專利名稱：輻射芯片的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及輻射芯片，它具有一個發(fā)射光子的有源區(qū)和一個配屬于該有源區(qū)的且尤其是與該有源區(qū)相鄰的耦合輸出窗，該耦合輸出窗具有一個耦合輸出面，通過該耦合輸出面，由該有源區(qū)發(fā)出的輻射的至少一部分被耦合輸出芯片。
背景技術(shù)：
US5087949A公開了一種發(fā)光二極管芯片，它具有一個截錐形n攙雜耦合輸出窗。沿著n型基體的基面，形成一個p型層。在p型層的下面，有一個絕緣層，該絕緣層被一個中心窗斷開。在該窗中，p型層被一個接觸層接通。在截錐形基體的表面上有另一個接觸層。通過該絕緣層，限定了電流要流經(jīng)p型層和n型基體地流向窗區(qū)。在電流流動時，在窗區(qū)內(nèi)，按照p型層和n型基體之間界面地發(fā)出光子。由于基體成截錐形，所以，大部分光子以一個角度擊中截錐形基體的一個耦合輸出面，該角度小于全反射的臨界角。這樣一來，該已知元件具有一個比較大的光輸出。
已知的發(fā)光二極管芯片的一個缺點是，pn結(jié)位于芯片的安裝側(cè)上。因此，當(dāng)利用導(dǎo)電的銀-環(huán)氧樹脂粘合劑進行安裝時，存在很大的危險，即側(cè)上涌的粘合劑使有源區(qū)電短路，這導(dǎo)致元件失效。

發(fā)明內(nèi)容
基于這樣的現(xiàn)有技術(shù)，本發(fā)明的任務(wù)是提供上述類型的改進型芯片，其中尤其是有源區(qū)或其一部分的短路的危險被盡可能消除了。
為此，本發(fā)明提供一種用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)和一個具有至少一個耦合輸出面的耦合輸出窗，其特征在于，該有源區(qū)與該芯片的一個主輻射方向有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗的后面，在該耦合輸出窗的與該有源區(qū)對置的側(cè)面上形成一個鏡面，該耦合輸出面從側(cè)面超出該有源區(qū)的側(cè)面，該耦合輸出面具有彎曲的表面，對沿該耦合輸出面的該有源區(qū)的最大一半尺寸R1來說，適用以下條件，即R1＜R2nA/ni，其中R2是該耦合輸出面的曲率半徑，nA是環(huán)境的折射率，ni是該耦合輸出窗的材料的折射率。
本發(fā)明還提供一種用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)和一個具有至少一個耦合輸出面的耦合輸出窗，其特征在于，該有源區(qū)與該芯片的一個主輻射方向有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗的后面，在該耦合輸出窗的與該有源區(qū)對置的側(cè)面上形成一個鏡面，該耦合輸出面從側(cè)面超出該有源區(qū)的側(cè)面，該耦合輸出面具有彎曲的表面，該耦合輸出面的曲率半徑R2大于2H-R2(nA/ni)并小于2H+R2(nA/ni)，其中H等于芯片高度，nA是環(huán)境的折射率，ni是該耦合輸出窗的材料的折射率。
本發(fā)明又提供一種用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)和一個具有至少一個耦合輸出面的耦合輸出窗，其特征在于，該有源區(qū)與該芯片的一個主輻射方向有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗的后面，在該耦合輸出窗的與該有源區(qū)對置的側(cè)面上形成一個鏡面，該耦合輸出面從側(cè)面超出該有源區(qū)的側(cè)面，該耦合輸出面具有彎曲的表面，該耦合輸出面的曲率半徑R2大于或等于2H，其中H等于芯片高度。
本發(fā)明再提供一種用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)和一個具有至少一個耦合輸出面的耦合輸出窗，其特征在于，該有源區(qū)與該芯片的一個主輻射方向有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗的后面，在該耦合輸出窗的與該有源區(qū)對置的側(cè)面上形成一個鏡面，該耦合輸出面從側(cè)面超出該有源區(qū)的側(cè)面，該鏡面在該有源區(qū)的下方具有使光子轉(zhuǎn)向旁側(cè)的凸起。
此外，本本發(fā)明提供一種用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)和一個具有至少一個耦合輸出面的耦合輸出窗，其特征在于，該有源區(qū)與該芯片的一個主輻射方向有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗的后面，在該耦合輸出窗的與該有源區(qū)對置的側(cè)面上形成一個鏡面，該耦合輸出面從側(cè)面超出該有源區(qū)(8)的側(cè)面，該鏡面是彎曲的。
在下文中，“芯片軸線”是指一條垂直于芯片安裝面地穿過芯片的直線。
根據(jù)本發(fā)明，芯片有源區(qū)具有一個垂直于芯片軸線的橫截面，該橫截面小于耦合輸出窗的一個垂直于芯片軸線的橫截面，在芯片輻射方向上，有源區(qū)設(shè)置在耦合輸出窗之后。在耦合輸出窗的背對有源區(qū)并進而面對安裝面的那側(cè)上，形成有一個鏡面。該鏡面最好大于有源區(qū)的上述橫截面并且最好由金屬化層構(gòu)成，所述金屬化層特別優(yōu)選地同時被用于芯片的電接通。
在本發(fā)明的芯片中，使發(fā)出光子的有源區(qū)足夠遠(yuǎn)地遠(yuǎn)離將芯片固定在芯片載體上的各導(dǎo)電接合劑，從而盡可能消除了有源區(qū)因?qū)щ娊雍蟿┒姸搪返奈ｋU。所以，本發(fā)明的芯片可以可靠地安裝。
在本發(fā)明元件的一個優(yōu)選實施例中，一個側(cè)超出有源區(qū)的耦合輸出窗局部的指向芯片輻射方向的面具有一個彎曲的并例如是呈圓形向外隆起的表面。該彎曲表面最好圍繞有源區(qū)，從而耦合輸出窗至少具有一個近似于球冠形形式的外輪廓。
在這里，有源區(qū)的橫截面和耦合輸出窗的彎曲表面的曲率半徑R2是如此選擇的，即通過在鏡面上的反射而形成的虛有源區(qū)位于屬于弧段的Weierstrass球內(nèi)。這尤其意味著，曲率半徑R2大于或等于元件高度的兩倍。另外，沿耦合輸出面的有源區(qū)最大一半外尺寸R1為R1＜R2nA/ni，其中nA是環(huán)境的折射率，ni是耦合輸出窗材料的折射率，所述環(huán)境尤其由芯片注塑材料構(gòu)成。
通過這樣的結(jié)構(gòu)，芯片接近按照Weierstrass原理的理想形狀，因為虛有源區(qū)在Weierstrass球內(nèi)并且在那里虛生的光子可以離開基體。
本發(fā)明尤其優(yōu)選地適用于這樣的芯片，其中耦合輸出窗的材料具有大于有源區(qū)的與之相鄰材料的折射率，所述有源區(qū)主要成有源多層結(jié)構(gòu)的形式。這樣一來，有利地避免了在有源區(qū)和耦合輸出窗之間界面上的從有源區(qū)射向后面的射線的反射，由此實現(xiàn)了耦合輸入耦合輸出窗的射線的壓縮。
本發(fā)明的芯片幾何形狀尤其優(yōu)選地被用在基于氮化物的發(fā)光二極管芯片上，其中，有源多層結(jié)構(gòu)形成在一個碳化硅或基于碳化硅的外延生長襯底上。在這里，折射率X有源層＞折射率X襯底是適用的?；贕aN的發(fā)光二極管芯片是這樣的發(fā)光二極管芯片，即其輻射層例如具有GaN、InGaN、AlGaN和/或InGaAlN。
“基于氮化物”尤其包括所有的二元、三元、四元的含氮III-V族半導(dǎo)體混晶，如GaN、InG、AlN、AlGaN、InGaN、InAlN和AlInGaN。
類似地，“基于碳化硅”是指其主要性能由成分Si和C體現(xiàn)的任何混晶。
有源區(qū)的層系列最好已外延生長到一襯底材料上，而襯底材料隨后被進一步加工成耦合輸出窗。


以下，結(jié)合附圖來詳細(xì)說明本發(fā)明，附圖所示為圖1是按照Weierstrass原理的發(fā)光元件的橫截面示意圖；圖2是本發(fā)明的芯片的橫截面示意圖；圖3是圖2所示芯片的橫截面示意圖，其中標(biāo)出了可能的有源區(qū)的位置；圖4是本發(fā)明芯片的另一個實施例的橫截面示意圖；圖5表示一個定向照射的實施例的橫截面；圖6表示一個實施例的橫截面，其鏡面在有源區(qū)下面具有使光子射向側(cè)方的凸起；圖7表示具有凹形鏡面的實施例；圖8表示一個具有并列有源區(qū)的元件，分別給有源區(qū)配備一個耦合輸出窗的一截錐形部。
具體實施例方式
圖1所示元件具有一個橫截面，該橫截面是理想地按照Weierstrass原理設(shè)計的。該元件具有一個半徑為R1的發(fā)光內(nèi)區(qū)1。發(fā)光區(qū)1被一個具有折射率ni和半徑R2的外層2包圍住。外層2被一種具有折射率nA的材料(例如，空氣或塑料注塑材料)包圍住。因此，在發(fā)光區(qū)1內(nèi)產(chǎn)生的光可以完全耦合輸出外層2，必須滿足R1/R2＜nA/ni。
在圖2中示出了一個發(fā)光二極管(LED)芯片的橫截面，該芯片具有一個球冠形耦合輸出窗4，在其基面5上形成一個鏡面層6。在鏡面層6的對面，在耦合輸出窗4上設(shè)有一個發(fā)射光子的有源區(qū)8。有源區(qū)8包括一個具有一輻射區(qū)10且尤其是一輻射pn結(jié)的層系列9并且被一接觸層11覆蓋著。有源區(qū)8可以除了輻射區(qū)10的這些層外還包括例如涉及晶體或電氣匹配的其它層和/或所謂的覆層。這樣的層系列是已知的并因而在此不詳細(xì)說明了。鏡面層6也可以被設(shè)計成接觸層。
當(dāng)電流流過耦合輸出窗4和有源區(qū)8時，在輻射區(qū)10內(nèi)通過載流子重新組合產(chǎn)生光子。所產(chǎn)生光子的一部分被一直射向耦合輸出窗4并在基面5上反射并且有一大部分光子轉(zhuǎn)向耦合輸出面7。如果這些光子以一個小于全反射的臨界角(也稱為極限角)的角度擊中，則這些光子能夠穿過耦合輸出面7并離開耦合輸出窗4。與常見的芯片幾何形狀相比，在本發(fā)明的芯片中提高了離開耦合輸出窗的概率。
特別有利的是，如此選擇芯片的幾何形狀比，即如此與耦合輸出面7相關(guān)地出現(xiàn)有源區(qū)8的一個假想圖12，即滿足了無全反射的光耦合輸出的Weierstrass條件。這就是這樣的情況，即耦合輸出面7的曲率半徑R2是如此選擇的，即2H-R2(nA/ni)≤R2≤2H+R2(nA/ni)，最好是R2＝2H，其中H是芯片3高度。另外，對于有源區(qū)8的半徑R1、有源區(qū)8的折射率n1、耦合輸出面4的折射率n2來說必須滿足以下條件R1/R2＜nA/ni。在這種情況下，大部分擊中鏡面6的光子通過耦合輸出面7被耦合輸出?；诖?，基本上只有在鏡面6和有源區(qū)8之間來回反射的或在有源區(qū)8內(nèi)又被吸收的光子被輸出去。
在圖4中，示出了一個變型芯片13，其耦合輸出窗14在局部厚度上即從界面到有源區(qū)8地借助其走向相對芯片軸線偏斜的側(cè)面15成截錐形。傾斜的側(cè)面15與耦合輸出窗14的其余側(cè)面一起構(gòu)成一個穹頂隆起的耦合輸出面，其包絡(luò)線近似成球冠形。后者在圖4中用虛線表示。圖4所示芯片就其可以簡單制成并能同時近似于按照Weierstrass原理的理想形狀來說是有利的。
與圖4所示芯片13不同，在圖5所示芯片16中，傾斜的側(cè)面15以一個小于圖4芯片13的相應(yīng)側(cè)面15延伸向芯片軸線。在圖5中，用虛線示出了芯片13的側(cè)面15。由于側(cè)面17的銳角，由芯片16發(fā)出的射線在輻射方向18上會聚。圖15中的實線所示光子軌跡，與圖4芯片13的虛線所示光子軌跡20相比，上述光子軌跡更大的指向輻射方向18。如圖所示，一些光子軌跡19在接觸層11和鏡面層6之間來回延伸。具有這樣軌跡的光子一部分在有源區(qū)8內(nèi)被吸收并損失。如圖6所示，通過設(shè)置相對芯片軸線傾斜的面30，在耦合輸出窗14的背對有源區(qū)8的那側(cè)上，至少減少了這種現(xiàn)象，其中該側(cè)面最好成鏡面。傾斜面30可以使上述光子軌跡側(cè)偏離開芯片軸線，從而光子軌跡不再反射向有源區(qū)8，而是反射向耦合輸出窗14的一個側(cè)面。
這種相對芯片軸線傾斜的輻射轉(zhuǎn)向面30例如可以通過耦合輸出窗14的適當(dāng)成圖來實現(xiàn)，這種成圖借助在基面5內(nèi)的有源區(qū)8下面的凹槽21和在凹槽之間的凸起22。凹槽21例如可以通過反應(yīng)型離子蝕刻或通過鋸槽來實現(xiàn)。
在圖7所示的另一個實施例的橫截面中，耦合輸出窗26在其背對有源區(qū)8的那側(cè)上具有一個成拋物面狀凹面鏡形狀的鏡面層6。鏡面層6的焦點最好在有源區(qū)8內(nèi)。通過在鏡面層上的反射，源于有源區(qū)8的光子軌跡被如此反射，即光子以一個小于全反射臨界角的角度擊中耦合輸出窗26的前面24。這在圖7中結(jié)合光子軌跡25地示出了。除了成拋物面狀的芯片背面外，可以與圖2、4、5的芯片一樣構(gòu)成耦合輸出窗26的表面24。
圖7的芯片幾何形狀的優(yōu)點是，耦合輸出面在窗層26的前面上并且較小。亮度有利地高于圖2所示的芯片3。因此，光可以更容易地利用后置的光學(xué)組件成圖。
最后，如圖8所示，可以并排設(shè)置多個芯片3、13或23，這些芯片被組合成唯一芯片27。在這里，側(cè)面15通過在耦合輸出窗4內(nèi)的凹槽28構(gòu)成。凹槽28最好通過異形鋸切被開設(shè)到耦合輸出窗4中。
在圖1-8所示的實施例中，鏡面6分別成接觸層的形式。但是，也可以不在整個面上進行接通，而是除了一個局部覆蓋基面5的接觸層外，使其余面鏡面化。一個局部覆蓋基面5的接觸層例如可以成網(wǎng)狀或條狀。沿基面5形成的接觸層可以適當(dāng)?shù)匚挥谏辖佑|層的對面，以使電損耗低。
也可以代替沿基面接通地在有源區(qū)8和耦合輸出窗4或26之間采取接通，這種接通從側(cè)面引出。
在圖2-8所示的實施例中，有源區(qū)8分別設(shè)置在一個棱鏡狀耦合輸出窗4上。也可以設(shè)想到，在圖2-6所示的實施例中，耦合輸出窗4成夫累內(nèi)爾透鏡形式。在圖7所示的實施例中，鏡面6也可以成夫累內(nèi)爾鏡的形式。
觸點可以成條形或網(wǎng)狀，其中在條或網(wǎng)線之間的間隙組好被設(shè)計成是反射的。
例1對圖5所示的基面為400微米見方且其pn結(jié)有一個120微米見方的芯片16，檢測耦合輸出率。鏡面6反射為90％，接觸層11的反射為80％。側(cè)面17具有一個60度傾斜角。耦合輸出窗4由碳化硅制成并且有源區(qū)8是在InGaN的基礎(chǔ)上制成的。在這種情況下，42％的發(fā)出光子能夠離開芯片16。
例2在另一個與例1的芯片16的區(qū)別僅在于側(cè)面17的傾斜角為45度的芯片16中，耦合輸出率為39％。
比較例1在一個基面為400微米見方、背面反射率為90％、在接觸層上的正面反射率為80％的常見立方芯片中，耦合輸出率為28％。
比較例2在一個基面為400微米見方、吸光正面接觸層為120微米見方、具有另一個正面透明的電流放大接觸層并有50％透射率和90％的背面反射率的常見立方芯片中，耦合輸出率為25％。
試驗結(jié)果表明，在圖5所示的芯片16中，與常見的立方芯片相比，光輸出增大了1.7倍。在圖1-4所示的實施例中，光輸出增大仍然很大。
尤其是在發(fā)射紫外光的芯片中，光輸出增大很明顯，因為用于芯片注塑的材料一般吸收紫外光并因而無法使用?？墒?，在此提出的芯片3、13、16、23具有很高的耦合輸出率，從而能夠放棄澆注。
權(quán)利要求
1.用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)(8)和一個具有至少一個耦合輸出面(7，15，17)的耦合輸出窗(4)，其特征在于，該有源區(qū)(8)與該芯片的一個主輻射方向(18)有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗(4)的后面，在該耦合輸出窗(4)的與該有源區(qū)(8)對置的側(cè)面(5)上形成一個鏡面(6)，該耦合輸出面(7，15，17)從側(cè)面超出該有源區(qū)(8)的側(cè)面，該耦合輸出面具有彎曲的表面，對沿該耦合輸出面的該有源區(qū)(8)的最大一半尺寸R1來說，適用以下條件，即R1＜R2nA/ni，其中R2是該耦合輸出面(7)的曲率半徑，nA是環(huán)境的折射率，ni是該耦合輸出窗的材料的折射率。
2.用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)(8)和一個具有至少一個耦合輸出面(7，15，17)的耦合輸出窗(4)，其特征在于，該有源區(qū)(8)與該芯片的一個主輻射方向(18)有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗(4)的后面，在該耦合輸出窗(4)的與該有源區(qū)(8)對置的側(cè)面(5)上形成一個鏡面(6)，該耦合輸出面(7，15，17)從側(cè)面超出該有源區(qū)(8)的側(cè)面，該耦合輸出面(7)具有彎曲的表面，該耦合輸出面(7)的曲率半徑R2大于2H-R2(nA/ni)并小于2H+R2(nA/ni)，其中H等于芯片高度，nA是環(huán)境的折射率，ni是該耦合輸出窗的材料的折射率。
3.用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)(8)和一個具有至少一個耦合輸出面(7，15，17)的耦合輸出窗(4)，其特征在于，該有源區(qū)(8)與該芯片的一個主輻射方向(18)有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗(4)的后面，在該耦合輸出窗(4)的與該有源區(qū)(8)對置的側(cè)面(5)上形成一個鏡面(6)，該耦合輸出面(7，15，17)從側(cè)面超出該有源區(qū)(8)的側(cè)面，該耦合輸出面具有彎曲的表面，該耦合輸出面(7)的曲率半徑R2大于或等于2H，其中H等于芯片高度。
4.用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)(8)和一個具有至少一個耦合輸出面(7，15，17)的耦合輸出窗(4)，其特征在于，該有源區(qū)(8)與該芯片的一個主輻射方向(18)有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗(4)的后面，在該耦合輸出窗(4)的與該有源區(qū)(8)對置的側(cè)面(5)上形成一個鏡面(6)，該耦合輸出面(7，15，17)從側(cè)面超出該有源區(qū)(8)的側(cè)面，該鏡面(6)在該有源區(qū)(8)的下方具有使光子轉(zhuǎn)向旁側(cè)的凸起(21)。
5.用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)(8)和一個具有至少一個耦合輸出面(7，15，17)的耦合輸出窗(4)，其特征在于，該有源區(qū)(8)與該芯片的一個主輻射方向(18)有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗(4)的后面，在該耦合輸出窗(4)的與該有源區(qū)(8)對置的側(cè)面(5)上形成一個鏡面(6)，該耦合輸出面(7，15，17)從側(cè)面超出該有源區(qū)(8)的側(cè)面，該鏡面(6)是彎曲的。
6.如權(quán)利要求1至5之一所述的芯片，其特征在于，該有源區(qū)(8)是一個形成于該耦合輸出窗(4)上的層系列(9)。
7.如權(quán)利要求1至6之一所述的芯片，其特征在于，該芯片具有一個經(jīng)過該有源區(qū)(8)的芯片軸線。
8.如權(quán)利要求1至7之一所述的芯片，其特征在于，該耦合輸出窗(4)具有穹頂形形狀且尤其是球冠形形狀，該耦合輸出窗向著該有源區(qū)縮小。
9.如權(quán)利要求1至8之一所述的芯片，其特征在于，該耦合輸出窗(4)至少局部成截錐形。
10.如權(quán)利要求9所述的芯片，其特征在于，至少局部成截錐形的該耦合輸出窗(4)包圍出一個球缺。
11.如權(quán)利要求9或10所述的芯片，其特征在于，至少局部成截錐形的該耦合輸出窗(4)包圍出一個旋轉(zhuǎn)橢圓體，該旋轉(zhuǎn)橢圓體具有穿過該有源區(qū)(8)的縱軸線。
12.如權(quán)利要求1至11之一所述的芯片，其特征在于，該耦合輸出窗(4)成夫累內(nèi)爾透鏡形式。
13.如權(quán)利要求1至12之一所述的芯片，其特征在于，從該有源區(qū)(8)看過去，該鏡面(6)成凹形。
14.如權(quán)利要求1至13之一所述的芯片，其特征在于，該鏡面(6)成拋物面形。
15.如權(quán)利要求1至14之一所述的芯片，其特征在于，該鏡面(6)成夫累內(nèi)爾鏡形式。
16.如權(quán)利要求1至15之一所述的芯片，其特征在于，該鏡面(6)起到接觸面的作用。
17.如權(quán)利要求1至16之一所述的芯片，其特征在于，該鏡面(6)形成在接觸面的旁邊。
18.如權(quán)利要求17所述的芯片，其特征在于，該接觸區(qū)成條形。
19.如權(quán)利要求17或18所述的芯片，其特征在于，該接觸區(qū)成網(wǎng)狀。
20.如權(quán)利要求17至19之一所述的芯片，其特征在于，該接觸面位于該有源區(qū)(8)的對面。
21.如權(quán)利要求1至20之一所述的芯片，其特征在于，在該有源區(qū)(8)和該耦合輸出窗(4)之間形成有一個接觸層。
22.如權(quán)利要求1至21之一所述的芯片，其特征在于，該耦合輸出窗的材料具有大于該有源區(qū)的材料的折射率。
23.如權(quán)利要求1至22之一所述的芯片，其特征在于，設(shè)有一個基于氮化物的有源區(qū)，該耦合輸出窗具有碳化硅材料或基于碳化硅的材料。
24.如權(quán)利要求23所述的芯片，其特征在于，該有源區(qū)的一個輻射層具有GaN、InGaN、AlGaN和/或InGaAlN。
25.如權(quán)利要求1至24之一所述的芯片，其特征在于，該有源區(qū)生長在該耦合輸出窗上。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于光電子學(xué)的芯片，尤其是發(fā)光二極管芯片，它具有一個發(fā)出光子的有源區(qū)(8)和一個具有至少一個耦合輸出面(7，15，17)的耦合輸出窗(4)，其特征在于，該有源區(qū)(8)與該芯片的一個主輻射方向(18)有關(guān)地設(shè)置在該耦合輸出窗(4)的后面，在該耦合輸出窗(4)的與該有源區(qū)(8)對置的側(cè)面(5)上形成一個鏡面(6)，該耦合輸出面(7，15，17)從側(cè)面超出該有源區(qū)(8)的側(cè)面，該耦合輸出面具有彎曲的表面，對沿該耦合輸出面的該有源區(qū)(8)的最大一半尺寸R
文檔編號H01L33/00GK1780005SQ20051011648
公開日2006年5月31日 申請日期2001年11月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月6日
發(fā)明者J·保爾, D·埃澤爾特, M·費雷爾, B·哈恩, V·海勒, U·雅各布, R·奧伯施米德, W·普拉斯, U·施特勞斯, J·維克爾, U·策恩德 申請人:奧斯蘭姆奧普托半導(dǎo)體有限責(zé)任公司