2.15m時，將該IC芯片應(yīng)用于圖1所示RFID標簽時的飛射距 離的預(yù)測情況。
圖14是表示某個IC芯片通過半波折疊偶極天線進行無線通信時的
飛射距離為2.15m時，將該IC芯片應(yīng)用于圖1所示RFID標簽時的增益 的圖。在將通過半波折疊偶極天線進行無線通信時的飛射距離為2.15m 的IC芯片應(yīng)用于圖1所示RFID標簽時，反F天線10的增益如圖所示。 另外，圖中的，表示反F天線10的短路棒12的位置為20mm時的增益， 圖中的o表示反F天線10的短路棒12的位置為25mm時的增益，圖中的 △(在圖中表示為黑三角)表示反F天線10的短路棒12的位置為30mm 時的增益，圖中的x表示反F天線10的短路棒12的位置為35mm時的增 仏
如圖所示，在950MHz下，增益下降大約-2.2dBi -1.3dBi。短路棒 12的位置為25mm時下降-2.0dBi。
由于半波折疊偶極天線的增益是2dBi，所以在圖1所示的RFID標 簽中，相對半波折疊偶極天線的增益下降-4dBi。因此，10—a4x2.15 —l.lm， 當(dāng)將半波折疊偶極天線中飛射距離為2.15m的IC芯片搭載于圖1所示的 RFID標簽上時，可以預(yù)測飛射距離為l.lm。
下面，說明RFID標簽的指向性。
圖15是說明RFID標簽的指向性的圖。RFID標簽如圖所示被配置 在x-y坐標平面上。另外，圖中的RFID標簽為圖l所示的RFID標簽。
圖16是表示圖15所示RFID標簽的指向性的圖。圖15所示的RJFID 標簽如圖16所示，相比y軸方向，在x軸方向具有指向性。
這樣，由于在薄膜30上形成平面狀的反F天線10，所以較薄且具 有撓性，可以粘貼在金屬框體的曲面上使用。并且，由于結(jié)構(gòu)簡單，可 以降低制造成本。
并且，薄膜30被粘貼成使形成的反F天線10的放射元件11、短路 棒12和供電部13從金屬突出，由此即使粘貼在金屬上也能夠通信。
另外，在將RPID標簽粘貼在金屬之外的物體上時，不需要進行使 放射元件11、短路棒12和供電部13的部分突出的粘貼。
下面，參照附圖具體說明本發(fā)明的第2實施方式。在第1實施方式 中，如在圖1中說明的那樣，供電部13與放射元件11的一端連接，短
路棒12位于放射元件11的兩端之間。在第2實施方式中，短路棒12與
放射元件11的一端連接，供電部13位于放射元件11的兩端之間。
圖17是第2實施方式涉及的RFID標簽的俯視圖。RFID標簽如圖 所示由反F天線90、 IC芯片100和薄膜110構(gòu)成。反F天線90例如利 用金屬箔構(gòu)成，粘貼在薄膜110上。另外，在圖17中，示出該RFID標 簽例如粘貼在電子設(shè)備的金屬框體120上。
反F天線90由放射元件91、供電部92、短路棒93和接地底板94 構(gòu)成。放射元件91形成為與接地底板94的一邊相同的長度并與其并行， 一端連接到短路棒93，另一端敞開。并且，在放射元件91的兩端之間設(shè) 有供電部92。在供電部92和接地底板94之間安裝著IC芯片100， IC芯 片100通過反F天線卯例如以953MHz的UHF頻帶的電波與讀寫器進 行無線通信。IC芯片100寫入從讀寫器接收的數(shù)據(jù)，并且將所讀出的數(shù) 據(jù)發(fā)送給讀寫器。
形成有反F天線90的薄膜110被粘貼成使放射元件91、供電部92 和短路棒93從金屬框體120突出(從金屬框體120上離開)?？梢岳?雙面膠帶將RFID標簽粘貼到金屬框體上，也可以利用粘接劑粘貼。另夕卜， 在圖中，使接地底板94的設(shè)有供電部92和短路棒93的一邊與金屬框體 120的一邊一致地來粘貼薄膜110，使放射元件91、供電部92和短路棒 93從金屬框體120突出。這樣，通過使放射元件91、供電部92和短路 棒93不與金屬框體120重疊，可以與讀寫器進行電波的收發(fā)。
供電部92和短路棒93的間隔x根據(jù)IC芯片100的阻抗來確定。即， 供電部92的位置被確定為使得與IC芯片100的阻抗相匹配。另外，薄 膜110的大小與反F天線90的外框相同或比其大，以便將反F天線90 形成在薄膜110上。
反F天線90、薄膜110的材料、制造方法與在圖1中說明的情況相 同，所以省略其說明。
下面，說明基于頻率的反F天線90的阻抗變化。
圖18是表示反F天線的史密斯圓圖的模擬的圖。圖(A)表示短路 棒的位置為20mm時的阻抗變化。在使頻率從800MHz變化為l.lGHz
時，阻抗按照圖(A)中的箭頭所示變化。圖(B)表示短路棒的位置為
25mm時的阻抗變化。在使頻率從800MHz變化為1.1 GHz時，阻抗按照 圖(B)中的箭頭所示變化。
另外，如圖18所示，圖17的反F天線90的阻抗的變化大于圖1的 反F天線10。因此，圖17的反F天線90相比圖1的反F天線10，更難 以實現(xiàn)阻抗的匹配。并且，由于基于頻率的阻抗變化大，所以圖17的反 F天線卯相比圖1的反F天線，所使用的電波的頻帶較窄。
這樣，在短路棒93位于放射元件91的一端，供電部92位于放射元 件91的兩端之間時，RFID標簽也能夠粘貼在金屬框體120上進行無線 通信。
另外，在將RFID標簽粘貼在金屬之外的物體上時，不需要使放射 元件11、短路棒12和供電部13的部分突出來進行粘貼。
以上僅示出了本發(fā)明的原理。另外，本行業(yè)人員可以實現(xiàn)多種變形、 變更，本發(fā)明不限于以上示出并說明的準確結(jié)構(gòu)及應(yīng)用示例，所有對應(yīng) 的變形例和等同物都應(yīng)該視為基于所附權(quán)利要求及其等同物的本發(fā)明的 范圍。
權(quán)利要求
1.一種可以粘貼在金屬上的射頻識別標簽，其特征在于，該射頻識別標簽具有薄膜；在所述薄膜上形成為平面狀的反F天線，所述薄膜被粘貼成使形成的所述反F天線的放射元件、短路棒和供電部從所述金屬突出。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標簽，其特征在于，所述供電部 形成于所述放射元件的一端，所述短路棒形成于所述放射元件的兩端之 間。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的射頻識別標簽，其特征在于，確定所述短 路棒的位置，以使得與所安裝的半導(dǎo)體裝置的阻抗相匹配。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的射頻識別標簽，其特征在于，所述短路棒 形成于所述放射元件的一端，所述供電部形成于所述放射元件的兩端之 間。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的射頻識別標簽，其特征在于，確定所述供 電部的位置，以使得與所安裝的半導(dǎo)體裝置的阻抗相匹配。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標簽，其特征在于，所述反F天線通過印刷而被形成在所述薄膜上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標簽，其特征在于，所述反F天線由金屬箔形成，并粘貼在所述薄膜上。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標簽，其特征在于，通過蒸鍍而 在所述薄膜上形成所述反F天線。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標簽，其特征在于，通過對層疊 在所述薄膜上的金屬進行蝕刻而形成所述反F天線。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的射頻識別標簽，其特征在于，所述薄膜 由聚對苯二甲酸乙二醇酯構(gòu)成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種射頻識別標簽，其較薄且具有撓性，即使粘貼在金屬上也能夠進行通信，而且制造成本低。反F天線(10)具有放射元件(11)、短路棒(12)、供電部(13)和接地底板(14)，并且在薄膜(30)的表面上形成為平面狀。薄膜(30)例如是聚對苯二甲酸乙二醇酯等的絕緣膜，被粘貼成使形成于其表面上的反F天線(10)的放射元件(11)、短路棒(12)和供電部(13)從電子設(shè)備等的金屬框體(40)突出。
文檔編號H01Q1/38GK101208827SQ20058005027
公開日2008年6月25日 申請日期2005年6月28日 優(yōu)先權(quán)日2005年6月28日
發(fā)明者山雅城尚志, 甲斐學(xué), 馬庭透 申請人:富士通株式會社