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用于制造基片上的層系統(tǒng)的方法及層系統(tǒng)的制作方法

文檔序號(hào):3360664閱讀:216來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:用于制造基片上的層系統(tǒng)的方法及層系統(tǒng)的制作方法
用于制造基片上的層系統(tǒng)的方法及層系統(tǒng)本發(fā)明涉及制造基片上的層系統(tǒng)的方法,以及基片上的層系統(tǒng),分別與獨(dú)立權(quán)利要求的上位概念相對(duì)應(yīng)。此外,本發(fā)明涉及用于電子設(shè)備的具有層系統(tǒng)的外殼。介電基片的金屬涂覆,例如借助真空金屬涂覆,一段時(shí)間以來(lái)已經(jīng)眾所周知。作為真空金屬涂覆的方法例如可以使用熱蒸汽法或陰極濺射(濺射)。最近,于第4,431,711號(hào)美國(guó)專利進(jìn)一步獲悉,例如銦(In)或錫(Sn)在真空金屬涂覆時(shí)可以首先在小島生長(zhǎng)區(qū)生長(zhǎng)。這時(shí),這些金屬的薄層由相互沒有電子接觸的小島組成。這些層具有金屬的光學(xué)特性-一些金屬光澤——而不導(dǎo)電,并且因此可以是不易受電化學(xué)腐蝕機(jī)制影響的。作為不導(dǎo)電的、真空金屬涂覆的層(非導(dǎo)電真空金屬層,NCVM層)被理解為由金屬或金屬合金組成的層,所述層通過真空涂鍍的方法來(lái)制造,并且優(yōu)選地在大約400MHz和大約5GHz之間的頻率范圍內(nèi)不具有明顯的反射。近幾年公開了一種NCVM層的新應(yīng)用領(lǐng)域例如用于具有無(wú)線通訊功能的移動(dòng)設(shè)備外殼,例如移動(dòng)電話、電子筆記本、GPS定位裝置、雷達(dá)距離探測(cè)設(shè)備。這些外殼一方面應(yīng)該呈現(xiàn)金屬光澤,另一方面對(duì)內(nèi)部設(shè)置的天線提供幾乎無(wú)干擾的環(huán)境。導(dǎo)電的金屬層在通常大約400MHz至大約5GHz頻率范圍至少部分地反射無(wú)線電波,并且因此導(dǎo)致不期望的發(fā)射以及接收的損失。因此,這樣的外殼不配備導(dǎo)電的金屬層而配備NCVM層。因?yàn)镹CVM層的高頻特性僅使用昂貴的測(cè)量方法來(lái)檢測(cè),經(jīng)常以用簡(jiǎn)單測(cè)量?jī)x(例如手動(dòng)萬(wàn)用表)還能恰好測(cè)量的方塊直流電電阻作為標(biāo)準(zhǔn),例如20M0hm/ □或IGOhm/ □的數(shù)值。方塊電阻P □是具有以等值的電阻率P除以層的厚度d來(lái)定義的根據(jù)P □ = P /d層的方塊電阻可以借助四點(diǎn)法或Van-der-Pauw法來(lái)測(cè)量。以下方塊電阻將用簡(jiǎn)化的書寫方式以O(shè)hm為單位給出。用于金屬反射鏡的彩色層系統(tǒng)可以以不同方式實(shí)現(xiàn)·-具有部分吸收的高折射率層的反射鏡,以氮化物、碳氮化物、氧化物和不同化學(xué)計(jì)量的它們的衍生物處理·_具有介電層以及半穿透反射層的反射鏡。這樣的層系統(tǒng)通常是導(dǎo)電的。此外,由以從高到低折射率排列的介電層組成的彩色干擾層系統(tǒng)是眾所周知的。 這種層系統(tǒng)的缺點(diǎn)是,產(chǎn)生的色覺十分敏感地依賴于層厚度的變化。由文件JP 05 065 650A獲悉用嵌入的金屬顆粒制造的介電層,而這種方法的缺點(diǎn)是制造工藝復(fù)雜。金屬外觀的、單色的層也可以通過涂漆系統(tǒng)涂覆。這有一些缺點(diǎn)。因?yàn)槔缃?jīng)常由高達(dá)60%的高浸出率損失而造成涂漆瑕疵。此外,通常需要多層漆層(彩漆、清硬漆), 這造成了額外的費(fèi)用。本發(fā)明的任務(wù)是,提供具有金屬外觀和在無(wú)線頻率范圍具有透射性的不導(dǎo)電的層系統(tǒng)供使用。
所述任務(wù)通過獨(dú)立權(quán)利要求的技術(shù)特征來(lái)解決。本發(fā)明優(yōu)選的實(shí)施方案是從從屬權(quán)利要求中摘引的。在根據(jù)本發(fā)明按照權(quán)利要求1的制造在介電基片上的層系統(tǒng)方法中,以涂鍍步驟將金屬層施加于基片上,并隨后以另一涂鍍步驟將另一層以預(yù)定的層厚度施加于基片上, 其中所述金屬層具有> IOMOh的方塊電阻以及> 50%的平均反射率。想要的是,當(dāng)另一層用另一涂鍍步驟以同樣的厚度施加于基片上時(shí),其具有< IMOhm的方塊電阻,并且所述由金屬層和另一層組成的層系統(tǒng)具有> IOMOhm的方塊電阻。在上文中,介電基片是指由介電材料構(gòu)成的基片,其中所述基片也可以包括部分介電層,用涂鍍步驟在其上施加金屬層。金屬層是指該層的材料由金屬或金屬合金構(gòu)成。所述第一和/或第二涂鍍步驟可以各自包括子步驟。根據(jù)本發(fā)明可以通過施加另一層來(lái)產(chǎn)生例如具有彩色效果的不導(dǎo)電層系統(tǒng)。此外,另一層可以確保機(jī)械保護(hù),或者可以起到調(diào)節(jié)特定的表面性質(zhì)的作用,而不使層系統(tǒng)喪失高頻率透射性。本發(fā)明從不導(dǎo)電金屬層具有由金屬小島構(gòu)成的結(jié)構(gòu)這一理解出發(fā)。根據(jù)本發(fā)明將這樣的層作為另一涂鍍的層系統(tǒng)的基礎(chǔ)來(lái)使用,其中小島的陡緣遮住在至少部分涂鍍流體前方的小島之間的范圍。隨后,之后施加的層也具有小島結(jié)構(gòu),并且也是不導(dǎo)電的以及至少在400MHz至5GHz的范圍無(wú)線頻率(RF)透射的。不言而喻,根據(jù)本發(fā)明也可以將更多的層施加在金屬層上,其中由金屬層和其它層組成的層系統(tǒng)具有> IOMOhm的方塊電阻。與此同時(shí),這些分別以相應(yīng)的涂鍍方法以同樣的層厚度施加于基片上的另外的層,都具有< IMOhm的方塊電阻。優(yōu)選地,所述金屬層是NCVM層,也通過真空法來(lái)施加。所述金屬層可以通過P⑶ 方法(例如蒸汽、濺射或者兩者的組合)或者通過PECVD法來(lái)施加。所述另一層優(yōu)選地也用真空法,特別是用反應(yīng)PCD法或者PECVD法來(lái)施加。在使用真空法時(shí)是有優(yōu)勢(shì)的,可以避免通過現(xiàn)有技術(shù)應(yīng)用的彩色涂漆出現(xiàn)的浸出率損失。用這種方法可以有利地以簡(jiǎn)單的方式制造具有不同厚度的層系統(tǒng)。由金屬層和另一層組成的層系統(tǒng)(例如在錫層上涂鍍TixNy層)的總厚度,優(yōu)選地處于IOOnm和400nm之間。金屬層的厚度可以在30nm至IOOnm之間的范圍,優(yōu)選地在50nm。另一層優(yōu)選地具有> 20ηπ^Π< 300nm 的厚度。用根據(jù)本發(fā)明的方法,可以有利地制造具有不同色覺的基片的層系統(tǒng)。為了描述色覺的性質(zhì),可以實(shí)行L*a*b*_顏色系統(tǒng)。由CIE-委員會(huì)開發(fā)的用于心理物理學(xué)的顏色刺激詳細(xì)說(shuō)明的標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)顏色系統(tǒng)(Commision Internationale de Leclairage, Publication CIE No. 15. 2, Colorimetry, 2nd. , Central Bureau of the CIE, Vienna 1986)例如在 ASTM Designation308-01 (Standard Practice fbr Computing the Colors of Objects by Using the CIE System, November 2001)中予以描述,并且是基于人的感覺特性的。根據(jù)本發(fā)明,在具有施加的層系統(tǒng)的基片色覺和沒有層系統(tǒng)的基片色覺之間,優(yōu)選地具有ΔΕ* = [(L*s-L*)2+(a*s-a*)2+(b*s-b*)2]"2 > 2. 0的色差,其中層系統(tǒng)的色覺為 Fjg= (L*s,a*s,b*s)并且基片的色覺為F = (L*,a*,b*)。L*是亮度的數(shù)值,a*是用于紅色-綠色色覺的數(shù)值,b*是用于黃色-藍(lán)色色覺的數(shù)值。就此所述色覺可以依賴于另一層的厚度而變化。
根據(jù)本發(fā)明按照權(quán)利要求9的層系統(tǒng)是施加于介電基片上的,并且以涂鍍步驟將金屬層施加于基片上,并隨后用另一涂鍍步驟將另一層以預(yù)定的層厚度施加于基片上,其中所述金屬層具有> IOMOhm的方塊電阻以及>50%的平均反射率。所述層系統(tǒng)的特征在于,當(dāng)另一層用另一涂鍍步驟以同樣的層厚度施加于基片上時(shí),其具有< IMOhm的方塊電阻,并且由金屬層和另一層組成的所述層系統(tǒng)具有> IOMOhm的方塊電阻。所述層系統(tǒng)可以通過由不導(dǎo)電金屬層和另一不導(dǎo)電層組合具有新的、至今未制得的、特別彩色的設(shè)計(jì)效果。此外,可以達(dá)到更好的耐光性,因?yàn)椴淮嬖诳梢陨婕白贤饩€分解的有機(jī)染料。優(yōu)選地所述金屬層是NCVM層。同時(shí)優(yōu)選地,所述另一層以真空法施加。所述金屬層可以至少由一種下組的元素制成錫、銦、鉛、鉍、鎵、鋁、鈰、鉻或銥,或者由一種合金制成,這種合金由至少兩種下組的元素構(gòu)成錫、銦、鉛、鉍、鎵、鋁、鈰、鉻或銥,以便可以制得對(duì)適應(yīng)不同應(yīng)用領(lǐng)域有利的具有不同特性的層。另一層的整體材料的電阻率< IMOhmcm,雖然所述層系統(tǒng)具有> IOMOhm的方塊電阻。作為用于另一層的材料優(yōu)選適合金屬的氧化物、氮化物、氧氮化物、碳化物、碳氮化物或者硼化物,因?yàn)橛眠@些物質(zhì)可以相對(duì)簡(jiǎn)單地制成彩色層。所述另一層有利地借助反應(yīng)氣體通過反應(yīng)濺射來(lái)施加,所述反應(yīng)濺射利用包括鈦、鋯、鈰、鋁、銥、鉻、硅、鈮或鉭組中的至少一種元素,所述反應(yīng)氣體包括氮、碳、氧、硼組中的至少一種元素。當(dāng)層系統(tǒng)的平均反射率優(yōu)選地在400MHz和5GHz之間的頻率范圍,相應(yīng)小于無(wú)層系統(tǒng)基片的平均反射率的25%時(shí),因此存在相對(duì)小反射的層系統(tǒng)。在具有層系統(tǒng)的基片色覺和無(wú)層系統(tǒng)的基片色覺之間優(yōu)選地具有色差ΔΕ* =[( L*s-L*)2+(a*s-a*)2+(b*s-b*)2]"2>2.0。由此,所述層系統(tǒng)的色覺為 Fjg= (L*s,a*s,b*s) 和所述基片的色覺為F = (L*,a*,b*)。本發(fā)明可以應(yīng)用于制造用于彩色反射層的層系統(tǒng)在基礎(chǔ)反射鏡上,如在基片和不閉合的金屬層上施加一層由反應(yīng)濺射的TixNy (其中,1 <x< 1.5且0.5 <y< 2)構(gòu)成的層。依賴于TixNy層的正確化學(xué)計(jì)量顯示光學(xué)特性(折射率和吸收),其與TixNy層的層厚度和位于其下的金屬層的光學(xué)特性一起確定所述層系統(tǒng)的反射色彩。所述層系統(tǒng)可以具有金屬外觀,因?yàn)榉瓷渥銐虻墓猓m然所述金屬層是很薄的。層系統(tǒng)的另外優(yōu)勢(shì)符合已經(jīng)予以描述的根據(jù)本發(fā)明方法的優(yōu)勢(shì)。根據(jù)本發(fā)明按照權(quán)利要求17的具有用作介電基片的外殼體和根據(jù)本發(fā)明施加的基片上的層系統(tǒng)的外殼,所述介電基片包含介電材料,優(yōu)選聚碳酸酯。由于大的方塊電阻的原因,所述外殼對(duì)在400MHz和5GHz之間的高頻射線透射,但仍然具有金屬的、以及彩色的外觀。此外,倘若基片材料是由合成材料構(gòu)成,例如聚碳酸酯, 那么所述外殼是輕的。另一方面,根據(jù)本發(fā)明的方法和層系統(tǒng)的優(yōu)點(diǎn)和特性由下述實(shí)施方案和圖例的附圖得出。顯示

圖1為示例性層系統(tǒng)的示意圖。
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圖2為在平面上的L*a*b*_顏色空間項(xiàng)目中,可調(diào)節(jié)顏色的TixNy層的層厚度的投影圖。圖3為根據(jù)本發(fā)明方法的一般流程示意圖。在圖1中,顯示了施加在介電基片12上的層系統(tǒng)10的示意圖。所述基片12優(yōu)選地由介電材料制成,特別是由合成材料制成。所述基片12特別優(yōu)選地由聚碳酸酯制成。所述基片12可以是外殼體,例如用于移動(dòng)電話、筆記本電腦或者其它電氣或電子儀器的外殼體,或者外殼的一部分。顯然,所述外殼也可以是用于固定裝置的。直接施加在基片12上的層14具有小島16,其包含金屬元素或金屬合金。所述小島16由基片12上未閉合的金屬層構(gòu)成。在小島16之間形成凹陷22。所述金屬層具有> IOMOhm的方塊電阻。在上述的金屬層14上施加另一層M,優(yōu)選也借助真空法。所述另一層M也具有小島20,以便在另一層M也形成未閉合的層。因此不形成用于導(dǎo)電運(yùn)轉(zhuǎn)的連續(xù)路徑。因此所述另一層M是不導(dǎo)電的,并且對(duì)于在400MHz至5GHz區(qū)域的高頻射線透射的。平均反射率優(yōu)選地高于50%。當(dāng)將所述另一層M施加在基片14上時(shí),其具有< IMOhm的方塊電阻。另一層M材料具體的體積電阻小于IMOhm。所述另一層M由金屬或金屬合金與反應(yīng)氣體制得。使用的一般的金屬是鈦,其中作為反應(yīng)氣體使用的是氮?dú)?,并且?yōu)選地按照化學(xué)計(jì)量學(xué)形成鈦-氮層。但也可以使用其它可以形成氧化物、氮化物或氧氮化物、碳化物或硼化物的金屬。優(yōu)選地通過透明的、抗磨的漆來(lái)保護(hù)由金屬層14和另一層M組成的層系統(tǒng)。這在圖1中未顯示。具有施加的層系統(tǒng)10的基片12與沒有層系統(tǒng)的基片12可以具有色差A(yù)E*=[( L*s-L*)2+(a*s-a*)2+(b*s-b*)2]1/2,ΔΕ* 優(yōu)選大于 2。此處,所述層系統(tǒng)的色覺為 Fjg= (L*s, a*s,b*s)和所述基片的色覺為F = (L*,a*,b*)。所述方法也可以包括基片12和具有金屬層14的基片的預(yù)處理步驟和/或清潔步驟。這種清潔方法和/或預(yù)處理方法可以是等離子預(yù)處理。由此,所述基片12將通過等離子清潔,并且隨后活化金屬層14為了更好的粘附。用于制造層系統(tǒng)的方法實(shí)施例以下描述了制造由錫構(gòu)成的金屬層14和由鈦-氮化物(Sn/TixNy,其中1 <x < 1. 5和0. 5 < y < 2)構(gòu)成的另一層M的方法。將基片放入涂鍍裝置(例如Anmelderin 的AluMet 900H)的真空室中。將錫顆粒裝入鉬螺旋體。將基片置于固定在涂鍍托架處的樣本支架。將層托架移到真空室。真空室抽真空至5X 10_3!^。旋轉(zhuǎn)樣本支架,其中在基片表面上對(duì)錫顆粒蒸發(fā)的氣流進(jìn)行螺旋加熱。這時(shí),基片表面被設(shè)置在具有錫顆粒的加熱螺旋體對(duì)面。蒸發(fā)的錫顆粒在基片表面凝結(jié)成錫層。錫層的厚度一般為35nm。施加的層是有金屬光澤的,具有大約1. 5的光學(xué)密度。這相當(dāng)于大約 3%的剩余透射。此外,所述金屬層14具有在可見光范圍60%至70%的反射率,以及大于 IOMOhm的方塊電阻。當(dāng)涂鍍過程結(jié)束時(shí),對(duì)真空室進(jìn)行通風(fēng),并且取出具有金屬層14的基片。在隨后的方法步驟中,把具有金屬層14的基片12裝入涂鍍裝置,例如Anmelderin的Topaz-反應(yīng)-濺射裝置。在真空室中的工藝壓強(qiáng)為2 X 10_3Pa。在1 IOsccm氬氣和200Sccm 氮?dú)獾臑R射環(huán)境下,以15kW的功率濺射鈦靶。這時(shí)同時(shí)以500W灼燒40kHz的等離子用于支持氮化反應(yīng)。表1 減射的TixNy層的顏色和電阻
權(quán)利要求
1.一種制造在介電基片(1 上的層系統(tǒng)的方法,其中,用涂鍍步驟(110)將金屬層 (14)施加于基片(12)上,并且隨后用另一涂鍍步驟(140)以預(yù)定的層厚度將另一層04) 施加于基片上,其中,所述金屬層(14)具有> IOMOhm的方塊電阻以及> 50%的平均反射率,其特征在于,所述另一層(M),當(dāng)其用另一涂鍍步驟(140)以同樣的層厚度施加于基片(12)上時(shí), 其具有< IMOhm的方塊電阻,并且所述由金屬層(14)和另一層04)組成的層系統(tǒng)(10)具有> IOMOhm的方塊電阻。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的方法,其特征在于,將金屬層(14)以>3011!11且< IOOnm的層厚度,和/或另一層04)以> 20歷且< 300nm的層厚度施加。
3.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法,其特征在于,所述金屬層(14)由至少一種下述組的元素制成錫、銦、鉛、鉍、鋁、鈰、鉻、鎵或銥。
4.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法,其特征在于,所述金屬層(14)由至少兩種下述組的元素組成的合金制成錫、銦、鉛、鉍、鋁、鈰、鉻、鎵或銥。
5.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法,其特征在于,所述金屬層通過真空法,特別是PCD法或PECVD法,和/或另一層04)通過真空法,特別是反應(yīng)的P⑶法或PECVD法來(lái)施加。
6.根據(jù)上述權(quán)利要求5的方法,其特征在于,所述另一層04)借助反應(yīng)氣體通過反應(yīng)濺射來(lái)施加,所述反應(yīng)濺射利用包括鈦、鋯、鈰、鋁、銥、鉻組中的至少一種元素,所述反應(yīng)氣體包括氮、碳、氧、硼、硅、鈮、鉭組中的至少一種元素。
7.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法,其特征在于,所述層系統(tǒng)(10)的平均反射率優(yōu)選地在400MHz和5GHz之間的頻率范圍,相應(yīng)于小于無(wú)層系統(tǒng)(10)基片(12)平均反射率的 25%。
8.根據(jù)上述權(quán)利要求之一的方法,其特征在于,在具有施加層系統(tǒng)(10)的基片(12)的色覺與沒有施加層系統(tǒng)的基片(12)色覺之間,優(yōu)選地具有ΔΕ* = [(L*s-L*)2+(a*s-a*)2+ (b*s-b*)2]1/2> 2.0的色差,其中層系統(tǒng)的色覺SFjg= (L*s,a*s,b*s)并且基片(12)的色覺為 F = (L*,a*,b*)。
9.一種在介電基片(12)上的層系統(tǒng),其中,用涂鍍步驟(110)將金屬層(14)施加于基片(12)上,并隨后用另一涂鍍步驟(140)將另一層04)以預(yù)定的層厚度施加于基片上,其中,所述金屬層(14)具有> IOMOhm的方塊電阻以及> 50%的平均反射率,其特征在于,所述另一層(M),當(dāng)其用另一涂鍍步驟(140)以同樣的層厚度施加于基片(12)上時(shí), 其具有< IMOhm的方塊電阻,并且所述由金屬層(14)和另一層04)組成的層系統(tǒng)(10)具有> IOMOhm的方塊電阻。
10.根據(jù)權(quán)利要求9的層系統(tǒng),其特征在于,所述金屬層(14)具有>3011!11且< IOOnm 的層厚度,和/或另一層04)具有> 20歷且< 300nm的層厚度。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10的層系統(tǒng),其特征在于,所述金屬層(14)由至少一種下述組的元素組成錫、銦、鉛、鉍、鎵、鋁、鈰、鉻或銥。
12.根據(jù)上述權(quán)利要求9至11之一的層系統(tǒng),其特征在于,所述金屬層(14)由至少兩種下述組元素組成的合金組成錫、銦、鉛、鉍、鎵、鋁、鈰、鉻或銥。
13.根據(jù)權(quán)利要求9至12之一的層系統(tǒng),其特征在于,所述金屬層通過真空法,特別是 P⑶法或PECVD法,和/或另一層04)通過真空法,特別是反應(yīng)的P⑶法或PECVD法來(lái)施加。
14.根據(jù)權(quán)利要求13的層系統(tǒng),其特征在于,所述另一層04)借助反應(yīng)氣體通過反應(yīng)濺射來(lái)施加,所述反應(yīng)濺射利用包括鈦、鋯、鈰、鋁、銥、鉻組中的至少一種元素,所述反應(yīng)氣體包括氮、碳、氧、硼、硅、鈮、鉭組中的至少一種元素。
15.根據(jù)上述權(quán)利要求9至14之一的層系統(tǒng),其特征在于,所述層系統(tǒng)(10)的平均反射率優(yōu)選地在400MHz和5GHz之間的頻率范圍,相應(yīng)于小于無(wú)層系統(tǒng)(10)基片(12)平均反射率的25%。
16.根據(jù)上述權(quán)利要求9至15之一的層系統(tǒng),其特征在于,在具有施加層系統(tǒng)(10)的基片(12)的色覺與沒有施加層系統(tǒng)的基片(12)色覺之間,優(yōu)選地具有ΔΕ* = [(L*s-L*) 2+(a*s-a*)2+(b*s-b*)2]V2 > 2. 0 的色差,其中層系統(tǒng)的色覺為 Fjg= (L*s,a*s,b*s)并且基片(12)的色覺為 F = (L*,a*,b*)。
17.一種具有用作介電基片的外殼體和根據(jù)權(quán)利要求9至16之一的層系統(tǒng)的外殼。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造在介電基片(12)上的層系統(tǒng)的方法,其中用涂鍍步驟(110)將金屬層(14)施加于基片(12)上,并隨后用另一涂鍍步驟(140)將另一層(24)以預(yù)定的厚度施加于基片上,其中所述金屬層(14)具有>10MOhm的方塊電阻以及>50%的平均反射率,當(dāng)另一層(24)用另一涂鍍步驟(140)以同樣的層厚度施加于基片(12)上時(shí),其具有<1MOhm的方塊電阻,并且由金屬層(14)和另一層(24)組成的層系統(tǒng)(10)具有>10MOhm的方塊電阻。此外,本發(fā)明涉及介電基片(12)上的層系統(tǒng),其中用涂鍍步驟(110)將金屬層(14)施加于基片(12)上,并隨后用另一涂鍍步驟(140)將另一層(24)以預(yù)定的厚度施加于基片上,其中所述金屬層(14)具有>10MOhm的方塊電阻以及>50%的平均反射率,當(dāng)另一層(24)用另一涂鍍步驟(140)以同樣的層厚度施加于基片(12)上時(shí),其具有<1MOhm的方塊電阻,并且由金屬層(14)和另一層(24)組成的層系統(tǒng)(10)具有>10MOhm的方塊電阻。外殼可配備有根據(jù)本發(fā)明的層系統(tǒng)。
文檔編號(hào)C23C14/06GK102165088SQ200980137482
公開日2011年8月24日 申請(qǐng)日期2009年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2008年7月25日
發(fā)明者J·皮斯特納, S·庫(kù)珀, T·施莫德 申請(qǐng)人:萊博德光學(xué)有限責(zé)任公司
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