專利名稱：基片支承系統(tǒng)和方法
基片支承系統(tǒng)和方法
背景技術(shù)：
本發(fā)明的領(lǐng)域一般涉及用于基片的支架。本發(fā)明更具體涉及適用于刻印平
板印刷(imprint lithography)的卡盤。
微加工涉及非常小的結(jié)構(gòu)(例如具有微米級或更小的特征的結(jié)構(gòu))的加工。 微加工中一個已具有相當大的影響的領(lǐng)域是集成電路制造。由于在基片上每單 位面積中所形成的電路數(shù)量持續(xù)增加的同時，半導體加工工業(yè)還一直在力圖獲 得更高的產(chǎn)率，微加工變得越來越重要。微加工提供更大程度的過程控制，同 時能夠更大程度地減小所形成結(jié)構(gòu)的最小特征尺寸。已經(jīng)開發(fā)采用微加工的其 他領(lǐng)域包括生物技術(shù)、光學技術(shù)、機械系統(tǒng)等。許多微加工技術(shù)包括各種工藝， 這些工藝包括沉積，例如化學氣相沉積、物理氣相沉積、原子層沉積等；還包 括對圖案基片的濕蝕刻和/或干蝕刻技術(shù)。
除了標準微加工技術(shù)以外，還存在被稱為刻印平板印刷的較新穎而高效的 圖案形成技術(shù)。在大量公開出版物中詳細描述了示例性的刻印平板印刷，例如 名為"用于刻印平板印刷法的高精度定向排列和間隙控制臺(HIGH PRECISION ORIENTATION ALIGNMENT AND GAP CONTROL STAGE FOR IMPRINT LITHOGRAPHY PROCESSES)"的美國專利第6,873，087號；名為"包括定位 標記的亥!J印平板印刷模板 (IMPRINT LITHOGRAPHY TEMPLATE COMPRISING ALIGNMENT MARKS)"的美國專利第6,842,226號；名為"用 于室溫低壓微米和納米刻印平板印刷的模板(TEMPLATE FOR ROOM TEMPERATURE, LOW PRESSURE MICRO-AND NANO- IMPRINT LITHOGRAPHY)"的美國專利第6,696,220號；以及名為"步進和快速刻印平 板印刷(STEP AND FLASH IMPRINT LITHOGRAPHY)"的美國專利第 6,719,915號，所有這些專利均轉(zhuǎn)讓給本發(fā)明的受讓人。上述公開的專利申請中 所述的基本刻印平板印刷技術(shù)包括在可聚合的層中規(guī)劃形成浮雕圖案，然后將 該浮雕圖案轉(zhuǎn)移到下面的基片上，在基片中形成浮雕圖案。為此，使用與基片 隔開的模板，在模板和基片之間具有可成形液體。所述液體固化形成固化層，在此固化層中記錄下了與液體接觸的模板表面形狀相一致的圖案。然后對基片 和固化層進行處理，向基片中轉(zhuǎn)移入與固化層中的圖案相一致的浮雕圖案。
上述微加工技術(shù)的結(jié)果是，由于所形成特征結(jié)構(gòu)的尺寸的不斷減小，提高 了對確保進行處理/形成圖案的基片的平整度/平面度的要求。有許多影響基片 平面度的因素，其中許多因素可通過常規(guī)基片卡盤進行校正。然而，背面顆粒， 即與形成圖案的表面的相背面接觸的顆粒的存在是一個問題。例如，顆?？赡?會積聚在基片和卡盤之間，即所謂背面顆粒，它們可能會造成基片的平面外畸 變，使基片上產(chǎn)生的圖案造成畸變。平面外畸變可通過兩個參量進行表征1)
畸變高度；2)間隙半徑?；兏叨榷x為背面顆粒在基片中造成的最大平面外偏
差。間隙半徑定義為基片與卡盤相隔開的區(qū)域的長度的測量值，所述測量值是 在顆粒以及基片上最接近該顆粒的、基片與卡盤接觸的一點之間測量。應該意 識到，由于存在顆粒污染物而發(fā)生畸變的基片的面積遠大于顆粒的尺寸。
嘗試克服顆粒污染物的現(xiàn)有技術(shù)包括銷形卡盤和凹槽型卡盤。這些卡盤系 統(tǒng)嘗試通過使基片和卡盤之間的接觸面積最小化，以避免背面顆粒帶來的缺 陷。然而，這些卡盤系統(tǒng)僅僅是減小了顆粒在卡盤和基片之間積聚的可能性, 但是如果顆粒在卡盤和基片之間積聚的時候，這些卡盤系統(tǒng)無法避免或減小非 平面性。
因此，人們需要提供改進的基片支承系統(tǒng)。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明包括一種基片支承系統(tǒng)，該系統(tǒng)特征為一卡盤體(chuck body)，
該卡盤體具有從中延伸出銷的體表面，這些銷具有位于一平面內(nèi)的接觸面，所 述銷與卡盤體可移動地連接，從而相對于所述平面移動。因此，該基片支承系 統(tǒng)即使不能避免也可減小由于存在顆粒污染物在基片中造成的非平面性。這是 通過制造具有順應性的銷，使得銷能夠發(fā)生移動，容納顆粒的存在，從而在基 片中充分保持平面性而完成的。下文中將更詳細地討論這些實施方式和其它的 實施方式。
附圖簡述
圖l是本發(fā)明平板印刷系統(tǒng)的透視圖2是
圖1所示平板印刷系統(tǒng)的簡化正視圖，該系統(tǒng)用來形成根據(jù)本發(fā)明的具有圖案的刻印層；
圖3是圖2所示模具和基片的簡化的截面圖，其中基片上的刻印層已經(jīng)固
化；
圖4是根據(jù)本發(fā)明一個實施方式，用于圖l所示卡盤系統(tǒng)的卡盤體的俯視
圖5是圖4所示的卡盤體沿直線5-5的截面圖6是一個圖5所示的銷單元60在中性狀態(tài)下的截面詳圖7是一個圖6所示的銷單元60在受負荷狀態(tài)下的截面詳圖8是圖6所示銷單元的示意圖9是圖7所示銷單元的示意圖10是圖4和圖5所示卡盤體的分解簡化透視圖11是圖10所示卡盤體區(qū)域的透視詳圖12是圖11所示底層一部分區(qū)域的透視詳圖13是圖12所示區(qū)域的俯視圖14是圖13所示區(qū)域沿直線14-14的橫截面圖15是圖11所示銷層的一部分區(qū)域的透視詳圖16是圖15所示區(qū)域的俯視圖17是圖16所示的區(qū)域沿直線17-17的橫截面圖。
發(fā)明詳述
圖I顯示了根據(jù)本發(fā)明一個實施方式的平板印刷系統(tǒng)IO，該系統(tǒng)10包括一 對互相隔開的橋式支架12，在這對橋式支架12之間延伸著橋14和臺座(stage support) 16。橋14和臺座16互相隔開?？逃☆^18與橋14相連接，該刻印頭18從 橋14向臺座16伸出。臺座16上安裝有面對刻印頭16的運動臺20。運動臺20設(shè)計 成相對于臺座16沿X軸和Y軸運動，也可沿Z軸運動。能量源(source) 22與系 統(tǒng)10連接，用來產(chǎn)生光化能，以及將光化能投射到運動臺20上。如圖所示，能 量源22與橋14連接。
同時參見圖1和圖2，模板24與刻印頭18相連，該模板24上具有形成圖案的 模具26，所述模具26如果不是平整的，則可以是具有圖案的或基本平坦的。在 美國專利第6696220號中揭示了一種示例性的模板24，該專利參考結(jié)合入本文 中。在此實施例中，模具26形成圖案，使其包括大量被多個間隔的凹陷28和凸
5起30所形成的特征結(jié)構(gòu)。凸起30具有寬度Wh凹陷28具有寬度W2，這兩種寬度 都是沿著與Z軸橫切的方向測量的。這多個特征結(jié)構(gòu)限定出了原圖案，該原圖 案形成了轉(zhuǎn)移到位于運動臺20上的基片32中的圖案的基礎(chǔ)。為此，刻印頭18適 于沿Z軸運動，改變具有圖案的模具26和基片32之間的距離"d"?；蛘吲c刻印 頭18聯(lián)動，運動臺20可使模板24沿Z軸運動。通過這種方式，可以將具有圖案的 模具26中的特征結(jié)構(gòu)刻印到基片32的可流動區(qū)域中，這在下文中將進行更詳盡 的討論。設(shè)置能量源22，使得具有圖案的模具26位于能量源22和基片32之間。 因此，采用允許該模具26能夠充分透過能量源22所產(chǎn)生的能量的材料制造所述 具有圖案的模具26。
下面來看圖2，用可選擇性固化的可成型材料在基片32上形成圖案。為此， 在模具26和基片32之間設(shè)置可聚合材料，如圖所示，該可聚合材料為大量分離 的離散液滴38。盡管圖中所示的可聚合材料為大量液滴38的形式，但是可使用 任何已知的技術(shù)沉積所述可聚合材料，這些技術(shù)包括旋涂技術(shù)或芯吸技術(shù) (wicking technique)。在美國專利第5719915號中討論了一種示例性的芯吸技 術(shù)，該專利參考結(jié)合入本文中。這些可聚合材料可以選擇性地聚合和交聯(lián)，在 基片32上記錄下其中原圖案的逆像，即圖3所示的刻印層34。然后可采用合適的 蝕刻法將所需的圖案轉(zhuǎn)移到基片32上。關(guān)于這一點，術(shù)語"基片"廣義地包括 裸半導體晶片，該晶片上可具有或不具有原有的氧化層，或者具有己有的層， 例如由購自美國密蘇里州、Rolla的Brewer Science, Inc.的商品名為DUV30J-6的 材料形成的底漆層。
下面來看圖2和圖3，刻印層34中記錄下的圖案部分是通過液滴38與基板32 和具有圖案的模具26都發(fā)生機械接觸而形成的。因此，減小了距離"d"，使得 液滴38能夠與基板32發(fā)生機械接觸，以使得形成的刻印層34在基片32的表面36 上形成連續(xù)的刻印材料。在一個實施方式中，距離"d"減小到使得刻印層34 的子部分(sub-portion) 46進入凹陷28，并填充凹陷28。
在此實施方式中，當達到所需的、通常是最小的距離"d"之后，與凸起30 向重疊的刻印層34的子部分48得以保留，留下了具有厚度ti的子部分46和具有 厚度t2的子部分48。厚度t2被稱為殘留厚度。根據(jù)用途，厚度"t,"和"t2"可 以是任何所需的厚度。液滴38所包括的總體積可以是在獲得所需厚度tl和t2 的同時，使得延伸超過與據(jù)有圖案的模具26相重疊的表面36區(qū)域的材料40的量 最小化，或者避免材料40超過該區(qū)域。參見圖2和圖3，在達到所需距離"d"之后，能量源22產(chǎn)生光化能，使得可 聚合材料聚合和交聯(lián)，形成含有交聯(lián)聚合的材料的層34。具體來說，層34發(fā)生 固化，其據(jù)有形狀與具有圖案的模具26的表面50的形狀相一致的側(cè)面36。從而 形成具有凹陷52和凸起54的刻印層34。形成刻印層34之后，增大距離"d"，使 得具有圖案的模具26和刻印層34分離。該過程可重復若干次，在基片32的不同 區(qū)域上形成圖案(圖中未顯示)，這被稱為分布重復工序。
下面來看圖1、4和5，運動臺20包括位于其上的用來支承基片32的卡盤系統(tǒng) 57,該系統(tǒng)包括具有被邊緣62所圍繞的多個銷單元60的主體(body) 58。具體 來說，主體58包括被邊緣62所圍繞的表面64。銷單元60包括從表面64延伸出來 的銷61。銷61包括位于平面P中的一對相隔離的接觸表面66。邊緣62的頂端表 面68位于平面P中。當置于邊緣62頂上的時候，基片32在表面64和基片32之間 形成了一個室(圖中未顯示)，銷61置于該室內(nèi)(圖中未顯示)。可以設(shè)置與該室 (圖中未顯示)流體連接的泵(圖中未顯示)，對該室進行抽氣，將基片32的 周緣牢固地固定在邊緣62上，形成密封。由該密封結(jié)構(gòu)圍繞的基片32的剩余部 分被銷61所支承。
參見圖4和圖6，設(shè)計了一個或多個銷單元60以使得與基片32的接觸面積最 小化。因此， 一個或多個銷61具有T形的橫截面，該T形截面包括十字部件70， 該交叉部件70具有一對從其中延伸出來并終止于接觸面66的隔開的接觸槽脊 (land) 72，在槽脊72之間形成凹陷74。凹陷74包括最低表面76。與最低表面 76相背的十字部件70的底部78被撓性桿80所支承。 一對相對的側(cè)面82從底部78 開始延伸，止于接觸面66。從各個側(cè)面82背離凹陷74向外延伸的是撓性側(cè)面84。 具體來說，各個撓性側(cè)面84在側(cè)壁86和一個側(cè)面82之間延伸。各個側(cè)壁86從支 承區(qū)域88開始延伸，止于表面卯。表面90與基片32相隔開，在此實施例中，與 最低表面76位于同一平面內(nèi)?；讌^(qū)域88在相對的側(cè)壁86之間延伸。撓性桿80 在基底區(qū)域88和底部78之間延伸。
設(shè)計銷單元60以使得接觸槽脊72均勻分擔位于銷61上的基片32所施加的 作用力。通過這種方式，將施加給特定銷單元60的負荷傳遞到基座，即基底區(qū) 域88。因此當施加"均勻垂直負荷"的時候，每個銷單元60像一個普通的銷式 卡盤一樣運作。然而，與常規(guī)的銷式卡盤機構(gòu)不同，在非均勻負荷的情況下，例 如當基片32和一個或多個接觸槽脊72之間具有顆粒污染物92的時候， 一個或多 個銷61變得具有順應性。具體來說，撓性桿80和撓性側(cè)面84發(fā)生燒曲，使得銷61具有順應性。這即使不能消除，也可以使由于顆粒污染物92的存在造成的基 片32中的非平面性最小化。因此，需要各接觸槽脊72的卨度(在最低表面76和 接觸面66之間進行測量)不小于預期的顆粒污染物的最大尺寸。因此，從圖7 可以更清楚地看出，當接觸面66和基片32之間存在顆粒污染物92的情況下，十 字部件70發(fā)生移動，以免基片32中由于顆粒污染物而產(chǎn)生非平面性。
這一部分是通過使各個銷單元60的各個元件確定相對抗彎剛度，以獲得所 需的銷61的移動而完成的。例如撓性桿80的抗彎剛度小于十字部件70或撓性 側(cè)面84的抗彎剛度。十字部件70的抗彎剛度顯著大于撓性側(cè)面84。因此，十字 部件70被看做剛性體。通過如上所述在部件中建立相對抗彎剛度，十字部件70 繞遠處軸(remote axis)，即與十字部件70隔開的軸旋轉(zhuǎn)。如圖所示，各種軸 93、 94、 95、 96、 97、 98、 99、 100、 101、 102、 103、 104、 105、 106和107可 作為遠處軸，對于給定的銷61，軸93、 94、 95、 96、 97、 98、 99、 100、 101、 102、 103、 104、 105、 106和107取決于顆粒污染物92的尺寸和當時的構(gòu)型，即 所設(shè)定的撓性桿80與撓性側(cè)面84的抗彎剛度比。
同時參見圖8和圖9，在顆粒污染物92的存在下銷61發(fā)生撓曲的時候，要防 止基片32發(fā)生面外畸變的一個重要因素是，確保潛在的遠處軸位于合適的位 置。在此實施例中，潛在的遠處軸，例如軸93、 94、 95、 96、 97、 98、 99、 100、
101、 102、 103、 104、 105、 106和107中之一不是位于接觸槽脊72之間。人們 寧可希望各個潛在的遠處軸，例如軸93、 94、 95、 96、 97、 98、 99、 100、 101、
102、 103、 104、 105、 106和107位于接觸槽脊72之間，不含顆粒污染物92，并 盡量靠近側(cè)壁86。通過這種結(jié)構(gòu)，位于一個接觸槽脊72上的顆粒污染物92會造 成銷61移動離開基片32，而不會在顆粒污染物92的存在下使位于顆粒污染物92 和遠處軸之間的余下的接觸槽脊72向上方、向著基片32延伸，超過平面P。更 具體來說，對其上具有顆粒污染物92的接觸槽脊72施加的負荷大于對其余的接 觸槽脊72的負荷。如上所述，通過使銷61圍繞與其上具有顆粒污染物92的槽脊 72相隔開的旋轉(zhuǎn)軸旋轉(zhuǎn)，避免了由于銷單元60對于存在的顆粒污染物92的順應 性而造成的基片32的面外畸變。
參見圖I和圖IO，卡盤系統(tǒng)57的主體58實際上可以由任意材料制成，這些材 料包括鋁、不銹鋼、硅、碳化硅等，或這些材料的組合。在此實施例中，主體 58使用標準半導體工藝制造。因此，主體58由三個獨立的層形成，即圖中所示 的底層IIO、基層112和銷層114。底層110僅包含硅形成的主體。底層110具有相背的表面116和118，其中一個表面，例如表面116是基本平整的(如果不是平 面的)。在底層110中心處具有通路(throughway) 120，該通路120在相對的表 面116和118之間延伸。通路120可具有任何合適的直徑。在此實施例中，通路 120的直徑約為3毫米。示例性的底層110的尺寸為100毫米。
基層112包括位于中心的通孔121，當基層112和底層110以最終位置裝配的 時候，該通孔121與通路120相重疊。在此實施例中，通孔121的直徑約為2毫米。 通常基層112朝向銷層114的整個表面，除了通孔121所在區(qū)域以及位于基層112 周邊的與銷層114的邊緣115重疊的區(qū)域119以外，都被基層單元(base cell) 122 所覆蓋。然而，為了簡化起見，圖中顯示了八個基層單元122。關(guān)于區(qū)域123討 論了九個基層單元122陣列的詳細排列，在圖11和圖12中將更詳細地給出。
同時參見圖11和圖12，每個基層單元122包括撓性桿80、運動緩解區(qū)(圖中 顯示為空隙125,撓性桿80被置于其中)、凹陷區(qū)124和126、以及從各個空隙125 中成對延伸出來的真空通道128,相鄰的真空通道128對互相正交地延伸。
設(shè)置撓性桿80為便于沿方向132的撓曲。為此，在撓性桿80的相對側(cè)設(shè)置凹 陷區(qū)126,每個凹陷區(qū)的兩側(cè)是一對沿方向132延伸的真空通道128。具體來說, 區(qū)域126位于撓性桿80的相對側(cè)，每個區(qū)域126從空隙125向著遠離撓性桿80的 方向延伸。凹陷區(qū)124呈兩對排列，每兩對區(qū)域124設(shè)置之一位于撓性桿80的相 對側(cè)。凹陷區(qū)124各自成對從一條真空通道128延伸出來，與一個凹陷區(qū)126相鄰 地向著遠離該對中剩下的凹陷區(qū)124的方向延伸。
在一示例性實施方式中，測得撓性桿80沿方向132的寬度140約為0.05毫 米。測得撓性桿80沿方向134的長度141約為0.3毫米，撓性桿80從基座88沿方向 136延伸的距離142約為0.35毫米。沿與各條真空通道的高度橫切的方向(沿方 向136)測得真空通道143的寬度約為0.1毫米。區(qū)域124和126凹陷的距離足以容 納使銷61對尺寸不大于預期最大尺寸顆粒污染物的顆粒污染物作出響應而發(fā) 生的撓曲，以確保當受到由更大的顆粒污染物產(chǎn)生的作用力作用的時候，銷61 的結(jié)構(gòu)完整性不會受到影響。在此實施例中，區(qū)域124和126沿方向136、相對于 撓性桿80的頂點153凹陷大約0.01毫米的距離。沿方向132測得銷單元60的寬度 145約為2毫米，沿方向134測得銷單元60的長度146約為2毫米。特定的互相平 行延伸的一對相鄰真空通道128之間的距離147約為0.3毫米。沿方向132由空隙 125延伸的區(qū)域126的寬度148約為0.35毫米，該區(qū)域126延伸至與撓性桿80的長 度141同延。從相鄰的真空通道128沿方向134延伸出的區(qū)域124的長度149約為
90.3毫米，沿方向132測量的寬度150約為0.5毫米。各個區(qū)域124與相鄰的沿方向 134延伸的真空通道128間隔的距離151約為0.1毫米。基層112的厚度152約為0.5毫米。
參見圖IO,銷層114與基層112同延。通常整個銷層114的表面，除了其周邊 區(qū)域的形成包圍銷單元60的槽脊115的升高部分以外，都被銷單元60所覆蓋。 但是圖中為了簡化起見，僅顯示了九個銷單元60。銷層114適于與基層112整體 地結(jié)合。例如，基層112的區(qū)域119與槽脊115同延。通常采用硅熔融技術(shù)，使區(qū) 域119同與槽脊115重疊的底部表面156結(jié)合。結(jié)合區(qū)域154討論了九個銷單元60 的詳細排列，這在圖11和圖15中將更詳細地顯示出來。
同時參見圖11和圖15，每個銷單元60包括十字部件70,該十字部件包括沿 方向132延伸的縱軸71，在其相對的端部具有接觸槽脊72。另外，各個銷單元60 包括靠近一個接觸槽脊72的撓性側(cè)壁84。十字部件70、接觸槽脊72和撓性側(cè)壁 84與銷層114的一部分整體形成，其中銷單元60是通過形成延伸于相對表面155 和156之間的大量通路而成型的。具體來說，在每個接觸槽脊72形成了第一對U 形通路157,該通路具有與接觸槽脊72相鄰的底部158，沿方向134延伸的范圍大 于接觸槽脊72,終止于底部158的各個端部的截線部分(serif portion) 159。截 線部分159向著遠離接觸槽脊72的方向，從底部158延伸出來。
第二對U形通路160包括與十字部件70相鄰，并在兩個接觸槽脊72之間延伸 的底部161。具體來說，底部161沿與方向134橫切的方向132延伸，其各個端部 延伸出第一截線部分162，該第一截線部分平行于方向134向遠離十字部件70的 方向延伸，終止于第二截線部分163,形成一對第二截線部分。各個第二截線部 分163與截線部分159相隔開而且與截線部分159相平行地延伸。通過這種方式， 在各個U形通路157和U形通路160之間形成具有L-形結(jié)構(gòu)的撓性部件84。撓性部 件84的一端與十字部件70最靠近接觸槽脊72的一個角相連，形成主連接 (primary joint) 164。撓性部件84余下的部分從主撓性部件(primary flexure) 164延伸出來，終止于第二端。矩形通路165位于與各個撓性部件84相鄰但是隔 開的位置，形成與第二端相鄰的間隔的次連接(secondary joint) 166對。延伸 于主連接164和次級連接166之間的撓性部件84的部分形成剛性體167。
參見圖15、 16和17,在一示例性實施方式中，沿方向132測得十字部件70 的長度170約為1毫米，沿方向134測得其寬度約為0.3毫米。沿方向132測得主連 接164的寬度172約為0.05毫米，沿方向134測得其長度173約為0.1毫米。沿方向132測得次級連接166的寬度174約為0.05毫米，沿方向134測得其長度175約為 O.l毫米。沿方向132測得剛性體167的寬度176約為0.3毫米，沿方向134測得其長 度177約為0.2毫米。分別沿方向132和134測得接觸面66的寬度178和長度179約 為.2毫米。沿方向136、從最低表面76量起到接觸面66的高度180約為.05毫米。 沿方向134測得底部161的長度181約為.1毫米。分別沿方向132和134測得，銷單 元60的寬度183和長度184約為2毫米。
卡盤體58可通過任何已知的方法制造。在此實施例中，卡盤體58是使用標 準微加工技術(shù)，由硅晶片制造的。因此，可用來制造卡盤體58的示例性的材料 包括硅和/或熔凝硅石。另外，為提高耐磨性，可以在選擇的表面(例如接觸槽 脊72)上涂敷硬化材料，例如氮化硅、碳化硅等。通?；鶎?12是與銷層114分 別制造的，然后采用標準技術(shù)(例如硅焊接)制成整體，形成器件層200。因 此，真空通道128和空隙125與通路160、 157和166以及通路120流體交通。在一 示例性的技術(shù)中，器件層200與底層110的裝配，是使用朝向光學平面的表面155 和對卡盤器件層200施加真空/靜電作用力。通過這種方式，可以消除或減小器 件層200中的非平面性。然后將粘合劑施涂在朝向底層110的基層的表面112上、 或表面116上、或施涂在這兩個面上。然后將器件層200與底層110粘合起來。 需要提供足夠體積的粘合劑，以減小由于表面116中的非平面性在器件層200中 產(chǎn)生的非平面性。
為使基片32具有所需的橫向剛性，對卡盤體58相鄰的銷單元60進行排列， 使得相鄰銷單元60的十字部件70的縱軸71沿正交方向延伸，即相鄰的銷單元60 互相的取向為卯。。
上述的本發(fā)明實施方式是示例性的?？梢栽诒景l(fā)明范圍內(nèi)對上述內(nèi)容進行 許多改變和修改。例如，可以略去底層IIO，器件層可使用標準的靜電和/或真 空卡盤器件。通過這種方式，可以用器件層200對已有的卡盤系統(tǒng)進行更新， 從而顯著提高已有的卡盤系統(tǒng)的運作特性。因此，本發(fā)明的范圍不應僅限于以 上描述，而應該由所附的權(quán)利要求書及其等價內(nèi)容的全部范圍所決定。
權(quán)利要求
1. 一種基片支承系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括卡盤體，該卡盤體具有體表面，從該體表面中延伸出銷，所述的銷具有位于一平面內(nèi)的接觸面，所述銷與所述卡盤體可移動地連接，以相對于所述平面移動。
2. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述銷與所述卡盤體相連接， 使得所述銷當受到不均勻地分布于其上的負荷作用的時候，移動離開所述平 面。
3. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述銷與所述卡盤體連接，以繞遠處的柔順性中心旋轉(zhuǎn)。
4. 如權(quán)利要求l所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述銷與所述卡盤體連接，以 圍繞遠處的柔順性中心旋轉(zhuǎn)，所述柔順性中心與所述銷上所受負荷大于其余區(qū) 域上負荷的區(qū)域隔離開。
5. —種基片支承系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括具有從中延伸出"T"形銷的表面的卡盤體。
6. 如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述"T"形銷與所述表面連接， 以相對于所述表面發(fā)生移動。
7. 如權(quán)利要求5所述的系統(tǒng)，其特征在于，所述"T"形銷與所述卡盤體連 接，從而在所述"T"形銷上受到不均勻分布的負荷的時候，移動離開預定的 位置。
8. —種支承基片的方法，所述方法包括-將所述基片置于兩個相隔離的主體上； 使所述兩個相隔離的主體中的一個移動離開所述基片。
9. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，移動還包括使所述兩個互相隔 離的主體均互相獨立地移動離開所述基片。
10. 如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述兩個相隔離的主體包括在 常規(guī)的銷單元中，移動還包括在所述銷單元上受到不均勻分布的負荷作用的時 候，使所述兩個相隔離的主體都移動離開所述基片。
全文摘要
本發(fā)明包括一種基片支承系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括卡盤體，該卡盤體具有從中延伸出銷的體表面，這些銷具有位于一平面內(nèi)的接觸面，所述銷與卡盤體可移動地連接，從而相對于所述平面移動。因此，該基片支承系統(tǒng)即使不能避免也可減小由于存在顆粒污染物在基片中造成的非平面性。這是通過制造具有順應性的銷，使得銷能夠發(fā)生移動，在基片中充分保持平面性的同時容納顆粒的存在而完成的。
文檔編號H01L21/00GK101426957SQ200580015282
公開日2009年5月6日 申請日期2005年5月25日 優(yōu)先權(quán)日2004年5月28日
發(fā)明者P·K·尼曼卡雅拉, S·V·斯里尼瓦桑 申請人:得克薩斯州大學系統(tǒng)董事會