專利名稱：液晶顯示器及其薄膜晶體管基板的制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示器及其薄膜晶體管基板的制造方法。
背景技術：
為達極小化及降低電力消耗，而推出的平面面板顯示裝置如液晶顯示器、等離子體顯示面板(PDP；Plasma Display Panel)、場致發(fā)光顯示器(ELD；Electroluminescent Display)及真空發(fā)光顯示器(VFD；Vacuum FluorescentDisplay)。在這些平面面板顯示裝置中，由于畫質(zhì)佳及電力消耗低，因此盡管有許多不同的缺點，液晶顯示器的研發(fā)活動仍最為活躍。
不同于現(xiàn)有的單塊晶體管(monolithic transistor)形成于一半導體基材中，薄膜晶體管以堆積數(shù)層薄膜于一基材上制造而成。因此薄膜晶體管具有較單塊晶體管簡單及容易制造的結(jié)構(gòu)。故，薄膜晶體管已被廣泛地使用于例如作為大尺寸電子裝置(如液晶顯示器)的開關元件上。
為了使薄膜晶體管液晶顯示器的影像具有一致性，寫入操作中由數(shù)據(jù)線施以的信號電壓必須在另一信號接收前的一特定時間內(nèi)保持固定。因此，為增進顯示器的影像品質(zhì)，一般在每個像素區(qū)域會設有一儲存電容元件(storagecapacitor)。
圖1所示為一現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器的一像素配置圖(pixel layout)。如圖所示，多條柵極線2與數(shù)據(jù)線5呈矩陣排列形成在基板1上。像素區(qū)域指兩相鄰柵極線以及兩相鄰數(shù)據(jù)線所圍的區(qū)域。每一個像素區(qū)域設有一像素電極4，其藉由一漏極7與一半導體層3連接。該半導體層3形成在該柵極線2上并藉由一源極6與數(shù)據(jù)線5連接。此外，每一個像素區(qū)域設有一獨立配線的電容電極10，其與柵極線2平行。該電容電極10一般以不透光的導電金屬例如鋁、鉻、鉭或鉬形成，因而會造成開口率(aperture ratio)(亦即可透光區(qū)域的比例)下降。
此外，像素電極4被設計為盡量靠近數(shù)據(jù)線5以獲得優(yōu)選的開口率。然而，當像素電極4的邊緣太接近數(shù)據(jù)線5時將導致電容耦合(capacitivecoupling)(亦即串擾(crosstalk))的問題而使得顯示器像素會有一部分呈現(xiàn)變暗(darkened)。
為了使液晶顯示器彩色化，一般設有一彩色濾光片基板(未示于圖中)。該彩色濾光片基板上設有一光遮蔽陣列(例如遮光層(BM))、彩色濾光片用來顯示彩色以及一透明電極作為一共同電極(common electrode)。由于該彩色濾光片基板與前述基板1很難完全對準，因此為避免對位不準導致的漏光，該遮光層通常需要與像素電極重疊一特定距離以作為工藝裕度(processwindow)，因此該遮光層一般會設計得較寬；然而，這將造成液晶顯示器開口率下降。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的主要目的是提供一種具有新穎儲存電容結(jié)構(gòu)的液晶顯示器，其可克服或至少改善前述現(xiàn)有技術的問題。
根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器，其主要包含一液晶層夾設于第一及第二基板之間，以及多條柵極線(gate line)與數(shù)據(jù)線(data line)設于該第一基板。該多條柵極線與數(shù)據(jù)線配置形成多個矩陣排列的像素區(qū)域。該每一個像素區(qū)域設有一像素電極、一電容電極以及一薄膜晶體管。該像素電極具有靠近數(shù)據(jù)線的第一邊以及靠近柵極線的第二邊。該薄膜晶體管的漏極有一部份沿該像素電極的第一邊或第二邊延伸且重疊相對應的電容電極。該漏極延伸部的長度優(yōu)選大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
該第二基板一般設有一光遮蔽陣列例如遮光層(BM)，多個彩色濾光片以及一共同電極。該第一基板稱為薄膜晶體管基板，而該第二基板稱為彩色濾光基板因為其設有彩色濾光片。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管的漏極延伸部與該像素電極一起作為該電容電極的相反電極，藉此可提供額外的儲存電容。
根據(jù)本發(fā)明的電容電極可呈「U」字形且具有一中央部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該中央部份互相連接。該「U」字形電容電極的兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊，用以作為一輔助光遮蔽層。因此，根據(jù)本發(fā)明彩色濾光基板上的遮光層可以設計得較窄以有效增加液晶顯示器開口率，而利用本發(fā)明的「U」字形電容電極的兩側(cè)部分來遮蔽對位不準所可能導致的漏光。根據(jù)本發(fā)明的漏極的延伸部可呈「U」字形且重疊該電容電極的該中央部分以及該兩側(cè)部分。
此外，根據(jù)本發(fā)明的電容電極亦可呈環(huán)狀且具有兩連接部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該兩連接部份互相連接，每個環(huán)狀電容電極的該兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊。在此實施例中，該漏極的延伸部可呈「U」字形且重疊該電容電極的該兩側(cè)部分以及該兩連接部份之一。
此外，根據(jù)本發(fā)明的電容電極亦可呈倒「U」字形，且該漏極的延伸部亦呈倒「U」字形且彼此重疊。
在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器中，該漏極延伸部以及該像素電極與該電容電極形成一第一儲存電容單元。此外，該每一個像素區(qū)域中的柵極線與柵電極優(yōu)選各有一部份與相鄰像素區(qū)域中的像素電極的相對應第二邊重疊，藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元而進一步提供額外的儲存電容。
本發(fā)明另提供一種用以制造薄膜晶體管面板的方法，其包含下列步驟(a)形成一具有柵極線與電容電極的第一金屬圖案于一絕緣基板上；(b)沉積一柵絕緣層覆蓋該第一金屬圖案；(c)形成一半導體圖案于該柵絕緣層之上；(d)形成一具有源極、漏極與數(shù)據(jù)線的第二金屬圖案于該半導體圖案以與柵絕緣層上，該漏極有一部份沿該柵極線或數(shù)據(jù)線的方向延伸且重疊該電容電極的中央部份；(e)形成一護層覆蓋該半導體圖案及第二金屬圖案；(f)在該護層中形成多個通孔；及(g)形成多個像素電極于該護層上，每一個像素電極經(jīng)由該通孔之一與該漏極電連接。


為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征、和優(yōu)點能更明顯，下文特舉本發(fā)明優(yōu)選實施例，并配合附圖，作詳細說明如下。
圖1現(xiàn)有薄膜晶體管液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖2-4根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖5根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖6根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖7根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；圖8根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)；以及圖9根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixel layout)。
附圖標記說明1 基板2 柵極線3 半導體層4 像素電極5 數(shù)據(jù)線 6 源極7 漏極10電容電極12柵極線 12a 柵電極15數(shù)據(jù)線 15a 源極22像素電極22a 第一邊22b 第二邊 24電容電極24a 側(cè)部分 24b 中央部份24c 連接部分24d 中央部份25連接部分26薄膜晶體管28半導體層30漏極30a 延伸部 32連接部40遮光層具體實施方式
雖然本發(fā)明可表現(xiàn)為不同形式的實施例，但附圖所示者及于下文中說明者為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，并請了解本文所揭示者考量為本發(fā)明的一范例，且并非意圖用以將本發(fā)明限制于圖示及/或所描述的特定實施例中。
圖2-4所示為根據(jù)本發(fā)明一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器主要包含一液晶層(未示于圖中)密封于一第一基板與一第二基板之間。如圖所示，多條柵極線12與數(shù)據(jù)線15呈矩陣排列設在該第一基板上。該多條柵極線12與數(shù)據(jù)線15配置形成多個矩陣排列的像素區(qū)域，這些柵極線12以及數(shù)據(jù)線15藉由一柵絕緣層而彼此絕緣。像素區(qū)域指兩相鄰柵極線12以及兩相鄰數(shù)據(jù)線15所圍的區(qū)域。每一個像素區(qū)域設有一像素電極22(在圖2及圖3中該像素電極22以陰影覆蓋用以幫助了解)、一電容電極24以及一薄膜晶體管26。該像素電極22具有大致平行于數(shù)據(jù)線15的第一邊22a以及大致平行于柵極線12的第二邊22b。
該薄膜晶體管26包含一由柵極線12延伸的柵電極12a、一半導體層28、一由數(shù)據(jù)線15延伸的源極15a及一漏極30。每一像素區(qū)域內(nèi)設有一連接部32用以電連接該漏極30與像素電極22。該連接部32可包含一通孔，該通孔的連接可利用形成像素電極22的導電層(例如銦錫氧化物(ITO))。當掃描信號輸入柵極線12時，薄膜晶體管26將被打開而將影像信號(data signal)送入像素電極22。
參見圖4，該第二基板上設有一光遮蔽陣列例如遮光層(BM)40(未示于圖2及圖3中，而在圖4中該遮光層40以陰影覆蓋用以幫助了解)、彩色濾光片用來顯示彩色(未示于圖中)以及一透明電極例如銦錫氧化物(ITO)電極(未示于圖中)作為一共同電極(common electrode)。一般而言，該第一基板稱為薄膜晶體管基板，而該第二基板稱為彩色濾光基板因為其設有彩色濾光片。
請參照圖2，在此實施例中每個電容電極24呈「U」字形且具有兩側(cè)部分24a藉由一中央部份24b互相連接。該電容電極24的兩側(cè)部分24a分別重疊該像素電極22的第一邊22a，而中央部分24b沿該像素電極22相對應的第二邊22b延伸。該電容電極24一般與柵極線12與柵電極12a一起由一柵極金屬層圖案化而成。
由于柵極金屬層一般以不透光的導電金屬例如鋁、鉻、鉭或鉬形成，因此該電容電極24的兩側(cè)部分24a可作為一輔助光遮蔽層而用來遮蔽基板在實際量產(chǎn)時因?qū)ξ徽`差所導致的漏光。此外，藉由將該遮光層40與該電容電極24的兩側(cè)部分24a重疊一定距離以作為工藝裕度(process window)，根據(jù)本發(fā)明第二基板上的遮光層40在該電容電極24的兩側(cè)部分24a可以設計得較窄。因此，參見圖4，在該電容電極24的兩側(cè)部分24a的可透光區(qū)域的寬度A比未設置電容電極的可透光區(qū)域區(qū)域的寬度B大，因此根據(jù)本發(fā)明的電容電極24的設置可有效增加液晶顯示器開口率，以有效增加透光率以提升光的利用率。
如圖3所示，每個電容電極24利用連接部分25與相鄰近的電容電極連接而大致平行于該柵極線12左右延伸。電容電極24與柵極線12相隔一特定距離并且被獨立驅(qū)動。
請再參照圖2，該薄膜晶體管26的漏極30有一延伸部30a沿該像素電極22的相對應第二邊22b延伸且該漏極延伸部30a的長度大致與該像素電極22的相對應第二邊22b長度相同。由于該漏極30以連接部32電連接至像素電極22，使得該漏極延伸部30a可與像素電極22一起作為該電容電極24的相反電極(counter electrode)，藉此可提供額外的儲存電容。
在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器中，該漏極延伸部30a以及該像素電極22與該電容電極24形成一第一儲存電容單元。因此，該每一個像素區(qū)域中的柵極線12與柵電極12a優(yōu)選各有一部份與相鄰像素區(qū)域中的像素電極22的相對應第二邊22b重疊，除了藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元而進一步提供額外的儲存電容之外，由于柵極金屬層如前述一般以不透光的導電金屬形成，因此該柵極線12與該電容電極24的中央部份24b可作為一輔助光遮蔽層，以輔助在該像素電極22的第二邊22b所需的遮光區(qū)域，是以，根據(jù)本發(fā)明第二基板上的遮光層40在該像素電極22的第二邊22b可以設計得較窄。此外，漏極一般雖然以不透光的導電金屬形成，本發(fā)明的漏極30的該延伸部30a由于與該電容電極24的中央部份24b相重疊(亦即該延伸部30a與該中央部份24b會垂直投影在基板平面上相同的區(qū)域)，因此除了可提供額外的儲存電容，也不會因為延伸部30a而增加額外的遮光面積，還可有效增加液晶顯示器開口率。因此根據(jù)本發(fā)明的電容電極24的中央部份24b的配置可有效增加液晶顯示器開口率，以有效增加透光率以提升光的利用率。
圖5所示為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該漏極延伸部30a大致呈「U」字形且重疊該電容電極24的該中央部分24b以及該兩側(cè)部分24a之外，圖5所示的液晶顯示器大致與第2-4圖所示的液晶顯示器相同。
圖6所示為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該電容電極24呈環(huán)狀且其具有兩側(cè)部分24a藉由兩連接部份24c互相連接之外，圖6所示的液晶顯示器大致與第2-4圖所示的液晶顯示器相同。
圖7所示為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該漏極延伸部30a大致呈「U」字形且重疊該電容電極24的該兩側(cè)部分24a以及相對應連接部份24c之外，圖7所示的液晶顯示器大致與圖6所示的液晶顯示器相同。
圖8所示為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該漏極延伸部30a大致呈環(huán)狀且重疊該電容電極24的該兩側(cè)部分24a以及兩連接部份24c之外，圖8所示的液晶顯示器大致與圖6所示的液晶顯示器相同。
圖9所示為根據(jù)本發(fā)明另一實施例的液晶顯示器的像素配置圖(pixellayout)。除了該電容電極24以及該漏極延伸部30a大致呈倒「U」字形且彼此重疊之外，圖9所示的液晶顯示器大致與圖5所示的液晶顯示器相同。該電容電極24具有兩側(cè)部分24a藉由一中央部份24d互相連接。
雖然該每一個像素區(qū)域中的柵極線12與柵電極12a優(yōu)選各有一部份與相鄰像素區(qū)域中的像素電極22的相對應第二邊22b重疊(如第2-8圖所示)以提供額外的儲存電容，但是在電容值足夠的情況下(一般為液晶電容最少為電容電極的電容的0.8倍～1倍或以上)，也可以如圖9所示的實施例一般不必重疊。此外在靠近柵極部分由于電容電極可設計成如圖6-8所示的環(huán)狀或如圖9所示的倒「U」字形，因此該電容電極24的連接部份24c(參見第6-8圖)或中央部份24d(參見圖9)可作為一輔助光遮蔽層，以輔助在該像素電極22的第二邊22b所需的遮光區(qū)域。因此，當像素電極22的相對應第二邊22b不需與相鄰像素區(qū)域中的柵極線12與柵電極12a重疊時，其可以設計成位于環(huán)型電極的中間。
根據(jù)本發(fā)明的薄膜晶體管面板(第一基板)制造方法將參照圖2描述于下。首先，將一第一金屬層濺鍍于一透明基板上(例如一透明玻璃基板)直到具有一預先設定厚度。該第一金屬層可能為單層或多層的遮光金屬層，其材質(zhì)優(yōu)選為鉻(Cr)、鋁(Al)、鉬(Mo)或鋁釹合金(AlNd)。在本實施例中其為兩層結(jié)構(gòu)，下層為鋁釹合金，上層為鉬，皆利用濺鍍(Sputter)工藝。接著將該第一金屬層利用一微影工藝圖案化而形成一第一金屬圖案，其包含前述的柵極線12與電容電極24。
然后，將一絕緣層沉積于具有柵極線12與電容電極24的基板的全部表面上，以形成一柵絕緣層(未示于圖中)。在本實施例中其材質(zhì)為氮化硅(SiNx)，且利用等離子體增強化學氣相沉積(Plasma-enhanced ChemicalVapor Deposition)工藝。
接著，將一半導體層形成于柵絕緣層上，半導體層一般包含一非晶硅層以及一歐姆接觸層(ohmic contact layer)例如不純物摻雜層(例如n+摻雜非晶硅層)。
在利用一微影工藝將半導體層圖案化之后，將一第二金屬層形成于柵絕緣層以及半導體層圖案的全部表面上，直到形成一預先設定厚度。該第二金屬層可能為單層或多層，其材質(zhì)優(yōu)選為鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鎢(W)、鋁(Al)、硅化鉬(MoSi2)、硅化鈦(TiSi2)、硅化鉭(TaSi2)、硅化鎢(WSi2)、硅化鋁(AlSi)、鋁銅合金(AlCu)、鋁鉛合金(AlPd)、鋁釹合金(AlNd)或氮化鉬(MoN)。在本實施例中其為三層結(jié)構(gòu)，下層為氮化鉬，中層為鋁，上層為氮化鉬，皆利用濺鍍(Sputter)工藝形成。接著，利用一微影工藝將第二金屬層圖案化而形成一第二金屬圖案，其包含前述的數(shù)據(jù)線15、源極15a以及漏極30。
將一護層(passivation layer)(例如氮化硅層，未示于圖中)形成于上述構(gòu)造的全部的表面上，直到一預先設定厚度。在本實施例中其材質(zhì)為氮化硅(SiNx)，且利用等離子體增強化學氣相沉積工藝。接著，利用一微影工藝在該護層中形成多個通孔，使漏極30部分裸露出來。在具有護層的結(jié)構(gòu)的整個表面上形成一作為導電層的銦錫氧化物層之后(ITO layer)，利用一微影工藝圖案化ITO層(步驟311)，藉此形成多個像素電極22于該護層上。每一個像素電極22經(jīng)由該通孔之一與該漏極30電連接。
由于液晶顯示器需要有優(yōu)選的顯示亮度而同時又要節(jié)省能源消耗，因此開口率越高越好。在根據(jù)本發(fā)明的液晶顯示器中，該漏極延伸部以及第二儲存電容單元所提供額外的儲存電容使得電容電極可以被縮小而仍可獲得預先設定的儲存電容。由于電容電極一般以不透光的導電金屬例如鋁、鉻、鉭或鉬形成，因此本發(fā)明的設計可進一步增加液晶顯示器開口率。
雖然本發(fā)明已以前述優(yōu)選實施例揭示，然其并非用以限定本發(fā)明，任何本領域內(nèi)的技術人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，當可作各種的更動與修改。因此本發(fā)明的保護范圍以所附權利要求所界定的為準。
權利要求
1.一種液晶顯示器，其包含一第一基板及一第二基板；一液晶層夾設于該第一及第二基板之間；多條柵極線(gate line)與數(shù)據(jù)線(data line)設于該第一基板上，該多條柵極線與數(shù)據(jù)線配置形成多個矩陣排列的像素區(qū)域，該每一個像素區(qū)域為兩相鄰柵極線以及兩相鄰數(shù)據(jù)線所界定；該每一個像素區(qū)域設有一像素電極，該像素電極具有靠近數(shù)據(jù)線的第一邊以及靠近柵極線的第二邊；多個電容電極，其分別設于相對應的像素區(qū)域；該每一個像素區(qū)域設有一薄膜晶體管，該薄膜晶體管包含一柵電極、一半導體層以及源/漏極，該漏極有一部份沿該像素電極的第一邊或第二邊延伸且重疊相對應的電容電極，其中該漏極延伸部與該像素電極一起作為該電容電極的相反電極。
2.依權利要求1的液晶顯示器，其中該漏極延伸部以及該像素電極與該電容電極形成一第一儲存電容單元，且該每一個像素區(qū)域中的柵極線與柵電極各有一部份與相鄰像素區(qū)域中的像素電極的相對應第二邊重疊，藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元。
3.依權利要求1的液晶顯示器，其中該電容電極呈「U」字形且其具有一中央部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該中央部份互相連接，每個該些「U」字形電容電極的該兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊，每個該些「U」字形電容電極的該中央部分沿該像素電極相對應的第二邊延伸。
4.依權利要求3的液晶顯示器，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的該中央部份。
5.依權利要求4的液晶顯示器，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
6.依權利要求3的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該中央部分以及該兩側(cè)部分。
7.依權利要求1的液晶顯示器，其中該電容電極呈環(huán)狀且其具有兩連接部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該兩連接部份互相連接，每個環(huán)狀電容電極的該兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊。
8.依權利要求7的液晶顯示器，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的相對應連接部份。
9.依權利要求8的液晶顯示器，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
10.依權利要求7的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該兩側(cè)部分以及該兩連接部份之一。
11.依權利要求7的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈環(huán)狀且重疊該電容電極的該兩側(cè)部分以及該兩連接部份。
12.依權利要求1的液晶顯示器，其中該電容電極呈倒「U」字形且其具有一中央部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該中央部份互相連接，每個該些倒「U」字形電容電極的該兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊。
13.依權利要求12的液晶顯示器，其中該漏極的延伸部大致呈倒「U」字形且重疊該倒「U」字形電容電極的該中央部份以及該兩側(cè)部分。
14.一種用以制造薄膜晶體管面板的方法，其包含下列步驟形成一具有柵極線與電容電極的第一金屬圖案于一絕緣基板上；沉積一柵絕緣層覆蓋該第一金屬圖案；形成一半導體圖案于該柵絕緣層的上；形成一具有源極、漏極與數(shù)據(jù)線的第二金屬圖案于該半導體圖案以與柵絕緣層上，該漏極有一部份沿該柵極線或該數(shù)據(jù)線的方向延伸且重疊該電容電極；形成一護層覆蓋該半導體圖案及第二金屬圖案；在該護層中形成多個通孔；及形成多個像素電極于該護層上，每一像素電極經(jīng)由該通孔之一與該漏極電連接，每一個像素電極具有靠近數(shù)據(jù)線的第一邊及靠近柵極線的第二邊。
15.依權利要求14的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極延伸部以及該像素電極與該電容電極形成一第一儲存電容單元，且該柵極線有一部份與相鄰的像素電極的相對應第二邊重疊，藉此該柵極線以與柵電極重疊該像素電極的部分與該像素電極形成一第二儲存電容單元。
16.依權利要求14的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該電容電極呈「U」字形且其具有一中央部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該中央部份互相連接，每個該些「U」字形電容電極的該兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊，每個該些「U」字形電容電極的該中央部分沿該像素電極相對應的第二邊延伸。
17.依權利要求16的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的該中央部份。
18.依權利要求14的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的第二邊長度相同。
19.依權利要求16的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該中央部分以及該兩側(cè)部分。
20.依權利要求14的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該電容電極呈環(huán)狀且其具有兩連接部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該兩連接部份互相連接，每個該些環(huán)狀電容電極的該兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊。
21.依權利要求20的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極延伸部沿該像素電極的相對應第二邊延伸且重疊每個「U」字形電容電極的相對應連接部份。
22.依權利要求21的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極延伸部的長度大致與該像素電極的相對應第二邊長度相同。
23.依權利要求20的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈「U」字形且重疊該電容電極的該兩側(cè)部分及該兩連接部份之一。
24.依權利要求20的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈環(huán)狀且重疊該電容電極的該兩側(cè)部分以及該兩連接部份。
25.依權利要求14的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該電容電極呈倒「U」字形且其具有一中央部份以及兩側(cè)部分，該兩側(cè)部分藉由該中央部份互相連接，每個該些倒「U」字形電容電極的該兩側(cè)部分分別重疊該像素電極的第一邊。
26.依權利要求25的用以制造薄膜晶體管面板的方法，其中該漏極的延伸部大致呈倒「U」字形且重疊該倒「U」字形電容電極的該中央部份以及該兩側(cè)部分。
全文摘要
一種液晶顯示器主要包含一液晶層夾設于一彩色濾光片基板以及一薄膜晶體管基板之間。該薄膜晶體管基板包含多條柵極線與數(shù)據(jù)線配置形成多個矩陣排列的像素區(qū)域。該每一個像素區(qū)域設有一像素電極、一電容電極以及一薄膜晶體管。該像素電極具有靠近數(shù)據(jù)線的第一邊以及靠近柵極線的第二邊。該薄膜晶體管的漏極有一部份沿該像素電極的第一邊或第二邊延伸且重疊相對應的電容電極。
文檔編號H01L29/786GK1873509SQ200510074800
公開日2006年12月6日 申請日期2005年6月3日 優(yōu)先權日2005年6月3日
發(fā)明者高毓謙, 鐘朝鈞 申請人:奇美電子股份有限公司