專利名稱：堆疊型半導(dǎo)體器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明系有關(guān)一種讓復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體器件內(nèi)裝于1個封裝內(nèi)的堆疊 型半導(dǎo)體器件及其制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，移動式電話機般的攜帶型電子機器或ic記憶卡般的非揮發(fā)性記憶媒體等產(chǎn)品更加小型化，該些機器和媒體的零件數(shù)的削減及 零件的小型化一直被要求著。因此，有效率地封裝構(gòu)成該些機器的零件中為主要零件的半導(dǎo)體 元件的技術(shù)的開發(fā)一直被冀求著。做為滿足上述要求的封裝技術(shù)系己知有，和半導(dǎo)體元件相同程度大小的封裝的晶片尺寸封裝(Chip Scale package ; CSP)、將復(fù)數(shù)個半導(dǎo) 體元件收容至l封裝內(nèi)的多晶片封裝(Multi Chip Package; MCP)、以及 堆疊封裝(Package on Package; PoP)所代表的將復(fù)數(shù)個封裝形成為一個 的堆疊型封裝。于圖1顯示多晶片封裝(MCP)的構(gòu)造，于圖2顯示堆疊 封裝(PoP)的構(gòu)造。堆疊封裝(PoP)系如圖2所示，下封裝和上封裝系藉 焊球而電性連接，而下封裝的樹脂封裝部系以使用金屬的模封成形方 式來形成。在欲將復(fù)數(shù)個半導(dǎo)體元件(裸晶片；bare chip)做成1個封裝時，從 于晶圓內(nèi)制成的半導(dǎo)體元件的良率來看，讓復(fù)數(shù)個封裝一體化的復(fù)合 型封裝在良率方面系比復(fù)數(shù)個晶片直接堆疊而一體化的多晶片封裝 (MCP)還有利。這是因為相對于前者只要存在有一個不良晶片，封裝全 體便為不良而無法再度利用良品晶片，而后者則只要組合良品的封裝 即可封裝化。專利文獻(xiàn)1系提案有復(fù)合型封裝的一種形態(tài)，是讓封裝中內(nèi)裝有 封裝的封裝中的封裝(Package in Package; PiP)構(gòu)造的半導(dǎo)體器件。系 如圖3所示，為一讓封裝內(nèi)裝有經(jīng)過測試步驟而為良品的附有焊球6 的封裝(內(nèi)裝半導(dǎo)體器件IO)者，于內(nèi)裝封裝的上裝載晶片9，并通過引 線3和中繼襯底4接合的構(gòu)成。專利文獻(xiàn)1:日本專利公開公報特開2003-282814號公報
發(fā)明內(nèi)容
(發(fā)明所欲解決的課題)然而，當(dāng)讓封裝內(nèi)裝附有焊球的封裝時，會發(fā)生以下制造上的問 題點。第一問題點，內(nèi)裝于半導(dǎo)體器件內(nèi)的半導(dǎo)體器件系在襯底上藉 焊錫凸塊(solderbump)而安裝。此時，由于半導(dǎo)體器件和襯底的間隙窄至數(shù)十微米左右，所以當(dāng)在封裝步驟時將密封樹脂填充至該間隙時， 就容易產(chǎn)生未填充或空隙(void)。雖然可以預(yù)先將其他的樹脂(底部填充 材料；underfill material)供給至間隙，但總體來說，難以確保既低成本 且穩(wěn)定的品質(zhì)。第二問題點，從襯底傳導(dǎo)至半導(dǎo)體器件的主要的熱傳導(dǎo)路徑被限 制于間隙中的焊錫凸塊。特別是當(dāng)襯底和內(nèi)裝封裝上的引線連接襯墊 的距離變大時，從襯底而來的熱便變得難以傳導(dǎo)至襯墊，且難以確保 打線接合(wire bonding)所需要的溫度。此外，在2個半導(dǎo)體元件上分別設(shè)置中繼襯底并做打線接合的構(gòu) 成系難以將封裝全體變薄。本發(fā)明乃有鑒于上述問題而研創(chuàng)者，其目的在于提供一既低成本 且具有穩(wěn)定品質(zhì)的堆疊型半導(dǎo)體器件及其制造方法。 (解決課題的手段)為了達(dá)成上述目的，本發(fā)明的堆疊型半導(dǎo)體器件系具備下述構(gòu)成， 半導(dǎo)體元件，裝載于襯底上；第一密封樹脂，用以密封上述半導(dǎo)體元件；內(nèi)裝半導(dǎo)體器件，配置于上述第一密封樹脂上；以及第二密封樹脂，形成于上述襯底上，用以密封第一密封樹脂所密 封的上述半導(dǎo)體元件和上述內(nèi)裝半導(dǎo)體元件；上述半導(dǎo)體元件和上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件通過接合線電性連接于上 述襯底的構(gòu)成。在其為如此的封裝構(gòu)造的情況，由于在內(nèi)裝半導(dǎo)體器 件和襯底的間不存在有焊錫凸塊等的外部連接端子，所以能夠容易地 進(jìn)行以第二密封樹脂所做的密封。并且，由于內(nèi)裝半導(dǎo)體器件系直接 配置于第一密封樹脂上，所以熱傳導(dǎo)路徑比習(xí)知更為寬廣，以打線接 合方式進(jìn)行的配線作業(yè)能夠穩(wěn)定實現(xiàn)。在上述構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件中，上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件配置于 上述第一密封樹脂的頂面上，且具有面積和該頂面的面積相同或較小。 由于內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的面積系和其下面的第一密封樹脂的頂面的面積 相同或較小，所以從第一密封樹脂而來的熱便容易傳導(dǎo)，而能夠容易 地進(jìn)行打線接合。在上述構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件中，上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件是半導(dǎo) 體元件或封裝了該半導(dǎo)體元件的封裝較佳。使用不具有半導(dǎo)體元件或 中繼襯底的半導(dǎo)體器件做為內(nèi)裝半導(dǎo)體器件，便減少襯底的使用數(shù)目， 能夠有助于封裝成本的降低。在上述構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件中，上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的上面 具備有平坦形狀的電極，且上述接合線連接至該電極較佳。讓內(nèi)裝半 導(dǎo)體器件具有平坦的電極，便容易使第一密封樹脂上的內(nèi)裝半導(dǎo)體器 件和襯底以接合線做連接。此外，藉由該電極系位于第一密封樹脂的 正上方位置，而有打線接合條件，特別是荷重和溫度條件的容許范圍 變大的優(yōu)點。在上述構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件中，上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的電極 的表層含有鋁、鈀、錫中的任一種做作為材料較佳。由于內(nèi)裝半導(dǎo)體 器件的電極的表層含有鋁、鈀、錫的任一種作為材料，所以能夠以打 線接合方式進(jìn)行襯底和內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的電性連接。在上述構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件中，上述第一密封樹脂和上述內(nèi) 裝半導(dǎo)體器件通過膠或具有薄膜形態(tài)的導(dǎo)電性接著劑接合較佳。藉由在接著劑中使用導(dǎo)電性材料，內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的升溫便變得容易，能 夠防止打線接合時接合不良等情形的發(fā)生。尤其是，藉由使用薄膜狀 接著劑而能夠極力確保半導(dǎo)體器件的平行度。在上述構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件中，上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件具備有 再配置配線層較佳。以再配置配線層進(jìn)行連接，便使打線接合變得容 易。本發(fā)明的堆疊型半導(dǎo)體器件的制造方法含有將半導(dǎo)體元件裝載
于襯底上，且通過引線電性連接上述襯底和上述半導(dǎo)體元件的步驟； 以第一密封樹脂密封上述半導(dǎo)體元件的步驟；將內(nèi)裝半導(dǎo)體器件裝載 于上述第一密封樹脂的頂面的步驟；通過引線電性連接上述襯底和上 述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的步驟；以及以第二密封樹脂將上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器 件和上述半導(dǎo)體元件密封于上述襯底上的步驟。在其為如此的封裝構(gòu) 成的情況，由于在內(nèi)裝半導(dǎo)體器件和襯底的間不存在有焊錫凸塊等的 外部連接端子，所以能夠容易地進(jìn)行以第二密封樹脂所做的密封。并 且，由于內(nèi)裝半導(dǎo)體器件系直接配置于第二密封樹脂上，所以熱傳導(dǎo) 路徑比習(xí)知更為寬廣，以打線接合方式進(jìn)行的配線作業(yè)能夠穩(wěn)定實現(xiàn)。 此外，由于內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的面積系和其下面的第一密封樹脂的頂面 的面積相同或較小，所以從第一密封樹脂而來的熱便容易傳導(dǎo)，而能 夠容易地進(jìn)行打線接合。 (發(fā)明的效果)本發(fā)明能夠提供一低成本且具有穩(wěn)定品質(zhì)的堆疊型半導(dǎo)體器件及 其制造方法。


圖1系顯示習(xí)知的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的剖視圖，系顯示多 晶片封裝(MCP)的構(gòu)成的圖。圖2系顯示習(xí)知的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的剖視圖，系顯示堆 疊封裝(PoP)的構(gòu)成的圖。圖3系顯示習(xí)知的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的剖視圖，系顯示封 裝中的封裝(PiP)的構(gòu)成的圖。圖4系顯示本發(fā)明的第一實施例，系顯示內(nèi)裝半導(dǎo)體器件為半導(dǎo) 體元件的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)造的圖。圖5系顯示圖4所示的第一實施例的變化例的圖。圖6系顯示圖4所示的堆疊型半導(dǎo)體器件的制造步驟的流程圖。圖7系顯示在圖4所示的堆疊型半導(dǎo)體器件的制造過程中的構(gòu)造 的圖。圖8系顯示本發(fā)明的第二實施例，系顯示內(nèi)裝半導(dǎo)體元件為以半 導(dǎo)體元件所構(gòu)成且以金屬模成型密封樹脂的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成 的圖。圖9系顯示本發(fā)明的第三實施例，系顯示內(nèi)裝半導(dǎo)體元件為以半 導(dǎo)體元件所構(gòu)成且引線系以逆向接合方式進(jìn)行的堆疊型半導(dǎo)體器件的 構(gòu)成的圖。圖IO系顯示本發(fā)明的第四實施例，系顯示由堆疊了兩個內(nèi)裝半導(dǎo) 體器件的半導(dǎo)體元件所構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的圖。圖11系顯示本發(fā)明的第五實施例，系顯示內(nèi)裝半導(dǎo)體元件為樹脂 密封型封裝的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的圖。圖12系顯非本發(fā)明的第六實施例，系顯示內(nèi)裝半導(dǎo)體元件為以樹 脂密封型封裝所構(gòu)成且密封樹脂為金屬模成型的堆疊型半導(dǎo)體器件的 構(gòu)成的圖。圖13系顯示本發(fā)明的第七實施例，系顯示內(nèi)裝半導(dǎo)體元件為以樹 脂密封型封裝所構(gòu)成且引線系以逆向接合方式設(shè)置的堆疊型半導(dǎo)體器 件的構(gòu)成的圖。圖14系顯示本發(fā)明的第八實施例，系顯示內(nèi)裝半導(dǎo)體元件為晶圓 級CSP的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成的圖。 符號說明2模封樹脂 4中繼襯底(襯底) 6焊球 8端子 11電極襯墊 13第二密封樹脂 16第一晶片10、 18內(nèi)裝半導(dǎo)體器件(上側(cè)封裝) 20下側(cè)封裝1半導(dǎo)體元件 3、 15引線 5晶片接合材料 7中間焊球 9晶片12第一密封樹脂 14導(dǎo)電性接著劑 17第二晶片 19電極 21再配置配線層具體實施方式
接著， 一邊參照附圖一邊針對用以實施本發(fā)明的最佳形態(tài)做說明。 實施例1 首先， 一邊參照圖4 一邊針對本發(fā)明的第一實施例的構(gòu)成做說明。 圖4所示的第一實施例系內(nèi)裝有做為內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的半導(dǎo)體元件的 球閘陣列型(ball grid array; BGA)堆疊型半導(dǎo)體器件。于封裝內(nèi)系堆疊 有下側(cè)封裝20和做為內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的晶片9。下側(cè)封裝20，其裝載 于襯底4的半導(dǎo)體元件1系以第一密封樹脂密封。晶片9系以導(dǎo)電性 接著劑14接合于該第一密封樹脂12上。還有，半導(dǎo)體元件1系隔著 晶片接合材料5而裝載于襯底4上，且通過引線和襯底4上的電極19 連接。下側(cè)封裝20系以金屬模成型方式成型為梯形狀。S卩，和襯底4平 行的切斷面的面積系隨著遠(yuǎn)離襯底4而變小。晶片9系積載于該梯形 狀的第一密封樹脂12上。晶片9的面積是和第一密封樹脂12的頂面 的面積相同或較小。于第5圖顯示晶片9的面積比第一密封樹脂12的 面積較小時的情形。由于晶片9的面積系和其下面的第一密封樹脂12 的頂面的面積相同或較小，所以從第一密封樹脂12而來的熱便容易傳 導(dǎo)，而能夠比較容易地進(jìn)行連接晶片9和襯底4的引線的接合 (bonding)。第一密封樹脂12和晶片9系以導(dǎo)電性接著劑14來接著。該導(dǎo)電 性接著劑14系由膠或具有薄膜的形態(tài)導(dǎo)電性材料所形成。藉由在接著 劑中使用導(dǎo)電性材料，晶片9的升溫變得容易，能夠防止打線接合時 接合不良等情形的發(fā)生。做為該導(dǎo)電性材料，可列舉銀膠等的環(huán)氧類 接著劑或硅類接著劑等。尤其是，當(dāng)在第一密封樹脂12上讓復(fù)數(shù)個晶 片9或封裝堆疊時，為了極力確保各晶片9或封裝的平行度，最好使 用薄膜狀接著劑。當(dāng)如此般將晶片9裝載于第一密封樹脂12時， 一般在電極襯墊11 使用鋁。此外，因電極襯墊11系位于第一密封樹脂12的正上方，而有打 線接合條件，特別是荷重和溫度條件的容許范圍變大的優(yōu)點。堆疊了下側(cè)封裝20和晶片9的半導(dǎo)體器件系以第二密封樹脂13 密封。于襯底4的背面?zhèn)认敌纬捎泻盖?。圖4所示的堆疊型半導(dǎo)體器 件系以大尺寸模成型方式進(jìn)行樹脂成型。即，將堆疊了下側(cè)封裝20和 晶片9的半導(dǎo)體器件配置復(fù)數(shù)個于襯底4上，在完成襯底4和半導(dǎo)體
器件的電性連接后匯整此等而進(jìn)行模封成型，最后將其切割成單片。在其為如此的封裝構(gòu)造的情況，由于在做為內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的晶片9和襯底4的間不存在焊球等的外部連接端子的間隙，所以以第二 密封樹脂13進(jìn)行的成型變得比較容易。并且，由于第一密封樹脂12 和做為內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的晶片9系以直接張貼的形式做接合，所以熱 傳導(dǎo)路徑比習(xí)知更為寬廣，能夠穩(wěn)定進(jìn)行打線接合。并且，由于下側(cè) 的半導(dǎo)體元件i和上側(cè)的半導(dǎo)體元件9系對共通的中繼襯底4進(jìn)行打線接合，所以能夠降低封裝全體的高度。在此， 一邊參照圖6和圖6 —邊說明上述堆疊型半導(dǎo)體器件的制 造步驟。于圖6系顯示制造步驟的流程，于圖7系顯示在制造階段中 的構(gòu)成。首先，制造下側(cè)封裝20(步驟S1)。將半導(dǎo)體元件l裝載于襯 底4上，以打線接合方式進(jìn)行襯底4和半導(dǎo)體元件1的電性連接，以 第一密封樹脂部12密封半導(dǎo)體元件1。于圖7(A)顯示下側(cè)封裝20。接著，將導(dǎo)電性接著劑14涂布于第一密封樹脂12上(步驟S2)， 將晶片9裝載于第一密封樹脂12上(步驟S3)。晶片9的面積是和第一 密封樹脂12的頂面的面積相同或較小。以打線接合方式進(jìn)行該晶片9 和襯底4的連接(步驟S3)。于圖7(B)系顯示于第一密封樹脂12上涂布 導(dǎo)電性接著劑后的狀態(tài)，于圖7(C)系顯示將晶片9裝載于第一密封樹 脂12上進(jìn)行打線接合后的狀態(tài)。接著，以第二密封樹脂13密封通過第一密封樹脂12所密封的半 導(dǎo)體元件1和晶片9 (步驟S4)，將外部連接用的焊球6連接于襯底4 的背面?zhèn)?。于圖7(D)顯示上述狀態(tài)。最后，匯整復(fù)數(shù)個進(jìn)行模封成型， 將成型后的堆疊型半導(dǎo)體器件切割成單片(步驟S5)，完成如圖7(E)顯 示的堆疊型半導(dǎo)體器件。實施例2于圖8顯示第二實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成。于圖8顯示 的第二實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件是使用半導(dǎo)體元件做為內(nèi)裝半導(dǎo)體 元件，且以金屬模成型第二密封樹脂13后的堆疊型半導(dǎo)體器件。如此 構(gòu)造的堆疊型半導(dǎo)體器件亦能夠得獲得和上述第一實施例相同的效 果。實施例3
于圖9顯示第三實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成。于圖9顯示 的第三實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件是使用半導(dǎo)體元件做為內(nèi)裝半導(dǎo)體 元件，且將連接晶片9的電極襯墊11和襯底4上的電極19的引線15 以逆向接合(reverse bonding)方式連接的堆疊型半導(dǎo)體器件。逆向接合 為將第一接合和第二接合反過來進(jìn)行的接合方法，第一接合系于襯底4 側(cè)進(jìn)行，第二接合系于晶片9側(cè)進(jìn)行。由于引線15系以大致平行于襯 底4來配線，所以能夠降低封裝本身的高度。實施例4于圖10顯示第四實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成。于圖10顯 示的第四實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件是由堆疊了兩個內(nèi)裝半導(dǎo)體器件 的半導(dǎo)體元件所構(gòu)成的堆疊型半導(dǎo)體器件。如圖10所示，將第一晶片 16和第二晶片17堆疊于下側(cè)封裝20上。第一晶片16和第二晶片17 的連接亦以導(dǎo)電性接著劑14來連接。如此構(gòu)造的堆疊型半導(dǎo)體器件亦 能夠得獲得和上述第一實施例相同的效果。實施例5于圖11顯示第五實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成。于圖11顯 示的第五實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件系內(nèi)裝半導(dǎo)體器件為樹脂密封型 的堆疊型半導(dǎo)體器件。上側(cè)封裝18亦具備于襯底4上以第一密封樹脂 12密封配置有半導(dǎo)體元件1者的構(gòu)成。將下側(cè)封裝20的第一密封樹脂 12和上側(cè)封裝18的第一密封樹脂12面對面以相對向，以導(dǎo)電性接著 劑14予以貼合。下側(cè)封裝20或上側(cè)封裝18的密封樹脂型封裝系能夠 使用其上面具有電極的一切構(gòu)造的封裝。但，為了謀求封裝的小型化， 較宜為晶片尺寸級封裝。如此藉由使用不具有晶片9或中繼襯底的封 裝，和習(xí)知相較，即能夠減少襯底的使用數(shù)目，能夠有助于封裝成本 的降低。當(dāng)將封裝裝載于下側(cè)封裝20上時，電極襯墊11最好為以電鍍方 式來形成。此時，常使用金、鈀、錫(焊錫)等材料。此外，亦可為例如 和銅或鎳等的電鍍層組合的復(fù)數(shù)層構(gòu)成做為電極襯墊11的層構(gòu)成。此 外，在將BGA或晶片尺寸封裝(CSP)設(shè)置于下側(cè)封裝20上時，并非設(shè)置有損如焊球等的非平坦形狀的外部電極等，而是具有平坦形狀的電 極襯墊11系配置于上面，如此便能夠進(jìn)行襯底4和電極襯墊11的打
線接合。實施例6于圖12顯示第六實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成。于圖12顯 示的第六實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件是以逆向接合方式形成用以連接 上側(cè)封裝18和襯底4的引線15者。如此構(gòu)造的堆疊型半導(dǎo)體器件亦 能夠得獲得和上述實施例相同的效果。實施例7于圖13顯示第七實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成。于圖13顯 示的第七實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件是實施例5的第二密封樹脂13系 以金屬模成型方式形成為梯形狀的堆疊型半導(dǎo)體器件。實施例8于圖14顯示第八實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件的構(gòu)成。于圖14顯 示的第八實施例的堆疊型半導(dǎo)體器件系于上側(cè)封裝18具有再配置配線 層21。上側(cè)封裝18是例如晶圓級晶片尺寸封裝(CSP)，晶片表面?zhèn)认?以聚醯亞胺(polyiraide)絕緣層來密封，于相同面?zhèn)染哂型獠侩姌O。再配 置配線層21系形成于該絕緣層(第一密封樹脂)上。再配置配線層21系 由鍍銅所形成的柱的上面堆疊有鎳和鈀的金屬層。具備如此的再配置 配線層21來讓上側(cè)封裝18的外部電極的位置再配置，且設(shè)置平坦的 電極襯墊，使以打線接合方式進(jìn)行的連接作業(yè)變得更容易。上述實施例系本發(fā)明的較佳實施例，但并非限制于此，在未脫離 本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，仍可做各種的變化實施。
權(quán)利要求
1.一種堆疊型半導(dǎo)體器件，其特征在于，具有半導(dǎo)體元件，裝載于襯底上；第一密封樹脂，用以密封上述半導(dǎo)體元件；內(nèi)裝半導(dǎo)體器件，配置于上述第一密封樹脂上；以及第二密封樹脂，形成于上述襯底上，用以密封第一密封樹脂所密封的上述半導(dǎo)體元件和上述內(nèi)裝半導(dǎo)體元件；上述半導(dǎo)體元件和上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件通過接合線電性連接于上述襯底。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊型半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述 內(nèi)裝半導(dǎo)體裝置配置于上述第1密封樹脂的頂面上，且面積和該頂面 的面積相同或較小。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊型半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述 內(nèi)裝半導(dǎo)體器件是半導(dǎo)體元件或封裝了該半導(dǎo)體元件的封裝。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊型半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述 內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的上面具備有平坦形狀的電極，且上述接合線連接至 該電極。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的堆疊型半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述 內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的電極的表層含有鋁、鈀、錫中的任一種作為材料。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊型半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述 第一密封樹脂和上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件通過膠或具有薄膜形態(tài)的導(dǎo)電性 接著劑接合。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的堆疊型半導(dǎo)體器件，其特征在于，上述 內(nèi)裝半導(dǎo)體器件具備有再配置配線層。
8. —種堆疊型半導(dǎo)體器件的制造方法，其特征在于，包含 將半導(dǎo)體元件裝載于襯底上，且通過引線電性連接上述襯底和上述半導(dǎo)體元件的步驟；以第一密封樹脂密封上述半導(dǎo)體元件的步驟； 將內(nèi)裝半導(dǎo)體器件裝載于上述第一密封樹脂的頂面的步驟； 通過引線電性連接上述襯底和上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件的步驟；以及 以第二密封樹脂將上述內(nèi)裝半導(dǎo)體器件和上述半導(dǎo)體元件密封于上述襯底上的步驟。
全文摘要
本發(fā)明是以下構(gòu)成具有半導(dǎo)體元件(1)，裝載于襯底(4)上；第一密封樹脂(12)，用以密封半導(dǎo)體元件(1)；晶片(9)，配置于第1密封樹脂(12)上；以及第二密封樹脂(13)，用以密裝第一密封樹脂(12)所密封的半導(dǎo)體元件(1)和晶片(9)。在其為如此的封裝構(gòu)成的情況，由于在晶片(9)和襯底(4)的間不存在有焊錫凸塊等的外部連接端子，所以能夠容易地進(jìn)行以第二密封樹脂(13)所做的密封作業(yè)。并且，由于在第一密封樹脂(12)上直接配置有晶片(9)，所以熱傳導(dǎo)路徑比習(xí)知更為寬廣，且能夠穩(wěn)定實現(xiàn)通過打線接合方式所進(jìn)行的配線作業(yè)。
文檔編號H01L25/10GK101133493SQ20058004877
公開日2008年2月27日 申請日期2005年3月31日 優(yōu)先權(quán)日2005年3月31日
發(fā)明者小野寺正德, 河西純一, 目黑弘一 申請人:斯班遜有限公司;斯班遜日本有限公司