專利名稱：半導(dǎo)體器件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及具有包括薄膜晶體管(在下文中被稱為TFT)的電路的半導(dǎo)體器件及其制造方法。例如，本發(fā)明涉及一種電子設(shè)備，其中安裝了發(fā)光顯示器作為其部件，這種發(fā)光顯示器件是以有機發(fā)光元件或以液晶顯示板為代表的光電器件。
要注意，本說明書中的半導(dǎo)體器件表示所有可以利用半導(dǎo)體特性而工作的器件，并且光電器件、半導(dǎo)體電路和電子設(shè)備都被包括在半導(dǎo)體器件中。
背景技術(shù)：
近年來，一種用于形成薄膜晶體管(TFT)的技術(shù)正吸引著人們的注意力，該技術(shù)使用在具有絕緣表面的基板上所形成的半導(dǎo)體薄膜(其厚度大約幾微米到幾百微米)。薄膜晶體管廣泛地應(yīng)用于像IC這樣的電子器件或光電器件。特別是，在圖像顯示器件中薄膜晶體管作為開關(guān)元件的開發(fā)推進得很快。
按常規(guī)，在由TFT驅(qū)動的有源矩陣液晶顯示器中，在基板上垂直且水平地設(shè)置了大量的掃描線和數(shù)據(jù)線，并且根據(jù)這些引線的交叉點設(shè)置了大量的TFT。在每一個TFT中，柵極引線電連接到掃描線，源極電極電連接到數(shù)據(jù)線，而漏極電極電連接到像素電極。
在透射式液晶顯示器中，具有透光性和導(dǎo)電性的ITO常常被用于像素電極。由一層絕緣材料使像素電極與金屬引線(比如數(shù)據(jù)線和掃描線)絕緣。通過絕緣膜上特定位置處所形成的接觸孔，像素電極和金屬引線彼此接觸。
隨著顯示屏面積不斷變大，因引線的阻抗所導(dǎo)致的信號延遲變?yōu)橐粋€越來越值得注意的問題。因此，有必要徹底地改變引線和電極的形狀，或者將像鋁這樣的低阻材料用于引線和電極。
當(dāng)被用作引線和電極的材料的鋁接觸被用作像素電極的材料的ITO時，在接合界面處出現(xiàn)了一種被稱為電蝕的反應(yīng)。此外，當(dāng)鋁接觸ITO時，鋁的表面被氧化且變得不導(dǎo)電。
結(jié)果，為了防止當(dāng)用這兩種不相容的膜構(gòu)成的引線、電極等連接時所出現(xiàn)的電蝕，已經(jīng)提出了一種技術(shù)，其中在ITO和鋁引線(或電極)之間設(shè)置具有高熔點的金屬膜(比如鈦膜)、具有高熔點的金屬化合物膜(比如氮化鈦膜)等。
申請人在專利文獻1-3中描述了，薄膜晶體管的漏極和用作像素電極的ITO，通過在兩者之間夾入一種包括鈦膜、鋁膜和鈦膜的多層膜，進而相連。
此外，申請人在專利文獻4中描述了，薄膜晶體管的漏極和用作像素電極的ITO，通過在兩者之間夾入一種包括鈦膜和鋁膜的多層膜，進而相連。此外，申請人在專利文獻5中描述了，薄膜晶體管的漏極和用作像素電極的ITO，通過在兩者之間夾入一種包括氮化鈦膜和鋁膜的多層膜，進而相連。
申請人在專利文獻6中描述了，薄膜晶體管的柵極電極是用具有不同寬度的兩個層構(gòu)成的，以便形成GOLD結(jié)構(gòu)。
〔專利文獻1〕已公布的日本專利申請?zhí)亻_第H9-45927〔專利文獻2〕已公布的日本專利申請?zhí)亻_第H10-32202〔專利文獻3〕已公布的日本專利申請?zhí)亻_第H6-232129〔專利文獻4〕已公布的日本專利申請?zhí)亻_第2004-6974〔專利文獻5〕已公布的日本專利申請?zhí)亻_第H8-330600〔專利文獻6〕已公布的日本專利申請?zhí)亻_第2001-281704發(fā)明內(nèi)容然而，當(dāng)鈦膜或氮化鈦膜層疊在鋁引線(電極)和ITO之間時，引線阻抗會增大，這使功耗也增大，當(dāng)顯示屏具有較大的尺寸時尤其如此。通過增大作為引線的金屬膜的橫截面面積，可以減小引線阻抗；然而，在通過增大膜厚度進而增大橫截面面積的情況下，基板的表面與較厚的引線的表面之間出現(xiàn)臺階差，這使液晶具有定向缺陷。
即使在由TFT驅(qū)動的有源矩陣發(fā)光器件中，也可以將透明的導(dǎo)電膜用作發(fā)光元件的陽極(或陰極)。相似的是，包括透明導(dǎo)電膜的陽極形成于夾層絕緣膜上，以便與各種引線電絕緣。因此，當(dāng)用作陽極的ITO連接到TFT的電極(鋁)時，上述電蝕以相同的方式出現(xiàn)。
本發(fā)明的目的是，在不增大引線的橫截面面積的情況下，連接用兩種不相容的膜(ITO膜和鋁膜)所構(gòu)成的引線、電極等，并且即使顯示屏很大也要實現(xiàn)低功耗。
在將鋁用作引線材料來制造TFT的情況下，可能形成像小丘或晶須這樣的凸起，或者鋁原子可能因熱處理而擴散到溝道形成區(qū)域，由此產(chǎn)生TFT的操作缺陷以及TFT性能下降。結(jié)果，按常規(guī)，使用在鋁中含另一種元素(例如硅)的鋁合金膜，來防止小丘等的產(chǎn)生。然而，即使這種鋁合金膜也無法解決如下問題因接合界面處鋁的氧化以及ITO膜的減少，接合阻抗會改變。
另外，本發(fā)明的目的是，當(dāng)鋁被用作引線材料時要防止鋁原子擴散到溝道形成區(qū)域中，以及在有源矩陣顯示器中允許良好的歐姆接合。
根據(jù)本發(fā)明，電極(或引線)是用雙層結(jié)構(gòu)形成的，這包括作為下層的第一導(dǎo)電層以及作為上層的第二導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層是用高熔點金屬(比如Ti和Mo)或高熔點金屬氮化物(比如TiN)構(gòu)成的，第二導(dǎo)電層是用鋁或含鋁的合金構(gòu)成的。具有雙層結(jié)構(gòu)的電極(或引線)具有這樣的橫截面形狀，即第一導(dǎo)電層的寬度(W1)大于第二導(dǎo)電層的寬度(W2)。換句話說，在形成下層(第一導(dǎo)電層)的端部比上層(第二導(dǎo)電層)的端部更靠外的結(jié)構(gòu)之后，形成透明導(dǎo)電膜以便覆蓋并接觸具有雙層結(jié)構(gòu)的電極(或引線)。
根據(jù)本發(fā)明，在包括雙層的電極(或引線)中，通過使露出且不與第二導(dǎo)電層重疊的那部分第一導(dǎo)電層與透明導(dǎo)電膜(通常是ITO)相連，便解決了上述諸多問題。
根據(jù)本發(fā)明的一方面，圖1A或2A所示的半導(dǎo)體器件示例包括在具有絕緣表面的基板上的透明導(dǎo)電膜以及多個薄膜晶體管，這些薄膜晶體管具有半導(dǎo)體薄膜，其中該半導(dǎo)體器件還包括一種電極或引線，在這種電極或引線中層疊著與半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，其中第一導(dǎo)電層具有比第二導(dǎo)電層更大的寬度(W1或W3)，其中透明導(dǎo)電膜與從第二導(dǎo)電層端部延伸出來的那部分第一導(dǎo)電層相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，半導(dǎo)體器件包括在具有絕緣表面的基板上的透明導(dǎo)電膜以及多個薄膜晶體管，這些薄膜晶體管具有半導(dǎo)體薄膜，其中該半導(dǎo)體器件還包括一種電極或引線，在這種電極或引線中層疊著與半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，其中透明導(dǎo)電膜與從第二導(dǎo)電層端部突出來的那部分第一導(dǎo)電層相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，半導(dǎo)體器件包括在具有絕緣表面的基板上的透明導(dǎo)電膜以及多個薄膜晶體管，這些薄膜晶體管具有半導(dǎo)體薄膜，其中該半導(dǎo)體器件還包括一種電極或引線，在這種電極或引線中層疊著與半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，其中如圖1A所示與第二導(dǎo)電膜的側(cè)面部分相比，第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分具有更小的錐角，并且其中透明導(dǎo)電膜與第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分相接觸。
根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，如圖3所示，半導(dǎo)體器件包括在具有絕緣表面的基板上的透明導(dǎo)電膜以及多個薄膜晶體管，這些薄膜晶體管具有半導(dǎo)體薄膜，其中該半導(dǎo)體器件還包括一種電極或引線以及平整化絕緣膜，在這種電極或引線中層疊著與半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層，而平整化絕緣膜則形成于這種電極或引線的一部分之上，其中透明導(dǎo)電膜形成于平整化絕緣膜之上，其中電極或引線通過平整化絕緣膜上所設(shè)置的接觸孔而與透明導(dǎo)電膜相互接觸，并且其中電極或引線的端部位于接觸孔中。
在每一種上述結(jié)構(gòu)中，第二導(dǎo)電層的表面都用氧化膜來覆蓋。
此外，用于實現(xiàn)上述結(jié)構(gòu)的制造方法也被包括在本發(fā)明中。根據(jù)下文所示的方法，其中進行多次蝕刻，實現(xiàn)了下層(第一導(dǎo)電層)端部比上層(第二導(dǎo)電層)端部更靠外的結(jié)構(gòu)。
作為第一種方法，在包括雙層的金屬多層膜上形成掩模之后，通過第一干蝕過程，形成了具有寬度W1和錐形端部的金屬多層膜圖形。接下來，通過第二干蝕過程，只對上層(含鋁的材料)進行各向異性地蝕刻，由此形成比下層的W1要小的寬度W2。結(jié)果，在未與上層重疊的那部分下層露出的地方，形成了電極(或引線)。
作為第二種方法，在包括雙層的金屬多層膜上形成掩模之后，根據(jù)掩模圖形，用蝕刻劑只除去上層(含鋁的材料)。在該步驟中，因蝕刻的圍繞物，上層的端部從掩模的端部起向后退。之后，通過干蝕過程，只除去未被掩模覆蓋的那部分下層。結(jié)果，在未與上層重疊的那部分的下層露出的地方，形成了電極(或引線)。
作為第三種方法，在包括雙層的金屬多層膜上形成掩模之后，通過干蝕過程形成金屬多層膜圖形。接下來，用蝕刻劑只處理上層(含鋁的材料)，由此使上層的寬度變窄。在該步驟中，因蝕刻的圍繞物，上層的端部從掩模的端部起向后退。結(jié)果，在未與上層重疊的那部分的下層露出的地方，形成了電極(或引線)。
作為第四種方法，在包括雙層的金屬多層膜上形成第一掩模之后，通過干蝕過程或濕法蝕刻過程形成金屬多層膜圖形。接下來，除去第一掩模之后，形成第二掩模，并且根據(jù)第二掩模圖形來處理金屬多層膜圖形。在該步驟中，使第二掩模圖形比第一掩模圖形更窄些。結(jié)果，在未與上層重疊的那部分的下層露出的地方，形成了電極(或引線)。
在任何一種上述方法中，通過使用光掩模，借助使用等離子體裝置的干蝕或使用蝕刻劑的濕法蝕刻，使電極或引線圖形化。
然后，形成透明導(dǎo)電膜，以便覆蓋并接觸通過上述方法而獲得的電極(或引線)。結(jié)果，電極(或引線)的下層與透明導(dǎo)電膜彼此接觸，使得它們主要在該部分處彼此電連接。
已按常規(guī)揭示了透明導(dǎo)電膜與下層在下層的端部彼此接觸這樣一種結(jié)構(gòu)；然而，在大多數(shù)常規(guī)結(jié)構(gòu)中，透明導(dǎo)電膜主要接觸最上層的頂面，使得它們彼此電連接。同時，在本發(fā)明中，為了使下層和透明導(dǎo)電膜電連接，有意地設(shè)置其錐角比上層要小的錐形部分或從上層的端部起突出來的部分，以確保下層與透明導(dǎo)電膜相接觸的區(qū)域，使得下層與透明導(dǎo)電膜彼此完全接觸。
根據(jù)本發(fā)明，因為在透明導(dǎo)電膜與用含鋁的材料構(gòu)成的上層之間形成了薄氧化膜，所以上層和透明導(dǎo)電膜沒有直接相連，并且它們通過插放于其間的下層而電連接。在這一點，本發(fā)明的結(jié)構(gòu)與常規(guī)結(jié)構(gòu)很不同。
要注意，發(fā)光元件具有陽極、陰極以及含有機化合物的層(在下文中該層被稱為EL層)，通過對其施加電場該有機化合物提供發(fā)光(電發(fā)光)。來自有機化合物的發(fā)光包括當(dāng)單激發(fā)態(tài)返回基態(tài)時所發(fā)射的光(熒光)以及當(dāng)三激發(fā)態(tài)返回基態(tài)所發(fā)出的光(磷光)。在用本發(fā)明的薄膜形成裝置和薄膜形成方法所制造的發(fā)光器件中，熒光或磷光都可以使用。
此外，在本說明書中，第一電極是指用作發(fā)光元件的陽極或陰極的那個電極。發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)包括第一電極、在第一電極上的含有機化合物的層、以及在含有機化合物的層上的第二電極。在基板上首先形成的電極被稱為第一電極。
作為第一電極的排列方式，可以使用條形排列、Δ排列、鑲嵌排列等。
本說明書中的發(fā)光器件是指圖像顯示器件、發(fā)光器件、或光源(包括照明設(shè)備)。此外，下列模塊全都被包括在發(fā)光器件中像FPC(柔性印刷電路)、TAB(卷帶自動接合)卷帶、或TCP(卷帶式封裝)這樣的連接器附著于發(fā)光器件的模塊；印刷引線板設(shè)置在TAB卷帶或TCP尖端處的模塊；以及IC(集成電路)通過COG(玻璃上芯片)方法直接安裝在發(fā)光元件中的模塊。
在本發(fā)明的發(fā)光器件中，屏幕顯示的驅(qū)動方法并不特別地限制。例如，可以使用點順序驅(qū)動方法、線順序驅(qū)動方法、面順序驅(qū)動方法等。通常，使用線順序驅(qū)動方法，可以適當(dāng)?shù)厥褂脮r分灰度驅(qū)動方法或域分灰度驅(qū)動方法。此外，要輸入到發(fā)光器件的源極線路的視頻信號可以是模擬信號或數(shù)字信號。根據(jù)視頻信號，可以適當(dāng)?shù)卦O(shè)計驅(qū)動電路等。
在視頻信號為數(shù)字式的發(fā)光器件中，要被輸入到像素中的視頻信號可以使用恒定電壓(CV)或恒定電流(CC)。當(dāng)視頻信號使用恒定電壓(CV)時，加到發(fā)光元件上的電壓是恒定的(CVCV)或流過發(fā)光元件的電流是恒定的(CVCC)。另一方面，當(dāng)視頻信號使用恒定電流時，加到發(fā)光元件上的電壓是恒定的或流過發(fā)光元件的電流是恒定的(CCCC)。
在本發(fā)明的發(fā)光顯示器中，可以提供保護電路(比如保護二極管)以避免靜電破壞。
在有源矩陣類型的情況下，提供多個TFT以便與第一電極相連，并且無論TFT結(jié)構(gòu)如何都可以應(yīng)用本發(fā)明。例如，可以使用頂部柵TFT、底部柵(反向交錯)TFT、或交錯TFT。不僅可以使用單柵結(jié)構(gòu)的TFT，還可以使用具有多個溝道形成區(qū)域的多柵TFT，例如雙柵TFT。
要與發(fā)光元件電連接的TFT可以是p型溝道TFT或n型溝道TFT。當(dāng)發(fā)光元件與p型溝道TFT相連時，發(fā)光元件與陽極相連。具體地講，在將空穴注入層/空穴輸運層/發(fā)光層/電子輸運層按順序地層疊在陽極上之后，可以形成陰極。當(dāng)發(fā)光元件與n型溝道TFT相連時，發(fā)光元件與陰極相連。具體地講，在將電子輸運層/發(fā)光層/空穴輸運層/空穴注入層按順序地層疊在陰極上之后，可以形成陽極。
作為TFT的溝道形成區(qū)域，可以適當(dāng)?shù)厥褂梅蔷О雽?dǎo)體膜、包括晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜、包括非晶結(jié)構(gòu)的化合物半導(dǎo)體膜等。此外，作為TFT的溝道形成區(qū)域，也可以使用半非晶半導(dǎo)體膜(也被稱為微晶半導(dǎo)體膜)。半非晶半導(dǎo)體膜具有介于非晶結(jié)構(gòu)與晶體結(jié)構(gòu)(包括單晶和多晶)之間的中間結(jié)構(gòu)，并且具有從自由能的角度來講是穩(wěn)定的第三態(tài)。半非晶半導(dǎo)體膜還包括結(jié)晶區(qū)域，該區(qū)域具有短范圍量級和晶格畸變。
在本說明書中，像素電極是指要與TFT相連的電極，還指與對置基板上所設(shè)置的對置電極配對的電極。此外，液晶元件是指像素電極、對置電極以及設(shè)置在這些電極之間的液晶層。在有源矩陣液晶顯示器中，通過驅(qū)動按矩陣排列的像素電極，顯示圖形便形成于屏幕上。具體來講，通過在選中的像素電極以及該像素電極所對應(yīng)的對置電極之間施加電壓，便對設(shè)置在該像素電極和對置電極之間的液晶層進行了光調(diào)制，并且該光調(diào)制被觀察者識別為顯示圖形。
根據(jù)本發(fā)明，將含高熔點金屬的層設(shè)置成引線的上層這一步驟可以忽略，這按常規(guī)是必需的，同時電極(或引線)與像素電極之間的接觸阻抗并不增大。這提供了許多優(yōu)點，比如生產(chǎn)所用的成本和時間可以減小。


在附圖中圖1A和1B是示出了實施例1的像素的橫截面圖；圖2A和2B是示出了實施例2的像素的橫截面圖；圖3是示出了實施例3的像素的橫截面圖；圖4A和4B是SEM照片，圖4C是透視圖，所有這些都示出了蝕刻出的電極的端部；圖5A和5B示出了第一TEG圖形；圖6A和6B示出了第二TEG圖形；圖7示出了使用第一TEG圖形的電測量結(jié)果(包括鈦和鋁的多層的實驗結(jié)果)；圖8示出了使用第二TEG圖形的電測量結(jié)果；圖9是EL顯示板(實施例1)的橫截面圖；圖10是EL顯示板(實施例2)的橫截面圖；圖11A和11B是示出了EL顯示板(實施例3)的俯視圖；圖12是示出了液晶板(實施例4)的橫截面圖；圖13A-13H示出了電子設(shè)備的示例；圖14示出了電子設(shè)備的示例；以及圖15示出了使用第一TEG圖形的電測量結(jié)果(包括鉬和鋁的多層的實驗結(jié)果)。
具體實施例方式
下文描述本發(fā)明的各實施例。
〔實施例1〕在本實施例中，使用有源矩陣發(fā)光器件作為示例來描述本發(fā)明。
圖1A是一放大的橫截面圖，示出了發(fā)光器件的一部分像素部分。下文示出了具有圖1A所示發(fā)光元件的半導(dǎo)體器件的制造步驟。
首先，在基板10上形成底部絕緣膜11。在提取光的情況下，假定基板10的一側(cè)是顯示表面，最好使用具有透光性的玻璃基板或石英基板作為基板10。此外，具有透光性且能夠耐受處理溫度的塑料基板也可以使用。同時，在提取光的情況下，假定基板10的那一側(cè)的反面是顯示表面，則除了上述各種基板以外，還可以使用其上形成有絕緣膜的硅基板、金屬基板、或不銹鋼基板。此處，玻璃基板被用作基板10。要注意，玻璃基板具有大約1.55的折射率。
作為底部絕緣膜11，形成包括絕緣膜的底部膜，絕緣膜可以是氧化硅膜、氮化硅膜、或氧氮化硅膜。盡管此處的底部膜是使用雙層結(jié)構(gòu)的示例，但是該底部膜可以具有單層結(jié)構(gòu)或其中層疊了兩層或更多層的多層結(jié)構(gòu)。要注意，沒必要必須形成底部絕緣膜。
接下來，在底部絕緣膜上形成半導(dǎo)體層。該半導(dǎo)體層是以下列方式形成的在用已知手段(濺射方法、LPCVD方法、等離子體CVD方法等)形成具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜之后；用已知的結(jié)晶化處理(激光結(jié)晶化方法、熱結(jié)晶化方法、使用像鎳這樣的催化劑的熱結(jié)晶化方法)使該半導(dǎo)體膜結(jié)晶化以便成為結(jié)晶半導(dǎo)體膜；然后，用第一光掩模使結(jié)晶半導(dǎo)體膜圖形化成所期望的形狀。半導(dǎo)體層的厚度被設(shè)為25-80納米的范圍(最好是30-70納米)。盡管結(jié)晶半導(dǎo)體膜的材料并不特別限定，但是最好使用硅或硅鍺(SiGe)合金。
在具有非晶結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜的結(jié)晶化過程中，可以使用連續(xù)波激光器。為了通過使非晶半導(dǎo)體膜結(jié)晶化從而獲得具有大晶粒尺寸的晶體，最好使用連續(xù)波固態(tài)激光器所發(fā)出的基波的二次到四次諧波中的任一種諧波。通常，最好使用Nd:YVO4激光器(基波是1064納米)的二次諧波(532納米)或三次諧波(355納米)。當(dāng)使用連續(xù)波激光器時，非線性光學(xué)元件將由10W所驅(qū)動的連續(xù)波YVO4激光器所發(fā)出的激光束轉(zhuǎn)換成諧波。通過將YVO4晶體和非線性光學(xué)元件放入諧振器中，便可以獲得諧波。在照射表面上最好用光學(xué)系統(tǒng)將激光束定形為矩形或橢圓形激光束，然后將該激光束傳遞到物體上。此處，要求能量密度處于大約0.01-100MW/cm2的范圍中(最好是0.1-10MW/cm2)。然后，該半導(dǎo)體膜最好以相對于激光束大約10-2000cm/s的速度進行移動。
接下來，在除去抗蝕劑掩模之后，形成柵絕緣膜12以便覆蓋半導(dǎo)體層。通過等離子體CVD方法或濺射方法，柵絕緣膜12所形成的厚度為1-200納米。
接下來，在柵絕緣膜12上形成厚度為100-600納米的導(dǎo)電膜。通過濺射方法，形成具有多層的導(dǎo)電膜，其中包括TaN膜和W膜。盡管所形成的導(dǎo)電膜是包括TaN膜和W膜的多層，但是該結(jié)構(gòu)并不特別限定?？梢孕纬伤剡x自Ta、W、Ti、Mo、Al和Cu的單層或多層，或以上述元素為其主要成分的合金材料或化合物材料?；蛘撸梢允褂靡該接须s質(zhì)元素(比如磷)的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體膜。
接下來，用第二光掩模形成抗蝕劑掩模。通過干蝕方法或濕法蝕刻方法，進行蝕刻。通過該蝕刻步驟，導(dǎo)電膜被蝕刻了，由此獲得導(dǎo)電層14a和14b。這些導(dǎo)電層14a和14b充當(dāng)TFT的柵。
接下來，在除去抗蝕劑掩模之后，通過使用第三光掩模，新形成抗蝕劑掩模。進行第一摻雜步驟，用賦予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(通常是磷或砷)對半導(dǎo)體進行低濃度摻雜，所以形成n型溝道TFT(未示出)?？刮g劑掩模覆蓋要成為p型溝道TFT的區(qū)域以及導(dǎo)電層的周圍。在絕緣膜中進行第一摻雜步驟，由此形成低濃度雜質(zhì)區(qū)域。一個發(fā)光元件由多個TFT驅(qū)動，并且當(dāng)只用p型溝道TFT來驅(qū)動時，上述摻雜步驟便不是特別必需的了。
接下來，在除去抗蝕劑掩模之后，通過使用第四光掩模，新形成抗蝕劑掩模。進行第二摻雜步驟，以便用賦予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(通常是硼)對半導(dǎo)體進行高濃度摻雜。在柵絕緣膜12中進行第二摻雜步驟，由此形成p型高濃度雜質(zhì)區(qū)域17和18。
接下來，通過使用第五掩模，新形成抗蝕劑掩模。進行第三摻雜步驟，用賦予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(通常是磷或砷)對半導(dǎo)體進行高濃度摻雜，所以形成n型溝道TFT(未示出)。在劑量范圍是1×1013-5×1015/cm2且加速電壓范圍是60-100keV的條件下，通過離子摻雜方法，進行第三摻雜步驟?？刮g劑掩模覆蓋要成為p型溝道TFT的區(qū)域以及導(dǎo)電層的周圍。在柵絕緣膜12中進行第三摻雜步驟，由此形成n型高濃度雜質(zhì)區(qū)域。
之后，除去抗蝕劑掩模，然后形成含氫的夾層絕緣膜13。接下來，激活半導(dǎo)體層中所添加的雜質(zhì)元素，并且進行氫化。作為含氫的第一夾層絕緣膜13，使用了通過PCVD方法而獲得的氮氧化硅膜(SiNO膜)。另外，當(dāng)用于誘導(dǎo)結(jié)晶化的金屬元素(通常是鎳)被用于使半導(dǎo)體膜結(jié)晶化時，可以在激活的同時進行消氣以便減少溝道形成區(qū)域19中的鎳。
接下來，形成平整化絕緣膜16，它要成為第二夾層絕緣膜。作為平整化絕緣膜16，使用通過涂敷方法獲得的絕緣膜，該絕緣膜的骨架結(jié)構(gòu)包括硅(Si)氧(O)鍵。
接下來，通過使用第六掩模，進行蝕刻，以便在平整化絕緣膜16中形成接觸孔。同時，除去基板四周處的那部分平整化絕緣膜。此處，在第一夾層絕緣膜13和平整化絕緣膜16之間的選擇性比率是不同的這一條件下，進行蝕刻。盡管所用的蝕刻氣體并不受到限制，但是CF4、O2、He和Ar是合適的。在RF功率為3000W、氣壓為25Pa且CF4、O2、He、Ar的流速分別為380sccm、290sccm、500sccm、500sccm這樣的條件下，進行干蝕。為了進行蝕刻以便不在第一夾層絕緣膜13上留下殘余物，蝕刻時間最好大約增大10-20％。通過進行一次或多次蝕刻，可以使平整化絕緣膜16逐漸變薄。此處，干蝕進行了兩次，且第二次干蝕是在如下條件下進行的RF功率為3000W，氣壓為25Pa，且CF4、O2、He的流速分別為550sccm、450sccm、350sccm。平整化絕緣膜的端部最好具有大于30度且小于75度的錐角θ。
接下來，再次使用第六掩模，進行蝕刻，由此選擇性地除去柵絕緣膜12和第一夾層絕緣膜13的露出部分。具體來講，用CHF3和Ar作為蝕刻氣體，來蝕刻柵絕緣膜12和第一夾層絕緣膜13。為了進行蝕刻以便不在半導(dǎo)體層上留下殘余物，蝕刻時間最好增大大約10-20％。
接下來，除去第六掩模，然后，形成具有雙層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜通過接觸孔而接觸到半導(dǎo)體層。用高熔點金屬(比如Ti或Mo)或高熔點金屬化合物(比如TiN)，來形成作為下層的第一導(dǎo)電層22a。第一導(dǎo)電層22a的膜厚度介于20-200納米范圍中。要成為下層的第一導(dǎo)電層22a具有如下優(yōu)點，即能夠防止硅和鋁的交互式擴散。
此外，用低阻抗金屬(通常是鋁)來形成要成為上層的第二導(dǎo)電層22b，以便減小引線的電阻。第二導(dǎo)電層22b的膜厚度介于0.1-2微米的范圍中。最好在同一濺射裝置中連續(xù)地形成這兩層，使得各層的表面不被氧化。
接下來，通過使用第七掩模，進行第一次蝕刻。進行第一次蝕刻，使得上層被圖形化成具有寬度W1。第一次蝕刻是通過干蝕方法或濕法蝕刻方法進行的。
接下來，因為抗蝕劑掩模還在，所以用ICP(誘導(dǎo)耦合的等離子體)蝕刻方法進行第二次蝕刻，以便將第二導(dǎo)電層蝕刻成具有寬度W2，同時使抗蝕劑掩模后退。通過第二次蝕刻，也稍稍除去了第一導(dǎo)電層，由此形成了錐形部分。通過使用ICP蝕刻方法，當(dāng)適當(dāng)調(diào)節(jié)蝕刻條件(加到線圈電極上的電功率、加到基板一側(cè)的電極上的電功率、基板一側(cè)上的電極溫度等)時，可以將該膜蝕刻成所期望的錐形。作為蝕刻氣體，可以適當(dāng)?shù)厥褂靡訡l2、BCl3、SiCl4或CCl4為代表的氯基氣體、以CF4、SF6、NF3為代表的氟基氣體、或氧氣。
此外，當(dāng)用ICP蝕刻方法來形成錐形時，在電極的相反兩側(cè)處相等地形成了突出部分。根據(jù)第二蝕刻條件，通過蝕刻第一導(dǎo)電層而露出的那部分平整化絕緣膜16也可以被稍微地蝕刻。
接下來，形成透明導(dǎo)電膜，它與具有上述雙層結(jié)構(gòu)的電極或引線相接觸。當(dāng)透明導(dǎo)電膜和第一導(dǎo)電層22a形成得彼此直接接觸時，可以獲得良好的歐姆接合。然后，使用第八掩模進行蝕刻，由此形成第一電極23R和23G，它們是有機發(fā)光元件的陽極(或陰極)。
作為用于第一電極的材料，使用了ITO(氧化銦錫)或ITSO(包含氧化硅的氧化銦錫，用含氧化硅2-10wt％的ITO靶通過濺射方法而獲得的)。除了ITSO以外，可以使用比如透光導(dǎo)電氧化膜(IZO)這樣的透明導(dǎo)電膜，這種膜是含氧化硅的氧化銦，其中混有2-20％的氧化鋅(ZnO)。此外，可以使用含氧化硅的ATO(氧化銻錫)的透明導(dǎo)電膜。
如果ITO被用作第一電極23R和23G，則進行結(jié)晶化烘烤，以減小電阻。ITSO和IZO即使在烘烤之后也不會像ITO那樣結(jié)晶化，而仍然是非晶的。
為了比較在ITSO和用上述方法獲得的雙層電極之間的接觸阻抗以及比較示例中的接觸阻抗，進行下面的實驗。
在玻璃基板上形成氧化硅膜，作為絕緣層。然后，通過用濺射方法在鈦層(厚度為100納米)上連續(xù)地層疊純凈的鋁層(厚度為700納米且電阻率為4μΩcm)，便形成了具有雙層結(jié)構(gòu)的金屬層。之后，通過光刻形成具有電極圖形的抗蝕劑掩模，并且通過用下述三種方法蝕刻具有雙層結(jié)構(gòu)的金屬層，便形成了兩個樣本。
在樣本1(比較示例)中，用ICP裝置，只進行一次等離子體蝕刻，便對金屬層的兩層都進行了蝕刻。結(jié)果，所形成的電極的端部具有大約80度的錐角，這幾乎是垂直的。之后，通過濺射方法形成要成為透明電極的ITSO膜，然后，通過光刻使其圖形化。
在樣本2(本發(fā)明)中，用ICP裝置，分兩步進行等離子體蝕刻，便對具有雙層結(jié)構(gòu)的金屬層進行了蝕刻，由此獲得了一種形狀，在該形狀中作為底層的鈦層突出來了。具體來講，進行第一次蝕刻，使得被蝕刻的電極的端部具有大約60度的錐角，并且進行與第一次蝕刻條件不相同的第二次蝕刻，使得對作為上層的鋁層進行選擇性地蝕刻，并且端部變得幾乎垂直。
在第一條件下，第一次蝕刻進行了100秒，其中BCl3和Cl2被用作蝕刻氣體，BCl3和Cl2的流速是60/20(sccm)，氣壓是1.9Pa，并且將450W的RF(13.56MHz)電功率加到線圈形的電極上以便產(chǎn)生等離子體。還將100W的RF(13.56MHz)電功率施加到基板一側(cè)(樣本平臺)，以便施加基本上負的偏壓?；逡粋?cè)的電極具有12.5cm×12.5cm的面積，并且線圈形的電極(其上設(shè)置有線圈的石英環(huán)形板)是一個直徑為25cm的環(huán)形板。接下來，在第二條件下，蝕刻進行了160秒，其中蝕刻氣體和流速與第一條件相同，氣壓是1.2Pa，并且將600W的RF電功率加到線圈形的電極上，并且將250W的RF電功率施加到基板一側(cè)以產(chǎn)生等離子體。
第二次蝕刻的條件是BCl3和Cl2被用作蝕刻氣體，氣體流速是40/40(sccm)，氣壓是3.5Pa，將200W的RF電功率加到線圈形的電極上，并且將50W的RF電功率施加到基板一側(cè)以產(chǎn)生等離子體，并且蝕刻時間是60秒。
圖4A和4B是蝕刻之后的SEM(掃描電子顯微鏡)，圖4C是示意性的橫截面圖。圖4A是透視圖，圖4B是橫截面圖。突出來的部分的長度是0.22微米。換句話說，上層的端部和下層的端部分開0.22微米，并且下層的寬度W1比上層的寬度W2要大0.44微米。之后，通過濺射方法形成要成為透明電極的ITSO，并且通過光刻使其圖形化。
在這兩個樣本中，形成兩類TEG(測試元件組)圖形，以便進行電阻測量。
TEG圖形之一是被稱為接觸鏈的第一TEG圖形(圖5A示出了頂部表面布局，而圖6B示出了在放大的接觸部分中測得數(shù)值的關(guān)系)，其中金屬層與ITSO層交替排列以便串行連接。在第一TEG圖形中，引線、ITO和兩者間的界面這三種阻抗元件串行連接。
其它圖形是第二TEG圖形(圖6A示出了頂部表面布局，而圖6B示出了在放大的接觸部分中測得數(shù)值的關(guān)系)，其中金屬層和ITSO層互相交叉，以便進行Kelvin測量。
接下來，在這兩個樣本上，用第一TEG圖形來測量電阻。結(jié)果，在樣本2(本發(fā)明)中1V處的阻抗值(每個觸點)比樣本1(比較示例)中的低77％。
此外，圖7示出了測量第一TEG的電阻的結(jié)果。要注意，ITSO的電阻率被假定為4000μΩcm。
此外，在這兩個樣本上，用第二TEG圖形來測量電阻。與樣本1(比較示例)相比，樣本2(本發(fā)明)中的接觸阻抗值更低。圖8示出了在第二TEG圖形上的電阻測量結(jié)果。
從上面的實驗可以理解，通過使用雙層結(jié)構(gòu)的電極，其中下層(鈦層)突出，便可以減小與ITSO的接觸阻抗。
圖15示出了在用鉬層(厚度為100納米)替代下層(鈦層)的情況下在第一TEG圖形上的電阻測量結(jié)果。要注意，ITSO的電阻率被假定為4000μΩcm。在圖15中，實線示出了比較的樣本，在使充當(dāng)下層的鉬層的端部幾乎垂直的條件下蝕刻該比較樣本。此外，在圖15中，以×標記示出了其中充當(dāng)下層的鉬層突出來且端部的錐角大約60度的那個樣本。從圖15中還可以理解，通過使用具有雙層結(jié)構(gòu)的電極，其中下層(鉬層)突出來，便可以減小與ITSO的接觸阻抗。
此外，在不同的條件下，即下層厚度為100納米、200納米和300納米的條件下，以相同的方式測量電阻。然后，確定當(dāng)下層越來越厚時，接觸阻抗值變得越來越低。
此外，圖1B是放大的橫截面圖，它示出了形成有透明導(dǎo)電膜的第一電極與形成有Ti的下層相互接觸。如圖1B所示，在第二導(dǎo)電層22b的表面上薄薄地形成氧化鋁膜34，并且形成有透明導(dǎo)電膜的第一電極只與下層電接合。圖1B示出了一個示例，其中下層22a的端部的錐角α小于上層即第二導(dǎo)電層22b的端部的錐角β。下層即第一導(dǎo)電層22a的端部的錐角α越小，則第一電極與第一導(dǎo)電層相接觸的面積就會增大。
接下來，通過使用第八掩模，形成絕緣體29(被稱為團塊、隔離壁、隔離物、筑堤等)，以覆蓋第一電極23R和23G的端部。作為絕緣體29，形成厚度為0.8-1微米的有機樹脂膜(通過涂敷方法而獲得的)或SOG膜(比如含烷基的SiOx膜)。
接下來，通過蒸鍍方法或涂敷方法，層疊分別包含有機化合物的層24R和24G。另外，在形成含有機化合物的層24R和24G之前，期望進行用于除氣的真空加熱，以便提高可靠性。例如，在蒸鍍有機化合物材料之前，期望在200-300攝氏度下在低壓氣氛中或惰性氣體中進行熱處理，以便除去基板中所包含的氣體。在被抽真空的薄膜形成腔中，真空度為5×10-3托(0.665Pa)或更小，較佳地在10-4-10-6托的范圍中，通過蒸鍍方法，形成含有機化合物的層24R和24G。在蒸鍍處，通過阻抗加熱，預(yù)先蒸發(fā)有機化合物，并且通過打開快門，蒸發(fā)的有機化合物朝著基板濺射。所蒸發(fā)的有機化合物可通過金屬掩模所提供的開孔向基板上濺射，并隨后沉積在基板上。
為了實現(xiàn)全部色彩，為每一種發(fā)光顏色(RGB)對準掩模。
含有機化合物的層24R和24G是多層的，它們是通過在第一電極上按順序地層疊空穴注入層/空穴輸運層/發(fā)光層/電子輸運層而形成的。例如，在含有機化合物的層24R中，形成40納米厚的摻有DCM的Alq3作為發(fā)光層。此外，在含有機化合物的層24G中，形成40納米厚的摻有DMQD的Alq3作為發(fā)光層。盡管此處未示出，但是形成了30納米厚的摻有CBP(4，4’-二(N-咔唑基)-聯(lián)苯)的PPD(4，4’-二(N-(9-菲基)-N-苯基氨基)聯(lián)苯)作為藍色發(fā)光層，并且形成了10納米厚的SAlq(二(2-甲基-8-喹啉醇化物)(三苯基硅烷醇基)鋁)作為阻擋層。
接下來，形成第二電極25，即有機發(fā)光元件的陰極(或陽極)。作為第二電極25的材料，可以使用像MgAg、MgIn或AlLi、CaF2、CaN等合金，或可以使用通過共同蒸鍍鋁和元素周期表第一族或第二族的元素從而形成的膜。
在形成第二電極25之前，可以用CaF2、MgF2、BaF2、來形成透光層并作為陰極緩沖層，厚度為1-5納米。
此外，可以形成用于保護第二電極25的保護層。
接下來，通過用密封材料(未示出)粘貼密封基板33，來密封發(fā)光元件。干燥的惰性氣體或透明的填充材料填充著由一對基板和密封材料包圍著的區(qū)域27。作為惰性氣體，可以使用稀有氣體或氮氣，并且向密封基板33提供用于干燥的干燥劑。作為填充材料，可以使用任何材料，只要該材料具有透光性即可。通常，紫外可固化或熱固環(huán)氧樹脂都可以使用。當(dāng)填充材料填滿這對基板之間的空間時，整體的透射率可以提高。
當(dāng)用透明材料構(gòu)成第一電極且用金屬材料構(gòu)成第二電極時，便獲得了一種透過基板10提取光線的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是所謂的底部發(fā)射型。此外，當(dāng)用金屬材料構(gòu)成第一電極且用透明材料構(gòu)成第二電極時，便獲得了一種透過密封基板33提取光線的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)是所謂的頂部發(fā)射型。此外，當(dāng)?shù)谝浑姌O和第二電極均用透明材料構(gòu)成時，便可以獲得一種從基板10和密封基板33中提取光線的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明可以適當(dāng)?shù)厥褂蒙鲜鼋Y(jié)構(gòu)中的任一種。
當(dāng)透過基板10提取光線時，發(fā)光層發(fā)出的光線所要穿過的那些層分別是第一電極、第一夾層絕緣膜13、第二夾層絕緣膜16、柵絕緣膜12以及底部絕緣膜11，它們?nèi)及ㄑ趸?折射率大約1.46)；因此，折射率的差異較小，由此增大了光線提取效率。即，用折射率不同的材料構(gòu)成的多層之間的雜散光可以得到抑制。
〔實施例2〕此處，下面參照圖2A和2B描述具有雙層結(jié)構(gòu)的電極的示例，其形狀與實施例1不相同。
因為除了形成包括第一導(dǎo)電層222a和第二導(dǎo)電層222b的電極的步驟以外的各步驟均與實施例1相同，所以詳細描述省略。因此，在圖2A和2B中，與圖1A相同的部分仍用相同的標號來表示。
根據(jù)實施例1，形成具有雙層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電膜，它與半導(dǎo)體層在接觸孔中相接觸。用高熔點金屬(比如Ti或Mo)或高熔點金屬化合物(比如TiN)，來形成要成為下層的第一導(dǎo)電層222a，其厚度為20-200納米。要成為下層的第一導(dǎo)電層222a具有一個優(yōu)點，即防止硅和鋁的交互式擴散。
用低阻抗金屬(通常是鋁)形成要成為上層的第二導(dǎo)電層222b，其厚度為0.1-2微米，以便減小引線的電阻。最好在同一濺射裝置中連續(xù)地形成這兩層，使得每一層的表面都不被氧化。
接下來，用第七掩模進行首次蝕刻。通過第一次蝕刻，形成圖形化且具有寬度W4的上層。第一次蝕刻是通過干蝕方法或濕法蝕刻方法進行的。
接下來，用第八掩模進行第二次蝕刻。通過第二次蝕刻，形成圖形化且具有寬度W3的下層。第二次蝕刻是通過干蝕方法或濕法蝕刻方法進行的。
在第一次和第二次蝕刻處，上層的寬度W4是由第七掩模決定的，下層的寬度W3是由第八掩模決定的。
接下來，按照與實施例1相同的方式，形成透明導(dǎo)電膜，它與具有雙層結(jié)構(gòu)的電極或引線相接觸。當(dāng)透明導(dǎo)電膜和第一導(dǎo)電層222a形成得彼此直接接觸時，可以獲得良好的歐姆接合。然后，用第九掩模進行蝕刻，由此形成第一電極23R和23G，它們是有機發(fā)光元件的陽極(或陰極)。
下面的步驟與實施例1相同，因此，詳細描述省略。
此處，示出了一個示例，它通過兩次圖形化形成突出部分便獲得了圖2A所示的電極結(jié)構(gòu)。在兩次圖形化的情況下，可以像實施例1那樣在上層的相反兩側(cè)相等地形成突出部分，并且也可以只在與第一電極重疊的那部分處形成突出部分以便后來形成。換句話說，通過適當(dāng)?shù)卦O(shè)計這兩種圖形化掩模，便可以控制第一電極和下層相接觸的面積的大小。
圖2B是放大的截面圖，它示出了用透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一電極與用Ti構(gòu)成的下層相接觸。如圖2B所示，在第二導(dǎo)電層222b的表面上薄薄地形成鋁膜34，并且用透明導(dǎo)電膜構(gòu)成的第一電極只與下層電接合。在圖2B中，要成為下層的第一導(dǎo)電層222a的端部的錐角α大于第二導(dǎo)電層222b的端部的錐角β。如圖2B所示，下層的頂部表面部分和端部與第一電極電連接。第一電極與下層的端部相接觸的面積大于第一電極與下層的頂部表面相接觸的面積。
本實施例可以與實施例1自由組合。
〔實施例3〕下面參照圖3描述一個示例，該示例在透明導(dǎo)電膜和具有雙層結(jié)構(gòu)的電極之間提供更多一層絕緣膜。
因為直到形成具有第一導(dǎo)電層22a、第二導(dǎo)電層22b的電極的那些步驟都與實施例1相同，所以詳細描述省略。此外，在圖3中，與圖1A相同的部分用相同的標號來表示。
首先，根據(jù)實施例1所示步驟，形成具有雙層結(jié)構(gòu)的電極22a和22b。接下來，形成平整化絕緣膜320，它要成為第三夾層絕緣膜。作為平整化絕緣膜320，使用通過涂敷方法獲得的絕緣膜，其骨架結(jié)構(gòu)包括硅(Si)氧(O)鍵。此處，第三平整化絕緣膜320被用作平整化，平整化絕緣膜16并不必然是平的，例如，可以使用通過PCVD方法構(gòu)成的無機絕緣膜。
接下來，選擇性地蝕刻平整化絕緣膜320，由此形成接觸孔，接觸孔到達要成為上層的第二導(dǎo)電層22b以及平整化絕緣膜16。接下來，形成透明導(dǎo)電膜并使其圖形化，以便形成第一電極323R和323G。
接下來，按照與實施例1所示步驟相同的方式，形成絕緣體329，它覆蓋第一電極323R和323G的端部。因為下面的步驟與實施例1相同，所以詳細描述省略。
通過具有圖3所示結(jié)構(gòu)，第一電極的面積可以擴大，發(fā)光區(qū)域可以擴大。
本實施例可以與實施例1或?qū)嵤├?自由組合。
參照下文所示實施方式，更詳細地描述了具有上述結(jié)構(gòu)的本發(fā)明。
〔實施方式1〕本實施例參照圖9描述了全色彩發(fā)光器件，圖9示出了有源矩陣發(fā)光器件的部分橫截面。
在第一基板1001上設(shè)置了三個TFT 1003R、1003G和1003B，在第一基板1001處設(shè)置了底部絕緣膜1002。這三個TFT都是p型溝道TFT，每一個都具有溝道形成區(qū)域1020、源極或漏極區(qū)域1021或1022、柵絕緣膜1005以及柵極。柵極具有兩層，即柵極的錐形下層1023a和柵極的上層1023b。
此外，夾層絕緣膜1006是無機絕緣膜。用于覆蓋夾層絕緣膜1006的平整化絕緣膜1007是通過涂敷方法形成的夾層絕緣膜。
在發(fā)光元件中，第一電極是平的是很重要的。如果平整化絕緣膜1007不平的，則有可能因平整化絕緣膜1007的表面不平整效應(yīng)而導(dǎo)致第一電極沒有變平。因此，平整化絕緣膜1007的平整性是重要的。
此外，TFT的漏極或源極引線1024a和1024b具有雙層結(jié)構(gòu)。在隨后要與透明導(dǎo)電膜相連的那部分中，漏極或源極引線的下層1024a的寬度大于漏極或源極引線的上層1024b的寬度。根據(jù)實施例2，這種電極形狀是通過兩次圖形化而獲得的，以形成突出來的部分。漏極或源極引線的下層1024a是用鈦膜構(gòu)成的，而漏極或源極引線的上層1024b則是用鋁膜構(gòu)成的?？紤]到夾層絕緣膜的覆蓋，TFT的漏極或源極引線的上層1024b最好是錐形的。
根據(jù)實施例1，與上層的側(cè)面相比，下層的側(cè)面可以具有更小的錐形。
此外，隔離壁1009是用樹脂構(gòu)成的，并且用作含有機化合物且顯示不同光發(fā)射的多層之間的隔離。因此，隔離壁1009具有光柵形狀以便圍繞著一個像素(即一個發(fā)光區(qū)域)。盡管含有機化合物且顯示不同光發(fā)射的各層可能在隔離壁上重疊，但是各層不應(yīng)該與相鄰像素的第一電極重疊。
發(fā)光元件包括第一電極1008，它包含透明導(dǎo)電材料；層1015R、1015G和1015B，各層都包含有機化合物；以及第二電極1010。在本實施例中，第一電極1008與下電極1024相接觸，使得它們電連接。
此外，第一電極1008和第二電極1010的材料都需要在考慮功函數(shù)的情況下進行選擇。然而，第一電極和第二電極可以是陽極或陰極。當(dāng)驅(qū)動TFT的極性是p溝道類型時，第一電極最好是陽極，而第二電極最好是陰極。此外，當(dāng)驅(qū)動TFT的極性是n溝道類型時，第一電極最好是陰極，而第二電極最好是陽極。
此外，從第一電極(陽極)那一側(cè)按順序?qū)盈BHIL(空穴注入層)、HTL(空穴輸運層)、EML(發(fā)光層)、ETL(電子輸運層)和EIL(電子注入層)，便形成了含有機化合物的各個層1015R、1015G和1015B。除了多層結(jié)構(gòu)以外，含有機化合物的層還可以具有單層結(jié)構(gòu)或混合結(jié)構(gòu)。為了實現(xiàn)全色彩，選擇性地形成含有機化合物的各個層1015R、1015G和1015B，以便形成三種像素RGB。
此外，最好提供用于覆蓋第二電極1010的保護膜1011和1012，以便保護發(fā)光元件免受因濕氣或除氣所造成的任何損壞。作為保護膜1011和1012，最好使用通過PCVD方法獲得的密實的無機絕緣膜(比如SiN膜或SiNO膜)、通過濺射方法獲得的密實的無機絕緣膜(比如SiN膜或SiNO膜)、以碳作為其主要成分的薄膜(比如DLC膜、CN膜、或非晶碳膜)、金屬氧化物膜(比如WO2、CaF2、Al2O3)等。
第一基板1001和第二基板1016之間的空間1014是用填充材料或惰性氣體來填充的。當(dāng)填充像氮氣這樣的惰性氣體時，最好在空間1014中提供用于干燥的干燥劑。
此外，來自發(fā)光元件的光線是通過第一基板1001而提取的。圖9示出了底部發(fā)射型發(fā)光器件。
盡管在本實施例中描述了頂部柵TFT的示例，但是本發(fā)明可以在無論TFT結(jié)構(gòu)如何的情況下得到應(yīng)用。例如，本發(fā)明可以應(yīng)用于底部柵(反向交錯)TFT或交錯TFT。
本實施方式可以與實施例1-3中任一個自由組合。
〔實施方式2〕本實施例參照圖10描述了發(fā)光器件的一個示例，其中通過在同一基板上形成像素部分、驅(qū)動電路和端部便可以從兩個基板中提取光線。
在基板610上形成底部絕緣膜之后，形成每一個半導(dǎo)體層。接下來，在形成用于覆蓋半導(dǎo)體層的柵絕緣膜之后，形成各個柵極和端電極。接下來，用賦予n型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(以磷或砷為代表)對半導(dǎo)體進行摻雜以便形成n溝道TFT 636，并且用賦予p型導(dǎo)電性的雜質(zhì)元素(以硼為代表)對半導(dǎo)體進行摻雜以便形成p溝道TFT 637。因此，適當(dāng)?shù)匦纬闪嗽礃O區(qū)域、漏極區(qū)域，并且如有必要的話還形成了LDD區(qū)域。接下來，在形成通過PCVD方法而獲得的含氫的氮氧化硅膜(SiNO膜)之后，激活半導(dǎo)體層中所摻有的雜質(zhì)元素并且進行氫化。
接下來，形成要成為夾層絕緣膜的平整化絕緣膜616。作為平整化絕緣膜616，使用了通過涂敷方法而獲得的絕緣膜，其骨架結(jié)構(gòu)包括硅氧鍵。
接下來，用掩模在平整化絕緣膜中形成接觸孔，同時除去四周的平整化絕緣膜。
接下來，通過將平整化絕緣膜616用作掩模而進行蝕刻，以便選擇性地除去含氫的SiNO膜以及柵絕緣膜的露出部分。
在形成導(dǎo)電膜之后，用掩模進行蝕刻，由此形成漏極引線和源極引線。漏極引線具有雙層結(jié)構(gòu)，并且在隨后與透明導(dǎo)電膜相連的那部分中，下層寬度大于上層。在本實施例中，根據(jù)實施例1的各步驟，形成下層從上層突出來的那部分。此外，與上層側(cè)面相比，下層側(cè)面具有更小的錐角。
接下來，形成包括透明導(dǎo)電膜的第一電極623，即有機發(fā)光元件的陽極(或陰極)。第一電極623電連接到下層的突出部分。
接下來，使通過涂敷方法而獲得的SOG膜(例如，含烷基的SiOx膜)圖形化，由此形成了絕緣體629(被稱為團塊、隔離壁、隔離物、筑堤等)，用于覆蓋第一電極623的端部。
接下來，通過蒸鍍方法或涂敷方法，形成含有機化合物的層624。接下來，形成包括透明導(dǎo)電膜的第二電極625，即有機發(fā)光元件的陰極(或陽極)。接下來，通過蒸鍍方法或濺射方法，形成透明保護層626。透明導(dǎo)電層626保護第二電極625。
接下來，通過用密封材料628粘貼透明的密封基板633，來密封住發(fā)光元件。即，按照顯示區(qū)域周圍被密封材料圍繞這樣的方式，用一對基板來密封發(fā)光顯示器。因為TFT的夾層絕緣膜設(shè)置在基板的整個表面上，所以當(dāng)密封材料的圖形比夾層絕緣膜的四周更向內(nèi)時，濕氣或雜質(zhì)有可能透過在密封材料的圖形之外的那部分夾層絕緣膜而侵入。因此，在用作TFT的夾層絕緣膜的平整化絕緣膜的四周，設(shè)置密封材料，以便通過與密封材料圖形的內(nèi)部重疊，最好是與密封材料圖形重疊，來覆蓋平整化絕緣膜的端部。用透明的填充材料627來填充被密封材料628所圍繞的區(qū)域。
最終，根據(jù)已知的方法，由各向異性的導(dǎo)電膜631將FPC 632粘貼到端電極。端電極最好是用透明導(dǎo)電膜形成的，端電極與柵引線同時形成(圖10)。
此外，通過基板610和密封基板633，向兩側(cè)提取來自發(fā)光元件的光線。在圖10所示發(fā)光器件的結(jié)構(gòu)中，光線是從基板和密封基板中提取的。
根據(jù)上述步驟，像素部分、驅(qū)動電路和端部分可以形成于同一基板上。
本實施方式可以與實施例1-3中任一個自由組合。
〔實施方式3〕本實施例描述了在上述實施例所制造的EL顯示板中安裝驅(qū)動IC或FPC的示例。
圖11A是示出了發(fā)光器件的示例的頂視圖，其中FPC 1209粘貼到四個端部1208。在基板1210上，形成了包括發(fā)光元件和TFT的像素部分1202、包括TFT的柵側(cè)驅(qū)動電路1203以及包括TFT的源側(cè)驅(qū)動電路1201。當(dāng)用具有晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體膜來形成TFT的溝道形成區(qū)域時，這些電路可以形成于同一基板上。因此，可以制造出一種實現(xiàn)了“板上系統(tǒng)”的EL顯示板。
基板1210上除接觸部分以外的部分均被保護膜覆蓋，并且在該保護膜上設(shè)置底層，該底層包含一種具有光催化劑功能的材料。
此外，連接部分1207設(shè)置在兩個位置處，以便夾住像素部分，從而使發(fā)光元件的第二電極接觸下層的引線。發(fā)光元件的第一電極與像素部分中所設(shè)置的TFT電連接。
用密封材料1205將密封基板1204固定到基板1210上，該密封材料1205圍繞著像素部分和驅(qū)動電路，并且填充材料被密封材料1205圍繞著。此外，可以使用含透明干燥劑的填充材料。此外，干燥劑可以被置于未與像素部分重疊的區(qū)域中。
圖11A示出了一種結(jié)構(gòu)，對于具有XGA級相對大的尺寸(例如，對角線4.3英寸)的發(fā)光器件而言，該結(jié)構(gòu)較佳。同時，圖11B示出了使用COG方法的一個示例，該方法對小尺寸而言較佳(例如，對角線1.5英寸)。
在圖11B中，驅(qū)動IC 1301安裝在基板1310上，并且FPC 1309被安裝到驅(qū)動IC尖端處的端部1308上。多個要安裝的驅(qū)動IC 1310最好形成于邊長為300-1000毫米或更長的矩形基板上。即，具有驅(qū)動電路部分和輸入/輸出端的多個電路圖形作為一個單元可以形成于基板上，并且通過最終分割基板便可以取出各電路圖形?？紤]到像素部分一邊或像素節(jié)距的長度，驅(qū)動IC可以具有其長邊長度為15-80毫米且短邊長度為1-6毫米的矩形。驅(qū)動IC的長邊長度可能等于像素區(qū)域的一邊或像素部分一邊長度與驅(qū)動電路一邊長度之和。
與IC芯片相比，驅(qū)動IC外部尺寸的優(yōu)先級在于長邊的長度。當(dāng)驅(qū)動IC具有15-80毫米的長邊時，與使用IC芯片的情況相比，根據(jù)像素部分安裝所需的數(shù)目更少些，由此增大了產(chǎn)量。當(dāng)驅(qū)動IC形成于玻璃基板上時，用作底部材料的基板的形狀不受限制，并且生產(chǎn)率不下降。與從圓形硅晶片中取出IC芯片的情況相比，這是個很大的優(yōu)點。
此外，TAB方法也可以應(yīng)用。在TAB方法中，可以粘貼多個卷帶，并且可以將驅(qū)動IC安裝到這些卷帶上。與COG方法相似的是，單個驅(qū)動IC可以被安裝到單個卷帶上。在這種情況下，從強度這一點來看，最好粘貼用于固定驅(qū)動IC的金屬小片等。
在除接觸部分以外的部分，用保護膜來覆蓋基板1310。在保護膜上設(shè)置底層，該底層包含一種具有光催化劑功能的材料。
此外，在像素部分1302與驅(qū)動IC 1301之間設(shè)置連接區(qū)域1307，使得發(fā)光元件的第二電極接觸下層的引線。要注意，發(fā)光元件的第一電極與像素部分中所設(shè)置的TFT電連接。
此外，用圍繞著像素部分1302的密封材料1305以及被密封材料圍繞的填充材料，將密封基板1304固定到基板1310。
當(dāng)TFT的溝道形成區(qū)域是用非晶半導(dǎo)體膜構(gòu)成時，即使尺寸很大也要使用圖11B的結(jié)構(gòu)，因為驅(qū)動電路很難形成于同一基板上。
本實施方式可以與實施例1-3以及實施方式1和2自由組合。
〔實施方式4〕本實施方式參照圖12示出了液晶顯示器的一個示例，其中像素部分、驅(qū)動電路和端部形成于同一基板上。圖12是不使用濾色片的液晶板的橫截面圖。
本實施方式使用場順序驅(qū)動方法，其中光學(xué)快門由不使用濾色片的液晶板來指揮，并且RGB三色的背光源高速閃爍。根據(jù)場順序方法，利用人眼的時間分辨極限，通過連續(xù)時間附加顏色混合，便實現(xiàn)了彩色顯示。
三種TFT 703設(shè)置在第一基板701上，在第一基板701處設(shè)置了底部絕緣膜702。三種TFT是n溝道TFT，各TFT都具有溝道形成區(qū)域720、低濃度雜質(zhì)區(qū)域725和726、源極或漏極區(qū)域721和722、柵絕緣膜705以及柵極。柵極具有兩層，其中包括錐形下層723a和上層723b。
夾層絕緣膜706是無機絕緣膜。用于覆蓋夾層絕緣膜706的平整化絕緣膜707是一種用涂敷方法構(gòu)成的平的夾層絕緣膜。
TFT的漏極引線或源極引線具有雙層結(jié)構(gòu)。在隨后與透明導(dǎo)電膜相連的那部分中，漏極或源極引線的下層724a的寬度大于漏極或源極引線的上層724b的寬度。漏極或源極引線的下層是用Mo層構(gòu)成的，而漏極或源極引線的上層則是用鋁膜構(gòu)成的?？紤]到夾層絕緣膜的覆蓋，TFT的漏極或源極引線最好具有錐形。
像素電極708可以用透明導(dǎo)電膜構(gòu)成，比如ITO(氧化銦錫)、ITSO(包含氧化硅的氧化銦錫，用含氧化硅2-10wt％的ITO靶通過濺射方法而獲得的)、透光導(dǎo)電氧化膜(IZO，其中氧化鋅(ZnO)按2-20％混入含氧化硅的氧化銦中)、或含氧化硅的ATO(氧化銻錫)。
柱狀間隔物714包含樹脂，并且用于使基板之間的距離保持恒定。因此，柱狀間隔物714按均勻的間隔來設(shè)置。對于更高速的響應(yīng)，基板之間的距離最好是2微米或更小，并且適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)柱狀間隔物714的高度。當(dāng)屏幕尺寸邊長小至2英寸或更小時，并非必然地設(shè)置柱狀間隔物。只當(dāng)像填充物這樣的間隙材料要混入密封材料的情況下，可以適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)基板之間的距離。
此外，設(shè)置了定向膜710，用于覆蓋柱狀間隔物714和像素電極708。定向膜712還被設(shè)置到要成為對置基板的第二基板716，并且第一基板701和第二基板716是用密封材料(未示出)來粘貼的。
第一基板701和第二基板716之間的空間是用液晶材料711來填充的。通過在低壓下滴注液晶材料711使得沒有氣泡進入，用具有閉合圖形的密封材料使這些基板彼此粘貼。或者，可以使用浸入方法(抽吸方法)，其中在設(shè)置具有開口部分的密封圖形并粘貼TFT基板之后，通過使用毛細現(xiàn)象注入液晶。
本實施例的液晶板具有被稱為π單元的結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)使用了一種OCB(光學(xué)補償彎曲)的顯示模式。π單元結(jié)構(gòu)是一種液晶分子的取向，采用液晶分子的預(yù)彎曲角度保持與有源矩陣基板和對置基板之間的中間平面的平面對稱關(guān)系的方法的結(jié)構(gòu)。
在未向基板加電壓時，π單元結(jié)構(gòu)的定向狀態(tài)是噴灑定向，并且當(dāng)加電壓時就移動到彎曲定向。當(dāng)進一步加電壓時，彎曲定向的液晶分子按照與兩個基板垂直的方式而定向，這樣光線可以透過。在OCB模式中，響應(yīng)速度比常規(guī)TN模式高大約10倍。
此外，液晶板被夾在一對光學(xué)膜(偏振板、延遲器等)731和732之間。另外，在使用OCB模式的顯示器中，最好使用雙軸延遲器，來三維地補償延遲的觀察角依賴性。
RGB三色LED 735被用作圖12所示的液晶板的背光源。來自LED 735的光線被光線引導(dǎo)板734引導(dǎo)。在場順序驅(qū)動方法中，在LED發(fā)光周期的TR周期、TG周期和TB周期中，按RGB的順序打開LED。在紅色LED的發(fā)光周期(TR)中，與紅色相對應(yīng)的視頻信號(R1)被提供給液晶板，并且一屏的紅色圖像被寫入液晶板。在綠色LED的發(fā)光周期(TG)中，與綠色相對應(yīng)的視頻數(shù)據(jù)(G1)被提供給液晶板，并且一屏的綠色圖像被寫入液晶板。在藍色LED的發(fā)光周期(TB)中，與藍色相對應(yīng)的視頻數(shù)據(jù)(B1)被提供給液晶板，并且一屏的藍色圖像被寫入液晶板。通過寫入這三種圖像，形成一幀。
〔實施方式5〕通過嵌入根據(jù)本發(fā)明所獲得的EL板或液晶板，便可以制造各種電子設(shè)備。例如，電子設(shè)備可以是照相機，比如攝像機或數(shù)字照相機；目鏡型的顯示器；導(dǎo)航系統(tǒng)；聲音再現(xiàn)裝置(比如車載音頻、音頻部件等)；個人計算機；游戲機；移動信息終端(移動計算機、移動電話、移動游戲機、電子書等)；配有記錄介質(zhì)的圖像再現(xiàn)設(shè)備(具體來講，可以再現(xiàn)記錄介質(zhì)(比如DVD)并具有用于顯示圖像的顯示器的設(shè)備)；等等。圖13A-13H和圖14示出了這些電子設(shè)備的特定示例。
圖13A示出了電視機，它包括外殼2001、支撐座2002、顯示部分2003、揚聲器部分2004、視頻輸入端2005等。本發(fā)明應(yīng)用于電視機和顯示部分2003中的半導(dǎo)體集成電路，因此，可以實現(xiàn)電能消耗更少的電視機。要注意，用于個人計算機、TV廣播接收、廣告顯示等的電視機都被包括了。
圖13B示出了數(shù)字照相機，它包括主體2101、顯示部分2102、圖像接收部分2103、操作鍵2104、外部連接端口2105、快門2106等。本發(fā)明應(yīng)用于數(shù)字照相機中的半導(dǎo)體集成電路(存儲器、CPU等)，因此，可以提供電能消耗更少的數(shù)字照相機。
圖13C示出了個人計算機，它包括主體2201、外殼2202、顯示部分2203、鍵盤2204、外部連接端口2205、指點式鼠標2206等。本發(fā)明應(yīng)用于個人計算機和顯示部分2203中的半導(dǎo)體集成電路(比如存儲器或CPU)。因此，在顯示部分的TFT以及構(gòu)成CPU的一部分的CMOS電路中的接觸阻抗和引線都可以減小，并且可以實現(xiàn)電能消耗更少的個人計算機。
圖13D示出了電子書，它包括主體2301、顯示部分2302、開關(guān)2303、操作鍵2304、紅外端口2305等。本發(fā)明可以應(yīng)用于電子書和顯示部分2302中的半導(dǎo)體集成電路(比如存儲器或CPU)，并且可以實現(xiàn)電能消耗更少的電子書。
圖13E示出了配有記錄介質(zhì)的移動的圖像再現(xiàn)設(shè)備(具體來講比如有DVD再現(xiàn)設(shè)備)，它包括主體2401、外殼2402、顯示部分A 2403、顯示部分B 2404、記錄介質(zhì)(比如DVD)讀取部分2405、操作鍵2406、揚聲器部分2407等。顯示部分A 2403主要顯示圖像信息，而顯示部分B 2404主要顯示文本信息。本發(fā)明應(yīng)用于圖像再現(xiàn)設(shè)備和顯示部分A 2403、B 2404中的半導(dǎo)體集成電路(比如存儲器或CPU)，由此，可以實現(xiàn)電能消耗更少的圖像再現(xiàn)設(shè)備。
圖13F示出了移動游戲機，它包括主體2501、顯示部分2505、操作開關(guān)2504等。本發(fā)明應(yīng)用于游戲機和顯示部分2505中的半導(dǎo)體集成電路(比如存儲器或CPU)，由此，可以實現(xiàn)電能消耗更少的游戲機。
圖13G示出了攝像機，它包括主體2601、顯示部分2602、外殼2603、外部連接端口2604、遠程控制接收部分2605、圖像接收部分2606、電池2607、音頻輸入部分2608、操作鍵2609等。本發(fā)明可以應(yīng)用于攝像機和顯示部分2602中的半導(dǎo)體集成電路(比如存儲器或CPU)，因此，可以實現(xiàn)電能消耗更少的攝像機。
圖13H示出了移動電話，它包括主體2701、外殼2702、音頻輸入部分2704、音頻輸出部分2705、操作鍵2706、外部連接端口2707、天線2708等。本發(fā)明可以應(yīng)用于移動電話和顯示部分2703中的半導(dǎo)體集成電路(比如存儲器、CPU、或高頻電路)，因此，可以實現(xiàn)電能消耗更少的移動電話。
圖14示出了配有記錄介質(zhì)的移動的音樂再現(xiàn)設(shè)備，它包括主體2901、顯示部分2903、記錄介質(zhì)(卡類型存儲器、小型HDD等)讀取部分2902、操作鍵2902和2906、與連接線2904相連的耳機的揚聲器部分2905等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2903，并且可以實現(xiàn)電能消耗更少的音樂再現(xiàn)設(shè)備。
本實施方式可以與實施例1-3以及實施方式1-4中的任一種自由組合。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括透明導(dǎo)電膜和具有半導(dǎo)體薄膜的多個薄膜晶體管，它們都在具有絕緣表面的基板上；以及電極或引線，它是通過層疊與所述半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層而構(gòu)成的；其中所述第一導(dǎo)電層具有比所述第二導(dǎo)電層更大的寬度，以及其中所述透明導(dǎo)電膜與從所述第二導(dǎo)電層的端部延伸出的一部分第一導(dǎo)電膜相接觸。
2.一種半導(dǎo)體器件，包括透明導(dǎo)電膜和具有半導(dǎo)體薄膜的多個薄膜晶體管，它們都在具有絕緣表面的基板上；以及電極或引線，它是通過層疊與所述半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層而構(gòu)成的；其中所述第一導(dǎo)電層具有從所述第二導(dǎo)電層的端部突出來的一部分，以及其中所述透明導(dǎo)電膜與從所述第二導(dǎo)電層的端部突出來的那部分第一導(dǎo)電膜相接觸。
3.一種半導(dǎo)體器件，包括透明導(dǎo)電膜和具有半導(dǎo)體薄膜的多個薄膜晶體管，它們都在具有絕緣表面的基板上；以及電極或引線，它是通過層疊與所述半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層而構(gòu)成的；其中所述第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分具有比所述第二導(dǎo)電層的側(cè)面部分要小的錐角，以及其中所述透明導(dǎo)電膜與所述第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分相接觸。
4.一種半導(dǎo)體器件，包括透明導(dǎo)電膜和具有半導(dǎo)體薄膜的多個薄膜晶體管，它們都在具有絕緣表面的基板上；以及電極或引線，它是通過層疊與所述半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層而構(gòu)成的；其中所述第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分具有比所述第二導(dǎo)電層的側(cè)面部分要大的錐角，以及其中所述透明導(dǎo)電膜與所述第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分相接觸。
5.一種半導(dǎo)體器件，包括透明導(dǎo)電膜和具有半導(dǎo)體薄膜的多個薄膜晶體管，它們都在具有絕緣表面的基板上；以及電極或引線，它是通過層疊與所述半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層而構(gòu)成的；其中所述第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分和所述第二導(dǎo)電層具有相同的錐角，以及其中所述透明導(dǎo)電膜與所述第一導(dǎo)電層的側(cè)面部分相接觸。
6.一種半導(dǎo)體器件，包括透明導(dǎo)電膜和具有半導(dǎo)體薄膜的多個薄膜晶體管，它們都在具有絕緣表面的基板上；電極或引線，它是通過層疊與所述半導(dǎo)體薄膜相接觸的第一導(dǎo)電層和在所述第一導(dǎo)電層上的第二導(dǎo)電層而構(gòu)成的；以及平整化絕緣膜，它在所述電極的一部分或所述引線的一部分之上；其中所述透明導(dǎo)電膜設(shè)置在所述平整化絕緣膜上，其中所述第一導(dǎo)電層具有從所述第二導(dǎo)電層的端部突出來的一部分，其中所述電極或所述引線通過所述平整化絕緣膜中所設(shè)置的接觸孔與所述透明導(dǎo)電膜相接觸，以及其中所述電極的端部或所述引線的端部位于所述接觸孔內(nèi)。
7.如權(quán)利要求1到6中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層是用鈦、鉬、含鈦的合金、或含鉬的合金構(gòu)成的。
8.如權(quán)利要求1到7中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層是用鋁或含鋁的合金構(gòu)成的。
9.如權(quán)利要求1到8中任一項所述的半導(dǎo)體器件，還包括發(fā)光元件，其中透明導(dǎo)電膜用作陽極或陰極。
10.如權(quán)利要求1到8中任一項所述的半導(dǎo)體器件，還包括液晶元件，其中所述透明導(dǎo)電膜用作像素電極。
11.如權(quán)利要求1到10中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述透明導(dǎo)電膜是用ITO或IZO構(gòu)成的。
12.如權(quán)利要求1到11中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第二導(dǎo)電層的表面是用氧化膜覆蓋的。
13.如權(quán)利要求1到12中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述第一導(dǎo)電層和所述第二導(dǎo)電層是在同一濺射裝置中連續(xù)形成的。
14.如權(quán)利要求1到13中任一項所述的半導(dǎo)體器件，其特征在于，所述半導(dǎo)體器件是移動信息終端、攝影機、數(shù)字照相機、或個人計算機。
全文摘要
本發(fā)明的目的是連接用兩種不相容的膜(ITO膜和鋁膜)構(gòu)成的引線、電極等，同時不增大該引線的橫截面面積，并且即使屏幕尺寸變得更大也能夠?qū)崿F(xiàn)低功耗。本發(fā)明提供了一種包括上層和下層的雙層結(jié)構(gòu)，下層寬度大于上層寬度。第一導(dǎo)電層是用Ti和Mo構(gòu)成的，第二導(dǎo)電層是用鋁(純凈的鋁)構(gòu)成的，第二導(dǎo)電層具有低電阻且位于第一導(dǎo)電層上。從上層的端部突出來的那部分下層與ITO接合。
文檔編號H01L21/336GK101044627SQ200580030578
公開日2007年9月26日 申請日期2005年9月13日 優(yōu)先權(quán)日2004年9月15日
發(fā)明者檜垣欣成, 坂倉真之, 山崎舜平 申請人:株式會社半導(dǎo)體能源研究所