專利名稱：帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
寸的帶間隔、帶凸塊(spaced, bumped)部件結(jié)構(gòu)
背景技術(shù)：
在帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的制造中，常常必須以不依賴于焊球 尺寸的方式控制間隙尺寸。例如，在一個(gè)壓力傳感器應(yīng)用中，集成電 路芯片是鍵合在村底上的倒裝芯片(flip-chip)凸塊。芯片和襯底的 相對(duì)的表面 一般會(huì)被金屬化。襯底的另 一側(cè)的孔或凹槽在金屬化的表 面下面產(chǎn)生隔膜結(jié)構(gòu)，使得可以通過(guò)由于金屬化表面之間的間隙的尺 寸的變化導(dǎo)致的兩者之間的電容的變化，感測(cè)隔膜由于氣體或流體壓 力產(chǎn)生的移動(dòng)。還能夠在不使用所述孔或凹槽的情況下提供隔膜層。 在這種應(yīng)用中，希望具有相對(duì)較小的間隙，使得隔膜的非常小的移動(dòng) 可以很容易地被檢測(cè)到。但間隙尺寸一般由焊料凸塊的尺寸或直徑限 定，并且凸塊一般不小于80 120nm。這是因?yàn)?，芯片和襯底一般具 有不同的熱膨脹系數(shù)(CTE)，例如芯片是硅(3~5ppm/°C);襯底 是氧化鋁(6~8ppm/。C)。在溫度循環(huán)中產(chǎn)生的應(yīng)力一般要求焊料凸 塊尺寸大于約80~120|um。這只是需要以不依賴于凸塊尺寸的方式控 制間隙尺寸的一個(gè)例子。在其它情況下，CTE可能沒(méi)有差異，但所希 望的間隙尺寸可比凸塊尺寸大或小?？刂崎g隙尺寸的另 一 問(wèn)題涉及公 差。即，80~120nm的焊料凸塊例如一般具有土15nm的制造7>差；這例如在使用間隙尺寸和間隙尺寸的較小的變化以感測(cè)隔膜移動(dòng)時(shí)是不 可接受的條件。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供改進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的是，提供使得間隙不依賴于焊料凸塊尺寸的這 種改進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的是，提供其中間隙可比凸塊尺寸大或小的這種 改進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的是，提供減少制造公差對(duì)間隙的影響的這種改 進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的是，提供減少凸塊和支撐結(jié)構(gòu)公差對(duì)間隙公差 的影響的這種改進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的是，提供使得能夠容易地配準(zhǔn)(registration) 部件的這種改進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明的另一目的是，提供使得能夠容易地對(duì)部件定方向的這種 改進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。
本發(fā)明源自這樣一種實(shí)現(xiàn)，即，可以通過(guò)向具有由凸塊限定的第 一間隙的兩個(gè)隔開(kāi)的板中的至少一個(gè)提供包含用于限定尺寸與第一間 隙不同的第二間隙的升高平臺(tái)或凹槽中的一個(gè)的不規(guī)則部分，實(shí)現(xiàn)間 隙不依賴于凸塊尺寸的改進(jìn)的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。并且，實(shí)現(xiàn) 包含使用用于固定第二間隙的柱狀構(gòu)件和用于容納諸如焊料凸塊的凸 塊以設(shè)定比焊料凸塊小的第一間隙的溝道。 一般地，可以代替焊料凸 塊使用諸如印刷導(dǎo)電聚合物的高度可被控制的任何導(dǎo)電互連。
但是，其它實(shí)施例中的主題發(fā)明不需要實(shí)現(xiàn)所有這些目的，并且 其權(quán)利要求不應(yīng)限于能夠?qū)崿F(xiàn)這些目的的結(jié)構(gòu)或方法。
本發(fā)明的特征是一種帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，該帶間隔、帶凸 塊部件結(jié)構(gòu)包括第一板；與第一板隔開(kāi)第一間隙的第二板；和使這 些板互連并限定第一間隙的多個(gè)焊料凸塊。這些板中的至少一個(gè)具有包含用于限定尺寸與第一間隙不同的第二間隙的升高平臺(tái)和凹槽中的 一個(gè)的不規(guī)則部分。
在優(yōu)選的實(shí)施例中，這些板中的一個(gè)可包含具有升高平臺(tái)的不規(guī) 則部分，并且第二間隙比第一間隙小。這些板中的一個(gè)可包含具有凹 槽的不規(guī)則部分，并且第二間隙可比第一間隙大。這些板中的每一個(gè) 可具有升高平臺(tái)或凹槽。這些板中的一個(gè)可具有升高平臺(tái)，其它的具 有凹槽。凸塊可在不規(guī)則部分外面。凸塊可在不規(guī)則部分里面。凸塊 可圍繞不規(guī)則部分。這些板中的至少一個(gè)可包含用于部分容納凸塊的 凹陷部分。這些板可包含導(dǎo)電板和襯底，并且，導(dǎo)電板和襯底可包含 氧化鋁。這些板可包含集成電路芯片和襯底。集成電路芯片可包含硅， 并且襯底可包含氧化鋁。第二間隙中的板的面對(duì)的表面可被金屬化。 這些板可包含構(gòu)成隔膜的接近第二間隙的阱部分。第二間隙中的金屬 化的面對(duì)的表面可實(shí)現(xiàn)電容傳感器。第二間隙中的金屬化的面對(duì)的表 面可被構(gòu)圖為實(shí)現(xiàn)一對(duì)耦合的電感器。可在不規(guī)則部分上的板之間具 有用于固定第二間隙的尺寸的多個(gè)柱狀構(gòu)件。
本發(fā)明的另一特征是一種帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，該帶間隔、
帶凸塊部件結(jié)構(gòu)包括第一板；與第一板隔開(kāi)第一間隙的第二板；這 些板中的至少一個(gè)中的溝道；和被設(shè)置在溝道中的多個(gè)焊料凸塊，用 于使板互連并限定比凸塊小的第 一 間隙。
在優(yōu)選實(shí)施例中，這些板中的至少一個(gè)可具有包含用于限定尺寸 與第一間隙不同的第二間隙的升高平臺(tái)和凹槽中的一個(gè)的不規(guī)則部 分。這些板中的一個(gè)可包含具有升高平臺(tái)的不規(guī)則部分，并且第二間 隙可比第一間隙小。這些板中的一個(gè)可包含具有凹槽的不規(guī)則部分， 并且第二間隙可比第 一 間隙大。這些板中的每一個(gè)可具有升高平臺(tái)。 這些板中的每一個(gè)可具有凹槽。這些板中的一個(gè)可具有升高平臺(tái)，另 一個(gè)可具有凹槽。凸塊可在不規(guī)則部分外面。凸塊可在不規(guī)則部分里 面。凸塊可圍繞不規(guī)則部分。這些板中的至少一個(gè)可包含用于部分容 納凸塊的凹陷部分。這些板可包含導(dǎo)電板和襯底，并且導(dǎo)電板和襯底 可包含氧化鋁。這些板可包含集成電路芯片和襯底。集成電路芯片可包含硅，并且襯底可包含氧化鋁。第二間隙中的板的面對(duì)的表面可被 金屬化。這些板可包含構(gòu)成隔膜的接近第二間隙的阱部分。第二間隙 中的金屬化的面對(duì)的表面可實(shí)現(xiàn)電容傳感器。第二間隙中的金屬化的 面對(duì)的表面可被構(gòu)圖為實(shí)現(xiàn)一對(duì)耦合的電感器?？稍诓灰?guī)則部分上的 板之間具有用于固定第二間隙的尺寸的多個(gè)柱狀構(gòu)件。


通過(guò)優(yōu)選實(shí)施例的以下說(shuō)明和附圖，本領(lǐng)域技術(shù)人員很容易想到 其它的目的、特征和優(yōu)點(diǎn)，在這些附圖中，
圖l是根據(jù)本發(fā)明的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)面截面
正視圖1A是表示被構(gòu)圖為形成耦合的導(dǎo)體的金屬化的頂視平面示意
圖2是與圖1類似的在不規(guī)則部分內(nèi)具有焊料凸塊的視圖3是與圖1類似的在溝道或溝壕(moat)內(nèi)具有焊料凸塊的視
圖4是具有環(huán)形溝道或溝壕的根據(jù)本發(fā)明的帶間隔、帶凸塊部件 結(jié)構(gòu)的示意性頂視平面圖5是具有兩個(gè)分開(kāi)的隔開(kāi)的溝道或溝壕的、根據(jù)本發(fā)明的帶間 隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的示意性頂視平面圖6是具有用于產(chǎn)生隔膜的不規(guī)則凹槽的、根據(jù)本發(fā)明的帶間隔、 帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視截面圖7是具有用于產(chǎn)生隔膜的接近不規(guī)則平臺(tái)的阱的、根據(jù)本發(fā)明 的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視剖面圖8是具有用于部分容納焊料凸塊的板中的一個(gè)中的凹陷部分 的、根據(jù)本發(fā)明的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的示意性側(cè)視截面圖。
具體實(shí)施例方式
除了優(yōu)選實(shí)施例或以下公開(kāi)的實(shí)施例，本發(fā)明能夠?yàn)槠渌膶?shí)施例，并能夠以各種方式被實(shí)踐或?qū)嵤?。因此，?yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明不限 于其對(duì)于在以下說(shuō)明中闡述或在附圖中示出的部件的結(jié)構(gòu)和配置的細(xì) 節(jié)的應(yīng)用。如果這里僅說(shuō)明了一個(gè)實(shí)施例，那么其權(quán)利要求不限于該 實(shí)施例。并且，除非有清楚和令人信服的證據(jù)表明某種排除、限制或 放棄，其權(quán)利要求不應(yīng)被限制性地閱讀。
圖1示出包含第一板12和與第一板隔開(kāi)第一間隙16的第二板14 和多個(gè)焊球或凸塊18的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)10。作為板12和14 中的一個(gè)，在這種情況下，板12具有可以是升高的平臺(tái)或凹槽的不規(guī) 則部分22。在這種情況下，不規(guī)則部分22體現(xiàn)為升高的平臺(tái)24。這 限定具有與第一間隙16不同的尺寸的第二間隙26，由此第二板14的 下表面28和平臺(tái)24的上表面30之間的第二間隙26不是被焊球18 而是被平臺(tái)24的高度23限定和控制。為了保證尺寸保持穩(wěn)定，可以 使用柱形構(gòu)件32。柱形構(gòu)件的意圖是當(dāng)它們被擱在平臺(tái)24上時(shí)用作 用于控制間隙26的控制機(jī)構(gòu)。平臺(tái)24的高度23對(duì)于這一點(diǎn)來(lái)說(shuō)是次 要的。第一和第二板可包含導(dǎo)電板和襯底，這兩者均可包含氧化鋁。
在一個(gè)實(shí)施例中，例如，第一板12可以是氧化鋁的襯底，第二板 14可以是由硅制成的集成電路芯片。表面28和30可分別在34和36 上被金屬化，以在間隙26中產(chǎn)生工作的電容器。金屬化可被構(gòu)圖以形 成耦合的電感器，在圖1A中示出其一個(gè)例子。圖1中的阱38可完全 通過(guò)板12產(chǎn)生，從而基本上使平臺(tái)24為隔膜，或者阱38可僅僅部分 穿過(guò)，從而使板12的一部分與平臺(tái)24組合形成隔膜。
從一般要求焊料凸塊18為80 ~ 120微米、公差為±15微米而可在 10微米那樣低的高度上制造柱狀構(gòu)件的事實(shí)可以看到使用柱狀構(gòu)件 32的功效。柱狀構(gòu)件的主要功能是用作間隔器件。它們可通過(guò)使用幾 種方法被制造，但一般是公差在l微米內(nèi)的鍍銅柱。在實(shí)踐中，柱狀 構(gòu)件可被鍍銅到晶片上，然后凸塊通過(guò)絲網(wǎng)印刷或球滴被施加到晶片 上。晶片然后被鋸以形成各單個(gè)IC,例如IC板14。它們被倒裝到氧 化鋁襯底板12上。凸塊可然后例如通過(guò)干法(dry)或用熔接劑或焊 骨被固定到村底上。襯底板12然后在烤爐中軟熔以熔化焊料凸塊而不熔化柱狀構(gòu)件，并形成焊點(diǎn)。此時(shí)，焊料凸塊塌縮，使得平臺(tái)24上的 柱狀構(gòu)件實(shí)際設(shè)定間隙26。雖然在圖1中焊料凸塊被示為在不規(guī)則部 分22的外面，但這不是對(duì)本發(fā)明的必要限制，這是因?yàn)?，如圖2所示， 可存在多于一個(gè)的可為升高的平臺(tái)或凹槽的不規(guī)則部分22a和22aa。 在這種情況下，它們被示為升高的平臺(tái)24a和24aa。并且，焊料凸塊 18a可以在不規(guī)則部分或多個(gè)不規(guī)則部分的里面而非外面。
在圖3中的根據(jù)本發(fā)明的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)的另一結(jié)構(gòu)10b 中，溝道或多個(gè)溝道42可被設(shè)置在在本特定情況下為第一板12b的任 一板中，以容納尺寸20比希望的間隙16b大的焊料凸塊18b。通過(guò)在 該溝道或這些溝道中設(shè)置焊料凸塊18b，間隙16b的尺寸可被減小到 小得多的尺寸，而焊料凸塊保持較大并更能夠耐受它們會(huì)經(jīng)受的應(yīng)力。 圖3還示出在與下面的金屬化精修面(metallized finish) 36b相對(duì)的 阱38b的頂側(cè)使用金屬板44。這是用于平衡可由于金屬化精修面36b 的存在在板12b的阱38b之上的剩余部分46中出現(xiàn)的任何應(yīng)力。
圖4表示溝道42或多個(gè)溝道的一個(gè)配置的平面圖，該配置實(shí)際形 成為與圖3類似的圓形升高平臺(tái)24c周?chē)臏虾?0。在這種情況下， 帶纜(tether)從升高平臺(tái)24c延伸到主板12c的剩余部分。在這三個(gè) 帶纜52、 54和56內(nèi)，存在產(chǎn)生的用于容納焊料凸塊18c的三個(gè)區(qū)域 58、 60和62。有了靠著帶纜52、 54和56被定位的這些焊料球或凸塊 18c，可以防止板14c由于沖擊或振動(dòng)而旋轉(zhuǎn)。另外，如果帶纜52、 54和56不是例如如圖4所示隔開(kāi)120。那樣被對(duì)稱放置，而是其中一 個(gè)例如52被移動(dòng)到52'的位置，那么圓對(duì)稱性的缺失可保證結(jié)構(gòu)可僅 以一種取向被組裝并由此幫助配準(zhǔn)(registration)。
雖然在圖4中溝道42被示為完全包圍平臺(tái)24c的溝壕50，但這 不是對(duì)本發(fā)明的必要限制。如圖5所示可存在一個(gè)或更多個(gè)分開(kāi)的溝 道42d、 42dd。在這種情況下，阱38d可稍稍延伸到集成電路芯片即 板14d外面。
在一些情況下，如圖6所示，會(huì)希望通過(guò)使不規(guī)則部分22e為凹 槽24e相對(duì)于間隙16e的尺寸增加間隙26e的尺寸。在集成電路芯片上的氣體分析系統(tǒng)的情況下會(huì)希望這一點(diǎn)。它會(huì)要求允許氣體在IC 感測(cè)表面前面的溝道中流動(dòng)。可以通過(guò)使用圖6所示的配置實(shí)現(xiàn)這一 點(diǎn)。
在另一實(shí)施例中，如圖7所示，不規(guī)則部分22f的升高平臺(tái)24f 用于在阱38f被設(shè)置在襯底板12f中使得平臺(tái)24f實(shí)際變?yōu)槭沟们懊媸?出的適當(dāng)?shù)慕饘倩稍陂g隙26f中供給電容傳感器的隔膜時(shí)控制間隙 26f。
在另一結(jié)構(gòu)中，如圖8所示，板12g、 14g中的一個(gè)可具有一個(gè)或 更多個(gè)用于容納焊料凸塊18g的凹陷部分(relieved section) 70，使 得焊料凸塊18g的直徑、凹陷70的深度和平臺(tái)24g的高度的結(jié)合導(dǎo)致 希望的間隙26g。該方法還允許間隙26g比焊料凸塊18g的高度小。 其優(yōu)點(diǎn)在于，通過(guò)使用一般的制造工藝，更容易控制硅板14g上的凹 陷70的硅蝕刻深度。
雖然本發(fā)明的特定特征在一些附圖中被示出而沒(méi)在其它附圖中被 示出，但是，由于各個(gè)特征可與根據(jù)本發(fā)明的任何或全部其它特征組 合，因此這僅僅是為了方便。這里使用的詞語(yǔ)"包括"、"包含"、"具有" 和"帶有，，應(yīng)被寬泛地解釋，并且不限于任何物理互連。并且，在主題 申請(qǐng)中公開(kāi)的任何實(shí)施例均不應(yīng)被視為僅有的可能的實(shí)施例。
另外，在對(duì)本專利進(jìn)行專利申請(qǐng)的過(guò)程中提出的任何修改都不是 在提交的申請(qǐng)中給出的任何權(quán)利要求要素的放棄本領(lǐng)域技術(shù)人員不 能被合理地期望起草在文字上包含所有可能的等同物的權(quán)利要求，許 多等同物在修改時(shí)是不可預(yù)見(jiàn)的并且超出對(duì)于所要被放棄的(如果有 的話)的合理解釋，在修改下面的基本原理對(duì)許多等同物只不過(guò)可承 載稍有關(guān)聯(lián)的關(guān)系，并且/或者，存在許多其它的原因使得不能期望申 請(qǐng)人描述修改的任何權(quán)利要求要素的某些無(wú)實(shí)質(zhì)的替代方案。
其它實(shí)施例能夠被本領(lǐng)域技術(shù)人員想到并且在以下的權(quán)利要求中。
以下是權(quán)利要求。
權(quán)利要求
1.一種帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，包括第一板；與所述第一板隔開(kāi)第一間隙的第二板；使所述板互連并限定所述第一間隙的多個(gè)焊料凸塊；所述板中的至少一個(gè)具有包含用于限定尺寸與所述第一間隙不同的第二間隙的升高平臺(tái)和凹槽中的一個(gè)的不規(guī)則部分。
2. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 板中的所述一個(gè)包含具有升高平臺(tái)的不規(guī)則部分，并且所述第二間隙 比所述第一間隙小。
3. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 板中的所述一個(gè)包含具有凹槽的不規(guī)則部分，并且所述第二間隙比所 述第一間隙大。
4. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 板中的每一個(gè)具有升高平臺(tái)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 板中的每一個(gè)具有凹槽。
6. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 板中的一個(gè)具有升高平臺(tái)，其它的具有凹槽。
7. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 凸塊在所述不規(guī)則部分外面。
8. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 凸塊在所述不規(guī)則部分里面。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述 凸塊圍繞所述不規(guī)則部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的所述至少一個(gè)包含用于部分容納所述凸塊的凹陷部分。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述板包含導(dǎo)電板和襯底。
12. 根據(jù)權(quán)利要求ll所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述導(dǎo)電板和所述襯底包含氧化鋁。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板包含集成電路芯片和襯底。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述集成電路芯片包含硅，并且所述襯底包含氧化鋁。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述第二間隙中的所述板的面對(duì)的表面被金屬化。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的一個(gè)包含構(gòu)成隔膜的接近所述第二間隙的阱部分。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述第二間隙中的所述金屬化的面對(duì)的表面實(shí)現(xiàn)電容傳感器。
18. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述第二間隙中的所述金屬化的面對(duì)的表面被構(gòu)圖為實(shí)現(xiàn)一對(duì)耦合的電 感器。
19. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，還在所述 不規(guī)則部分上的所述板之間包含用于固定所述第二間隙的尺寸的多個(gè) 柱狀構(gòu)件。
20. —種帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，包括 第一板；與所述第 一板隔開(kāi)第 一間隙的第二板； 所述板中的至少一個(gè)中的溝道；被設(shè)置在所述溝道中的多個(gè)焊料凸塊，用于使所述板互連并限定 比所述凸塊小的所述第一間隙。
21. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的至少 一個(gè)具有包含用于限定尺寸與所述第 一 間隙不同的第二 間隙的升高平臺(tái)和凹槽中的一個(gè)的不規(guī)則部分。
22. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所述板中的所述一個(gè)包含具有升高平臺(tái)的不規(guī)則部分，并且所述第二間 隙比所述第一間隙小。
23. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的所述一個(gè)包含具有凹槽的不規(guī)則部分，并且所述第二間隙比 所述第一間隙大。
24. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的每一個(gè)具有升高平臺(tái)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的每一個(gè)具有凹槽。
26. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的一個(gè)具有升高平臺(tái)，其它的具有凹槽。
27. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述凸塊在所述不規(guī)則部分外面。
28. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述凸塊在所述不規(guī)則部分里面。
29. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述凸塊圍繞所述不規(guī)則部分。
30. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的所述至少一個(gè)包含用于部分容納所述凸塊的凹陷部分。
31. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板包含導(dǎo)電板和襯底。
32. 根據(jù)權(quán)利要求31所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述導(dǎo)電板和所述襯底包含氧化鋁。
33. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板包含集成電路芯片和襯底。
34. 根據(jù)權(quán)利要求33所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述集成電路芯片包含硅，并且所述襯底包含氧化鋁。
35. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述第二間隙中的所述板的面對(duì)的表面被金屬化。
36. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述板中的一個(gè)包含構(gòu)成隔膜的接近所述第二間隙的阱部分。
37. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述第二間隙中的所述金屬化的面對(duì)的表面實(shí)現(xiàn)電容傳感器。
38. 根據(jù)權(quán)利要求35所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，所 述第二間隙中的所述金屬化的面對(duì)的表面被構(gòu)圖為實(shí)現(xiàn)一對(duì)耦合的電 感器。
39. 根據(jù)權(quán)利要求20所述的帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，其中，還 在所述不規(guī)則部分上的所述板之間包含用于固定所述第二間隙的尺寸 的多個(gè)柱狀構(gòu)件。
全文摘要
本發(fā)明涉及帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)。提供一種帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)，該帶間隔、帶凸塊部件結(jié)構(gòu)包括第一板；與第一板隔開(kāi)第一間隙的第二板；使各個(gè)板互連并限定第一間隙的多個(gè)焊料凸塊；這些板中的至少一個(gè)具有包含用于限定尺寸與第一間隙不同的第二間隙的升高平臺(tái)和凹槽中的一個(gè)的不規(guī)則部分。
文檔編號(hào)H01L23/31GK101300913SQ200580038714
公開(kāi)日2008年11月5日 申請(qǐng)日期2005年11月10日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月12日
發(fā)明者伊蒙·海茵斯, 奧里沃·吉爾斯, 威廉·亨特, 比德·米翰, 約翰·奧多德, 約翰·溫 申請(qǐng)人:阿納洛格裝置公司