技術(shù)編號：6857690
提示：您尚未登錄，請點(diǎn) 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點(diǎn) 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及一種制造半導(dǎo)體器件的技術(shù)；并且更具體地，涉及一種用于制造包括柱型電容器的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器件的方法。背景技術(shù) 隨著半導(dǎo)體器件的最小線寬和集成程度增大，其中電容器形成的面積已減小。因此，盡管其中電容器形成的面積已減小，單元內(nèi)的電容器應(yīng)確保每個(gè)單元的最小所需量。因此，提出了多種方法以在有限區(qū)域中形成具有高電容量的電容器。一種提出的方法是形成具有高介電常數(shù)的電介質(zhì)層如Ta2O5，Al2O3或HfO2，取代具有3.8的介電常數(shù)(ε)的二氧化硅層和具有7的介電常...
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該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識(shí)儲(chǔ)備，不適合論文引用。