專(zhuān)利名稱(chēng)：使用無(wú)定形碳制造半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的電容器的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的技術(shù)；并且更具體地，涉及一種用于制造包括柱型電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體器件的最小線(xiàn)寬和集成程度增大，其中電容器形成的面積已減小。因此，盡管其中電容器形成的面積已減小，單元內(nèi)的電容器應(yīng)確保每個(gè)單元的最小所需量。因此，提出了多種方法以在有限區(qū)域中形成具有高電容量的電容器。一種提出的方法是形成具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)層如Ta2O5，Al2O3或HfO2，取代具有3.8的介電常數(shù)(ε)的二氧化硅層和具有7的介電常數(shù)(ε)的氮化物層。另一種提出的方法是通過(guò)形成具有三維類(lèi)型如柱型或凹型的底電極、或通過(guò)在底電極的表面上通過(guò)生長(zhǎng)亞穩(wěn)多晶硅(MPS)顆粒將底電極的有效表面面積增大1.7到2倍來(lái)有效地增大底電極的面積。還提出了一種通過(guò)使用金屬層來(lái)形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)和板節(jié)點(diǎn)的金屬—絕緣體—金屬(MIM)方法。
近來(lái)，對(duì)于具有多于128M位集成的動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DRAM)的MIM結(jié)構(gòu)的電容器，提出了一種用于將氮化鈦(TiN)層施加到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的方法。
圖1A和1B為橫截面視圖，圖示了當(dāng)具有柱型MIM電容器的傳統(tǒng)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件被制造時(shí)，通過(guò)使用TiN來(lái)形成存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的傳統(tǒng)方法。
如圖1A所示，為了形成半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件，層間絕緣層12形成在基片11上，所述基片利用用于形成字線(xiàn)、晶體管和位線(xiàn)的工藝來(lái)完成。層間絕緣層12被蝕刻，由此形成暴露基片11的預(yù)定部分的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔。然后，多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞13通過(guò)將多晶硅埋放到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔中而形成。
接著，蝕刻阻擋層14和犧牲層15沉積在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞13和層間絕緣層12上。此時(shí)，蝕刻阻擋層14可由氮化物層形成并且在使?fàn)奚鼘?5經(jīng)受隨后的蝕刻工藝期間起到蝕刻阻擋的作用。而且，犧牲層15使用氧化硅層如硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)層或未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)層來(lái)形成，其中犧牲層15起到提供將作為存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)而形成的三維結(jié)構(gòu)的作用。
隨后，使?fàn)奚鼘?5經(jīng)受的掩模工藝、干蝕刻工藝以及使蝕刻阻擋層經(jīng)受的另一干蝕刻工藝被采用，由此形成具有三維結(jié)構(gòu)的多個(gè)溝槽16。
Ti通過(guò)化學(xué)氣相沉積(CVD)方法或物理氣相沉積(PVD)方法而沉積在多個(gè)溝槽16之上。然后，執(zhí)行退火工藝。然后，硅化鈦(TiSi)形成并且對(duì)退火工藝仍未起反應(yīng)的Ti被移除。從而，多個(gè)阻擋金屬層17通過(guò)以上提到的步驟來(lái)形成。
設(shè)想在提供有阻擋金屬層17的所得到的結(jié)構(gòu)上用作存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的TiN被沉積。然后，執(zhí)行存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)隔離工藝，由此在溝槽16內(nèi)部形成具有柱型的多個(gè)TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)18。
如以上所述，可能通過(guò)利用以多晶硅形成的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞13的表面上的TiSi的使用來(lái)形成阻擋金屬層17，來(lái)減小TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)18與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞13相接觸的表面的電阻。
接著，如圖1B所示，犧牲層15經(jīng)受濕汲出(wet dip-out)工藝，由此暴露具有柱型的每個(gè)TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)18的內(nèi)壁和外壁。最后，電介質(zhì)層和板節(jié)點(diǎn)依次形成在TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)18上，由此完成具有柱型的MIM電容器。
根據(jù)上述傳統(tǒng)方法，在執(zhí)行濕汲出工藝期間，濕化學(xué)物質(zhì)趨向于穿透到晶片的某個(gè)部分中的蝕刻阻擋層14之下的層間絕緣層12的一部分，由此生成濕損壞20。在這里，參考數(shù)字19表示濕化學(xué)物質(zhì)的穿透。濕損壞20典型地稱(chēng)為漏斗形缺陷。而且，根據(jù)傳統(tǒng)方法，濕化學(xué)物質(zhì)沿著用作蝕刻阻擋層14的氮化物層與TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)18相接觸的表面穿透，并因此還可以形成漏斗形缺陷。
由于用作存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)18的TiN典型地具有柱狀結(jié)構(gòu)，濕化學(xué)物質(zhì)在晶片的某個(gè)部分穿透到與存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞13相接觸的TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)18的晶體顆粒中。從而，上述漏斗形缺陷20形成。
不僅漏斗形缺陷20是造成刷新特性退化、即IDD失效的直接因素，而且對(duì)應(yīng)于漏斗形缺陷20的芯片本身在生成漏斗形缺陷20之后也被證明是個(gè)失敗。特別地，漏斗形缺陷20不在使用多晶硅的硅絕緣體硅(Si)中產(chǎn)生，而是TiN本身的問(wèn)題。因此，漏斗形缺陷20被認(rèn)為是關(guān)鍵問(wèn)題，只要TiN被施加到DRAM電容器的MIM電容器的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)這就不可避免。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的一個(gè)目的是提供一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法能夠防止造成漏斗形缺陷，通過(guò)所述缺陷，濕化學(xué)物質(zhì)在執(zhí)行制造具有柱型存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的電容器期間所采用的濕汲出工藝期間提供對(duì)下部結(jié)構(gòu)的侵蝕。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在基片上形成層間絕緣層；形成穿透到層間絕緣層中的多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞；形成通過(guò)在層間絕緣層上堆疊第一保護(hù)阻擋層和犧牲層所形成的堆疊結(jié)構(gòu)；以具有使存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞的上部開(kāi)放的溝槽的方式來(lái)對(duì)第一保護(hù)阻擋層和犧牲層執(zhí)行蝕刻工藝；在溝槽內(nèi)部形成具有柱型的多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；形成填充具有柱型的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)內(nèi)部的第二保護(hù)阻擋層；通過(guò)執(zhí)行濕汲出工藝來(lái)移除犧牲層；移除第一保護(hù)阻擋層和第二保護(hù)阻擋層；以及在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上依次形成電介質(zhì)層和板節(jié)點(diǎn)。


本發(fā)明的上述和其它目的及特征將關(guān)于與附圖相結(jié)合的具體實(shí)施例的以下描述而變得更好理解，其中圖1A和1B是橫截面視圖，圖示了用于制造具有柱型金屬—絕緣體—金屬(MIM)電容器的半導(dǎo)體器件的傳統(tǒng)方法；以及圖2A到2G是橫截面視圖，圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的用于制造具有柱型MIM電容器的半導(dǎo)體器件的方法。
具體實(shí)施例方式
在下文中，將參考附圖提供對(duì)本發(fā)明的某些實(shí)施例的詳細(xì)描述。
圖2A到2G是橫截面視圖，圖示了根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)具體實(shí)施例的用于制造具有柱型MIM電容器的半導(dǎo)體器件的方法。
如圖2A所示，層間絕緣層22形成在基片21上。然后，穿透層間絕緣層22的多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔(未示出)形成，并且然后埋放到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔中的多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞23形成。層間絕緣層22具有多層結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵趯娱g絕緣層22形成之前，提供了包括字線(xiàn)和位線(xiàn)工藝的晶體管。
多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞23被形成，沉積多晶硅層直到存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸孔被填充并執(zhí)行回蝕刻工藝或化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)工藝。
接著，在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞23被埋放的層間絕緣層22上，蝕刻阻擋層24、第一保護(hù)阻擋層25和犧牲層26依次形成。
在這里，在使?fàn)奚鼘?6經(jīng)受的隨后的干蝕刻工藝期間起到蝕刻阻擋作用的蝕刻阻擋層24使用氮化物層來(lái)形成。第一保護(hù)阻擋層25使用無(wú)定形碳來(lái)形成，以防止在隨后的濕汲出工藝期間濕化學(xué)物質(zhì)穿透到下部結(jié)構(gòu)中。犧牲層26通過(guò)使用硼磷硅酸鹽玻璃(BPSG)層、未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)層、原硅酸四乙酯(TEOS)層或高濃度等離子體(HDP)層來(lái)形成以提供存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)被設(shè)想形成在其中的三維結(jié)構(gòu)。
用作第一保護(hù)阻擋層25的無(wú)定形碳以范圍從約5nm到約1,000nm的厚度、在范圍從約50℃到約600℃的溫度形成。
如圖2B所示，犧牲層26、第一濕侵蝕阻擋層25和蝕刻阻擋層24所單獨(dú)經(jīng)受的干蝕刻工藝被依次執(zhí)行，由此形成開(kāi)放存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞23的上部的多個(gè)溝槽27。
在形成溝槽27期間，掩模通過(guò)使用光阻(photoresist)層而形成在犧牲層26上，并且然后通過(guò)使用該掩模來(lái)對(duì)犧牲層26和第一濕侵蝕阻擋層25執(zhí)行干蝕刻工藝。然后，掩模被移除，并且然后蝕刻阻擋層24選擇性地經(jīng)受干蝕刻工藝。同時(shí)，如果犧牲層26的高度增大，則以多晶硅形成的硬掩?？稍趯?duì)犧牲層26執(zhí)行蝕刻工藝期間引入，以容易地執(zhí)行蝕刻工藝。
接著，在形成TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)之前，多個(gè)阻擋金屬層28形成。多個(gè)阻擋金屬層28由硅化鈦(TiSi)制成。多個(gè)阻擋金屬層28如以下形成。首先，鈦(Ti)通過(guò)物理氣相沉積(PVD)方法或化學(xué)氣相沉積(CVD)方法沉積在包括溝槽27的整個(gè)表面上。然后，退火工藝被執(zhí)行，由此形成TiSi。對(duì)退火工藝仍未反應(yīng)的Ti被移除。最后，形成多個(gè)阻擋金屬層28。在這里，用作多個(gè)阻擋金屬層28的TiSi通過(guò)使用作存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞23的多晶硅的硅(Si)與Ti反應(yīng)來(lái)形成。TiSi不在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞23的絕緣材料中形成。
如上所述，如果用作阻擋金屬層28的TiSi降低存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞23與隨后的TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)相接觸的表面的電阻。
如圖2C所示，存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)隔離工藝被采用，由此在溝槽27內(nèi)部形成具有柱型的多個(gè)TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29。
至于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)隔離工藝，在包括溝槽27的犧牲層26的表面上，用作存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的TiN被沉積。此時(shí)，TiN通過(guò)CVD方法、PVD方法或原子層沉積(ALD)方法被沉積。
接著，直到溝槽27被填充，第一光阻層30形成在TiN層上。
此時(shí)，第一光阻層30起到鈍化層的作用，以在隨后的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)隔離工藝期間保護(hù)溝槽27的內(nèi)部。除了第一光阻層30以外，氧化物層如USG層也可被用于鈍化層。
接著，第一光阻層30經(jīng)受回蝕刻工藝，并因此犧牲層26上的第一光阻層30被移除。因此，第一光阻層30只保留在溝槽27的內(nèi)部，并因此在除了溝槽27之外的保留的部分上形成的TiN、即犧牲層26的表面被暴露。
如上所述，第一光阻層30通過(guò)執(zhí)行回蝕刻工藝來(lái)保留，并且然后除了溝槽27之外的犧牲層26的表面的TiN經(jīng)受回蝕刻工藝或CMP工藝，由此形成多個(gè)TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29。
如上所述，在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)隔離工藝期間，當(dāng)TiN通過(guò)使用回蝕刻工藝或CMP工藝被移除時(shí)，有可能諸如研磨劑或經(jīng)蝕刻顆粒的雜質(zhì)附著到TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的內(nèi)部。因此，優(yōu)選地通過(guò)使用具有良好階梯覆蓋的第一光阻層30在填充溝槽27的內(nèi)部之后執(zhí)行存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)隔離工藝。
如圖2D所示，保留在TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的上部上的第一光阻層30經(jīng)受剝離工藝。
接著，第二保護(hù)阻擋層31沉積在整個(gè)表面上，直到通過(guò)移除第一光阻層30所暴露的柱型TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29被填充。
此時(shí)，第二保護(hù)阻擋層31被引入以防止在執(zhí)行隨后的濕汲出工藝期間濕化學(xué)物質(zhì)穿透到柱型TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的內(nèi)部中，并因此能夠利用無(wú)定形碳或第二光阻層來(lái)形成。
如圖2E所示，如果第二保護(hù)阻擋層31利用無(wú)定形碳來(lái)形成，則用作第二保護(hù)阻擋層31的無(wú)定形碳通過(guò)清除浮渣工藝而被選擇性地移除，并因此第二保護(hù)阻擋層31保留為填充TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的內(nèi)部的類(lèi)型。此時(shí)，等離子狀態(tài)的氧(O2)氣被用來(lái)選擇性地移除第二保護(hù)阻擋層31。
如果利用第二光阻層來(lái)形成第二保護(hù)阻擋層31，如圖2E所示，對(duì)第二保護(hù)阻擋層31執(zhí)行空曝光工藝。然后，經(jīng)受空曝光工藝的第二濕保護(hù)層31被顯影。由此，第二濕保護(hù)層31保留為填充TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的內(nèi)部的類(lèi)型。在這里，空曝光工藝使用浸入曝光技術(shù)。
此時(shí)，前面提到的第一光阻層30和第二保護(hù)阻擋層31為相同的光阻層，并因此根據(jù)曝光光源，用于KrF的光阻層、用于ArF的光阻層、用于電子束的光阻層、用于X射線(xiàn)的光阻層、用于極紫外線(xiàn)(EUV)的光阻層以及用于離子束的光阻層中的一個(gè)可用作第一光阻層30和第二保護(hù)阻擋層31。
在第二保護(hù)阻擋層31被選擇性地移除或經(jīng)受如上所述的空曝光和顯影工藝之后，犧牲層26的表面和TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的上部被暴露。
接著，犧牲層26通過(guò)執(zhí)行全濕汲出工藝而被移除。此時(shí)，氟化氫(HF)溶液被用來(lái)移除犧牲層26。
隨著在執(zhí)行全濕汲出工藝期間所使用的濕化學(xué)物質(zhì)、即HF溶液移除犧牲層26，HF溶液可以穿透到具有弱于所述濕化學(xué)物質(zhì)的晶體顆粒結(jié)構(gòu)的TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29。然而，根據(jù)本發(fā)明，因?yàn)榈谝粷袂治g阻擋層25形成在犧牲層26之下并且第二保護(hù)阻擋層31預(yù)先形成在柱體的內(nèi)部，HF溶液不能穿透入TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29。
就是說(shuō)，用于第一和第二保護(hù)阻擋層25和31或第二光阻層的無(wú)定形碳是關(guān)于濕化學(xué)物質(zhì)如HF溶液具有選擇性的材料，并因此在執(zhí)行濕汲出工藝期間不受HF溶液蝕刻。
因此，通過(guò)引入第一濕侵蝕阻擋層25，有可能防止?jié)窕瘜W(xué)物質(zhì)沿著蝕刻阻擋層24與每個(gè)柱型TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的外壁上的TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29相接觸的表面穿透。另外，通過(guò)在柱型TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的內(nèi)壁上引入第二保護(hù)層31，有可能防止?jié)窕瘜W(xué)物質(zhì)穿透到柱型TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的底表面。
如圖2F所示，移除犧牲層26之后所暴露的第一濕侵蝕阻擋層25被移除。此時(shí)，因?yàn)榈谝粷袂治g層25為無(wú)定形碳，無(wú)定形碳可以通過(guò)使用O2等離子體來(lái)移除。
如果第二保護(hù)阻擋層31為無(wú)定形碳，則第二保護(hù)阻擋層31可以與移除第一濕侵蝕阻擋層25同時(shí)地移除。而且，如果第二保護(hù)阻擋層31為第二光阻層，則眾所周知被引入以移除第一保護(hù)阻擋層25的O2等離子體剝離光阻層。因此，在移除第一濕侵蝕阻擋層25期間，第二保護(hù)阻擋層31可以被同時(shí)移除。
如上所述，根據(jù)本發(fā)明，有可能另外獲得工藝簡(jiǎn)單性的效果，因?yàn)橐坏┤绻诙Ｗo(hù)阻擋層31利用無(wú)定形碳或第二光阻層來(lái)形成，則第一濕侵蝕阻擋層25和第二保護(hù)阻擋層31可被移除。
如上所述，每個(gè)柱型TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的內(nèi)壁和外壁通過(guò)濕汲出工藝而暴露。
如圖2G所示，電介質(zhì)層32和板節(jié)點(diǎn)33依次形成在被暴露的TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29A上，所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的內(nèi)壁和外壁被暴露，由此完成具有柱型的MIM電容器。此時(shí)，電介質(zhì)層32包括從由氧化物/氮化物/氧化物(ONO)、氧化鉿(HfO2)、氧化鋁(Al2O3)和氧化鉭(Ta2O5)組成的組中選擇的材料，以及板節(jié)點(diǎn)33包括氮化鈦(TiN)、鎢(W)、鉑(Pt)或釕(Ru)。
根據(jù)該具體實(shí)施例，在犧牲層26的濕汲出工藝期間通過(guò)TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)29的晶體顆粒使?jié)窕瘜W(xué)物質(zhì)穿透到下部結(jié)構(gòu)中或者通過(guò)接觸蝕刻阻擋層24的TiN存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的表面部分使?jié)窕瘜W(xué)物質(zhì)穿透到下部結(jié)構(gòu)中通過(guò)引入第一和第二保護(hù)阻擋層25和31得到防止，并且因此漏斗形缺陷的產(chǎn)生可以被防止。
如上所述，通過(guò)引入第一和第二保護(hù)阻擋層25和31所獲得的防止?jié)窕瘜W(xué)物質(zhì)穿透到下部結(jié)構(gòu)中的作用不只限于存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)利用TiN來(lái)形成的情形，還可以通過(guò)引入其它物質(zhì)如Pt和Ru來(lái)獲得。
而且，有可能通過(guò)引入用于保護(hù)阻擋層的材料的無(wú)定形碳，在濕汲出工藝期間通過(guò)防止下部結(jié)構(gòu)被濕化學(xué)物質(zhì)損壞，來(lái)獲得改進(jìn)晶片產(chǎn)量的作用。
本申請(qǐng)包含與2004年12月28日在韓國(guó)專(zhuān)利局提交的韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.KR 2004-0113514和韓國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)No.KR 2004-0113515有關(guān)的主題內(nèi)容，其全部?jī)?nèi)容通過(guò)引用結(jié)合于此。
盡管已經(jīng)結(jié)合某些具體實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是對(duì)于本領(lǐng)域的技術(shù)人員明顯的是，在不脫離如以下權(quán)利要求中限定的本發(fā)明的精神和范圍情況下，可執(zhí)行各種變化和改型。
權(quán)利要求
1.一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，包括在基片上形成層間絕緣層；形成穿透到所述層間絕緣層中的多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞；形成通過(guò)在所述層間絕緣層上堆疊第一保護(hù)阻擋層和犧牲層所形成的堆疊結(jié)構(gòu)；以具有使所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞的上部開(kāi)放的溝槽的方式來(lái)對(duì)所述第一保護(hù)阻擋層和所述犧牲層執(zhí)行蝕刻工藝；在所述溝槽內(nèi)部形成具有柱型的多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；形成填充具有所述柱型的所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)內(nèi)部的第二保護(hù)阻擋層；通過(guò)執(zhí)行濕汲出工藝來(lái)移除所述犧牲層；移除所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層；以及在所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上依次形成電介質(zhì)層和板節(jié)點(diǎn)。
2.權(quán)利要求1的方法，其中所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層通過(guò)使用無(wú)定形碳來(lái)形成。
3.權(quán)利要求2的方法，其中所述無(wú)定形碳在范圍從約50℃到約600℃的溫度來(lái)形成。
4.權(quán)利要求2的方法，其中所述第一保護(hù)阻擋層以范圍從約5nm到約1,000nm的厚度來(lái)形成。
5.權(quán)利要求2的方法，其中所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層的移除通過(guò)使用等離子態(tài)氧(O2)氣來(lái)執(zhí)行。
6.權(quán)利要求5的方法，其中所述第一和所述第二保護(hù)阻擋層被同時(shí)移除。
7.權(quán)利要求1的方法，其中所述第一保護(hù)阻擋層通過(guò)使用無(wú)定形碳來(lái)形成，而所述第二保護(hù)阻擋層通過(guò)使用光阻層來(lái)形成。
8.權(quán)利要求7的方法，其中作為第一濕侵蝕阻擋層而形成的所述無(wú)定形碳在范圍從約50℃到約600℃的溫度來(lái)形成，并且具有范圍從約5nm到約1,000nm的厚度。
9.權(quán)利要求7的方法，其中所述光阻層從由用于KrF的光阻層、用于ArF的光阻層、用于電子束的光阻層、用于X射線(xiàn)的光阻層、用于極紫外線(xiàn)(EUV)的光阻層以及用于離子束的光阻層所組成的組中選擇。
10.權(quán)利要求7的方法，其中所述第一保護(hù)阻擋層和所述第二保護(hù)阻擋層的形成通過(guò)使用O2等離子體來(lái)執(zhí)行。
11.權(quán)利要求10的方法，其中所述第一和所述第二保護(hù)阻擋層被同時(shí)移除。
12.權(quán)利要求1的方法，其中所述堆疊結(jié)構(gòu)進(jìn)一步包括蝕刻阻擋層。
13.權(quán)利要求12的方法，其中所述蝕刻阻擋層是氮化物層。
14.權(quán)利要求1的方法，其中所述多個(gè)存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的形成包括在包括所述溝槽的堆疊結(jié)構(gòu)的表面上形成導(dǎo)電層；在所述導(dǎo)電層上形成填充所述溝槽內(nèi)部的鈍化層；選擇性地移除所述導(dǎo)電層直到所述導(dǎo)電層保留在所述溝槽上；以及選擇性地移除所述鈍化層。
15.權(quán)利要求14的方法，其中所述鈍化層包括光阻層和未摻雜的硅酸鹽玻璃(USG)層中的一個(gè)。
16.權(quán)利要求14的方法，其中所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括氮化鈦(TiN)。
17.權(quán)利要求1的方法，其中所述存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)包括TiN。
全文摘要
提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法。該方法包括在基片上形成層間絕緣層；形成穿透到層間絕緣層中的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞；形成通過(guò)在層間絕緣層上堆疊第一保護(hù)阻擋層和犧牲層所形成的堆疊結(jié)構(gòu)；以具有使存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)接觸塞的上部開(kāi)放的溝槽的方式來(lái)對(duì)第一保護(hù)阻擋層和犧牲層執(zhí)行蝕刻工藝；在溝槽內(nèi)部形成具有柱型的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)；形成填充具有柱型的存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)的內(nèi)部的第二保護(hù)阻擋層；通過(guò)執(zhí)行濕汲出工藝來(lái)移除犧牲層；移除第一保護(hù)阻擋層和第二保護(hù)阻擋層；以及在存儲(chǔ)節(jié)點(diǎn)上依次形成電介質(zhì)層和板節(jié)點(diǎn)。
文檔編號(hào)H01L21/02GK1819156SQ200510137500
公開(kāi)日2006年8月16日 申請(qǐng)日期2005年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月28日
發(fā)明者孔根圭, 鄭載昌 申請(qǐng)人:海力士半導(dǎo)體有限公司