專利名稱：形成具有精確特性的集成電路部件的系統(tǒng)和方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總體上涉及集成電路制造，更尤其是涉及一種形成具有精確特性的集成電路部件的系統(tǒng)和方法。
背景技術(shù)：
集成電路裝置通常包括多個電路部件，例如多個晶體管、電阻器和電容器。使用多種集成電路制造技術(shù)，例如多種沉積和光刻技術(shù)，通過在半導(dǎo)體晶片(例如硅晶片)中形成特定的幾何形狀可以制造這種集成電路部件。在一些例子中，集成電路裝置的兩個或者更多個電子部件彼此是相關(guān)的，使得電部件的一個或者多個特性必須“匹配”，以便于使集成電路裝置正確地運行。例如，可能必要的是，集成電路裝置中的特定電阻器對提供同樣大小的電阻，以便于使裝置正確地或者如所希望地運行。作為另一個例子，可能必要的是，集成電路裝置中的特定電容器對提供同樣大小的電容，以便于使裝置正確地或者如所希望地運行。
為了提供具有“匹配”的電特性的這種部件，已經(jīng)作出了嘗試，在半導(dǎo)體晶片中形成具有相同幾何形狀的部件。然而，多種因素通常導(dǎo)致形成在半導(dǎo)體晶片中的集成電路部件的幾何形狀缺陷和不一致，例如，在形成集成電路部件中使用的光掩模中形成的幾何形狀的缺陷、和集成電路部件的光刻成像有關(guān)的缺陷、和用于光刻成像工藝的透鏡有關(guān)的缺陷和/或在光刻成像工藝過程中由光反射導(dǎo)致的缺陷。
如果確定需要匹配的一對集成電路部件實際上沒有匹配，則可以修改半導(dǎo)體晶片上的該對部件的一個或者兩個的物理幾何形狀。例如使用常規(guī)技術(shù)，可以將“凸出部(tab)”激光燒蝕到一個或者兩個部件，直到確定部件的相關(guān)電特性匹配了為止。對半導(dǎo)體晶片上的部件的這種處理可能增加了循環(huán)時間和人力，其會降低效率并可因此增加制造集成電路裝置的成本。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)，已經(jīng)基本上減少或者消除了和形成具有精確電特性的集成電路部件有關(guān)的缺點和問題。通常，可以使用重復(fù)工藝測試和修改光掩模，以形成所希望的光掩模。例如，可以在光刻工藝中使用光掩模形成測試部件，可以測試測試部件的一個或者多個電特性，并且如果測試結(jié)果不滿意，可以修改光掩模并重復(fù)該過程，直到光掩模產(chǎn)生出具有所希望的電特性的測試部件為止。然后可以使用光掩模在任何適當(dāng)數(shù)量的晶片上形成部件。
在一個實施例中，提供了形成集成電路部件的方法。可以提供光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征?？梢詧?zhí)行第一光刻工藝以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片，以在半導(dǎo)體晶片上形成第一IC部件?？梢詼y量第一IC部件的至少一個電特性?？梢灾辽倩趯Φ谝籌C部件的該至少一個電特性的測試的結(jié)果物理地修改第一掩模特征幾何形狀。
在另一個實施例中，提供了形成集成電路部件的另一種方法?？梢蕴峁┕庋谀＃浒ň哂袑?yīng)于第一類型的IC部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征和具有對應(yīng)于第二類型的IC部件的第二掩模特征幾何形狀的第二掩模特征。可以執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第一IC部件和第二IC部件?？梢詼y量第一和第二IC部件的每一個的至少一個電特性。第一IC部件的該至少一個測量的電特性可以和第二IC部件的該至少一個測量的電特性比較?；谒鶞y量的電特性的比較，可以決定是否物理地修改第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個。
在另一個實施例中，提供了形成集成電路部件的另一個方法。可以提供第一光掩模和第二光掩模。第一光掩?？梢园ň哂袑?yīng)于第一類型的IC部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征，以及第二光掩?？梢园ň哂袑?yīng)于第二類型的IC部件的第二掩模特征幾何形狀的一個或者多個第二掩模特征?？梢詧?zhí)行使用第一光掩模的第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第一IC部件?？梢詧?zhí)行使用第二光掩模的第二光刻工藝，以將該一個或者多個第二掩模特征的每一個的第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成一個或者多個第二IC部件，該一個或者多個第二IC部件的每一個耦接到第一IC部件?？梢詼y量第一IC部件的至少一個電特性。至少基于第一IC部件的該至少一個電特性的測量結(jié)果，可以物理地修改至少其中一個第二掩模特征的第二掩模特征幾何形狀。
一個優(yōu)點是，可以提供形成關(guān)鍵特性集成電路部件的系統(tǒng)和方法。在一些實施例中，可以使用重復(fù)工藝來測試和修改光掩模，以形成所希望的光掩模，然后其可以用于在任何適當(dāng)數(shù)量的半導(dǎo)體晶片上制造具有令人滿意的電特性的集成電路部件。使用這種技術(shù)，和制造關(guān)鍵特性集成電路部件的在前技術(shù)相比，可以減少或者消除對形成在半導(dǎo)體晶片上的集成電路部件的修改(例如修整(trimming)或者激光燒蝕)的數(shù)量，因此其可以降低循環(huán)時間、增加產(chǎn)量和/或降低成本。
在本發(fā)明的各個實施例中可以存在這些技術(shù)優(yōu)點的全部、一些或者不存在。從下面的附圖、描述和權(quán)利要求中，其它的技術(shù)優(yōu)點對于本領(lǐng)域技術(shù)人員將容易地變得明顯。


通過結(jié)合附圖參考下述的描述可以獲得本發(fā)明實施例的更全面和徹底的理解及其優(yōu)點，其中類似的參考數(shù)字表示類似的特征，以及其中圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的特定實施例的實例光掩模組件的截面圖；圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例用于形成關(guān)鍵特性集成電路部件的光刻工藝的局部三維圖；圖3A-3C是示出了根據(jù)本發(fā)明的特定實施例修改部件的幾何形狀的實例方法的形成在光掩模的圖案化層中的部件的頂視圖；圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例在半導(dǎo)體晶片中形成關(guān)鍵特性集成電路部件的重復(fù)方法的流程圖；圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例形成在半導(dǎo)體晶片中的集成電路的一部分的三維圖；以及圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例具有圖案化層的光掩模的一部分的頂視圖，其包括用于形成電阻器的互連對的掩模特征對。
具體實施例方式
參考圖1至圖6可以最好地理解本發(fā)明的優(yōu)選實施例和它們的優(yōu)點，其中使用類似的數(shù)字表示類似和相應(yīng)的部分。
圖1示出了根據(jù)本發(fā)明的特定實施例的實例光掩模組件10的截面圖。光掩模組件10可以包括安裝在光掩模12上的薄膜組件14。襯底16和圖案化層18可以形成光掩模12，另外還稱作掩模或者掩模版(reticle)，其可以具有多種尺寸和形狀，包括但不局限于例如圓形、矩形或者正方形。光掩模12還可以是多種光掩模類型中的任何一種，包括但不局限于一次母板、五英寸掩模版、六英寸掩模版、九英寸掩模版或者可以將電路圖案的圖像投影到半導(dǎo)體晶片上的任何其它適當(dāng)尺寸的掩模版。光掩模12還可以是二進制掩模，相移掩模(PSM)(例如，交替孔相移掩模，還稱為Levenson型掩模)、光學(xué)鄰近校正(OPC)掩?；蛘哌m用于光刻系統(tǒng)的任何其它類型的掩模。
光掩模12可以包括形成在襯底16的頂表面17上的圖案化層18，當(dāng)暴露于光刻系統(tǒng)中的電磁能量時，該圖案化層可以將圖案投影到半導(dǎo)體晶片的表面上(沒有明確地示出)。在一些實施例中，襯底16可以是透明的材料，例如，石英、合成石英、熔融的硅石、氟化鎂(MgF2)、氟化鈣(CaF2)、或者任何其它的適當(dāng)材料，其透射至少75％的入射光，其具有在大約10納米(10nm)和大約450nm之間的波長。在其它的實施例中，襯底16可以是反射性的材料，例如硅或者任何其他的適當(dāng)材料，其反射大于大約50％的入射光，其具有在大約10nm和450nm之間的波長。
在一些實施例中，圖案化層18可以是金屬材料，例如鉻、氮化鉻、金屬的氧碳氮化物(例如MOCN，其中M選自于由鉻、鈷、鐵、鋅、鉬、鈮、鉭、鈦、鎢、鋁、鎂和硅構(gòu)成的組中)或者任何其它適當(dāng)?shù)牟牧?，其吸收具有在紫外線(UV)范圍、深紫外線(DUV)范圍、真空紫外線(VUV)范圍和超紫外線范圍(EUV)內(nèi)的波長的電磁能量。在其它實施例中，圖案化層18可以是部分透射的材料，例如硅化鉬(MoSi)，其在UV、DUV、VUV和EUV范圍內(nèi)具有大約1％到大約30％的透射率。
框架20和薄膜22可以形成薄膜組件14?？蚣?0可以由陽極化的鋁形成，或者可以替換地由不銹鋼、塑料或者其它適當(dāng)?shù)牟牧闲纬?，所述其它適當(dāng)?shù)牟牧显诒┞队诠饪滔到y(tǒng)內(nèi)的電磁能量時不退化或者除氣。薄膜22可以是由下述材料形成的薄膜片例如硝化纖維、醋酸纖維、非晶的含氟聚合物，諸如由E.I.du Pont de Nemours and Company制造的TEFLONAF或者由Asahi Glass制造的CYTOP，或者其它適當(dāng)?shù)哪?，其對于UV、DUV、EUV和/或VUV范圍內(nèi)的波長是透明的。可以通過常規(guī)技術(shù)，例如旋轉(zhuǎn)鑄造來制備薄膜22。
通過保證污染物保持遠(yuǎn)離光掩模12限定的距離，薄膜22可以保護光掩模12不受例如灰塵顆粒之類的污染物的影響。在光刻系統(tǒng)中這可能尤其重要。在光刻工藝期間，光掩模組件10可以暴露于由光刻系統(tǒng)內(nèi)的輻射能量源產(chǎn)生的電磁能量。該電磁能量可以包括多種波長的光，例如大約在汞弧燈的I線和G線之間的波長，或者DUV、VUV或EUV光。在操作中，薄膜22可以設(shè)計成允許大百分比的電磁能量穿過它。集中在薄膜22上的污染物在被處理的晶片的表面處有可能散焦，因此，晶片上暴露的圖像可能是清楚的。根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)形成的薄膜22可以和所有類型的電磁能量一起被令人滿意地使用，并且不局限于在該申請中描述的光波。
光掩模12可以使用任何標(biāo)準(zhǔn)光刻工藝由光掩模坯件(blank)形成。在光刻工藝中，包括用于圖案化層18的數(shù)據(jù)的掩模圖案文件可以由掩模布局文件產(chǎn)生。在一個實施例中，掩模布局文件可以包括表示用于集成電路的晶體管(或者其它IC部件)和電連接的多邊形。當(dāng)其制作在半導(dǎo)體晶片上時，掩模布局文件中的多邊形還可以表示集成電路的不同層。例如，可以在具有擴散層和多晶硅層的半導(dǎo)體晶片上形成晶體管。因此，掩模布局文件可以包括繪制在擴散層上的一個或者多個多邊形和繪制在多晶硅層上的一個或者多個多邊形。可以將對于每一層的多邊形轉(zhuǎn)換成表示集成電路的一層的掩模圖案文件?？梢允褂妹總€掩模圖案文件為特定層產(chǎn)生光掩模。在一些實施例中，掩模圖案文件可以包括集成電路的一個以上的層，使得可以使用光掩模將來自一個以上的層的特征成像到半導(dǎo)體晶片的表面上。
使用激光器、電子束、X射線光刻系統(tǒng)，可以將所希望的圖案成像到光掩模坯件的抗蝕劑層中。在一個實施例中，激光器光刻系統(tǒng)可以使用氬離子激光器，其發(fā)射具有大約364nm的波長的光。在其它的實施例中，激光器光刻系統(tǒng)使用發(fā)射波長為從大約150nm到大約300nm的光的激光器?？梢酝ㄟ^下述來制作光掩模12顯影和刻蝕抗蝕劑層的暴露區(qū)域以產(chǎn)生圖案，刻蝕沒有被抗蝕劑覆蓋的圖案化層18的部分，并去除沒有顯影的抗蝕劑以在襯底16上產(chǎn)生圖案化層18。
圖案化層18可以包括具有對應(yīng)于形成在半導(dǎo)體晶片上的集成電路部件的幾何形狀的一個或者多個部件。在光刻工藝中，可以將這些部件的幾何形狀轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片的表面上，以形成相對應(yīng)的集成電路部件。這些集成電路部件可以包括，但是不局限于例如電阻器、晶體管、電容器、互連、通孔和金屬線。
在一些實施例中，圖案化層18可以包括對應(yīng)于IC部件的一個或者多個特征30(參見圖2)，對于其，關(guān)于一個或者多個電特性和/或特征的精度和/或精確度對于其中形成這類部件的IC的適當(dāng)?shù)幕蛘咚Ｍ牟僮骺赡苁侵匾幕蛘哧P(guān)鍵的。這些IC部件可以被稱為關(guān)鍵特性IC部件32(參見圖2)。在一些實施例中，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括具有一個或者多個匹配電特性的至少兩個IC部件。在其它的實施例中，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括具有任何適當(dāng)?shù)钠ヅ涮匦缘膬蓚€或者更多個IC部件，其對于IC的適當(dāng)?shù)幕蛘咚Ｍ牟僮骺赡苁侵匾摹?br> 由于IC部件的電特性可以至少部分地依賴于IC部件的物理幾何形狀(包括形狀和尺寸)，因此關(guān)鍵特性IC部件32的幾何形狀可能是重要的或者關(guān)鍵的，以便于提供IC的適當(dāng)?shù)幕蛘咚Ｍ牟僮魉璧碾娞匦?。如上所述，關(guān)鍵特性IC部件32可以具有應(yīng)當(dāng)彼此匹配的一個或者多個電特性。因而，可能重要的是，這些IC部件的幾何形狀或者彼此匹配或者另外對關(guān)鍵特性IC部件32提供匹配的電特性。
如上所述，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括任何IC部件，對于其，和其一個或者多個電特性或者特征有關(guān)的精度和/或精確度對于包含關(guān)鍵特性IC部件32的IC的適當(dāng)?shù)幕蛘咚Ｍ牟僮魇侵匾幕蛘哧P(guān)鍵的。在一些實施例中，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括一對(或更多)相關(guān)的電阻器，使得每個電阻器提供基本相等量的電阻，以便于允許包括它們的IC的適當(dāng)?shù)幕蛘咚Ｍ牟僮?。在另一個實施例中，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括一對(或更多)相關(guān)的電容器，使得每個電容器提供基本相等量的電容，以便于允許IC的適當(dāng)?shù)幕蛘咚Ｍ牟僮?。在另一個實施例中，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括一對(或更多)相關(guān)的電感器，使得每個電感器提供基本相等量的電感，以便于允許IC的適當(dāng)?shù)幕蛘咚Ｍ牟僮鳌?br> 在其它的實施例中，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括具有一個或者多個電特性的一個或者多個IC部件，在精確度的特定程度內(nèi)其基本上和特定的預(yù)定測量匹配。例如，關(guān)鍵特性IC部件32可以包括這樣的電阻器，該電阻器在大約+/-2歐姆的容差范圍內(nèi)應(yīng)當(dāng)提供大約354歐姆的電阻。
應(yīng)當(dāng)理解的是，這里討論的IC部件只是實例，并且關(guān)鍵特性IC部件32可以包括任何其他類型的IC部件。
圖2是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例用于形成關(guān)鍵特性IC部件32的光刻工藝的局部三維圖。光掩模12上的圖案化層18可以包括(其中其它的特征沒有被示出)至少一對特定特征30a和30b，其具有和要形成在半導(dǎo)體晶片40上的至少一對關(guān)鍵特性IC部件32a和32b分別對應(yīng)的幾何形狀。可以按照上面關(guān)于圖1所描述的那樣或者使用用于形成光掩模12的圖案化層18的任何其它適當(dāng)技術(shù)，形成包括特征30a和30b的圖案化層18。
半導(dǎo)體晶片40可以包括多個管芯，其還可以被稱作芯片，其每個都包括包含多個IC部件的一個或者多個集成電路。在一些實施例中，半導(dǎo)體晶片40可以包括適用于制造半導(dǎo)體器件和集成電路的單晶半導(dǎo)體材料的薄的、圓形片。關(guān)鍵特性IC部件32a和32b可以形成要被形成在半導(dǎo)體晶片40上的集成電路42的一部分。
如圖2所示，可以執(zhí)行一個或者多個光刻和/或其它制造工藝，如箭頭44所示，以將由包括特征30a和30b的圖案化層18形成的圖像轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片40的第一區(qū)上，以便于形成包括關(guān)鍵特性IC部件32a和32b的集成電路42(或者集成電路42的至少一部分)。在形成關(guān)鍵特性IC部件32a和32b之后，例如，通過在關(guān)鍵特性IC部件32a和/或32b上的特定點處或者在集成電路42中的其它地方連接探針或者其它測量裝置，可以測量集成電路部件32a和/或32b的一個或者多個電特性。可以使用測量的結(jié)果確定關(guān)鍵特性IC部件32a和/或32b的一個或者多個電特性是否令人滿意。在一個實施例中，根據(jù)精確度或者精度的預(yù)定等級，如果測量的電特性和預(yù)定值匹配，則關(guān)鍵特性IC部件32a和/或32b的電特性可能是令人滿意的。
如果關(guān)鍵特性IC部件32a和/或32b的一個或者多個測量的電特性不令人滿意，則可以物理地修改圖案化層18中的特征30a和30b的一個或者兩個的幾何形狀。例如，這種修改可以包括任何適當(dāng)?shù)厝コ蛘咴黾硬牧希缭谙旅鎱⒖紙D3A-3C更具體地討論的。在一些實施例中，可以根據(jù)電特性的測量結(jié)果確定對特征30a和/或30b執(zhí)行的特定的物理修改(包括修改的類型和/或數(shù)量)。
一旦對特征30a和30b的一個或者兩個作出修改，則可以重復(fù)圖2中所示的光刻和/或其它制造工藝，以將由包括特征30a和30b的圖案化層18形成的圖像轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片40的第二區(qū)上，或者另一半導(dǎo)體晶片上，以便于形成包括關(guān)鍵特性IC部件32a和32b的集成電路42(或者集成電路42的至少一部分)。該對關(guān)鍵特性IC部件32a和32b優(yōu)選不同于形成在半導(dǎo)體晶片40的第一區(qū)中的所述對。
在形成第二對關(guān)鍵特性IC部件32a和32b之后，可以再次測量每個部件的一個或者多個電特性，并確定其是令人滿意的還是不令人滿意的。如果測量的電特性不令人滿意，則可以再次物理地修改圖案化層18中的特征30a和30b的一個或者兩個的幾何形狀?？梢砸灾貜?fù)的方式重復(fù)下述工藝修改特征30a和/或30b，形成關(guān)鍵特性IC部件32a和32b，并測試關(guān)鍵特性IC部件32a和/或32b，直到形成至少一對關(guān)鍵特性IC部件32a和32b為止，對于其測量的電特性是令人滿意的。
圖3A-3C是示出了根據(jù)本發(fā)明的特定實施例修改光掩模12的圖案化層18中的特征30(例如上面討論的特征30a和/或30b)的幾何形狀的實例方法的特征30的頂視圖。
圖3A示出了多個凹口50，其包括實例凹口50a、50b、50c和50d，其可以通過去除形成特征30的材料的一部分形成在特征30中，以便于減少特征30的體積或者其它尺寸。在一個實施例中，使用用于從襯底30去除材料的任何適當(dāng)技術(shù)，例如使用激光修整技術(shù)或者特定的刻蝕工藝，可以在特征30中形成一個或者多個凹口50。
如相對于凹口50d所示的，可以用長度“L”和寬度“W”限定每個凹口50。在一些實施例中，可以基于和特征30有關(guān)的電特性的測量確定長度L和寬度W。在一個實施例中，可以使用特征30在半導(dǎo)體晶片40上產(chǎn)生電阻器，以及凹口50可以改修改成在半導(dǎo)體晶片40上的相應(yīng)關(guān)鍵特性部件32的電阻。例如，在特征30中形成凹口50a(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之一(1％)，在特征30中形成凹口50b(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之二(2％)，在特征30中形成凹口50c(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之三(3％)，以及在特征30中形成凹口50d(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之四(4％)。因此，可以根據(jù)和特征30有關(guān)的電特性的測量形成具有特定尺寸L和W的凹口50。
圖3B示出了多個分路52，其包括實例分路52a、52b、52c和52d，其可以通過去除形成特征30的材料的一部分形成在特征30中。在一個實施例中，可以使用用于從特征30去除材料的任何適當(dāng)技術(shù)，例如使用激光修整技術(shù)或者特定的刻蝕工藝，在特征30中形成一個或者多個分路52。
如關(guān)于分路52a所示的，可以用長度“Ls”和寬度“Ws”限定每個分路52?？梢詮奶卣?0的側(cè)54以距離”Wn”所示的一定距離形成每個分路52。通過從特征30去除材料分路52可以被開口，以形成從特征30的側(cè)54延伸到分路52的凹口56。因此，可以使用分路52提供用于凹口56的預(yù)定寬度Wn。例如，通過形成從特征30的側(cè)54延伸到分路52a的凹口56a，分路52a可以被開口。如圖3B所示，可以用寬度Wn和長度Ln限定凹口56a的尺寸。
在一些實施例中，根據(jù)和特征30有關(guān)的一個或者多個電特性的測量可以決定分路52的一個或者多個長度Ls和/或?qū)挾萕s從特征30的側(cè)54到分路52的距離Wn和/或56的長度Ln。在一個實施例中，可以使用特征30在半導(dǎo)體晶片40上產(chǎn)生電阻器，以及一個或者多個分路52可以改修改成在半導(dǎo)體晶片40上的相應(yīng)關(guān)鍵特性部件32的電阻。例如，在特征30中形成并將分路50a開口(與特征30的側(cè)54隔開第一特定距離Wn形成)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之四(4％)，在特征30中形成并將分路50b開口(與特征30的側(cè)54隔開第二特定距離Wn形成)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之三(3％)，在特征30中形成并將分路50c開口(與特征30的側(cè)54隔開第三特定距離Wn形成)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之二(2％)，以及在特征30中形成并將分路50d開口(與特征30的側(cè)54隔開第四特定距離Wn形成)可以將所得到的電阻器的電阻減小大約百分之一(1％)。
在一些實施例中，可以將一個或者多個分路52預(yù)形成到特征30中。根據(jù)和特征30相關(guān)的一個或者多個電特性的測量，可以選擇將要被開口的一個或者多個預(yù)形成的分路52，以便于提供該一個或者多個電特性的所希望的變化。例如，如圖3B所示，可以測量使用具有四個分路52a-52d的特征30形成的電阻器的電阻，并且由這些測量可以確定電阻應(yīng)當(dāng)被減小大約百分之三(3％)。假定已知將分路52b開口將所得到的電阻器的電阻減小了大約百分之三(3％)，則可以選擇分路52b以通過形成凹口56b被開口。
圖3C示出了包括實例延伸58a、58b、58c和58d的多個延伸58，其可以通過添加與特征30相鄰的材料形成在特征30上，以便于增加特征30的體積或者其它尺寸。使用用于將材料添加到形成在光掩模12的圖案化層18中的任何特征的任何適當(dāng)技術(shù)，例如使用多種沉積技術(shù)，可以將一個或者多個延伸58添加到特征30。延伸58可以由或者可以不由和特征30相同的材料形成。
如關(guān)于實例延伸58c所示的，可以用長度“L”和寬度“W”限定每個延伸58。在一些實施例中，根據(jù)和特征30有關(guān)的一個或者多個電特性的測量，可以確定長度L和寬度W。在一個實施例中，可以使用特征30在半導(dǎo)體晶片40上產(chǎn)生電阻器，以及延伸58可以改修改成在半導(dǎo)體晶片40上的相應(yīng)關(guān)鍵特性部件32的電阻。例如，在特征30中形成延伸58a(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻增加大約百分之一(1％)，在特征30中形成延伸58b(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻增加大約百分之二(2％)，在特征30中形成延伸58c(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻增加大約百分之三(3％)，以及在特征30中形成延伸58a(具有特定長度L和寬度W)可以將所得到的電阻器的電阻增加大約百分之四(4％)。因此，根據(jù)和特征30有關(guān)的電特性的測量，可以形成具有特定尺寸L和W的延伸58。
圖4示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例在半導(dǎo)體晶片40中形成關(guān)鍵特性IC部件32的重復(fù)方法的流程圖。
在步驟100，可以形成具有包括一個或者多個特征30的圖案化層18的光掩模12，該一個或者多個特征30對應(yīng)于要形成在半導(dǎo)體晶片40中的一個或者多個關(guān)鍵特性IC部件32?？梢允褂萌魏芜m當(dāng)?shù)募夹g(shù)，包括例如這里所討論的那些，形成光掩模12。
在步驟102，可以執(zhí)行一個或者多個光刻和/或其它制造工藝，以將由包括特征30的幾何形狀的圖案化層18形成的圖像轉(zhuǎn)移到晶片40上，以便于形成集成電路的至少一部分，其包括該一個或者多個關(guān)鍵特性IC部件32。
在步驟104，通過在關(guān)鍵特性IC部件32上的特定點處或者在集成電路中的其它地方連接探針或者其它測量裝置，可以測量該一個或多個關(guān)鍵特性IC部件32的一個或者多個電特性。例如，在一個或者多個關(guān)鍵特性集成電路部件32包括電阻器對的例子中，可以測量每個電阻器的電阻。
在步驟106，可以使用在步驟104收集的測量，例如根據(jù)精確度或者精度的某一預(yù)定等級來確定關(guān)鍵特性IC部件32的一個或者多個電特性是否令人滿意。
如果確定關(guān)鍵特性IC部件的該一個/多個電特性是令人滿意的，則可以使用光掩模12在任何數(shù)量的半導(dǎo)體晶片上制造任何數(shù)量的集成電路，其包括關(guān)鍵特性IC部件32，如在步驟108所示的。
可替換地，如果確定關(guān)鍵特性IC部件32的一個或者多個電特性不是令人滿意的，則可以確定應(yīng)當(dāng)物理地修改光掩模12的圖案化層18中的至少一個特征30的幾何形狀，如在步驟110所示的。例如上面參考圖3A-3C所討論的，這種修改可以包括任何從至少一個特征30適當(dāng)?shù)厝コ蛘咛砑硬牧?。在一些實施例中，根?jù)該一個或者多個電特性的測量的結(jié)果，可以確定要執(zhí)行的特定物理修改(包括這種修改的類型和/或數(shù)量)。
一旦在步驟110對光掩模12進行了修改，則該方法可以回到步驟102以在另一個半導(dǎo)體晶片上(或者在相同半導(dǎo)體晶片的不同區(qū)域上)形成新的一組關(guān)鍵特性IC部件32。然后可以在步驟104測量該新的一組關(guān)鍵特性IC部件32的電特性，在步驟106確定是否令人滿意，以及如果確定還不令人滿意則在步驟108再次修改。該重復(fù)工藝可以持續(xù)，直到形成在步驟106確定其測量的電特性令人滿意的一組關(guān)鍵特性IC部件32為止。因此可以對光掩模12的圖案化層18中的特征30進行任何次數(shù)的修改，直到它們可操作用于制造具有令人滿意的電特性的關(guān)鍵特性IC部件32為止。
通過根據(jù)上述的重復(fù)工藝修改光掩模12的圖案層18，可以使用所得到的光掩模12在多個半導(dǎo)體晶片上形成具有令人滿意的電特性的關(guān)鍵特性IC部件32。因此，和用于制造關(guān)鍵特性集成電路部件的先前技術(shù)相比，可以減少或者消除在制造的晶片上的關(guān)鍵特性IC部件32的修改(例如修整或激光燒蝕)的數(shù)量。因此，可以提高制造工藝的效率。
圖5是示出了根據(jù)本發(fā)明的實施例形成在半導(dǎo)體晶片中的集成電路的一部分的三維圖。特別地，在圖5中所示的集成電路的該部分可以包括形成在第一層154中的第一對互連或者通孔150和152、形成在第二層158中的電阻器156、以及形成在第三層164中的第二對互連或者通孔160和162?；ミB150、152、160和162中的每一個可以物理地耦接到電阻器156。該部件形成可以提供包括電阻器156和一對互連的多個電勢電路，這對互連潛在地包括例如(1)互連150和152，(2)互連150和162，(3)互連160和162，和/或(4)互連160和152。只是為了說明的目的，下面的討論集中在包括電阻器156以及互連150和152的電勢電路。
如在本領(lǐng)域中公知的，集成電路中的電阻器的電阻部分地依賴于耦接到電阻器的接觸之間的有效距離。因此，在該實例中，電阻器156的電阻部分地依賴于互連150和152之間的有效距離，在圖5中表示為長度RL。根據(jù)互連150和電阻器156之間的有效接觸點以及互連152和電阻器156之間的有效接觸點之間的距離可以限定互連150和152之間的有效距離RL。通過改變互連150和152之間的有效距離RL，可以改變電阻器156的電阻。
如下面參考圖6所述的，使用重復(fù)工藝可以測試和修改用于形成互連150和152的光掩模，以形成產(chǎn)生被分開了有效距離RL的互連150和152的所希望的光掩模，其由電阻器156產(chǎn)生所希望的電阻。然后可以使用光掩模在任何適當(dāng)數(shù)量的晶片上形成互連150和152，其由此可以減少或者消除對制造的晶片上的互連150和152的修改(例如修整或者激光燒蝕)的數(shù)量，其由此可以減少循環(huán)時間、增加產(chǎn)量和/或降低成本。
圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施例具有圖案化層18的光掩模12的一部分的頂視圖，其包括用于形成互連150和152(參見圖5)的一對掩模特征172和172?？梢詧?zhí)行一個或者多個光刻和/或其它制造工藝以將由包括掩模特征170和172的幾何形狀的圖案化層18形成的圖像轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片上，以便于形成互連150和152。應(yīng)當(dāng)理解的是，可以在一個或者多個其它光刻和/或其它制造工藝中使用一個或者多個其它光掩模12，以形成電阻器156和互連160和162，其可以在形成互連150和152之前形成。
在形成電阻器156和互連150和152之后的某一點，例如通過在互連150和152處或者在電路中的其它地方連接探針或者其它測量裝置，可以測量電阻器156的電阻(和/或一個或者多個其它電特性)?；谶@些測量的結(jié)果，例如根據(jù)精確度或者精度的某一預(yù)定等級，可以確定測量的電阻器156的電阻是否令人滿意。
如果測量的電阻器156的電阻是令人滿意的，則可以使用光掩模12在任何數(shù)量的半導(dǎo)體晶片上的任何數(shù)量的集成電路中制造互連150和152。可替換地，如果測量的電阻器156的電阻不是令人滿意的，則可以確定應(yīng)當(dāng)改變互連150和152之間的有效距離RL，以便于改變電阻器156的電阻。為了改修改成在隨后晶片上的互連150和152之間的有效距離RL，可以修改掩模特征170和172中的至少一個的幾何形狀，以調(diào)節(jié)掩模特征170和172之間的有效距離，在圖6中表示為長度CL。
掩模特征170和/或172的幾何形狀的這種修改可以包括對掩模特征170和/或172任何適當(dāng)?shù)厝コ?或添加材料。例如，在一些實施例中，可以在掩模特征170和/或172中形成凹口，或者可以和掩模特征170和/或172相鄰地形成延伸，例如上面參考圖3A-3C所描述的。在圖6中示出了實例修改。例如，關(guān)于掩模特征170，可以去除面對掩模特征172的掩模特征170的一部分，表示為部分180，以便于增加掩模特征170和172之間的有效距離CL?？商鎿Q地，可以鄰近掩模特征170的最遠(yuǎn)離掩模特征172的側(cè)形成延伸，表示為延伸182，以便于增加掩模特征170和172之間的有效距離CL。作為另一個實例，關(guān)于掩模特征172，可以去除最遠(yuǎn)離掩模特征170的掩模特征172的一部分，表示為部分184，以便于減小掩模特征170和172之間的有效距離CL?？商鎿Q地，可以鄰近掩模特征170面對掩模特征170的側(cè)形成延伸，表示為延伸186，以便于減小掩模特征170和172之間的有效距離CL?？梢岳眠@些材料的去除和/或添加的任何適當(dāng)組合來根據(jù)需要修改掩模特征170和172之間的有效距離CL。在一些實施例中，根據(jù)測量的電阻器156的電阻的結(jié)果，可以確定要在掩模特征170和172的一個或者兩個上進行的特定物理修改(包括這種修改的類型和/或數(shù)量)。
如上所述一旦對掩模特征170和/或172作出修改，則可以再次執(zhí)行該一個或者多個光刻和/或其它制造工藝，以將由包括掩模特征170和172的修改的幾何形狀的圖案化層18形成的圖像轉(zhuǎn)移到另一個半導(dǎo)體晶片上(或者同一晶片的不同區(qū)域上)，以便于在該晶片上形成新的一組互連150和152。再一次，可以在一個或者多個其它光刻和/或其它制造工藝中使用一個或者多個其它光掩模12，以形成電阻器156和互連160和162，其可以在形成互連150和152之前形成。
在新晶片上(或者同一晶片的新部分上)形成電阻器156和第二對互連160和162之后，可以再次測量電阻器156的電阻并確定其是否令人滿意。如果電阻器156的電阻仍不令人滿意，則可以再次物理地修改光掩模12的掩模特征170和172中的一個或者兩個的幾何形狀，以便于改變掩模特征170和172之間的有效距離CL，由此改變互連160和162之間的有效距離RL并改變電阻器156的電阻?？梢砸灾貜?fù)的方式重復(fù)下述工藝修改掩模特征170和/或172、形成測試電阻器156和互連160以及162、并測試測試電阻器156，直到形成具有令人滿意的電阻的電阻器為止。
盡管相對于其特定的優(yōu)選實施例已經(jīng)描述了本發(fā)明，但是可以建議本領(lǐng)域技術(shù)人員作出多種變化和修改，并且本發(fā)明旨在包含落在所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)的這些變化和修改。
權(quán)利要求
1.一種形成集成電路部件的方法，包括提供光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征；執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第一IC部件；測量第一IC部件的至少一個電特性；以及至少基于對第一IC部件的該至少一個電特性的測量的結(jié)果，物理地修改第一掩模特征幾何形狀。
2.如權(quán)利要求1的方法，還包括執(zhí)行第二光刻工藝，以將第一掩模特征的修改的第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第二半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第二IC部件；測量第二IC部件的該至少一個電特性；以及如果對第二IC部件的該至少一個電特性的測量的結(jié)果不是令人滿意的，則物理地修改修改的第一掩模特征幾何形狀。
3.如權(quán)利要求2的方法，還包括，如果對第二IC部件的該至少一個電特性的測量的結(jié)果是令人滿意的，則執(zhí)行一個或者多個另外的光刻工藝，以將修改的掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到一個或者多個另外的半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該一個或者多個半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成一個或者多個IC部件。
4.如權(quán)利要求1的方法，其中第一IC部件包括電阻器；以及測量第一IC部件的至少一個電特性包括測量電阻器的電阻。
5.如權(quán)利要求1的方法，其中第一IC部件包括電容器。
6.如權(quán)利要求1的方法，其中物理地修改第一掩模特征幾何形狀包括物理地去除第一掩模特征的一部分。
7.如權(quán)利要求6的方法，其中物理地去除第一掩模特征的該部分包括在第一掩模特征中形成凹口。
8.如權(quán)利要求6的方法，其中物理地去除第一掩模特征的該部分包括在第一掩模特征中形成分路；以及通過形成從第一掩模特征的一側(cè)延伸到該分路的凹口將該分路開口。
9.如權(quán)利要求1的方法，其中物理地修改第一掩模特征幾何形狀包括將延伸添加到第一掩模特征。
10.如權(quán)利要求9的方法，其中將該延伸添加到第一掩模特征包括沉積材料，以形成從第一掩模特征的至少一側(cè)延伸的延伸。
11.一種形成集成電路部件的方法，包括提供光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征和具有對應(yīng)于第二類型的IC部件的第二掩模特征幾何形狀的第二掩模特征；執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一和第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第一IC部件和第二IC部件；測量第一半導(dǎo)體晶片中的第一IC部件的至少一個電特性；測量第一半導(dǎo)體晶片中的第二IC部件的至少一個電特性；比較第一IC部件的該至少一個測量的電特性和第二IC部件的該至少一個測量的電特性；以及基于所測量的電特性的比較，確定是否物理地修改第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個。
12.如權(quán)利要求11的方法，還包括基于測量的電特性的比較，物理地修改第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個。
13.如權(quán)利要求12的方法，還包括執(zhí)行第二光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第二半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第三IC部件和第四IC部件，在第二光刻工藝中使用的光掩模包括對第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個的修改；測量第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中的第三IC部件和第四集成IC中的至少一個的至少一個電特性；以及如果對該至少一個電特性的測量的結(jié)果不是令人滿意的，則物理地修改第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個。
14.如權(quán)利要求13的方法，還包括，如果該至少一個電特性的測量結(jié)果是令人滿意的，則執(zhí)行一個或者多個另外的光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到一個或者多個另外的半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該一個或者多個另外的半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成另外的IC部件。
15.如權(quán)利要求11的方法，其中第一IC部件和第二IC部件包括電阻器；測量第一IC部件的至少一個電特性包括測量第一IC部件的電阻；以及測量第二IC部件的至少一個電特性包括測量第二IC部件的電阻。
16.如權(quán)利要求11的方法，其中第一IC部件和第二IC部件包括電容器。
17.如權(quán)利要求12的方法，其中物理地修改第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個包括物理地去除第一掩模特征的一部分。
18.如權(quán)利要求17的方法，其中物理地去除第一掩模特征的一部分包括在第一掩模特征中形成凹口。
19.如權(quán)利要求17的方法，其中物理地去除第一掩模特征的一部分包括在第一光掩模特征中形成分路；以及通過形成從第一掩模特征的側(cè)延伸到該分路的凹口將該分路開口。
20.如權(quán)利要求12的方法，其中物理地修改第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個包括將延伸添加到第一掩模特征。
21.如權(quán)利要求20的方法，其中將該延伸添加到第一掩模特征包括沉積材料，以形成從第一掩模特征的至少一側(cè)延伸的該延伸。
22.一種形成集成電路部件的方法，包括提供光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的掩模特征幾何形狀的掩模特征；執(zhí)行光刻工藝，以將掩模特征的掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在半導(dǎo)體晶片區(qū)上形成IC部件；測量IC部件的至少一個電特性；確定該一個或者多個測量的結(jié)果是否令人滿意；如果確定該一個或者多個測量的結(jié)果不令人滿意，則修改掩模特征幾何形狀；以及重復(fù)執(zhí)行光刻工藝的步驟，測量至少一個電特性，確定結(jié)果是否令人滿意，并修改掩模特征幾何形狀，直到確定該一個或者多個測量的結(jié)果是令人滿意的為止。
23.一種形成集成電路部件的方法，包括提供第一光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征；提供第二光掩模，其包括均具有對應(yīng)于第二類型的集成電路(IC)部件的第二掩模特征幾何形狀的一個或者多個第二掩模特征；使用第一光掩模執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第一IC部件；使用第二光掩模執(zhí)行第二光刻工藝，以將第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成一個或者多個第二IC部件，該一個或者多個第二IC部件的每個耦接到第一IC部件；測量第一IC部件的至少一個電特性；至少基于第一IC部件的該至少一個電特性的測量結(jié)果，物理地修改該一個或者多個第二掩模特征中的至少一個的第二掩模特征幾何形狀。
24.如權(quán)利要求23的方法，其中執(zhí)行第一光刻工藝包括在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中的第一層中形成第一IC部件；以及執(zhí)行第二光刻工藝包括在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中的第二層中形成該一個或者多個第二IC部件，該第二層和第一層相鄰。
25.如權(quán)利要求23的方法，其中；該一個或者多個第二掩模特征包括一對第二掩模特征，其均具有對應(yīng)于第二類型的IC部件的第二掩模特征幾何形狀；執(zhí)行第二光刻工藝包括使用第一光掩模執(zhí)行第二光刻工藝，以將該對第二掩模特征的每一個的第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成一對第二IC部件，該對第二IC部件的每一個在有效接觸點處耦接到第一IC部件；以及物理地修改第二掩模特征幾何形狀包括修改該對第二掩模特征和第一IC部件之間的有效接觸點之間的距離。
26.如權(quán)利要求25的方法，其中第一集成電路部件包括電阻器；該對第二集成電路部件包括耦接到電阻器的一對互連，使得電阻器的電阻至少部分地依賴于該對互連和電阻器之間的有效接觸點之間的距離；以及測量第一集成電路部件的至少一個電特性包括測量電阻器的電阻。
27.如權(quán)利要求25的方法，其中修改該對第二掩模特征和第一IC部件之間的有效接觸點之間的距離包括去除該對第二掩模特征的至少一個的一部分，以增大或者減小該對第二掩模特征和第一IC部件之間的有效接觸點之間的距離。
28.如權(quán)利要求25的方法，其中修改該對第二掩模特征和第一IC部件之間的有效接觸點之間的距離包括將延伸添加到該對第二掩模特征的至少一個，以增大或者減小該對第二掩模特征和第一IC部件之間的有效接觸點之間的距離。
29.如權(quán)利要求23的方法，還包括物理地修改第二掩模特征幾何形狀；使用第一光掩模執(zhí)行第三光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第二半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第一IC部件；使用第二光掩模執(zhí)行第四光刻工藝，以將第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到第一半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成一個或多個第二IC部件，該一個或多個第二IC部件的每一個耦接到第一IC部件，在第四光刻工藝中使用的第二光掩模包括對第二掩模特征幾何形狀的修改；測量第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中的第一IC部件的至少一個電特性；以及如果第一IC部件的該至少一個電特性的測量結(jié)果不令人滿意，則物理地修改第二掩模特征幾何形狀。
30.如權(quán)利要求29的方法，還包括，如果第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中的第一IC部件的該至少一個電特性的測量結(jié)果是令人滿意的，則執(zhí)行一個或者多個另外的光刻工藝，以將第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到一個或者多個另外的半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該一個或者多個半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成一個或者多個第二IC。
31.一種集成電路裝置，包括形成在特定半導(dǎo)體晶片區(qū)中的特定集成電路部件，該特定集成電路部件至少通過下述形成提供光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征；執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到測試半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該測試半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成測試IC部件；測量該測試IC部件的至少一個電特性；以及至少基于該測試IC部件的該至少一個電特性的測量結(jié)果，物理地修改第一掩模特征；以及執(zhí)行第二光刻工藝，以將修改的第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到該特定半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在第二半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成該特定IC部件。
32.如權(quán)利要求31的集成電路裝置，其中該測試IC部件包括電阻器；以及測量該測試IC部件的至少一個電特性包括測量電阻器的電阻。
33.如權(quán)利要求31的集成電路裝置，其中該測試IC部件包括電容器。
34.一種集成電路裝置，包括形成在特定半導(dǎo)體晶片區(qū)中的特定集成電路部件對，該特定集成電路部件對至少通過下述形成提供光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征和具有對應(yīng)于第二類型的IC部件的第二掩模特征幾何形狀的第二掩模特征；執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到測試半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該測試半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成測試第一IC部件和測試第二IC部件；測量該測試第一IC部件的至少一個電特性；測量該測試第二IC部件的至少一個電特性；比較該測試第一IC部件的該至少一個測量的電特性和該測試第二IC部件的該至少一個測量的電特性；基于所測量的電特性的比較，物理地修改第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個；以及執(zhí)行第二光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到該特定半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該特定半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成該特定集成電路部件對，在第二光刻工藝中使用的光掩模包括對第一掩模特征幾何形狀和第二掩模特征幾何形狀中的至少一個的修改。
35.如權(quán)利要求34的集成電路裝置，其中該測試第一IC部件和該測試第二IC部件包括電阻器；測量該測試第一IC部件的至少一個電特性包括測量該測試第一IC部件的電阻；以及測量該測試第二IC部件的至少一個電特性包括測量該測試第二IC部件的電阻。
36.一種集成電路裝置，包括形成在半導(dǎo)體晶片區(qū)中的第一集成電路(IC)部件；和形成在半導(dǎo)體晶片區(qū)中的一個或者多個第二IC部件，該一個或者多個第二IC部件的每一個耦接到第一IC部件，第一IC部件和該一個或者多個第二IC部件至少通過下述形成提供第一光掩模，其包括具有對應(yīng)于第一類型的IC部件的第一掩模特征幾何形狀的第一掩模特征；提供第二光掩模，其包括均具有對應(yīng)于第二類型的IC部件的第二掩模特征幾何形狀的一個或者多個第二掩模特征；使用第一光掩模執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到測試半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該測試半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成測試第一IC部件；使用第二光掩模執(zhí)行第二光刻工藝，以將該一個或者多個第二掩模特征的每一個的第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到該測試半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在該測試第一半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成一個或者多個測試第二IC部件，該一個或者多個測試第二IC部件的每個耦接到該測試第一IC部件；測量該測試第一IC部件的至少一個電特性；至少基于該測試第一IC部件的該至少一個電特性的測量結(jié)果，物理地修改該一個或者多個第二掩模特征的至少一個的第二掩模特征幾何形狀；使用第一光掩模執(zhí)行第三光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成第一IC部件；以及使用第二光掩模執(zhí)行第四光刻工藝，以將該一個或者多個第二掩模特征的每個的第二掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片區(qū)，以在半導(dǎo)體晶片區(qū)中形成該一個或多個第二IC部件，該一個或多個第二IC部件的每一個耦接到第一IC部件，在第四光刻工藝中使用的第二光掩模包括對該一個或者多個第二掩模特征的至少一個的第二掩模特征幾何形狀的修改。
全文摘要
提供了一種形成集成電路部件的方法。提供了一種包括第一掩模特征的光掩模，該第一掩模特征包括具有對應(yīng)于第一類型的集成電路(IC)部件的掩模特征幾何形狀。執(zhí)行第一光刻工藝，以將第一掩模特征幾何形狀轉(zhuǎn)移到半導(dǎo)體晶片，以在半導(dǎo)體晶片上形成第一IC部件。測量半導(dǎo)體晶片上的第一IC部件的至少一個電特性。至少基于第一IC部件的該至少一個電特性的測量結(jié)果物理地修改第一掩模特征幾何圖形。
文檔編號H01L21/306GK1993820SQ200580025639
公開日2007年7月4日 申請日期2005年7月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年7月27日
發(fā)明者C·A·韋斯特 申請人:凸版光掩膜公司