專利名稱：發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，特別是一種具有金屬反射層的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)：
近年來，因為發(fā)光二極管制造技術(shù)的快速進步，使得發(fā)光二極管的發(fā)光效率增加。因此，發(fā)光二極管開始在照明領(lǐng)域上應(yīng)用，例如以發(fā)光二極管制造的手電筒或發(fā)光二極管的汽車頭燈。
現(xiàn)有發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座是以具有塑料或液晶高分子材料成形而構(gòu)成的反射基座?；闹虚g通常具有一凹陷部，發(fā)光二極管芯片固定在凹陷部中。
上述的反射基座雖然以不透光材料制成，因為凹陷部側(cè)壁的反射率不足，使得發(fā)光二極管所射出的光，容易從側(cè)壁泄漏。
為了使發(fā)光二極管組件整體的發(fā)光效率增加，發(fā)光二極管光電組件的制造商莫不極力的尋求解決方式，以克服凹陷部側(cè)壁反射率不足和側(cè)壁泄光的問題。
實用新型內(nèi)容本實用新型的目的是提供一種具有金屬反射層的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，用以使發(fā)光二極管組件的發(fā)光效率更好。
為實現(xiàn)上述目的，本實用新型提供一種具有金屬反射層的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)。此封裝結(jié)構(gòu)包含一具有凹陷部的基座。在凹陷部的側(cè)壁鍍上一層金屬反射層，使得發(fā)光二極管所發(fā)出的光可以有效率的射出封裝結(jié)構(gòu)，其中金屬反射層使導(dǎo)線架短路部分以激光技術(shù)清除。發(fā)光二極管芯片固定在凹陷部中，且電極分別連接到兩個彼此絕緣的導(dǎo)線架上。最后將封裝材料填入凹陷部，用以封裝發(fā)光二極管芯片。
根據(jù)以上所述，本實用新型在基座凹陷部側(cè)壁鍍上一層金屬反射層，增加了凹陷部側(cè)壁的反射率，從而使整體發(fā)光效率更好。
以下結(jié)合附圖和具體實施方式
對本實用新型作進一步詳細(xì)的說明

圖1是本實用新型一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座的立體圖。
圖2A是本實用新型一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座電鍍后的上視圖。
圖2B是本實用新型一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座電鍍后且經(jīng)激光技術(shù)清除短路部分的上視圖。
附圖標(biāo)記說明100基座102凹陷部104金屬反射層106發(fā)光二極管芯片108a/108b導(dǎo)線架110絕緣區(qū)具體實施方式
為了使二極管發(fā)光組件的整體發(fā)光效率更好，本實用新型在基座凹陷部側(cè)壁鍍上一層金屬反射層，并用激光技術(shù)清除導(dǎo)線架短路部分。側(cè)壁上的金屬反射層可以增加凹陷部側(cè)壁的反射率，從而使整體發(fā)光效率更好。
圖1是本實用新型一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座的立體圖。此封裝結(jié)構(gòu)的基座100是以環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子或陶瓷等材質(zhì)成形而構(gòu)成的反射基座。基座100的中間形成一凹陷部102，發(fā)光二極管芯片可固定在凹陷部中。為了增加凹陷部102側(cè)壁的反射率，以真空濺鍍或真空電鍍形成一金屬反射層104在基座100上表面及凹陷部102的側(cè)壁內(nèi)。最后將環(huán)氧樹脂、壓克力(acrylic)或硅膠等封裝材料填入凹陷部102內(nèi)，用以封裝發(fā)光二極管芯片。
圖2A是本實用新型一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座電鍍后的上視圖。當(dāng)封裝結(jié)構(gòu)的基座100以真空濺鍍或真空電鍍后，金屬反射層104形成在基座100上表面及凹陷部102的側(cè)壁內(nèi)。因此，原本極性不同的兩導(dǎo)線架108a及108b被覆蓋于絕緣區(qū)110上的金屬反射層104所短路。
圖2B是本實用新型一較佳實施例的一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)的基座電鍍后且經(jīng)激光技術(shù)清除短路部分的上視圖。絕緣區(qū)110以激光技術(shù)清除其上覆蓋的金屬反射層104，使兩導(dǎo)線架108a及108b彼此相互絕緣，且金屬反射層可以增加凹陷部側(cè)壁的反射率，從而使整體發(fā)光效率更好。發(fā)光二極管芯片106接著固定在導(dǎo)線架108a上，并與導(dǎo)線架108a及108b作適當(dāng)?shù)碾娦赃B接。最后將封裝材料填入凹陷部內(nèi)用以封裝發(fā)光二極管芯片106，其中封裝材料可以是環(huán)氧樹脂、壓克力(acrylic)、硅膠或上述材料的組合。
根據(jù)本實用新型上述的實施例，本實用新型在基座凹陷部側(cè)壁鍍上一層金屬反射層，可以增加凹陷部側(cè)壁的反射率，從而使整體發(fā)光效率更好。
以上所述，僅為本實用新型的較佳實施例，并不因此而限制本實用新型的權(quán)利保護范圍，凡利用本實用新型所作的等效變換，均落在本實用新型權(quán)利要求保護范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求1.一種發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于，至少包含一基座，具有一凹陷部；一導(dǎo)線架，固定在所述的基座中，并部分暴露在所述的凹陷部的底面；一發(fā)光二極管芯片，安裝在所述的凹陷部內(nèi)，并與所述的導(dǎo)線架電性連接；以及一金屬反射層，鍍在所述的凹陷部的側(cè)壁，其中該金屬反射層使所述的導(dǎo)線架短路部分以激光技術(shù)清除。
2.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的基座材質(zhì)為環(huán)氧樹脂、玻璃纖維、氧化鈦、氧化鈣、液晶高分子或陶瓷。
3.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于所述的金屬反射層為金、銀、銅、鉑、鋁、鎳、錫或鎂。
4.如權(quán)利要求1所述的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)，其特征在于還包含一封裝材料填入所述的凹陷部內(nèi)，其中該封裝材料為環(huán)氧樹脂、壓克力或硅膠。
專利摘要一種具有金屬反射層的發(fā)光二極管封裝結(jié)構(gòu)包含一具有凹陷部的基座。在凹陷部的側(cè)壁，鍍上一層金屬反射層，使得發(fā)光二極管所發(fā)出的光可以有效率的射出封裝結(jié)構(gòu)，其中金屬反射層使導(dǎo)線架短路部分以激光技術(shù)清除。發(fā)光二極管芯片固定在凹陷部中，且電極分別連接到兩個彼此絕緣的導(dǎo)線架上。最后將封裝材料填入凹陷部，用以封裝發(fā)光二極管芯片。
文檔編號H01L33/00GK2840330SQ20052001974
公開日2006年11月22日 申請日期2005年5月30日 優(yōu)先權(quán)日2005年5月30日
發(fā)明者張正宜, 徐志宏, 謝忠全 申請人:億光電子工業(yè)股份有限公司