專(zhuān)利名稱：吸附裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種對(duì)在一個(gè)面上粘貼有粘接片的板狀部件進(jìn)行保持的吸附裝置，更詳細(xì)地，涉及可以容易且迅速地剝離粘貼在板狀部件另一面上的保護(hù)帶的吸附裝置。
背景技術(shù)：
以前，大家都知道表面?zhèn)茸龀呻娐访娴拇笾聻閳A盤(pán)狀的半導(dǎo)體晶片(以下只稱為“晶片”)。這種晶片一般在所述電路面上粘貼保護(hù)帶后，通過(guò)用研磨機(jī)等對(duì)背面?zhèn)冗M(jìn)行切削加工來(lái)調(diào)整厚度。之后，在將晶片的背面?zhèn)日澈显谟诼冻霏h(huán)構(gòu)架內(nèi)側(cè)的切割帶的粘接面?zhèn)鹊臓顟B(tài)下，從晶片的表面?zhèn)葎兿卤Ｗo(hù)帶，之后，通過(guò)將該晶片切斷成小方塊狀而形成半導(dǎo)體芯片。
作為這樣從晶片上剝離保護(hù)帶的裝置，大家都知道圖12所示類(lèi)型的產(chǎn)品。該裝置包括通過(guò)把上面?zhèn)茸鳛槲矫?0來(lái)吸附切割帶T而保持晶片W的吸附裝置51、和剝離保持在該吸附裝置51上的晶片W的保護(hù)帶H的剝離單元53。剝離單元53包括卷掛圖示省略的供給卷軸及纏繞卷軸之間輸出的帶狀的剝離用帶P的輥54，經(jīng)由該輥54把剝離用帶P粘貼在保護(hù)帶H的外周緣上后，通過(guò)一邊卷繞剝離用帶P一邊沿保護(hù)帶H的徑向使輥54轉(zhuǎn)動(dòng)，從晶片W剝離保護(hù)帶H。
作為這種裝置的問(wèn)題，如圖12所示，在將剝離用帶P粘貼在保護(hù)帶H的外周緣上時(shí)，輥54彈性變形，剝離用帶P及切割帶T粘接，在該狀態(tài)下只要開(kāi)始剝離保護(hù)帶H，晶片W就會(huì)被損傷。
在此，作為消除上述問(wèn)題的產(chǎn)品，例如專(zhuān)利文獻(xiàn)1所展示類(lèi)型的產(chǎn)品為眾所周知。在該文獻(xiàn)中，在所述吸附裝置的附近位置設(shè)有能隱蔽切割帶的粘接面?zhèn)?上面?zhèn)?的遮蔽板。在經(jīng)由所述輥把剝離用帶粘貼在保護(hù)帶外周緣上時(shí)，該遮蔽板防止剝離用帶粘接于切割帶，另一方面，在剝離保護(hù)帶的前后，該遮蔽板可轉(zhuǎn)動(dòng)地設(shè)置在從吸附裝置上方退避的位置上。
專(zhuān)利文獻(xiàn)1日本特開(kāi)2001-319906號(hào)公報(bào)發(fā)明要解決的課題然而，在專(zhuān)利文獻(xiàn)1的結(jié)構(gòu)中，用于移動(dòng)遮蔽板的構(gòu)造的部件數(shù)量增加，產(chǎn)生導(dǎo)致裝置復(fù)雜化的不便。而且，由于每次更換吸附面上的晶片都必須移動(dòng)遮蔽板來(lái)隱蔽切割帶，或使遮蔽板退避到吸附裝置外側(cè)，所以，導(dǎo)致了保護(hù)帶的剝離處理所需要的時(shí)間變長(zhǎng)的不便。
通過(guò)使用相對(duì)環(huán)構(gòu)架使晶片上升的升降裝置，使切割帶保持傾斜姿勢(shì)、防止剝離用帶與保護(hù)帶粘接的結(jié)構(gòu)也為眾所周知，但即使這樣，也有由于升降裝置的復(fù)雜化或晶片的上升工序?qū)е聞冸x處理時(shí)間長(zhǎng)的不便。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是著眼于這樣的不便而提出的，其目的在于提供一種吸附裝置，其可以實(shí)現(xiàn)裝置的簡(jiǎn)單化，且在剝離粘貼在板狀部件上的保護(hù)帶時(shí)可以迅速且平穩(wěn)地進(jìn)行該剝離。
解決課題的方法為了達(dá)到上述目的，本發(fā)明的吸附裝置采用如下構(gòu)成通過(guò)吸附被粘貼在板狀部件的一個(gè)面上且具有從該板狀部件的外周露出的平面形狀的粘接片，從而保持板狀部件，其中，包括具有通過(guò)進(jìn)行規(guī)定的吸氣來(lái)吸附所述粘接片的吸附面的臺(tái)，在沿所述板狀部件的外周的至少部分區(qū)域形成槽。
在本發(fā)明中，優(yōu)選采用如下構(gòu)成所述臺(tái)包括具有位于與吸附面大致同一面上的區(qū)域的臺(tái)本體、和設(shè)在該臺(tái)本體區(qū)域內(nèi)而形成所述吸附面的吸附部件，所述吸附面具有對(duì)應(yīng)于板狀部件的平面形狀的平面形狀，在沿著吸附面外周的臺(tái)本體上形成所述槽。
另外，也可優(yōu)選采用如下構(gòu)成所述槽沿從吸附面的面內(nèi)中央部連接外周的方向隔開(kāi)規(guī)定間隔地形成多個(gè)。
另外，還可采用如下構(gòu)成在所述板狀部件的另一個(gè)面上，粘貼有能夠經(jīng)由帶狀的剝離用帶進(jìn)行剝離的保護(hù)帶，所述槽的延伸長(zhǎng)度設(shè)定得比剝離用帶的短邊寬度大。
進(jìn)而，本發(fā)明的吸附裝置還可采用如下構(gòu)成用于剝離被粘貼在經(jīng)由切割帶支承于環(huán)構(gòu)架的晶片的上面上的保護(hù)帶的裝置，其中，該吸附裝置包括具有通過(guò)進(jìn)行規(guī)定的吸氣來(lái)吸附所述切割帶而保持晶片的吸附面的臺(tái)，在沿所述晶片的外周的至少部分區(qū)域中形成槽。
發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，當(dāng)從應(yīng)用于吸附粘接片的吸附面進(jìn)行吸氣時(shí)，從在該吸附面外側(cè)的粘接片和槽之間向吸附面吸氣。通過(guò)該吸氣使槽的內(nèi)部空間的壓力下降，重疊于槽的粘接片進(jìn)入到該槽內(nèi)地陷落。因而，例如當(dāng)在板狀部件的另一個(gè)面上粘貼保護(hù)帶、利用彈性變形的輥使剝離該保護(hù)帶的剝離用帶粘貼在保護(hù)帶的外側(cè)緣上時(shí)，通過(guò)所述粘接片的陷落而使該粘接片從剝離用帶分離，可以防止它們意外地發(fā)生粘接。因此，無(wú)需現(xiàn)有技術(shù)那樣移動(dòng)遮蔽板或板狀部件的結(jié)構(gòu)，通過(guò)削減部件數(shù)量可以達(dá)到裝置的簡(jiǎn)化，另外，可以沒(méi)有使剝離用帶不與粘接帶粘接地移動(dòng)遮蔽板的工序，可以縮短進(jìn)行剝離所需的處理時(shí)間。
而且，由于吸附面具有與板狀部件的平面形狀對(duì)應(yīng)的平面形狀，槽沿著該吸附面的外周定位，所以，可以使吸附面和槽接近，通過(guò)所述吸氣使槽內(nèi)的壓力高效率地下降，可以更切實(shí)地防止所述的粘接片與剝離用帶粘接。
進(jìn)而，由于沿著從吸附面的面內(nèi)中央部連接外周的方向形成多個(gè)槽，所以，即使在保持各種平面尺寸的板狀部件時(shí)，也可以使槽與其對(duì)應(yīng)地定位在沿著板狀部件的外周的位置，可以提高吸附裝置的通用性。
另外，由于使槽的延伸長(zhǎng)度作得比剝離用帶的短邊寬度大，故可以在剝離用帶的整個(gè)短邊寬度范圍內(nèi)使粘接片陷落，可以進(jìn)一步切實(shí)地避免這些粘接，平穩(wěn)地進(jìn)行保護(hù)帶的剝離。


圖1是使用第一實(shí)施方式的吸附裝置的剝離裝置的示意結(jié)構(gòu)圖；圖2是構(gòu)成吸附裝置的臺(tái)及吸附在其上的晶片等的示意立體圖；圖3是圖2的A-A線剖面圖；圖4是臺(tái)的平面圖；圖5是圖4的B-B線剖面圖；圖6是剖視部分圖1的主要部分的放大圖；圖7表示從晶片剝離保護(hù)帶的初始狀態(tài)的與圖6一樣的放大圖；圖8表示從晶片剝離保護(hù)帶的中間狀態(tài)的與圖6一樣的放大圖；圖9是放大部分圖7的示意圖；圖10是構(gòu)成第二實(shí)施方式的吸附裝置的臺(tái)及吸附在其上的晶片等的與圖2一樣的立體圖；圖11是第二實(shí)施方式的剝離裝置的與圖7一樣的放大圖；圖12是現(xiàn)有例的與圖9一樣的說(shuō)明圖。
附圖標(biāo)記說(shuō)明12吸附裝置15吸附面16臺(tái)19臺(tái)本體20吸附部件24槽44槽H 保護(hù)帶P 剝離用帶R 環(huán)構(gòu)架T 切割帶(粘接帶)W 晶片(板狀部件)
具體實(shí)施例方式
下面，參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
在圖1中表示使用了第一實(shí)施方式的吸附裝置的剝離裝置的示意結(jié)構(gòu)圖。在該圖中，剝離裝置10包括能夠經(jīng)由沿圖1中的左右方向延伸的滑塊11移動(dòng)地支承著的吸附裝置12、和設(shè)在該吸附裝置12上方的剝離裝置13。
作為保持在所述吸附裝置12上的板狀部件的晶片W，如圖2及圖3所示，形成大致圓盤(pán)狀，同時(shí)，經(jīng)由作為粘接片的切割帶T支承在環(huán)構(gòu)架R上。具體地，切割帶T在其上面具有粘接面T1，經(jīng)由該粘接面T1粘貼在晶片W的背面(下面)。切割帶T具有形成比晶片W還大的平面面積、從晶片W的外周露出的平面形狀，外周側(cè)粘貼在環(huán)構(gòu)架R的(下面)。在晶片W的外周和環(huán)構(gòu)架R的內(nèi)周之間存在大致成圓環(huán)狀的間隙S，切割帶T的粘接面T1從該間隙S露出。另一方面，保護(hù)帶H粘貼在晶片W的表面(上面)上，該保護(hù)帶H在前一工序中沿著晶片W的外周被切斷，形成與該晶片W大致同一形狀。
所述吸附裝置12如圖1所示，包括在上面具有吸附所述切割帶T的吸附面15的臺(tái)16、和從下側(cè)支承該臺(tái)16且安裝在所述滑塊11上可沿左右方向移動(dòng)的支承體17。
所述臺(tái)16如圖2、圖4及圖5所示那樣，平面看形成大致圓形，而且具有在上部具有凹部19A的有底容器狀的臺(tái)本體19、設(shè)在該臺(tái)本體19的區(qū)域內(nèi)即所述凹部19A內(nèi)側(cè)的由多孔質(zhì)材料形成的吸附部件20、和與臺(tái)本體19的下面?zhèn)冗B接的軟管21。吸附部件20形成與晶片W對(duì)應(yīng)的平面形狀即與晶片W大致相同的平面形狀，其上面作為所述吸附面15而形成。
所述臺(tái)本體19在上面具有位于與吸附部件20的上面大致同一面上的區(qū)域，該區(qū)域做成從下側(cè)支承從晶片W的外周露出的切割帶T及環(huán)構(gòu)架R的支承23。在該支承面23上，設(shè)有在吸附面15的圖4中右端隔著若干間隙而相鄰的槽24。該槽24平面看形成沿著吸附面15的外周即晶片W的外周延伸的圓弧狀，其延伸方向的中間部設(shè)定成，位于在保護(hù)帶H剝離時(shí)的吸附裝置12的移動(dòng)方向上最靠前的位置即圖4中最靠右的位置。槽24的延伸長(zhǎng)度形成得比后述的剝離用帶P的短邊寬度大(參照?qǐng)D4)，另一方面，槽24的寬度w1(參照?qǐng)D2)設(shè)定為比沿所述間隙S的晶片W的徑向的寬度w2小。另外，槽24如圖5及圖6所示，由沿著吸附面15的徑向的剖面看形成大致凹狀。
在臺(tái)本體19的凹部19A的底部設(shè)有多個(gè)通氣槽25，這些通氣槽25設(shè)置成與所述軟管21連通。從而，通過(guò)使與軟管21連接的減壓泵(圖示省略)動(dòng)作，可以經(jīng)由各通氣槽25由吸附部件20的吸附面15大致整個(gè)區(qū)域吸引空氣，發(fā)揮吸引力。
所述剝離裝置13如圖1所示，設(shè)置成可利用將相對(duì)保護(hù)帶H的面作為粘接面的剝離用帶P從晶片W剝離保護(hù)帶H。該剝離裝置13包括設(shè)在吸附裝置12上方且在正面看橫向形成大致L狀的支承板27；設(shè)在該支承板27和吸附裝置12之間供給剝離用帶P的供給卷軸28；被支承在支承板27圖1中的右側(cè)并且將從供給卷軸28輸出的剝離用帶P壓向保護(hù)帶H的壓緊裝置29；支承在支承板27圖1中的上部左側(cè)并且卷繞通過(guò)了壓緊裝置29的剝離用帶P的卷繞卷軸30。
從所述供給卷軸28輸出的剝離用帶P經(jīng)由配置在該供給卷軸28下側(cè)的導(dǎo)輥32而掛繞在壓緊裝置29。壓緊裝置29包括向著上下方向的缸33；與該缸33的桿33A連結(jié)并沿上下方向移動(dòng)的保持部件34；可轉(zhuǎn)動(dòng)地支承在該保持部件34的下側(cè)、并掛繞從所述導(dǎo)輥32延伸的剝離用帶P的壓輥35。在保持部件34上，在壓輥35的上側(cè)設(shè)有兩個(gè)輥36、36，經(jīng)由這些輥36、36掛繞在壓輥35上的剝離用帶P被導(dǎo)向上方。
掛繞在所述壓緊裝置29上的剝離用帶P支承在支承板27上，經(jīng)由通過(guò)位于該支承板27背面?zhèn)鹊碾姍C(jī)40驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)輥38和用缸42夾入的夾送輥41之間，卷繞在卷繞卷軸30上。該卷繞卷軸30設(shè)置成可經(jīng)由位于支承板27背面?zhèn)鹊碾姍C(jī)39轉(zhuǎn)動(dòng)。另外，由電機(jī)40賦予剝離用帶P從供給卷軸28向卷繞卷軸30的輸出力，控制由此輸出的剝離用帶P，以便通過(guò)電機(jī)39進(jìn)行卷繞。
下面，對(duì)用所述剝離裝置10剝離保護(hù)帶H的順序進(jìn)行說(shuō)明。
首先，經(jīng)由沒(méi)有圖示的安裝裝置將晶片W的外周與吸附面15的外周大致一致那樣的圖2所示狀態(tài)的晶片W配置在臺(tái)16上。其次，使減壓泵(圖示省略)動(dòng)作，由吸附面15進(jìn)行吸氣，吸附該吸附面15上的切割帶T，保持晶片W。此時(shí)，通過(guò)支承面23和切割帶T之間將空氣吸引到吸附面15，同時(shí)，也吸引沿著吸附面15的槽24內(nèi)的空氣。該槽24由于通過(guò)切割帶T被從上方堵塞且吸引內(nèi)部的空氣，故槽24的內(nèi)部形成負(fù)壓，如圖5、圖6及圖9所示，切割帶T陷入槽24內(nèi)地陷落，在進(jìn)行吸氣期間會(huì)維持該陷落狀態(tài)。
這樣，在使切割帶T吸附在吸附裝置12的吸附面15上后，沿著滑塊11使吸附裝置12移動(dòng)。之后，如圖6所示，在與槽24鄰接的晶片W外緣部(圖6中右端部)到達(dá)壓緊裝置29中的壓輥35的大致正下方時(shí)，停止吸附裝置12的移動(dòng)。其后，如圖7所示，經(jīng)由缸33的桿33A使壓輥35向下方移動(dòng)，使掛繞在該壓輥35上的剝離用帶P與粘貼在晶片W上的保護(hù)帶H抵接。因此，由于剝離用帶P的粘接面粘接在保護(hù)帶H的外緣部(圖6中右端部)，重疊于槽24的切割帶T陷落，以從剝離用帶P退避，所以，即使是由于彈性發(fā)生變形的壓輥35也能防止剝離用帶P和切割帶T不經(jīng)意地發(fā)生粘接(參照?qǐng)D9)。
其次，經(jīng)由滑塊11使吸附裝置12向圖7中的右方向移動(dòng)，同時(shí)，使驅(qū)動(dòng)輥38轉(zhuǎn)動(dòng)，沿圖7中的箭頭方向輸出剝離用帶P。此時(shí)，控制吸附裝置12的移動(dòng)速度和剝離用帶P的輸出速度成大致相同。因此，如圖8所示，壓輥35邊在保護(hù)帶H上轉(zhuǎn)動(dòng)邊沿保護(hù)帶H的徑向粘接剝離用帶P，同時(shí)，經(jīng)由壓輥35保護(hù)帶H在與剝離用帶P粘接的狀態(tài)下被卷繞，保護(hù)帶H就會(huì)從晶片W上被剝離。
從而，根據(jù)該第一實(shí)施方式，通過(guò)在臺(tái)本體16上設(shè)置槽24的極簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，只要用吸附面15進(jìn)行一般的吸氣，就可使切割帶T陷落，避免與剝離用帶P的粘接，能平穩(wěn)地進(jìn)行保護(hù)帶H的剝離。
下面，對(duì)本發(fā)明第二實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。在下面的說(shuō)明中，對(duì)與所述第一實(shí)施方式相同或相等的結(jié)構(gòu)部分根據(jù)需要而使用相同附圖標(biāo)記，省略說(shuō)明或簡(jiǎn)要地說(shuō)明。
圖10及圖11表示本發(fā)明的吸附裝置的第二實(shí)施方式。該第二實(shí)施方式具有以下特征，即，還在第一實(shí)施方式中的吸附面15面內(nèi)形成多個(gè)槽44。
在第二實(shí)施方式中的吸附部件20上，設(shè)有位于與吸附面15的外周大致同心的圓上的三個(gè)隔壁部45，吸附部件20被這些隔壁部45分隔成呈平面看為環(huán)形的三個(gè)圓環(huán)體46和位于最內(nèi)側(cè)的隔壁部45內(nèi)方的圓盤(pán)體47。各隔壁部45的平面形狀設(shè)定成與徑向尺寸不同的各種晶片W的平面形狀大致相同。在此，在各圓環(huán)體46上，沿隔壁部45的外周形成所述槽44，這些槽44及所述的槽24沿著從吸附面15的面內(nèi)中央部連接外周的方向即吸附面15的徑向隔開(kāi)規(guī)定間隔地定位。在各圓環(huán)體46上形成的槽44的延伸長(zhǎng)度及寬度設(shè)定為與所述槽24大致相同的尺寸。
如圖11所示，在與晶片W重疊定位的槽44的內(nèi)部，配置有形成與吸附面15呈大致同一平面的填充材料F。該填充材料F相對(duì)于槽44拆裝自由地設(shè)置著，同時(shí)，在吸附面15上保持有晶片W時(shí)，通過(guò)槽44的形成緣就能防止晶片W的圖11中下面受傷。
如圖11所示，在臺(tái)本體19中的各圓環(huán)體46和圓盤(pán)體47的下側(cè)，分別設(shè)有與軟管48連接的吸氣孔49。各軟管48經(jīng)由沒(méi)有圖示的電磁閥分別與減壓泵連接，通過(guò)開(kāi)閉該電磁閥，各圓環(huán)體46和每個(gè)圓盤(pán)體47就能獨(dú)立進(jìn)行吸氣的調(diào)整。此時(shí)，在相鄰的各圓環(huán)體46及圓盤(pán)體47之間用隔壁部45可以遮斷氣流。
在以上結(jié)構(gòu)中，例如，如圖10所示，在吸附與最外側(cè)的隔壁部45的平面形狀大致相同的晶片W時(shí)，首先，把填充材料F放在與晶片W重疊的位置的槽44的內(nèi)部(參照?qǐng)D11)。而后，經(jīng)由所述電磁閥(圖示省略)只讓最外側(cè)的圓環(huán)體46停止吸氣，控制從除此以外的圓環(huán)體46及圓盤(pán)體47進(jìn)行吸氣。
在該狀態(tài)下，將晶片W的外周與最外側(cè)的隔壁部45大致一致的圖10所示的狀態(tài)的晶片W配置在臺(tái)16上。由此，通過(guò)進(jìn)行吸氣的圓環(huán)體46及圓盤(pán)體47吸附切割帶T，保持晶片W。此時(shí)，與第一實(shí)施方式的槽24一樣，吸引在最外側(cè)的圓環(huán)體46上形成并沿晶片W的外周的槽44內(nèi)的空氣，切割帶T就會(huì)進(jìn)入該槽44內(nèi)地陷落。
晶片W的平面形狀也可以改變，例如，也可以與第一實(shí)施方式一樣，做成與吸附部件20的外周大致相同的尺寸，或做成與最內(nèi)側(cè)的隔壁部45或位于中間的隔壁部45大致相同的尺寸。此時(shí)，在與晶片W重疊的位置設(shè)有槽44的場(chǎng)合，只要在其內(nèi)部放置填充材料F并且控制使不與晶片W重疊的圓環(huán)體46的吸氣停止即可。因此，對(duì)應(yīng)各種晶片W的平面形狀，都能使切割帶T陷落在沿該晶片W的外周的槽44內(nèi)。
從而，根據(jù)該第二實(shí)施方式，即使在改變晶片W的平面形狀時(shí)，沿晶片W的外周定位任一個(gè)槽24、44，都能使切割帶T陷落。因此，可以收到與第一實(shí)施方式同樣的效果，此外，能夠提高相對(duì)晶片W平面形狀的通用性。
在上述記述中公布了用于實(shí)施本發(fā)明的最佳結(jié)構(gòu)、方法等，但本發(fā)明不限于此。
即，本發(fā)明主要對(duì)特定的實(shí)施方式特別進(jìn)行圖示及說(shuō)明，但只要沒(méi)有脫離本發(fā)明的技術(shù)思想及目的的范圍，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)以上所述的實(shí)施方式在形狀、數(shù)量、材質(zhì)及其它詳細(xì)結(jié)構(gòu)方面施加各種變化。
例如，所述吸附部件20可以進(jìn)行各種設(shè)計(jì)變化，例如可以做成在吸附面15的面內(nèi)設(shè)置多個(gè)進(jìn)行吸氣的孔的結(jié)構(gòu)。
另外，所述槽24的形成位置不限于圖示結(jié)構(gòu)例，例如也可以在平面視圖中沿著吸附面15外周的大致整個(gè)區(qū)域上形成環(huán)狀，或沿吸附面15的徑向的剝離用帶P的粘貼開(kāi)始部分和粘貼結(jié)束部分的兩側(cè)分別形成等，在臺(tái)本體16的支承面23的多處形成。
進(jìn)而，對(duì)將所述切割帶T粘貼在環(huán)構(gòu)架R上的場(chǎng)合進(jìn)行了說(shuō)明，但在限于切割帶T具有從晶片W的外周露出的平面形狀時(shí)，也可以省略環(huán)構(gòu)架R。
另外，在所述第一實(shí)施方式中，在吸附部件20和槽24之間存在若干間隙，但也可以不設(shè)該間隙地形成槽24。
進(jìn)而，在所述第二實(shí)施方式中也可以根據(jù)需要適當(dāng)增減槽44、隔壁部45及圓環(huán)體46的形成數(shù)量。
另外，說(shuō)明了使吸附裝置12移動(dòng)進(jìn)行保護(hù)帶H的剝離的情況，也可以由使掛繞剝離用帶P的壓輥35在保護(hù)帶H上移動(dòng)的結(jié)構(gòu)來(lái)代替?？傊灰O(shè)置成隨著剝離用帶P的輸出使吸附裝置12和壓輥35能相對(duì)移動(dòng)即可。
工業(yè)實(shí)用性本發(fā)明主要用于利用剝離用帶剝離被粘貼在晶片等板狀部件上的保護(hù)帶的裝置。
權(quán)利要求
1.一種吸附裝置，其通過(guò)對(duì)被粘貼在板狀部件的一個(gè)面上且具有從該板狀部件的外周露出的平面形狀的粘接片進(jìn)行吸附來(lái)保持板狀部件，其特征在于，包括具有吸附面的臺(tái)，該吸附面通過(guò)進(jìn)行規(guī)定的吸氣而吸附所述粘接片，在沿所述板狀部件的外周的至少部分區(qū)域上形成有槽。
2.如權(quán)利要求1所述的吸附裝置，其特征在于，所述臺(tái)具備臺(tái)本體和吸附部件，該臺(tái)本體具有位于與吸附面大致同一面上的區(qū)域，該吸附部件設(shè)在該臺(tái)本體的區(qū)域內(nèi)并形成所述吸附面，所述吸附面具有與板狀部件的平面形狀對(duì)應(yīng)的平面形狀，在沿著吸附面外周的臺(tái)本體上形成所述槽。
3.如權(quán)利要求1所述的吸附裝置，其特征在于，所述槽沿著從吸附面的面內(nèi)中央部連接外周的方向隔開(kāi)規(guī)定間隔地形成有多個(gè)。
4.如權(quán)利要求1、2或3所述的吸附裝置，其特征在于，在所述板狀部件的另一個(gè)面上，粘貼有能夠經(jīng)由帶狀的剝離用帶剝離的保護(hù)帶，所述槽的延伸長(zhǎng)度設(shè)定得比剝離用帶的短邊寬度大。
5.一種吸附裝置，被使用于對(duì)保護(hù)帶進(jìn)行剝離的裝置，該保持帶被粘貼在經(jīng)由切割帶支承于環(huán)構(gòu)架的晶片的上面，其特征在于，包括具有吸附面的臺(tái)，該吸附面通過(guò)進(jìn)行規(guī)定的吸氣來(lái)吸附所述切割帶而對(duì)晶片進(jìn)行保持，在沿所述晶片的外周的至少部分區(qū)域上形成有槽。
全文摘要
晶片(W)從背面?zhèn)冉?jīng)由切割帶(T)被支承在環(huán)構(gòu)架(R)上，同時(shí)，在表面?zhèn)日迟N有保護(hù)帶(H)。吸附裝置(12)具有將吸附面(15)設(shè)在上面的臺(tái)(16)。吸附面(15)通過(guò)進(jìn)行規(guī)定的吸附而吸附切割帶(T)地保持晶片(W)。在沿吸附面(15)的外周的至少部分區(qū)域中形成槽(24)，通過(guò)用吸附面(15)進(jìn)行吸氣，槽(24)內(nèi)變成負(fù)壓，使切割帶(T)陷落。
文檔編號(hào)H01L21/304GK1947226SQ20058001272
公開(kāi)日2007年4月11日 申請(qǐng)日期2005年4月20日 優(yōu)先權(quán)日2004年4月23日
發(fā)明者小林賢治, 辻本正樹(shù), 吉岡孝久 申請(qǐng)人:琳得科株式會(huì)社