專利名稱：液晶顯示器件及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種應(yīng)用于顯示器件的薄膜晶體管基板及其制造方法，更具體地，涉及一種適合于簡化工藝的薄膜晶體管基板及其制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器件通過利用電場控制具有介電各向異性的液晶的透光性來顯示圖片。為此，液晶顯示器件包括用于通過液晶單元矩陣顯示圖片的液晶顯示板；以及用于驅(qū)動液晶顯示板的驅(qū)動電路。
參照圖1，現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示板包括濾色器基板10和薄膜晶體管基板20，它們連接在一起，其間具有液晶24。
濾色器基板10包括依次形成在上玻璃基板2上的黑底4、濾色器6和公共電極8。黑底4以矩陣形狀形成在上玻璃基板2上。黑底4將上玻璃基板的面積劃分為形成濾色器6的多個單元區(qū)。黑底4防止了相鄰單元之間的光干涉以及外部光反射。在單元區(qū)中，濾色器6被黑底4分成透射紅光、綠光和藍光的紅(R)、綠(G)和藍(B)濾色器。當(dāng)驅(qū)動液晶24時，公共電極8向形成在濾色器6的整個表面上的透明導(dǎo)電層(未示出)提供公共電壓Vcom。還在濾色器6和公共電極8之間形成外覆層(未示出)以使濾色器6平坦化。
薄膜晶體管基板20包括下玻璃基板12上的薄膜晶體管18和像素電極22，都形成在由交叉的選通線14和數(shù)據(jù)線16限定的各單元區(qū)中。響應(yīng)于來自選通線14的選通信號，薄膜晶體管18將來自數(shù)據(jù)線16的數(shù)據(jù)信號提供給像素電極22。像素電極22由透明導(dǎo)電層形成，并提供來自薄膜晶體管18的數(shù)據(jù)信號以驅(qū)動液晶24。
具有介電各向異性的液晶24依據(jù)像素電極22的數(shù)據(jù)信號和公共電極8的公共電壓Vcom形成的電場旋轉(zhuǎn)，以控制透光性。因此，可以實現(xiàn)灰度級。
液晶顯示板還包括用于保持濾色器基板10和薄膜晶體管基板20之間的單元間隙一致的間隔體(未示出)。
液晶顯示板的濾色器基板10和薄膜晶體管基板20由多個掩模工藝形成。一個掩模工藝包括多個工藝，例如淀積工藝、清潔工藝、光刻工藝(后文稱為照相工藝)、蝕刻工藝、光刻膠剝離工藝以及檢查工藝等。
薄膜晶體管基板20包括半導(dǎo)體工藝，并需要多個掩模工藝。因此，其制造工藝復(fù)雜，并且是液晶顯示板的制造成本增加的很大的因素。因而，需要減少薄膜晶體管基板的制造中的掩模工藝的數(shù)目。

發(fā)明內(nèi)容
因而，本發(fā)明旨在一種液晶顯示器件及其制造方法，基本消除由于現(xiàn)有技術(shù)的局限性和缺點引起的一個或更多個問題。
本發(fā)明的優(yōu)點是提供一種能夠簡化工藝的液晶顯示器件及其制造方法。
在后面的說明中將闡明本發(fā)明的另外的特征和優(yōu)點，部分地將從說明中顯而易見，或可通過對本發(fā)明的實踐而習(xí)得。通過在所撰寫的說明書及其權(quán)利要求以及附圖中具體指出的結(jié)構(gòu)和方法可以實現(xiàn)和獲得本發(fā)明的目的和其他優(yōu)點。
為了實現(xiàn)這些和其他優(yōu)點并依據(jù)本發(fā)明的目的，如所具體實現(xiàn)和廣義描述的，液晶顯示器件包括基板上的選通線；數(shù)據(jù)線，與所述選通線交叉，用以限定像素區(qū)，數(shù)據(jù)線和選通線之間具有柵絕緣膜；薄膜晶體管，與所述選通線和數(shù)據(jù)線相連；半導(dǎo)體圖案，沿所述數(shù)據(jù)線交疊；雙層鈍化膜，覆蓋所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管，其中所述鈍化膜的各層具有不同的刻蝕率；以及像素電極，形成在穿透了所述雙層鈍化膜的上鈍化膜的像素孔中，并連接到通過漏接觸孔露出的薄膜晶體管的漏極、所述像素電極形成為以圍繞所述像素孔的所述上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
在本發(fā)明的另一方面，一種制造液晶顯示器件的方法包括第一掩模工藝，在基板上形成選通線以及與所述選通線連接的選通電極；第二掩模工藝，形成覆蓋所述選通線和選通電極的柵絕緣膜、所述柵絕緣膜上的半導(dǎo)體圖案、在所述半導(dǎo)體圖案上的與所述選通線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線連接的源極、以及面向所述源極的漏極；第三掩模工藝，形成覆蓋所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極的雙層鈍化膜、穿透所述像素區(qū)中的雙層鈍化膜的上層鈍化膜的像素孔、露出所述漏極的漏接觸孔、以及形成在所述像素孔中與露出的漏極相連接的像素電極，所述像素電極被形成為以圍繞所述像素孔的所述上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
在本發(fā)明的又一方面中，制造液晶顯示器件的方法包括在基板上形成其間具有柵絕緣膜的相互交叉的選通線和數(shù)據(jù)線，以限定像素區(qū)；與所述選通線和數(shù)據(jù)線相連接的薄膜晶體管；在所述基板上形成雙層鈍化膜，其中所述鈍化膜的各層具有不同的蝕刻率；在所述雙層鈍化膜上形成光刻膠圖案；利用所述光刻膠圖案作為掩模，通過濕刻形成穿透所述雙層鈍化膜的上鈍化膜的像素孔以及穿透所述雙層鈍化膜的接觸孔；形成所述光刻膠圖案上的透明導(dǎo)電層以及像素孔中的像素電極，其被形成為以所述上鈍化層為邊界，所述像素電極通過所述接觸孔與所述薄膜晶體管連接，并去除光刻膠圖案及其上的透明導(dǎo)電薄膜。
在本發(fā)明的又一方面中，一種制造液晶顯示器件的方法包括在基板上形成第一導(dǎo)電層；形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層的下絕緣膜；形成與所述下絕緣膜相比具有較高蝕刻率的上絕緣膜；在所述上絕緣膜上形成光刻膠圖案；形成穿透所述上絕緣膜和下絕緣膜的第一孔；通過濕刻所述上絕緣膜形成露出下絕緣膜的第二孔；形成比所述光刻膠圖案過刻蝕的上絕緣膜的側(cè)表面；形成覆蓋所述光刻膠圖案的第二導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電圖案，所述第二導(dǎo)電圖案在所述第二孔中，與所述第二導(dǎo)電層相分開，并通過所述第一孔與所述第一導(dǎo)電層相連接，形成為以所述上絕緣膜為邊界；以及去除光刻膠圖案及其上的透明導(dǎo)電薄膜。


所包括的附圖用于進一步理解本發(fā)明，其被并入，并構(gòu)成了本說明書的一部分，示出了本發(fā)明的實施例，并與文字說明一起用于解釋本發(fā)明的原理。在附圖中
圖1是示出了現(xiàn)有技術(shù)的液晶顯示板的立體圖；圖2是示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖3A和3B是示出了圖2所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、III-III’、IV-IV’的截面圖；圖4A和圖4B是示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的第一掩模工藝的平面圖和截面圖；圖5A和圖5B是示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的第二掩模工藝的平面圖和截面圖；圖6A到圖6E是示出了本發(fā)明的第二掩模工藝的截面圖；圖7A和圖7B是示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的第三掩模工藝的平面圖和截面圖；圖8A到圖8F是示出了本發(fā)明的第三掩模工藝的截面圖；圖9A到圖9C是示出了漏接觸孔在圖2所示的薄膜晶體管中的不同位置的平面圖；圖10是示出了依據(jù)本發(fā)明另一實施例的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖11A和圖11B是示出了圖10所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖；圖12是依據(jù)本發(fā)明的又一實施例的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖13A和圖13B是示出了圖12所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖；圖14是依據(jù)本發(fā)明的再一實施例的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖15A和圖15B是示出了圖14所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖；圖16是依據(jù)本發(fā)明的再一實施例的部分薄膜晶體管基板的平面圖；圖17A和圖17B是示出了圖16所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖。
具體實施例方式
現(xiàn)在詳細說明本發(fā)明的實施例，其示例在附圖中示出。在整個附圖中，只要可能，就使用類似的附圖標(biāo)記來引用相同或類似的部件。
參照圖2、圖3A和3B，所示的薄膜晶體管基板包括在下基板142上形成的選通線102和數(shù)據(jù)線104，它們相互交叉，其間形成有柵絕緣膜144；靠近交叉處的薄膜晶體管106；以及在由所述交叉限定的像素區(qū)中形成的像素電極118。薄膜晶體管基板還包括與選通線102相連接的選通焊盤126；與所述數(shù)據(jù)線104相連接的數(shù)據(jù)焊盤134；以及通過使像素電極118和選通線102交疊形成的存儲電容。
薄膜晶體管106響應(yīng)于提供給選通線102的掃描信號提供來自數(shù)據(jù)線104像素信號，該像素信號充電并保持在像素電極118中。為此，薄膜晶體管106包括與選通線102相連接的柵極108；與所述數(shù)據(jù)線104相連接的源極110；面向所述源極并與所述像素電極118相連接的漏極112；有源層116，其與所述柵極108相交疊，其間形成有柵絕緣膜144；以及形成在有源層116上(溝道處除外)的歐姆接觸層146。歐姆接觸層146與源極110和漏極112歐姆接觸。此外，與柵極108交疊的有源層116在源極110和漏極112之間形成溝道。包括有源層116和歐姆接觸層146的半導(dǎo)體圖案148被形成為與數(shù)據(jù)線104相交疊。
可以將覆蓋薄膜晶體管106和數(shù)據(jù)線104的鈍化膜形成為多層結(jié)構(gòu)(即雙層或多層結(jié)構(gòu))。此后，以包括第一鈍化膜150和第二鈍化膜152的雙層結(jié)構(gòu)作為示例進行說明。
穿透了第二鈍化膜152的像素孔170形成在由交叉的選通線102和數(shù)據(jù)線104限定的像素區(qū)中。此外如圖3A所示，漏接觸孔114形成在像素區(qū)中，即像素孔170的內(nèi)側(cè)，其中漏接觸孔114穿透了漏極112下方的歐姆接觸層146或漏極112以露出漏極112的側(cè)表面。另選地，如圖3B所示，將漏接觸孔114形成為穿透第一鈍化膜150從而露出漏極112的表面。因而，像素電極118形成在像素孔170內(nèi)側(cè)的第一鈍化膜150上，并與通過漏接觸孔114露出的漏極112的側(cè)表面或表面相接觸。像素電極118被從薄膜晶體管106提供的像素信號所充電，并與濾色器基板內(nèi)形成的公共電極(未示出)產(chǎn)生電勢差。該電勢差導(dǎo)致位于薄膜晶體管基板和濾色器基板之間的液晶因介電各向異性而旋轉(zhuǎn)，從而控制從光源(未示出)通過像素電極118入射到濾色器基板的光量。
通過使選通線102與像素電極118相交疊，將存儲電容120形成為柵上存儲(storage-on-gate)結(jié)構(gòu)，其間形成有柵絕緣膜144和第一鈍化膜150。存儲電容120充電并穩(wěn)定地維持像素電極118中的像素信號。
選通線102通過選通焊盤126與選通驅(qū)動器(未示出)相連接。選通焊盤126包括從選通線102延伸的選通焊盤下電極128；以及選通焊盤上電極132，選通上電極132形成在穿透了第一和第二鈍化膜150、152以及柵絕緣膜144的第一接觸孔130內(nèi)。選通焊盤上電極132與選通焊盤下電極128相連接。
數(shù)據(jù)線104通過數(shù)據(jù)焊盤134與數(shù)據(jù)驅(qū)動器(未示出)相連接。數(shù)據(jù)焊盤134包括從數(shù)據(jù)線104和其下方的半導(dǎo)體圖案148延伸的數(shù)據(jù)焊盤下電極136；以及在露出了數(shù)據(jù)焊盤下電極136的第二接觸孔138內(nèi)形成的數(shù)據(jù)焊盤上電極140。數(shù)據(jù)焊盤上電極140與數(shù)據(jù)焊盤下電極136相連接。此處，如圖3A所示，將第二接觸孔138形成為將第二鈍化膜152到歐姆接觸層146(或到數(shù)據(jù)焊盤下電極136)穿透以露出數(shù)據(jù)焊盤下電極136的側(cè)表面。另選地，如圖3B所示，第二接觸孔138被形成為穿透第一和第二鈍化膜150、152以露出數(shù)據(jù)焊盤下電極136的表面。
在這種薄膜晶體管基板中，具有像素電極118、選通焊盤上電極132和數(shù)據(jù)焊盤上電極140的透明導(dǎo)電圖案以對應(yīng)孔內(nèi)側(cè)的第二鈍化膜152的側(cè)表面為邊界。第二鈍化膜152由具有比第一鈍化膜150的蝕刻率更高的蝕刻率的絕緣材料形成。與第一鈍化膜150的側(cè)表面相比較，覆蓋了對應(yīng)孔的第二鈍化膜152的側(cè)表面具有平緩的傾角，即其具有小于45°的斜角(例如15°-45°)。
例如，在使用SiNx的情況下，第一和第二鈍化膜150、152具有不同的氮含量。具體地，第一鈍化膜150由富含硅(silicon-rich)的SiNx形成，而第二鈍化膜152由富含氮(nitrogen-rich)的SiNx形成。因而，與第一鈍化膜150相比較，第二鈍化膜152具有較高的蝕刻率，因而，第二鈍化膜152的側(cè)表面可以具有比第一鈍化膜150的側(cè)表面更平緩的傾角。
另選地，第一鈍化膜150由SiNx形成，而第二鈍化膜152由SiOx形成，從而第二鈍化膜152的蝕刻率高于第一鈍化膜150的蝕刻率。
結(jié)果，透明導(dǎo)電圖案被淀積得遠到具有平緩傾角的第二鈍化膜152的側(cè)表面所允許的位置。因而，可以防止露出透明導(dǎo)電圖案下方的金屬層。進一步，在第一鈍化膜150上形成像素電極118，以減少臺階差。因而可以防止由像素電極118的臺階差引起的摩擦缺陷。
依據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管基板由以下的三掩模工藝形成。
圖4A和圖4B是示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的制造方法的第一掩模工藝的平面圖和截面圖。
參照圖4A和圖4B，通過第一掩模工藝在下基板上形成具有選通線102、與選通線102相連的柵極108、以及選通焊盤下電極128的選通金屬圖案。
具體地，通過淀積法(例如濺射(sputtering))在下基板142上形成選通金屬層。選通金屬層由單層Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金和Al合金形成，或形成為類似Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金以及Mo/Al合金的多層結(jié)構(gòu)。隨后，選通金屬層被使用第一掩模的光刻工藝和蝕刻工藝構(gòu)圖，從而形成具有選通線102、柵極108和選通焊盤下電極128的選通金屬圖案。
圖5A和圖5B是示出了依據(jù)本發(fā)明的實施例的薄膜晶體管的第二掩模工藝的平面圖和截面圖。圖6A到圖6E也是示出了該第二掩模工藝的截面圖。
參照圖5A和圖5B，在形成了選通金屬圖案的下基板142上形成柵絕緣膜144。隨后，形成具有數(shù)據(jù)線104、源極110、漏極112和數(shù)據(jù)焊盤下電極136的源/漏金屬圖案。此外，形成具有有源層116和歐姆接觸層146(其沿源/漏金屬圖案并在其下方交疊)的半導(dǎo)體圖案148。半導(dǎo)體圖案148和源/漏圖案由使用衍射曝光掩模(diffractive exposuremask)或半色調(diào)掩模(halftone mask)的一個掩模工藝形成。此后，只以使用衍射曝光掩模為示例進行說明。
參照圖6A，柵絕緣膜144、不定形硅層115、摻雜有雜質(zhì)(n+或p+)的不定形硅層145、以及源/漏金屬層105依次形成在形成有選通圖案的下基板142上。例如，通過PECVD法形成柵絕緣膜144、不定形硅層115、以及摻雜有雜質(zhì)的不定形硅層145，并由濺射法形成源/漏金屬層105。柵絕緣膜144由無機絕緣材料(諸如硅氧化物SiOx或硅氮化物SiNx)形成。源/漏金屬層105由諸如Mo、Ti、Cu、AlNd、Al、Cr、Mo合金、Cu合金和Al合金單層形成，或形成為類似Al/Cr、Al/Mo、Al(Nd)/Al、Al(Nd)/Cr、Mo/Al(Nd)/Mo、Cu/Mo、Ti/Al(Nd)/Ti、Mo/Al、Mo/Ti/Al(Nd)、Cu合金/Mo、Cu合金/Al、Cu合金/Mo合金、Cu合金/Al合金、Al/Mo合金、Mo合金/Al、Al合金/Mo合金、Mo合金/Al合金以及Mo/Al合金的多層結(jié)構(gòu)。在源/漏金屬層105上形成光刻膠219之后，使用衍射曝光掩模210通過光刻工藝曝光并顯影光刻膠219，從而如圖6B所示，形成具有臺階差的光刻膠圖案220。
如圖6A所示，衍射曝光掩模210包括透明石英基板212、屏蔽層214和衍射曝光縫216，其中由金屬層(諸如Cr和CrOx)形成屏蔽層214和衍射曝光縫216。屏蔽層214位于將形成半導(dǎo)體圖案和源/漏圖案的地方。屏蔽層214遮蔽紫外線，從而如圖6B所示，使第一光刻膠圖案220A可以在顯影后留下來。衍射曝光縫216位于將形成薄膜晶體管溝道的位置。衍射曝光縫216衍射紫外線，從而如圖6B所示，在顯影之后留下比第一光刻膠圖案220A薄的第二光刻膠圖案220B。只有石英基板212存在的衍射曝光掩模210的透射部分透射所有的紫外線，從而如圖6B所示，在顯影后去除部分光刻膠。
參照圖6C，通過蝕刻工藝使用帶有臺階差的光刻膠220對源/漏金屬層105構(gòu)圖，從而形成源/漏金屬圖案和其下的半導(dǎo)體圖案148。在這種情況下，源/漏金屬圖案中的源極110和漏極112具有一體的結(jié)構(gòu)。
參照圖6D，通過使用氧等離子O2的灰化工藝(ashing process)對光刻膠圖案220進行灰化，以使第一光刻膠圖案220A變薄，并去除第二光刻膠圖案220B。隨后，由于消除了第二光刻膠圖案220B以及其下方的歐姆接觸層146而露出的源/漏金屬圖案通過蝕刻工藝使用經(jīng)灰化的第一光刻膠220A而去除，從而使源極110與漏極112分開，并露出有源層116。此刻，源/漏金屬圖案的兩側(cè)部分都被再次沿經(jīng)灰化的第一光刻膠圖案220A蝕刻，從而使源/漏金屬圖案和半導(dǎo)體圖案148具有臺階形狀的固定臺階差。
如圖6E所示，通過剝離工藝去除留在源/漏金屬圖案上的第一光刻膠圖案220A。
圖7A和圖7B是示出了依據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板的制造方法的第三掩模工藝的平面圖和截面圖。圖8A到圖8F也是示出了該第三掩模工藝的截面圖。
參照圖7A和圖7B，通過第三掩模工藝，形成具有像素孔170和多個接觸孔114、130、138的第一鈍化膜150和第二鈍化膜152。還形成了具有像素電極118、選通焊盤上電極132和數(shù)據(jù)焊盤上電極140的透明導(dǎo)電圖案。此處，像素孔170形成為只穿透第二鈍化膜152，第一接觸孔130形成為將直至柵絕緣膜144穿透，漏接觸孔114和第二接觸孔138被形成為將直至歐姆接觸層146或第一和第二鈍化膜150、152穿透。以這種方式，通過使用衍射曝光掩模或半色調(diào)掩模形成像素孔170、漏接觸孔114和具有不同深度的第一和第二接觸孔130、138。此處，僅以使用衍射曝光掩模為示例進行說明。
參照圖8A，通過諸如PECVD、旋涂或無旋轉(zhuǎn)涂布(Spinless Coating)的方法在形成有源/漏金屬圖案的柵絕緣膜144上形成第一和第二鈍化膜150、152。第一和第二鈍化膜150、152由類似柵絕緣膜144的無機絕緣材料形成。另選地，第一和第二鈍化膜150、152可以由諸如丙烯有機化合物(acrylic organic compound)、BCB或PFCB的有機絕緣材料形成。上層的第二鈍化膜152由比第一鈍化膜150的蝕刻率高的蝕刻率的絕緣材料形成。
例如，當(dāng)使用SiNx用于第一和第二鈍化膜150、152時，各第一和第二鈍化膜150、152的“N”含量被形成為不同。換句話說，第一鈍化膜150由富含Si(Si-rich)的SiNx形成，第二鈍化膜152由富含N(N-rich)的SiNx形成，另選地，第一鈍化膜150可以由SiOx形成，第二鈍化膜152可以由SiNx形成。
隨后，在第二鈍化膜152上形成光刻膠239之后，通過光刻工藝使用半色調(diào)掩模230進行曝光和顯影，從而如圖8B所示形成具有臺階差的光刻膠圖案240。
具體地，半色調(diào)掩模230包括透明石英基板232、部分透射層236和其上形成的屏蔽層234。屏蔽層234由諸如Cr或CrOx的金屬形成，部分透射層236由MoSix形成。此處，與部分透射層236交疊的屏蔽層234位于將存在第一和第二鈍化層150、152的區(qū)域中。屏蔽層234截住紫外線UV，從而如圖8B所示，在顯影之后留下了第一光刻膠圖案240A。部分透射層236位于將形成穿透第二鈍化膜152的像素孔的區(qū)域中。部分透射層236部分透射紫外線UV，從而如圖8B所示，在顯影之后留下比第一光刻膠圖案240A薄的的第二光刻膠圖案240B。只有石英基板232位于將形成將第二鈍化膜152直至歐姆接觸層146穿透的漏接觸孔114和第二接觸孔138的區(qū)域和將形成穿透部分柵絕緣膜144的第一接觸孔130區(qū)域。石英基板232透射所有紫外線UV，從而去除光刻膠239，如圖8B所示。
參照圖8C，通過蝕刻工藝(例如干刻蝕工藝)使用具有臺階差的光刻膠圖案240作為掩模蝕刻第一和第二鈍化膜150、152以及柵絕緣膜144，以形成漏接觸孔114以及第一和第二接觸孔130、138。漏接觸孔114將第二鈍化膜152直至漏極112或歐姆接觸層146穿透以露出漏極112的側(cè)表面。此外，第一接觸孔130可以被形成為使第二鈍化膜152被刻蝕直至部分柵絕緣膜144(即留下部分柵絕緣膜144)。第二接觸孔138將第二鈍化膜152直至數(shù)據(jù)焊盤下電極136或歐姆接觸層146穿透以露出數(shù)據(jù)焊盤下電極136的側(cè)表面。在這種情況下，通過漏接觸孔114和第二接觸孔138露出的有源層116起到了蝕刻制動器(etch stopper)的作用。另選地，漏接觸孔114和第二接觸孔138可以被形成為僅穿透第一和第二鈍化膜150、152。
參照圖8D，灰化工藝使第一光刻膠圖案240A變薄，并去除了第二光刻膠圖案240B。通過干刻蝕工藝使用經(jīng)灰化的第一光刻膠圖案240A作為掩?？涛g第二鈍化膜152，從而在像素區(qū)形成像素孔170。像素孔170形成在像素區(qū)中，用以露出漏極112和第一鈍化膜150。
具體地，通過濕刻工藝使用HF基(HF group)和/或NH4F基蝕刻劑(例如緩沖氧化物蝕刻劑(此后稱為“BOE”))蝕刻第二鈍化膜152。通過濕刻對第二鈍化膜152進行各向異性刻蝕，從而與第一光刻膠圖案240A相比，第二鈍化膜152被過刻蝕。通過漏接觸孔114以及第一和第二接觸孔130、138露出的第一鈍化膜150也被刻蝕，但第二鈍化膜152的刻蝕率高于第一鈍化膜150的刻蝕率。因而第二鈍化膜152的側(cè)表面具有比第一鈍化膜150的側(cè)表面更平緩的傾角。在一個實施例中，在水平方向上，第二鈍化膜152具有被滲透進第一光刻膠圖案240A和第二鈍化膜152之間的邊界表面的刻蝕劑所刻蝕的上部，該上部與其下部相比被過刻蝕。因而，與第一光刻膠圖案240A的邊沿部分相比較，經(jīng)構(gòu)圖的第二鈍化膜152的側(cè)表面在水平方向上被向內(nèi)去除AP。此外，第二鈍化膜152的側(cè)表面具有平緩的傾角，例如范圍為15°-45°的傾角θ。結(jié)果，ΔP比干刻蝕第二鈍化膜152情況的更大，因而，可以提高去除第一光刻膠圖案240A的工藝的效率。
參照圖8E，通過淀積法(諸如濺射)在第一光刻膠圖案240A的整個表面上形成透明導(dǎo)電膜117。透明導(dǎo)電膜117由ITO、TO、IZO、ITZO形成。隨后，如圖8F所示，通過剝離工藝去除第一光刻膠圖案240A(其上形成有透明導(dǎo)電膜117)。因而，透明導(dǎo)電圖案(即像素電極118、選通焊盤上電極132、數(shù)據(jù)焊盤上電極140)被形成在像素孔170以及第一和第二接觸孔130、138內(nèi)側(cè)。形成在像素孔170內(nèi)側(cè)的像素電極118通過漏接觸孔114與漏極112相連接，形成在第二接觸孔138內(nèi)側(cè)的數(shù)據(jù)焊盤上電極140與數(shù)據(jù)焊盤下電極136相連接。
即使第二鈍化膜152的側(cè)表面也淀積透明導(dǎo)電圖案，因而防止了透明導(dǎo)電圖案下方的金屬層被露出。此處，透明導(dǎo)電圖案具有這樣的結(jié)構(gòu)隨著其沿第一和第二鈍化膜150、152的側(cè)表面走高，其厚度逐漸減小。此外，如圖8E所示，透明導(dǎo)電圖案具有開口結(jié)構(gòu)，透明導(dǎo)電膜117(其淀積在第一光刻膠圖案240上)開口了第二鈍化膜152的側(cè)表面和第一光刻膠圖案240A的邊緣部分之間的ΔP。因而，在去除第一光刻膠圖案240A(其上形成由透明導(dǎo)電膜117)的剝離工藝期間，很容易在第一光刻膠圖案240A和第二鈍化膜152之間滲透。因而，提高了剝離工藝的效率。此外，在第一鈍化膜150上形成像素電極118，因而可以防止由臺階差引起的摩擦缺陷，并可以通過交疊選通線形成存儲電容120，并提高孔徑比。
圖9A到圖9C不同地示出了漏接觸孔114在圖2所示的薄膜晶體管基板中的位置。
如圖9A所示，將漏接觸孔114形成為穿透漏極112的右上部。漏接觸孔114還可以形成為穿透右側(cè)部分，如圖9B所示，或穿透漏極112的左上部，如圖9C所示。
圖10是部分示出了依據(jù)本發(fā)明另一實施例的薄膜晶體管基板的平面圖；而圖11A和圖11B是示出了圖10所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖。
在圖10到圖11B所示的薄膜晶體管基板包括與圖2到圖3B所示的薄膜晶體管相同的部件，但存儲電容320形成為公用上存儲(storage-on-common)結(jié)構(gòu)。因而，省略對重復(fù)部件的描述。
圖10到11B所示的薄膜晶體管基板還包括形成在基板142上、將與選通線102平行(即與像素區(qū)相交)的存儲線322。在前述的第一掩模工藝中與選通線102一起形成存儲線322。因而，像素電極118交疊存儲線322，其間形成柵絕緣膜144和第一鈍化膜150，從而形成公用上存儲的結(jié)構(gòu)?？梢酝ㄟ^在上述第三掩模工藝中形成像素孔170時留下第一鈍化膜150和柵絕緣膜144來形成存儲電容器320。像素電極118被形成為不與選通線102相交疊或與其部分交疊。漏接觸孔114和第二接觸孔138將直至歐姆接觸孔146穿透以露出漏極112和數(shù)據(jù)焊盤下電極136的側(cè)表面。漏接觸孔114和第二接觸孔138還可以將直至第一鈍化膜150穿透以露出漏極112和數(shù)據(jù)焊盤下電極136的表面。
圖12是部分示出了依據(jù)本發(fā)明的又一實施例的薄膜晶體管基板的平面圖；圖13A和圖13B是示出了圖12所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖。
在圖12到圖13B所示的薄膜晶體管基板包括與圖2到圖3B所示的薄膜晶體管相同的部件，但數(shù)據(jù)焊盤234形成為與選通焊盤126相同的結(jié)構(gòu)，以通過接觸電極182與數(shù)據(jù)線104相連接。因而，省略對重復(fù)部件的描述。
圖12到圖13B所示的數(shù)據(jù)焊盤234形成為與選通焊盤126相同的結(jié)構(gòu)。換句話說，數(shù)據(jù)焊盤234包括形成在基板142上的數(shù)據(jù)焊盤下電極236；以及數(shù)據(jù)焊盤上電極240，其形成在第二接觸孔238(其將第二鈍化膜152直至柵絕緣膜144穿透)的內(nèi)側(cè)，并與數(shù)據(jù)焊盤下電極236相連接。此處，數(shù)據(jù)焊盤上電極240形成為這樣的形狀其厚度沿著第二鈍化膜152的平緩的側(cè)表面較少，形成為以第二鈍化膜152為邊界。
數(shù)據(jù)線104通過接觸電極182和數(shù)據(jù)連接(date link)184與數(shù)據(jù)焊盤234相連接。數(shù)據(jù)連接184從數(shù)據(jù)焊盤下電極236延伸，以與數(shù)據(jù)線104部分交疊或與之相鄰。第三接觸孔108露出與之相鄰的數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)連接184。第三接觸孔180將直至歐姆接觸孔146穿透以露出數(shù)據(jù)線104的側(cè)表面，如圖13A所示。第三接觸孔180還可以將直至第一鈍化膜150穿透以露出數(shù)據(jù)線104的表面，如圖13B所示。在第三掩模工藝中，與其他接觸孔114、130、238一樣，在整個曝光區(qū)中形成第三接觸孔180。接觸電極182形成在第三接觸孔180的內(nèi)側(cè)，以連接數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)連接184。此處，第三接觸孔180形成為與第二接觸孔238一體，以使接觸電極182和數(shù)據(jù)焊盤上電極240一體。
圖14是部分示出了依據(jù)本發(fā)明的再一實施例的薄膜晶體管基板的平面圖。圖15A和圖15B是示出了圖14所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖。
圖14到圖15B所示的薄膜晶體管基板包括與圖2到圖3B所示的薄膜晶體管相同的部件，但第一和第二接觸孔330、338以雙層結(jié)構(gòu)形成，從而它們的深度不同。因而，省略對重復(fù)部件的描述。示出了選通焊盤326和數(shù)據(jù)焊盤334。
圖14到圖15B所示的第一接觸孔330包括具有不同深度的接觸孔330A、330B。也就是說，第一接觸孔330包括穿透第二鈍化膜152和柵絕緣膜144的接觸孔330A，用以露出選通焊盤下電極128；僅穿透第二鈍化膜152的接觸孔330B，用以露出第一鈍化膜150。此處，接觸孔330B圍繞接觸孔330A。因而，形成在第一接觸孔330的內(nèi)側(cè)的選通焊盤上電極332通過接觸孔330A與選通焊盤下電極128相連接。還通過接觸孔330B將選通焊盤上電極332設(shè)置在第一鈍化膜150上，并形成為以第二鈍化膜152的側(cè)表面為邊界。因而，形成在第一接觸孔330內(nèi)側(cè)的選通焊盤上電極332被形成為具有比選通焊盤下電極128更寬的區(qū)域，以提高與選通驅(qū)動器的接觸面積。
第二接觸孔338被形成為交疊的具有不同深度的接觸孔338A、338B。也就是說，第二接觸孔338包括將第二鈍化膜152直至歐姆接觸層146或第一鈍化膜150穿透的接觸孔338A，以露出數(shù)據(jù)焊盤下電極136。接觸孔338B只穿透第二鈍化膜152以露出第一鈍化膜150。接觸孔338A將直至歐姆接觸層146穿透，以露出數(shù)據(jù)焊盤下電極136的側(cè)表面，如圖15A所示。接觸孔338A也可以將直至第一鈍化膜150穿透以露出數(shù)據(jù)焊盤下電極136的表面，如圖15Bb所示。接觸孔338B環(huán)繞接觸孔338A地設(shè)置。因而，形成在第二接觸孔338內(nèi)側(cè)的數(shù)據(jù)焊盤上電極340通過接觸孔338A與數(shù)據(jù)焊盤下電極136相連接。數(shù)據(jù)焊盤上電極340通過接觸孔338B設(shè)置在第一鈍化膜150上，并形成為以第二鈍化膜152的側(cè)表面為邊界。
因而，形成在第二接觸孔338內(nèi)側(cè)的數(shù)據(jù)焊盤上電極340被形成為具有比數(shù)據(jù)焊盤下電極136寬的區(qū)域以增大與數(shù)據(jù)驅(qū)動器的接觸面積。
在第一和第二接觸孔330、338中，與漏接觸孔114一樣，在第三掩模工藝中，接觸孔330A、338A被形成在全曝光區(qū)域中。與像素孔170一樣，接觸孔330B、338B形成在半色調(diào)曝光區(qū)域中。
圖16是部分示出了依據(jù)本發(fā)明的再一實施例的薄膜晶體管基板的平面圖。圖17A和圖17B是示出了圖16所示的薄膜晶體管基板沿線II-II’、II-II’、IV-IV’截取的截面圖。
在圖16到圖17B所示的薄膜晶體管基板包括與圖14到圖15B所示的薄膜晶體管相同的部件，但數(shù)據(jù)焊盤434形成為與圖14的選通焊盤326相同的結(jié)構(gòu)，以通過接觸電極482與數(shù)據(jù)線104相連接。因而，省略對重復(fù)部件的描述。
圖16到圖17B所示的數(shù)據(jù)焊盤434形成為與圖14的選通焊盤326具有相同的結(jié)構(gòu)。也就是說，數(shù)據(jù)焊盤434包括形成在基板142上的數(shù)據(jù)焊盤下電極436；以及形成在第二接觸孔438(其露出數(shù)據(jù)焊盤下電極436)的內(nèi)側(cè)的數(shù)據(jù)焊盤上電極440。此處，第二接觸孔438包括接觸孔438A，其將第二鈍化膜152直至柵絕緣膜144穿透；以及接觸孔438B，其穿透第二鈍化膜152以露出第一鈍化膜150。因而，形成在第二接觸孔438內(nèi)側(cè)的數(shù)據(jù)焊盤上電極440通過接觸孔438A與數(shù)據(jù)焊盤下電極436相連接。數(shù)據(jù)焊盤上電極440通過接觸孔438B設(shè)置在第一鈍化膜150上，并形成為以第二鈍化膜152的側(cè)表面為邊界。因而，形成在第二接觸孔438內(nèi)側(cè)的數(shù)據(jù)焊盤上電極440形成為比數(shù)據(jù)焊盤下電極436更寬的區(qū)域，以增加與數(shù)據(jù)驅(qū)動器的接觸面積。
數(shù)據(jù)線104通過接觸電極482和數(shù)據(jù)連接484與數(shù)據(jù)焊盤434相連接。數(shù)據(jù)連接484從數(shù)據(jù)焊盤下電極436延伸，以與數(shù)據(jù)線104部分交疊或與之相鄰。第三接觸孔480露出與之相鄰的數(shù)據(jù)線104和數(shù)據(jù)連接484。第三接觸孔480包括露出數(shù)據(jù)連接484和數(shù)據(jù)線104的接觸孔480A；以及接觸孔480B，其露出第一鈍化膜150。接觸孔480A將直至歐姆接觸層146穿透，以如圖17A所示，露出數(shù)據(jù)線104的側(cè)表面，或?qū)⒅敝恋谝烩g化膜150穿透以如圖17B所示露出數(shù)據(jù)線104的表面。接觸孔480B以圍繞接觸孔480A的形式設(shè)置。因而，形成在第三接觸孔480內(nèi)側(cè)的接觸電極482通過接觸孔480A與數(shù)據(jù)連接484和數(shù)據(jù)線104相連接，并通過接觸孔480B設(shè)置在第一鈍化膜150上。接觸電極482形成以第二鈍化膜152的側(cè)表面為邊界。因而，其被形成為具有比形成在第三接觸孔480內(nèi)側(cè)的數(shù)據(jù)連接484和數(shù)據(jù)線104更寬的線寬。
與漏接觸孔114一樣，在第三掩模工藝中，在全曝光區(qū)中形成第三接觸孔480中的接觸孔480A，并與像素孔170相同，在半色調(diào)曝光區(qū)中形成接觸孔480B。
第三接觸孔480形成為與第二接觸孔438一體化的結(jié)構(gòu)，從而接觸電極482可以和數(shù)據(jù)焊盤上電極440一體化。
如上所述，依據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板及其制造方法可以通過一個掩模工藝，使用半色調(diào)掩?；蛘凵淦毓庋谀?，形成具有不同深度的像素孔和接觸孔。在構(gòu)圖鈍化膜時，通過剝離所使用的光刻膠圖案來構(gòu)圖透明導(dǎo)電薄膜，從而形成透明導(dǎo)電圖案。因而，本發(fā)明的薄膜晶體管基板的制造方法將工藝簡化到三掩模工藝。
此外，依據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板及其制造方法具有存在在像素電極下方的第一鈍化膜和柵絕緣膜。因而，可以防止因像素電極的臺階差引起的配向缺陷。此外，可以通過交疊像素電極和選通線來形成具有柵上存儲結(jié)構(gòu)的存儲電容。還可以通過交疊像素電極和存儲線來形成具有公用上存儲結(jié)構(gòu)的存儲電容。另外，像素電極可以與選通線交疊，因而可以提高像素電極的孔徑比。
此外，依據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管基板及其制造方法執(zhí)行對第二鈍化膜的濕刻，以提高第二鈍化膜的過蝕刻深度ΔP，從而提高淀積有透明導(dǎo)電薄膜的光刻膠圖案的剝離效率。此外，與第一鈍化膜相比具有更高蝕刻率的第二鈍化膜的側(cè)表面被制造為具有平緩傾斜的表面，因而透明導(dǎo)電圖案被制造得有效地覆蓋了該傾斜表面，從而防止了由于金屬層露出導(dǎo)致的電解腐蝕。
本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該明白，可以不脫離本發(fā)明的精神和范圍地對本發(fā)明進行各種變型和改變，因而，意在本發(fā)明覆蓋了本發(fā)明的各種修改和變型，只要它們落入了所附權(quán)利要求及其等同的范圍內(nèi)。
本申請要求2004年12月31日提交的韓國專利申請10-2004-0118566的優(yōu)先權(quán)，通過引用將其合并在本文中，用于所有目的，如同在本文中完全闡明一樣。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示器件，包括基板上的選通線；數(shù)據(jù)線，與所述選通線交叉以限定像素區(qū)，其與所述選通線之間具有柵絕緣薄膜；薄膜晶體管，與所述選通線和數(shù)據(jù)線相連；半導(dǎo)體圖案，沿所述數(shù)據(jù)線交疊；雙層鈍化膜，覆蓋所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管，其中所述鈍化膜的各層具有不同的刻蝕率；以及像素電極，形成在穿透了所述雙層鈍化膜的上鈍化膜的像素孔中，并與通過漏接觸孔露出的薄膜晶體管的漏極相連接、所述像素電極形成為以圍繞所述像素孔的所述上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括存儲電容，通過使像素電極和選通線交疊形成，其間具有柵絕緣膜和所述雙層鈍化膜的下鈍化膜。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括存儲線，在所述像素區(qū)上與所述數(shù)據(jù)線交叉；以及存儲電容，通過使存儲線與像素電極相交疊形成，其間具有柵絕緣膜和所述雙層鈍化膜的下鈍化膜。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的器件，其中所述像素電極交疊部分選通線。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中，所述漏接觸孔穿透所述雙層鈍化膜、所述漏極和漏極下方的一部分半導(dǎo)體圖案中的至少一個，以露出所述漏極。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，還包括焊盤，與所述選通線和所述數(shù)據(jù)線至少其中之一相連接；其中所述焊盤包括焊盤下電極，與所述選通線和數(shù)據(jù)線至少其中之一相連接；接觸孔，漏出所述焊盤下電極；以及焊盤上電極，通過所述接觸孔與所述焊盤下電極相連接。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，所述焊盤上電極形成在所述接觸孔中，并形成為以圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，還包括第二接觸孔，與所述接觸孔連在一起，以露出所述雙層鈍化膜的下鈍化膜。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述第二接觸孔圍繞所述接觸孔。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中所述焊盤上電極沿所述第二接觸孔延伸以淀積在所述下鈍化膜上。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述焊盤上電極形成為以圍繞所述第二接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的器件，其中所述焊盤上電極具有比所述焊盤下電極寬的區(qū)域。
13.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中所述焊盤下電極形成在所述基板上，所述接觸孔穿透所述雙層鈍化膜和所述柵絕緣膜以露出所述焊盤下電極。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的器件，還包括數(shù)據(jù)連接，從所述焊盤下電極延伸，所述數(shù)據(jù)連接與所述數(shù)據(jù)線相連接并與所述數(shù)據(jù)線相鄰；第二接觸孔，露出所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)連接；以及接觸電極，通過所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)連接相連接。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中，所述接觸電極形成在所述第二接觸孔中，并形成為以圍繞所述第二接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，還包括第三接觸孔，與所述第二接觸孔一體化，露出所述雙層鈍化膜的下鈍化膜。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其中，所述第三接觸孔圍繞所述第二接觸孔。
18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中，所述接觸電極通過所述第三接觸孔延伸，以淀積在所述下鈍化膜上。
19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的器件，其中，所述接觸電極形成為以圍繞所述第三接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中，所述第二接觸孔穿透所述數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體圖案中的至少其中之一，以露出所述數(shù)據(jù)線的側(cè)表面。
21.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，與所述數(shù)據(jù)線相連的所述焊盤下電極形成在具有半導(dǎo)體圖案結(jié)構(gòu)的所述柵絕緣膜上，所述接觸孔穿透所述雙層鈍化膜以露出所述焊盤下電極。
22.根據(jù)權(quán)利要求21所述的器件，其中，所述接觸孔穿透所述數(shù)據(jù)焊盤下電極和部分所述半導(dǎo)體圖案至少其中之一以露出所述數(shù)據(jù)焊盤下電極的側(cè)表面。
23.根據(jù)權(quán)利要求6所述的器件，其中，圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面具有比所述下鈍化膜的傾角小的傾角。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其中所述上鈍化膜的側(cè)表面具有15°-45°的傾角。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的器件，其中所述像素電極、所述焊盤上電極和接觸電極中的至少其中之一形成為其厚度隨著其在所述上鈍化膜的側(cè)表面上走高而減小。
26.根據(jù)權(quán)利要求8所述的器件，其中圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面具有比所述下鈍化膜的傾角小的傾角。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中所述上鈍化膜的側(cè)表面具有15°-45°的傾角。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的器件，其中所述像素電極、所述焊盤上電極和接觸電極中的至少其中之一形成為其厚度隨著其在所述上鈍化膜的側(cè)表面上走高而減小。
29.根據(jù)權(quán)利要求14所述的器件，其中圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面具有比所述下鈍化膜的傾角小的傾角。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的器件，其中所述上鈍化膜的側(cè)表面具有15°-45°的傾角。
31.根據(jù)權(quán)利要求29所述的器件，其中所述像素電極、所述焊盤上電極和接觸電極中的至少其中之一形成為其厚度隨著其在所述上鈍化膜的側(cè)表面上走高而減小。
32.根據(jù)權(quán)利要求16所述的器件，其中圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面具有比所述下鈍化膜的傾角小的傾角。
33.根據(jù)權(quán)利要求32所述的器件，其中所述上鈍化膜的側(cè)表面具有15°-45°的傾角。
34.根據(jù)權(quán)利要求32所述的器件，其中所述像素電極、所述焊盤上電極和接觸電極中的至少其中之一形成為其厚度隨著其在所述上鈍化膜的側(cè)表面上走高而減小。
35.根據(jù)權(quán)利要求21所述的器件，其中圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面具有比所述下鈍化膜的傾角小的傾角。
36.根據(jù)權(quán)利要求35所述的器件，其中所述上鈍化膜的側(cè)表面具有15°-45°的傾角。
37.根據(jù)權(quán)利要求35所述的器件，其中所述像素電極、所述焊盤上電極和接觸電極中的至少其中之一形成為其厚度隨著其在所述上鈍化膜的側(cè)表面走高而減小。
38.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述雙層鈍化膜的下鈍化膜由SiOx形成，所述上鈍化膜由SiNx形成。
39.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述雙層鈍化膜的上鈍化膜和下鈍化膜都由SiNx形成，所述上鈍化膜具有比所述下鈍化膜更高的氮含量。
40.根據(jù)權(quán)利要求1所述的器件，其中所述雙層鈍化膜的上鈍化膜和下鈍化膜都由SiNx形成，所述下鈍化膜具有比所述上鈍化膜更高的硅含量。
41.一種制造液晶顯示器件的方法，包括第一掩模工藝，在基板上形成選通線以及與所述選通線連接的選通電極；第二掩模工藝，形成覆蓋所述選通線和選通電極的柵絕緣膜、所述柵絕緣膜上的半導(dǎo)體圖案、在所述半導(dǎo)體圖案上的與所述選通線交叉以限定像素區(qū)的數(shù)據(jù)線、與所述數(shù)據(jù)線連接的源極、以及面向所述源極的漏極；第三掩模工藝，形成覆蓋所述數(shù)據(jù)線、源極和漏極的雙層鈍化膜、穿透所述像素區(qū)中的雙層鈍化膜的上層鈍化膜的像素孔、露出所述漏極的漏接觸孔、以及形成在所述像素孔中與露出的漏極相連接的像素電極，所述像素電極被形成為以圍繞所述像素孔的所述上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
42.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述第三掩模工藝還包括通過使所述像素電極和所述選通線相交疊，其間具有柵絕緣膜和所述雙層鈍化膜的下鈍化膜來形成存儲電容。
43.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述第一掩模工藝還包括在所述基板上形成與所述選通線平行的存儲線，并且其中所述第三掩模工藝還包括通過使所述像素電極與所述存儲線相交疊，其間具有柵絕緣膜和所述雙層鈍化膜的下鈍化膜來形成存儲電容。
44.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述第一掩模工藝還包括在基板上形成與所述選通線和所述數(shù)據(jù)線至少其中之一相連接的焊盤下電極，以及其中所述第三掩模工藝還包括形成漏出所述焊盤下電極的接觸孔；以及形成通過所述接觸孔與所述焊盤下電極相連接的焊盤上電極。
45.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述第二掩模工藝還包括形成從所述數(shù)據(jù)線和所述報道體圖案延伸的焊盤下電極，以及其中，所述第三掩模工藝還包括形成穿透所述雙層鈍化膜的接觸孔以露出所述焊盤下電極；以及在所述接觸孔中形成焊盤上電極，所述焊盤上電極與所述焊盤下電極相連接。
46.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述焊盤上電極形成在所述接觸孔中，并形成為以圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
47.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中所述焊盤上電極形成在所述接觸孔中，并形成為以圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
48.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述接觸孔穿透所述雙層鈍化膜以及所述柵絕緣層以露出所述焊盤下電極。
49.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中所述接觸孔被形成為將直至所述焊盤下電極和部分所述半導(dǎo)體圖案穿透，以露出所述焊盤下電極。
50.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，其中所述第三掩模工藝包括利用光刻工藝使用衍射曝光掩模和半色調(diào)掩模之一，在所述雙層鈍化膜上形成具有不同厚度的光刻膠圖案；利用蝕刻工藝，使用所述具有不同厚度的光刻膠圖案作為掩模，形成漏接觸孔、像素孔和接觸孔；形成覆蓋所述光刻膠圖案的透明導(dǎo)電膜，并形成焊盤上電極和像素電極，所述焊盤上電極和像素電極在所述像素孔和接觸孔中，與所述透明導(dǎo)電膜分開；以及去除光刻膠圖案及其上的透明導(dǎo)電薄膜。
51.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中形成有像素孔和接觸孔的所述雙層鈍化膜的上鈍化膜比所述光刻膠圖案過刻蝕。
52.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中形成有像素孔和接觸孔的所述雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面比所述光刻膠圖案的邊緣在水平方向上形成得更遠。
53.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中形成所述漏接觸孔、所述像素孔和所述接觸孔的步驟包括通過第一蝕刻工藝，使用所述光刻膠圖案作為掩模形成漏接觸孔和所述接觸孔；通過第二蝕刻工藝，使用光刻膠圖案形成所述像素孔。
54.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中，所述接觸孔形成為，在第一蝕刻工藝中，柵絕緣膜留在焊盤下電極上，在第二蝕刻工藝中，露出所述焊盤下電極。
55.根據(jù)權(quán)利要求53所述的方法，其中，所述所述第一蝕刻工藝包括干蝕刻工藝，所述第二蝕刻工藝包括濕刻工藝。
56.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中所述第三掩模工藝包括利用光刻工藝使用衍射曝光掩模和半色調(diào)掩模之一，在所述雙層鈍化膜上形成具有不同厚度的光刻膠圖案；利用蝕刻工藝，使用所述具有不同厚度的光刻膠圖案作為掩模，形成漏接觸孔、像素孔和接觸孔；形成覆蓋所述光刻膠圖案的透明導(dǎo)電膜，并形成焊盤上電極和像素電極，所述焊盤上電極和像素電極在所述像素孔和接觸孔中，與所述透明導(dǎo)電膜分開；以及去除光刻膠圖案及其上的透明導(dǎo)電薄膜。
57.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中形成有像素孔和接觸孔的所述雙層鈍化膜的上鈍化膜比所述光刻膠圖案過刻蝕。
58.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中形成有像素孔和接觸孔的所述雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面比所述光刻膠圖案的邊緣在水平方向上形成得更遠。
59.根據(jù)權(quán)利要求56所述的方法，其中形成所述漏接觸孔、所述像素孔和所述接觸孔的步驟包括通過第一蝕刻工藝，使用所述光刻膠圖案作為掩模形成漏接觸孔和所述接觸孔；通過第二蝕刻工藝，使用光刻膠圖案形成所述像素孔。
60.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中，所述接觸孔形成為，在第一蝕刻工藝中，柵絕緣膜留在焊盤下電極上，在第二蝕刻工藝中，露出所述焊盤下電極。
61.根據(jù)權(quán)利要求59所述的方法，其中，所述所述第一蝕刻工藝包括干蝕刻工藝，所述第二蝕刻工藝包括濕刻工藝。
62.根據(jù)權(quán)利要求50所述的方法，其中，所述第三掩模工藝還包括形成與所述接觸孔連在一起的第二接觸孔，以露出所述雙層鈍化膜的下鈍化膜。
63.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中所述第二接觸孔圍繞所述接觸孔。
64.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中所述焊盤上電極沿所述第二接觸孔延伸以淀積在所述下鈍化膜上。
65.根據(jù)權(quán)利要求62所述的方法，其中所述焊盤上電極形成為以圍繞所述第二接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
66.根據(jù)權(quán)利要求45所述的方法，其中所述焊盤上電極具有比所述焊盤下電極寬的區(qū)域。
67.根據(jù)權(quán)利要求44所述的方法，所述第二掩模工藝還包括形成數(shù)據(jù)連接，數(shù)據(jù)連接從所述焊盤下電極延伸，所述數(shù)據(jù)連接與所述數(shù)據(jù)線相連接并與所述數(shù)據(jù)線相鄰；其中所述第三掩模工藝還包括形成第二接觸孔，以露出所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)連接；以及形成接觸電極，所述接觸電極通過所述第二接觸孔與所述數(shù)據(jù)線和所述數(shù)據(jù)連接相連接。
68.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中，所述接觸電極形成在所述第二接觸孔中，并形成為以圍繞所述第二接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
69.根據(jù)權(quán)利要求68所述的方法，其中所述第三掩模工藝還包括形成第三接觸孔，所述第三接觸孔與所述第二接觸孔一體化，露出所述雙層鈍化膜的下鈍化膜。
70.根據(jù)權(quán)利要求69所述的方法，其中，所述第三接觸孔圍繞所述第二接觸孔。
71.根據(jù)權(quán)利要求69所述的方法，其中，所述接觸電極通過所述第三接觸孔延伸，以淀積在所述下鈍化膜上。
72.根據(jù)權(quán)利要求69所述的方法，其中，所述接觸電極形成為以圍繞所述第三接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
73.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中，所述第二接觸孔穿透所述數(shù)據(jù)線和半導(dǎo)體圖案中的至少其中之一，以露出所述數(shù)據(jù)線的側(cè)表面。
74.根據(jù)權(quán)利要求67所述的方法，其中，圍繞所述接觸孔的雙層鈍化膜的上鈍化膜的側(cè)表面具有比所述下鈍化膜的傾角小的傾角。
75.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中所述上鈍化膜的側(cè)表面具有15°-45°的傾角。
76.根據(jù)權(quán)利要求74所述的方法，其中所述像素電極、所述焊盤上電極和接觸電極中的至少其中之一形成為其厚度隨著其在所述上鈍化膜的側(cè)表面上走高而減小。
77.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述雙層鈍化膜具有蝕刻率不同的各層。
78.根據(jù)權(quán)利要求41所述的方法，其中所述雙層鈍化膜包括下鈍化膜和蝕刻率比所述下鈍化膜高的上鈍化膜。
79.根據(jù)權(quán)利要求78所述的方法，其中所述下鈍化膜由SiOx形成，所述上鈍化膜由SiNx形成。
80.根據(jù)權(quán)利要求78所述的方法，其中所述上鈍化膜和下鈍化膜都由SiNx形成，所述上鈍化膜具有比所述下鈍化膜更高的氮含量。
81.根據(jù)權(quán)利要求78所述的方法，其中所述雙層鈍化膜的上鈍化膜和下鈍化膜都由SiNx形成，所述下鈍化膜具有比所述上鈍化膜更高的硅含量。
82.一種制造液晶顯示器件的方法，包括在基板上形成其間具有柵絕緣膜的相互交叉的選通線和數(shù)據(jù)線，以限定像素區(qū)；與所述選通線和數(shù)據(jù)線相連接的薄膜晶體管；在所述基板上形成雙層鈍化膜，其中所述鈍化膜的各層具有不同的蝕刻率；在所述雙層鈍化膜上形成光刻膠圖案；利用所述光刻膠圖案作為掩模，通過濕刻形成穿透所述雙層鈍化膜的上鈍化膜的像素孔以及穿透所述雙層鈍化膜的接觸孔；形成所述光刻膠圖案上的透明導(dǎo)電層以及像素孔中的像素電極，其被形成為以所述上鈍化層為邊界，所述像素電極通過所述接觸孔與所述薄膜晶體管連接；以及去除光刻膠圖案及其上的透明導(dǎo)電薄膜。
83.根據(jù)權(quán)利要求82所述的方法，其中所述雙層鈍化膜包括下鈍化膜和蝕刻率比所述下鈍化膜的高的上鈍化膜。
84.一種制造液晶顯示器件的方法，包括在基板上形成第一導(dǎo)電層；形成覆蓋所述第一導(dǎo)電層的下絕緣膜；形成與所述下絕緣膜相比具有較高蝕刻率的上絕緣膜；在所述上絕緣膜上形成光刻膠圖案；形成穿透所述上絕緣膜和下絕緣膜的第一孔；通過濕刻所述上絕緣膜形成露出所述下絕緣膜的第二孔，形成比所述光刻膠圖案過刻蝕的上絕緣膜的側(cè)表面；形成覆蓋所述光刻膠圖案的第二導(dǎo)電層以及第二導(dǎo)電圖案，所述第二導(dǎo)電圖案在所述第二孔中，與所述第二導(dǎo)電層相分開，并通過所述第一孔與所述第一導(dǎo)電層相連接，形成為以所述上絕緣膜為邊界；以及去除所述光刻膠圖案以及其上的第二導(dǎo)電層。
全文摘要
液晶顯示器件及其制造方法。依據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器件包括基板上的選通線；數(shù)據(jù)線，其間具有柵絕緣薄膜地與所述選通線交叉用以限定像素區(qū)；薄膜晶體管，與所述選通線和數(shù)據(jù)線相連；半導(dǎo)體圖案，沿所述數(shù)據(jù)線交疊；雙層鈍化膜，覆蓋所述數(shù)據(jù)線和所述薄膜晶體管，其中所述鈍化膜的各層具有不同的刻蝕率；以及像素電極，形成在穿透了所述雙層鈍化膜的上鈍化膜的像素孔中，并與通過漏接觸孔露出的薄膜晶體管的漏極相連接、所述像素電極形成為以圍繞所述像素孔的所述上鈍化膜的側(cè)表面為邊界。
文檔編號H01L21/027GK1797163SQ200510124698
公開日2006年7月5日 申請日期2005年11月9日 優(yōu)先權(quán)日2004年12月31日
發(fā)明者李志瑙, 郭喜榮, 李昌斌 申請人:Lg.菲利浦Lcd株式會社