專利名稱：正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及正面發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)，尤指一種基座上的臺(tái)面設(shè)有凹陷位，使晶片可埋入組裝提升發(fā)光效率，并達(dá)到最佳混色效果，及有效提升散熱效果增加產(chǎn)品信賴度的正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
隨著電子產(chǎn)品愈來(lái)愈精薄短小，傳統(tǒng)的電子零件在結(jié)構(gòu)外形亦須跟著改變，方能符合多層電路板及電子插件一貫生產(chǎn)制造的需求，故較先進(jìn)的發(fā)光二極管制造方式，其在一整片金屬上預(yù)先沖形使中間矩陣分布設(shè)有數(shù)個(gè)預(yù)定成形的鏤空臺(tái)面，而兩側(cè)設(shè)有導(dǎo)進(jìn)孔以供機(jī)器導(dǎo)進(jìn)正確對(duì)位，再于金屬片的兩側(cè)以塑膠材料制成外殼包夾壓合，制造時(shí)令外殼可深入鏤空切分線而形成絕緣，另外，接腳沖斷后可延底片體側(cè)包夾至底緣，如此即可在一金屬片上快速制出許多內(nèi)具有基座而外具有外殼的半成品，以供一貫生產(chǎn)置入晶片封裝。
其金屬片上的每一顆半成品結(jié)構(gòu)，主要包括有一外殼體，由一封實(shí)的底片及一具有喇叭開(kāi)口的頂片所構(gòu)成，以及，一基座，其夾置在外殼體的底片與頂片間，該基座中間設(shè)有置放晶片的臺(tái)面，而兩側(cè)突設(shè)有包折底片的接腳。
但是，公知結(jié)構(gòu)其設(shè)計(jì)上如圖3、圖4所示，因?yàn)榛旧硎且黄脚_(tái)，故與晶片組裝上存有如下缺點(diǎn)1.晶片置上基座的平臺(tái)后高度過(guò)高，會(huì)使發(fā)光效率減低。
2.由于組合晶片過(guò)高，容易因應(yīng)力影響而導(dǎo)致失效。
3.因?yàn)榫歉叱雠_(tái)面，故使其結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)混色效果變差。
因鑒于上述公知結(jié)構(gòu)所存在的缺點(diǎn)，本實(shí)用新型人在經(jīng)多方研究、改良、設(shè)計(jì)后，終于研制成功本實(shí)用新型。
新型內(nèi)容本實(shí)用新型的主要目的，在于設(shè)計(jì)一種基座上的臺(tái)面設(shè)有凹陷位的正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)，使晶片可埋入組裝，以提升發(fā)光效率，并達(dá)到最佳混色效果，及有效提升散熱效果增加產(chǎn)品信賴度。
為達(dá)到前述目的，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的一種正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其主要包括有一外殼體，由一封實(shí)的底片，及一具有喇叭開(kāi)口的頂片所構(gòu)成；以及一基座，其夾置在外殼體的底片與頂片間，該基座中間具有置放晶片的臺(tái)面，而兩側(cè)突出有包折底片的接腳；其特征在于該基座的臺(tái)面具有使晶片與其晶片基座可深植埋入臺(tái)面的凹陷位。
據(jù)此，使晶片可埋入組裝，除可提升發(fā)光效率，并可達(dá)到最佳混色效果，而且利用其凹陷基座亦可提升散熱效果，而有效增加產(chǎn)品信賴度。
為使能進(jìn)一步了解本實(shí)用新型的構(gòu)成內(nèi)容及其他特點(diǎn)，茲舉本實(shí)用新型較具體的實(shí)施例，并配合附圖的實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明如以下所述。


圖1本實(shí)用新型實(shí)施于單色發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖2本實(shí)用新型實(shí)施于混色發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖3公知單色發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面圖。
圖4公知混色發(fā)光二極管結(jié)構(gòu)的剖面圖。
具體實(shí)施方式
如圖1、圖2所示，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的一種正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其主要包括有一外殼體1，由一封實(shí)的底片11，及一具有喇叭開(kāi)口13的頂片12所構(gòu)成；以及，一基座2，其夾置在外殼體1的底片11與頂片12間，該基座2中間設(shè)有置放晶片3的臺(tái)面21，于基座2的臺(tái)面21設(shè)有凹陷位22，而其兩側(cè)突設(shè)有包折底片11的接腳23；據(jù)此，使制造時(shí)晶片3與其晶片基座31可深植埋入臺(tái)面21的凹陷位22內(nèi)組裝，該晶片基座31雖下沉但晶片3與原有傳統(tǒng)置放方式相同，并不必另外新增設(shè)備，而且利用其凹陷基座2除可降低高度亦可提升散熱效果，有效增加產(chǎn)品信賴度，更可提升發(fā)光效率并達(dá)到最佳混色效果，而有效克服傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)不良的缺點(diǎn)。
本實(shí)用新型實(shí)施時(shí)，如圖1所示，可于該基座2上的臺(tái)面21設(shè)有單一凹陷位22，以供制成單色發(fā)光二極管，或如圖2所示，于該基座2上的臺(tái)面21設(shè)有數(shù)個(gè)凹陷位22，以供制成混色發(fā)光二極管。而制成的單色發(fā)光二極管或混色發(fā)光二極管均可單個(gè)使用，亦可供各種矩陣使用。
本實(shí)用新型具有以下的優(yōu)點(diǎn)1.其結(jié)構(gòu)因可使晶片深植，故發(fā)光效率可比傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)提升約30％。
2.基座雖下沉但晶片與原有傳統(tǒng)置放方式相同，故不必另增設(shè)備及造成生產(chǎn)上的不便。
3.晶片與晶片基座的下沉設(shè)置可以提升散熱效果，增加產(chǎn)品信賴度，并使三原色的混色效果達(dá)到最佳化。
綜上所述，本實(shí)用新型所設(shè)計(jì)的結(jié)構(gòu)確實(shí)可提升發(fā)光效率，增進(jìn)散熱及達(dá)到最佳混色效果，有效增加產(chǎn)品信賴度，功能上遠(yuǎn)勝于傳統(tǒng)結(jié)構(gòu)，具進(jìn)步性及產(chǎn)業(yè)利用價(jià)值，遂依法提出申請(qǐng)新型專利。
上述實(shí)施例是用來(lái)詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的目的、特征及功效，僅為本實(shí)用新型的部分實(shí)施例，當(dāng)不能以此限定本實(shí)用新型的實(shí)施范圍，凡熟悉此類技藝的人仕根據(jù)上述說(shuō)明，及依以下申請(qǐng)專利范圍所載的結(jié)構(gòu)特征及于功效上所作等效性的變換或修改，其本質(zhì)未脫離出本實(shí)用新型的精神范疇者，皆應(yīng)包含在本實(shí)用新型的專利范圍內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其主要包括有一外殼體，由一封實(shí)的底片，及一具有喇叭開(kāi)口的頂片所構(gòu)成；以及一基座，其夾置在外殼體的底片與頂片間，該基座中間具有置放晶片的臺(tái)面，而兩側(cè)突出有包折底片的接腳；其特征在于該基座的臺(tái)面具有使晶片與其晶片基座可深植埋入臺(tái)面的凹陷位。
2.如權(quán)利要求1所述的正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于該基座上的臺(tái)面具有單一的用于制成單色發(fā)光二極管的凹陷位。
3.如權(quán)利要求1所述的正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其特征在于該基座上的臺(tái)面具有數(shù)個(gè)用于制成混色發(fā)光二極管的凹陷位。
專利摘要一種正面發(fā)光二極管改進(jìn)結(jié)構(gòu)，其主要包括有一外殼體，由一封實(shí)的底片，及一具有喇叭開(kāi)口的頂片所構(gòu)成；以及，一基座，其夾置在外殼體的底片與頂片間，該基座中間設(shè)有置放晶片的臺(tái)面，而其兩側(cè)突設(shè)有包折底片的接腳；其中，該基座的臺(tái)面設(shè)有凹陷位，使晶片與其晶片基座可深植埋入臺(tái)面的凹陷位內(nèi)組裝，據(jù)此，使晶片可埋入組裝，除可提升發(fā)光效率，并可達(dá)到最佳混色效果，而且利用其凹陷基座亦可提升散熱效果，而有效增加產(chǎn)品信賴度。
文檔編號(hào)H01L25/075GK2809883SQ200520115099
公開(kāi)日2006年8月23日 申請(qǐng)日期2005年8月4日 優(yōu)先權(quán)日2005年8月4日
發(fā)明者凌士忠 申請(qǐng)人:凌士忠