專利名稱：集成注入邏輯電路的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及集成電路技術(shù)領(lǐng)域，更具體地，本發(fā)明涉及一種集成注入邏輯電路制造中的方法，并涉及集成注入邏輯電路。
背景技術(shù)：
BiCMOS技術(shù)將雙極和CMOS器件結(jié)合在單個(gè)芯片上。目前已經(jīng)證明BiCMOS技術(shù)對于日益增加的通信(尤其是無線應(yīng)用)用電路的集成化來說，是非常有用的。由于雙極器件廣泛用于高頻部件，例如用于模擬無線電功能，而CMOS技術(shù)用于數(shù)字和混合信號部件，例如與系統(tǒng)中其它電路的數(shù)據(jù)接口。由于高器件密度區(qū)域和轉(zhuǎn)換時(shí)的低功耗，CMOS技術(shù)在邏輯電路方面也具有優(yōu)勢。因此在過去十年，BiCMOS技術(shù)一直用于集成度不斷增加的與數(shù)字模塊相連接的基礎(chǔ)雙極電路模塊。
用于無線應(yīng)用的BiCMOS工藝可以稱為高端BiCMOS工藝，在該工藝中蔣CMOS工藝添加到現(xiàn)有的高性能雙極工藝中。與將中速雙極晶體管添加到高性能CMOS工藝的低端BiCMOS相對照，在性能而非成本方面有優(yōu)勢。Norstr_m等人的美國專利No.6,610,578，以及Johansson等人的國際專利公開WO 02/091463 A1中描述了用于高頻無線電應(yīng)用的高性能雙多聚(double-poly)雙極工藝，只要對雙極工藝進(jìn)行小的修改就可將這些工藝擴(kuò)展到BiCOMS。在上述的美國專利中描述了在此工藝中橫向PNP晶體管的設(shè)計(jì)。
集成注入邏輯(I2L或多晶體管邏輯MTL)是于20世紀(jì)70年代的早期發(fā)明的。該技術(shù)提供了高封裝密度、低功耗、簡單的制造技術(shù)、良好的電流驅(qū)動(dòng)能力，并且能在同一晶片很容易地與線形函數(shù)和其它邏輯類型相混合?；镜腎2L單元包括緊密連接的(超級集成)橫向PNP晶體管Q1和垂直多集電極NPN晶體管Q2。這在S.M.Sze(Ed.)，“半導(dǎo)體器件物理學(xué)”，2nd ed.，Wiley，1981.pp.182-183中的圖1a-b中可見。從橫向PNP晶體管Q1注入電流到垂直多集電極NPN晶體管Q2的基極。NPN晶體管Q2在反向模式下工作。結(jié)果，NPN晶體管的反向β在某些工藝技術(shù)中可能太低，使得I2L在不進(jìn)行工藝改進(jìn)的情況下無法工作。I2L作為中速技術(shù)是非常成功的，當(dāng)然MOS技術(shù)的發(fā)展很快降低了它在大的高速數(shù)字電路中的重要性，如我們今天擁有的微型處理器。
Sawada在美國專利No.5,504,368中披露了一種電路裝置，其中分別形成垂直晶體管以用于NPN高速操作(對雙極RF操作有用)和NPN高beta操作(可用于I2L)，并形成橫向PNP晶體管用于I2L注入極。
Eichler和Wallner的德國專利No.196 14 876講授了如何將I2L與高電壓的NPN晶體管集成的方法。
Yamamoto和Tominaga的美國專利No.5,831,328披露了I2L半導(dǎo)體器件的制造工藝，其中多晶硅集電極接觸用于解決金屬布線問題。
Chen等人的美國專利No.6,232,193披露了注入邏輯器件，其中場氧化物用于將多個(gè)集電極彼此分開。多晶硅用于接觸集電極。大量的附加特征更進(jìn)一步改善了器件。

發(fā)明內(nèi)容
BiCMOS技術(shù)的主要劣勢是其工藝非常復(fù)雜，這導(dǎo)致較高的制造成本和更長的制造周期。
常規(guī)的I2L半導(dǎo)體工藝與舊的擴(kuò)散雙極工藝相兼容；然而這一概念并不直接適用于現(xiàn)代的雙極工藝技術(shù)。
美國專利No.5,504,368披露的器件要求復(fù)雜和非常規(guī)的制造工藝。此外，該器件似乎沒有最佳地使用可利用空間。
因此，本發(fā)明的目的是提供一種集成注入邏輯電路制造中的方法，該方法能夠克服與前述現(xiàn)有技術(shù)相關(guān)的問題。
在這一方面，本發(fā)明的特殊目的是提供與現(xiàn)代的雙極工藝技術(shù)相兼容的方法，所述現(xiàn)代雙極工藝技術(shù)有例如用于制造用于當(dāng)今的高性能雙極和BiCMOS電路的雙多聚雙極晶體管的方法。
本發(fā)明的更進(jìn)一步的目的是提供這樣的方法，其簡單易懂并且需要最少的工藝步驟。
本發(fā)明還有更進(jìn)一步的目的是提供這樣的方法，通過該方法獲得良好的器件隔離。
本發(fā)明更進(jìn)一步的目的是提供這樣的方法，用該方法能夠制造緊湊且高密度的注入邏輯電路。
本發(fā)明更進(jìn)一步的目的是提供這樣的方法，用該方法能夠制造包含高性能晶體管的注入邏輯電路。
本發(fā)明更進(jìn)一步的目的是提供在雙極工藝中制造包含集成注入邏輯電路和雙極放大器器件的無線電收發(fā)裝置的制造方法。
本發(fā)明更進(jìn)一步的目的是提供一種集成注入邏輯電路，其能夠通過實(shí)現(xiàn)以上目標(biāo)的方法制造并包含高性能晶體管。
依照本發(fā)明的這些目標(biāo)通過在所附的專利權(quán)利要求中所聲明的方法和電路來實(shí)現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種集成注入邏輯電路制造中的方法，該集成注入邏輯電路包含第一摻雜類型的橫向雙極晶體管和與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的垂直雙極多集電極晶體管，其中橫向雙極晶體管的基極與垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極是共用的，稱為共基極/發(fā)射極，并且橫向雙極晶體管的集電極與垂直雙極多集電極晶體管的基極是共用的，稱為共集電極/基極。通過離子注入和擴(kuò)散，將共基極/發(fā)射極、共集電極/基極和橫向雙極晶體管的發(fā)射極形成在襯底中。該襯底可以為大塊的襯底或絕緣體上硅(SOI)襯底。
第一多晶層被淀積在襯底上并被圖形化以形成共集電極/基極的多晶接觸區(qū)，以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)。淀積隔離層并將其圖形化以形成用于共集電極/基極的接觸區(qū)的電隔離的隔離結(jié)構(gòu)。最后，淀積第二多晶層并將其圖形化以形成共基極/發(fā)射極的接觸區(qū)，以及垂直雙極多集電極晶體管的多千集電極。
優(yōu)選地，共集電極/基極形成為通過共集電極/基極的接觸區(qū)互相連接的多個(gè)橫向分離區(qū)。
在實(shí)施例的詳細(xì)描述中披露了幾種布圖。其中之一，垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極被安排在橫向雙極晶體管的發(fā)射極的接觸區(qū)和共集電極/基極的接觸區(qū)之間，這沿電路的橫向可見。多個(gè)集電極被有利地沿一直線布置，該直線與橫向的方向?qū)嵸|(zhì)上垂直。
根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種制造邏輯電路裝置的方法，該邏輯電路裝置包含多個(gè)集成注入邏輯電路。這種方法在每個(gè)集成注入邏輯電路的制造中包括本發(fā)明前述方面的方法。
根據(jù)本發(fā)明的又一方面，提供了一種制造無線電收發(fā)裝置的方法，該裝置包含集成注入邏輯電路和雙極放大器器件，其中該方法包括集成注入邏輯電路制造過程中的前述方法。
依照本發(fā)明的又一方面，提供一種集成注入邏輯電路，依照集成注入邏輯電路的制造中的上述方法制造該集成注入邏輯電路。
本發(fā)明的進(jìn)一步的特性和優(yōu)點(diǎn)將從下文給出的本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)描述和附圖2-6中得以證實(shí)，附圖僅以說明的方式給出，因而并不限定本發(fā)明。


附圖1a-b是根據(jù)現(xiàn)有技術(shù)的集成注入邏輯電路的電路圖和高度放大的剖面圖。
附圖2a是依據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的集成注入邏輯電路的示意性布局。圖2b-c是沿圖2a的電路的A-A線和B-B線的橫截面視圖。
附圖3-5是依據(jù)發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例的集成注入邏輯電路的示意性布局。
附圖6是包括多個(gè)如圖4布局的集成注入邏輯電路的11級環(huán)形震蕩器的示意性布局。
在所有附圖中相同的參考數(shù)字表示相似的部件和部分。
具體實(shí)施例方式
為了給出對本發(fā)明的全面理解，將描述不同的實(shí)施例。對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說，本發(fā)明可以以與那些明確披露的實(shí)施例不同的實(shí)施例來實(shí)施是顯而易見的。在其他的情況下，省略了本領(lǐng)域技術(shù)人員公知方法的詳細(xì)描述。
應(yīng)該指出，以下描述的工藝步驟在美國專利No.6,610,578和國際專利公開WO 02/091463A1中有更加詳細(xì)的描述，在此引入其內(nèi)容作為參考。尤其是在執(zhí)行高性能雙極晶體管制作的對應(yīng)工藝步驟時(shí)，可以同時(shí)執(zhí)行以下描述的工藝步驟。這樣的單獨(dú)雙極工藝(bipolar only process)可用于制作包括放大器結(jié)構(gòu)和邏輯的無線電收發(fā)裝置。
參照附圖2a-c，描述了包括橫向雙極PNP晶體管和垂直雙極NPN多集電極晶體管的單片集成垂直器件的制備中的方法的第一實(shí)施例。
如圖2b-c所示，提供了p+/p-摻雜的大塊襯底晶片1?；蛘?，該晶片是絕緣體上硅(SOI)襯底晶片。
通過離子注入形成文獻(xiàn)中常常稱為副集電極的掩埋n+摻雜區(qū)2。附圖2a中以2a表示注入期間界定掩埋n+摻雜區(qū)2的掩模布圖。如果襯底晶片是SOI襯底晶片，則優(yōu)選掩埋n+摻雜區(qū)2不向下到達(dá)絕緣體層。
在掩埋n+摻雜區(qū)2的頂部，淀積外延硅層。對此層完成p-摻雜的毯覆式硼注入，從而產(chǎn)生p阱區(qū)。進(jìn)行另外的n-型注入以在該外延層中形成n-摻雜阱區(qū)3。n-摻雜阱區(qū)3將同時(shí)構(gòu)成橫向PNP晶體管的基極和垂直多集電極晶體管的發(fā)射極。附圖2a中以3a表示界定n-摻雜阱區(qū)3的形成的掩模布圖。包括其中形成n-摻雜阱區(qū)3的外延層的單晶結(jié)構(gòu)通常被稱為其中形成了有源部件的襯底。
接著，隔離區(qū)4形成于n-摻雜阱區(qū)3中。隔離區(qū)4可以是LOCOS隔離，淺溝槽隔離(STI)或其它隔離結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，隔離區(qū)4足夠淺以便不會(huì)向下到達(dá)掩埋n+摻雜區(qū)2。附圖2a中以4a表示用于形成淺隔離區(qū)4的掩模布圖。
圍繞集成注入邏輯電路形成優(yōu)選為深溝槽的器件隔離結(jié)構(gòu)5，這可以通過附圖2a中以5a表示的用于形成器件隔離結(jié)構(gòu)5的掩模布圖看出?；蛘?，如果n-阱區(qū)3(掩模3a)外部的區(qū)域是p阱區(qū)，由此產(chǎn)生了器件結(jié)構(gòu)的結(jié)隔離。
然后，形成n+摻雜墜(sinker)或接觸栓結(jié)構(gòu)6以獲得從掩埋n+摻雜區(qū)2直至襯底表面的電接觸。附圖2a中以6a表示形成n+摻雜墜結(jié)構(gòu)6的掩模布圖。
在該結(jié)構(gòu)上淀積稱為第一多晶層的多晶硅薄層并且隨后對其進(jìn)行p+摻雜。圖形化第一多晶層以形成第一、第二多晶接觸區(qū)7’和7”。附圖2a中以7a表示用來形成接觸區(qū)7’和7”的掩模布圖。其上淀積隔離層，從該隔離層形成用來電隔離第一接觸區(qū)7’的隔離結(jié)構(gòu)8。
在下一步驟中，以低能量向該結(jié)構(gòu)注入p型摻雜劑。在由隔離結(jié)構(gòu)8限定的開口中的襯底中形成p摻雜表面區(qū)。后續(xù)的熱處理使得p型摻雜劑從第一、第二接觸區(qū)7’和7”擴(kuò)散至襯底中以形成由第一接觸區(qū)7’互連的p摻雜區(qū)9以及橫向PNP晶體管的發(fā)射極10。p摻雜區(qū)9將同時(shí)構(gòu)成橫向PNP晶體管的集電極和垂直多集電極晶體管的基極。
在該結(jié)構(gòu)上淀積第二多晶層并隨后對其進(jìn)行n+摻雜。圖形化第二多晶層以形成用于公共的橫向PNP晶體管的基極與垂直多集電極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)11’，并形成垂直多集電極晶體管的多個(gè)集電極11”。附圖2a中以11a表示用來形成接觸區(qū)11’和多個(gè)集電極11”的掩模布圖。
應(yīng)當(dāng)理解，在后續(xù)熱處理期間，n型摻雜劑從多個(gè)集電極11”擴(kuò)散并進(jìn)入p摻雜區(qū)9，以便在襯底表面下獲得pn結(jié)。
接著，硅化暴露的硅表面以在其上形成薄硅化物層12，之后以傳統(tǒng)方式繼續(xù)進(jìn)行金屬化工藝。
附圖2b示出了橫向PNP晶體管和垂直多集電極NPN晶體管。它們對應(yīng)的電流路徑通過指向箭頭示意性地指出。橫向PNP晶體管包括發(fā)射極10、基極3及集電極9，并且對應(yīng)的接觸區(qū)由7”、11’和7’表示。相似地，垂直多集電極NPN晶體管包括發(fā)射極3、基極9及多個(gè)集電極11”。發(fā)射極和基極的接觸區(qū)由11’和7’表示，而多個(gè)集電極11”經(jīng)硅化物直接連接至金屬。
優(yōu)選地，多個(gè)集電極11”的數(shù)目等于p摻雜區(qū)9的數(shù)目，并且多個(gè)集電極11”與p摻雜區(qū)9對準(zhǔn)，即形成實(shí)質(zhì)上與p摻雜區(qū)9交疊的多個(gè)集電極11”。
可以在附圖2b中看到，垂直多集電極晶體管的多個(gè)集電極11”排列在橫向晶體管的發(fā)射極的接觸區(qū)7”和公共的橫向晶體管的集電極及垂直多集電極晶體管基極的接觸區(qū)7’之間。
可以在與附圖2a有關(guān)的附圖2c中看到，垂直多集電極晶體管的多個(gè)集電極11”基本上沿直線排列，該直線實(shí)質(zhì)上與橫向方向正交。
從而上面的方法提供了一種與當(dāng)今雙極工藝技術(shù)相兼容的、不需更多工藝步驟的方法，當(dāng)今的雙極技術(shù)有例如那些用于制備雙多聚雙極晶體管的方法。此方法進(jìn)一步提供了具有高性能晶體管的、緊湊且高密度的注入邏輯的制造。
假如在制備高性能雙極晶體管的工藝中實(shí)施上面的方法，在形成公共的橫向PNP晶體管的基極和垂直NPN多集電極晶體管的發(fā)射極的同時(shí)，在襯底中形成高性能雙極晶體管的集電極。在形成公共的橫向PNP晶體管的集電極和垂直NPN多集電極晶體管的基極的接觸區(qū)7’以及橫向PNP晶體管的發(fā)射極的接觸區(qū)7”的同時(shí)，由第一多晶層形成高性能雙極晶體管的基極接觸區(qū)。在形成公共的橫向PNP晶體管的基極和垂直NPN多集電極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)11’以及垂直NPN多集電極晶體管的多個(gè)集電極11”的同時(shí)，由第二多晶層形成高性能雙極晶體管的發(fā)射極接觸區(qū)。
附圖3-6示出了發(fā)明的更多實(shí)施例的示意布圖?？梢允褂脹]有修改的上述工藝，僅是布圖有區(qū)別。
在附圖3示出的實(shí)施例中，公共的橫向PNP晶體管的集電極和垂直NPN多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)7’與垂直NPN多集電極晶體管的多個(gè)集電極11”一同沿一直線排列。這可以通過附圖3中用于淀積的第一、第二多晶層7a和11a的掩模布圖看出。
在附圖4示出的實(shí)施例中，橫向PNP晶體管發(fā)射極的接觸區(qū)7’與垂直NPN多集電極晶體管的八個(gè)集電極11”一同沿一直線排列。這可以通過附圖4中用于淀積的第一、第二多晶層7a和11a的掩模布圖看出。
在附圖5示出的實(shí)施例中，垂直NPN多集電極晶體管的八個(gè)集電極11”基本上沿兩條平行直線排列，并且橫向PNP晶體管發(fā)射極的接觸區(qū)7”以及公共的橫向PNP晶體管的集電極和垂直NPN多集電極晶體管的基極的接觸區(qū)7’沿兩條平行直線延長和排列，垂直雙極多集電極晶體管的八個(gè)集電極也沿上述直線排列。這可以通過附圖5中用于淀積的第一、第二多晶層7a和11a的掩模布圖看出。
在附圖6示出的實(shí)施例中，示出了包括六個(gè)均為附圖4中示出的集成注入邏輯電路71的11級環(huán)形震蕩器。器件隔離結(jié)構(gòu)72，尤其是深溝槽，圍繞六個(gè)集成注入邏輯電路的每一個(gè)形成。注意，由于每兩個(gè)相鄰的集成注入邏輯電路71共享一直溝槽結(jié)構(gòu)，從而得到緊湊的結(jié)構(gòu)。
如此描述的本發(fā)明可以用作各種各樣的邏輯電路裝置的制造，尤其是與高性能RF雙極器件結(jié)合。
權(quán)利要求
1.一種集成注入邏輯電路制造中的方法，該集成注入邏輯電路包括第一摻雜類型的橫向雙極晶體管和與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的垂直雙極多集電極晶體管，其中橫向雙極晶體管的基極(3)與垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極(3)是共用的，且橫向雙極晶體管的集電極(9)與垂直雙極多集電極晶體管的基極(9)是共用的，該方法的特征在于以下步驟-在襯底中形成公共的橫向雙極晶體管的基極和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極、公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極、以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極(10)，-在襯底上淀積第一多晶層，并由該第一多晶層形成公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)；以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)(7”)，-淀積隔離層，并由該隔離層形成用于電隔離公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)的隔離結(jié)構(gòu)(8)，以及-淀積第二多晶層，并由該第二多晶層形成公共的橫向雙極晶體管的基極和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)(11’)；以及垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)。
2.權(quán)利要求1的方法，其中公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極形成為多個(gè)橫向分開的區(qū)域(9)，這些區(qū)域(9)通過公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)互連。
3.權(quán)利要求2的方法，其中所述多個(gè)橫向分開的區(qū)域(9)的數(shù)量等于垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)的數(shù)量。
4.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的方法，其中垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)設(shè)置在橫向雙極晶體管的發(fā)射極的接觸區(qū)(7”)與公共的橫向雙極晶體管的集電極及垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)之間，這在所述電路的橫向方向(A-A)可看到。
5.權(quán)利要求4的方法，其中垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)基本上沿直線(B-B)排列，該直線(B-B)實(shí)質(zhì)上與所述橫向方向垂直。
6.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的方法，其中垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)基本上沿一直線排列，并且橫向雙極晶體管發(fā)射極的接觸區(qū)(7”)、或公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)與垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極一起沿該直線排列。
7.權(quán)利要求1-3中任一項(xiàng)的方法，其中垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)基本上沿兩條平行直線排列，并且橫向雙極晶體管的發(fā)射極的接觸區(qū)(7”)、和公共的橫向雙極晶體管的集電極及垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)沿這兩條平行直線平行延長和排列，垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極基本沿上述直線排列。
8.權(quán)利要求1-7中任一項(xiàng)的方法，其中隔離結(jié)構(gòu)(5)，尤其是深溝槽，圍繞所述集成注入邏輯電路形成。
9.權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的方法，其中在大塊襯底中形成公共的橫向雙極晶體管的基極和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極、公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極、以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極。
10.權(quán)利要求1-8中任一項(xiàng)的方法，其中在SOI襯底中形成公共的橫向雙極晶體管的基極和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極、公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極、以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極。
11.權(quán)利要求1-10中任一項(xiàng)的方法，其中所述方法在單獨(dú)雙極工藝中實(shí)施。
12.一種制造包含多個(gè)集成注入邏輯電路(71)的邏輯電路裝置的方法，所述方法在該多個(gè)集成注入邏輯電路中每一個(gè)的制造中包括權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的方法。
13.權(quán)利要求12的方法，其中其中隔離結(jié)構(gòu)(72)，尤其是深溝槽，圍繞該多個(gè)集成注入邏輯電路中的每一個(gè)形成。
14.一種制造包含集成注入邏輯電路的無線電收發(fā)裝置的方法，所述方法包括權(quán)利要求1-11中任一項(xiàng)的方法。
15.權(quán)利要求14的方法，其中無線電收發(fā)裝置包含雙極放大器器件，并且所述方法包括在單個(gè)管芯上同時(shí)制造所述集成注入邏輯電路和所述雙極放大器器件。
16.權(quán)利要求15的方法，其中在形成公共的橫向雙極晶體管的基極(3)和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極(3)的同時(shí)，在所述襯底中形成所述雙極放大器器件的集電極。
17.權(quán)利要求15或16的方法，其中在形成公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)(7”)的同時(shí)，由第一多晶層形成所述雙極放大器器件的基極接觸區(qū)。
18.權(quán)利要求15-17中任一項(xiàng)的方法，其中在形成公共的橫向雙極晶體管的基極和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)(11’)以及垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)的同時(shí)，由第二多晶層形成所述雙極放大器器件的發(fā)射極接觸區(qū)。
19.一種集成注入邏輯電路，包括第一摻雜類型的橫向雙極晶體管和與所述第一摻雜類型相反的第二摻雜類型的垂直雙極多集電極晶體管，其中橫向雙極晶體管的基極(3)與垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極(3)是共用的，且橫向雙極晶體管的集電極(9)與垂直雙極多集電極晶體管的基極(9)是共用的，其特征在于-在襯底中提供公共的橫向雙極晶體管的基極和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極、公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極、以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極(10)，-在所述襯底上提供公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)；以及橫向雙極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)(7”)，-提供隔離結(jié)構(gòu)(8)，其用于電隔離公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)，以及-在所述襯底上提供公共的橫向雙極晶體管的基極和垂直雙極多集電極晶體管的發(fā)射極的多晶接觸區(qū)(11’)；以及垂直雙極多集電極晶體管的多個(gè)集電極(11”)。
20.權(quán)利要求19的電路，其中公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極形成為多個(gè)橫向分開的區(qū)域(9)，這些區(qū)域(9)通過公共的橫向雙極晶體管的集電極和垂直雙極多集電極晶體管的基極的多晶接觸區(qū)(7’)互連。
21.一種無線電收發(fā)裝置，包括單個(gè)管芯上的雙極放大器器件和權(quán)利要求19或20的集成注入邏輯電路。
全文摘要
一種制備I
文檔編號H01L21/8226GK1790673SQ20051011998
公開日2006年6月21日 申請日期2005年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2004年10月6日
發(fā)明者T·約翰松, H·諾爾斯特倫 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司